JPS5858735A - 近似補正回路を使用するハイブリツド可動ステ−ジ及びラスタ電子ビ−ムリソグラフイ−装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ハイブリッド可動ステージ及びマスク電子ビ
ームリングラフイー装置に関する。特に、非線形ビーム
トレースに対する近似補正を行なうべき回路を使用する
ハイブリッド可動ステージ及びマスク電子ビームリソグ
ラフィー装置に関する。

電子ビームリソグラフィー装置は、半導体産業において
マスクグレートの製造のため幅広い使用を成している。

このような電子ビームリソグラフィー装置は、更にウェ
ーハ上に直接描画するために使用され始め、そのような
使用法は、増加すると予想される。電子ビームリソグラ
フィー装置は、電子のソースを収容する中央真空室から
成り、該電子は、電磁気的に指向づけられてマスクグレ
ートのような基板上に衝突する。該マスクは電子感応レ
ジストで被覆され、レノスト上で・臂ターンが入射し方
向づけられた電子によって生成される。

指向づけは、静電グレート又は電磁石のような電子光学
素子の手段によって偏向力をビームに印加することによ
り達成される。原則として、ビームは、レノストが露光
されるべき正確な位置に指向（ベクタービーム走査）づ
けられるか、或いは既定・ｆターンにラスター化されレ
ゾストのノダターンを生成するために！ランク化される
（ラスタービーム走査）かの何れかである。該露光／量
ターンは、次に機能的マスクを生成するためにマスクプ
レート上で現偉される。

ラスター走査電子ビームリソグラフィー装置において、
マスクグレートが平坦であるならば、走査のニップ付近
に・９ターンひずみを受けやすいと予想される。このひ
ずみは、走査の長さが増加するＫつれて増加する。該ひ
ずみによってニップの儂は、中央の儂に比較して引き伸
ばされたように見える。たとえば、Ｊ、Ｆ、　Ａｌ＠ｘ
ａｎｄ＠ｒ　　の米国特許第３，７０６，９０５号「偏
向補償システム」を参照され丸い。加えて、電子的誤差
と同様に幾何学的誤差が、走査のニップに特有の形状を
生成し得る。これらの形状は、樽形、台形、糸巻形及び
キーストーン形を含む。これらの問題を回避するため、
アートラスター走査電子−一ムリソグラフィー装置の方
式は、ベル電話研究所で発展され機械的運動と電子的運
動とを結合させた電子ビーム露光システムが示された。

大きな運動は、マスクが取付けられるステージによって
機械的に行なわれ、一方もつと小さい偏向は電子的にビ
ーム自身に加えられる。走査線は従って有限の長さであ
り、ニップのひずみは減少され又は除去される。動作上
、機械的ステージが低速線形運動し、マスク又はウェー
ハ上の選択カラムの連続的領域を露光する。各ビーム走
査のための偏向フィールドは、２５６μｍまで下って維
持された。従って、各走査のニップにおいて平坦なマス
クグレート上でさえほとんどひずみはない。たとえば、
Ｄ、Ｒ，Ｍｅｒｒｉｏｔｔ等によるｒｇＢｇｓ：実際的
電子リソグラフィツク・システム」；更にＲ，Ｊ、　Ｃ
ｏｔ目ｏｒの米国特許第３，９００，７３７号（１９７
５）ｒ電子ビーム露光システム」を参照されたい。この
描画機構のための原理は、低速システム描画速度に対し
て適切であること奢証明している。たとえば、Ｒ，Ａ、
　Ｇ＊ｓｈｎ＠ｒ　　による「電子ビーム二半導体マス
クを作るより良い方法」を参照されたい。しかしながら
、描画速度を増大するためには、ビームは、もつと速く
偏向され更に広い縞が利用されるべきである。このこと
は、ひずみの発生を特に走査の端部にもたらした。

従って、本発明の一目的は、ハイブリッド可動ステージ
及びマスク電子ビームリソグラフィー装置においてマス
ク走査ひずみを補正するだめの回路を提供することであ
る。　　　　　　　　　　　　　　　′１本発明の他の
目的は、ハイブリッド可動ステージ及びマスク走査電子
ビームリソグラフィーにおいて近似補正をビームに適用
することであり、それは観測される直線走査からの偏差
の関数である。

発明の概要 ハイブリッド可動ステージ及び走査電子ビームリソグラ
フィー装置が、電子光学素子に近似補正を行う回路を使
用し、該電子光学素子はマスク走査を生成するようにビ
ームを方向づける。成る種のひずみが観測されて、回路
が観測されたひずみを補正するように設計される。それ
によりビームの指向づけが補正されて、マスク走査ひず
みのさまざまな形態の影響をとりわけ走査のニップにお
いて実質的に減少させる。たとえば、像面湾曲は、走査
方向座標の値の２乗に比例する項を使用する回路によっ
て補正され、台形誤差は、走査方向に直角の座標の値に
比例する項を使用する回路によって補正される。

好適実施例の説明 マスク（ｒａｓｔ＠ｒ　）走査電子ビーム・リソグラフ
ィー・システムにおける投射線のトレースのひずみは、
さまざまな原因及びさまざまな特性を有する。一つの原
因は幾何形状的であり、たとえば、マスクグレートの平
坦性のために偏向ビームは、走査の長さに亘って線形性
を維持することはない。

すなわち、点放射源から投射される射線は球を描き、且
つマスクグレートは平面で核球を遮断し、以て射線のト
レースに非線形性をもたらす。もう１つの原因は電子的
であり、たとえば、偏向回路内のノイズ又は非線形性に
よって誤差が生じる。

誤差が生じる第３の原因は機械的であり、すなわち、可
動ステージの加速、減速及び修正時間における変動であ
る。本発明の実施にとって、誤差の原因を正確に確認す
ることは、必要でない。むしろ、それら誤差の特性がわ
かりさえすれば、適切な補正を適用し得る。成る特定の
装置の場合には、誤差は適切な動作条件下で視覚的に検
査可能であり、近似補正を得るために補正項が生成され
る。

それから次にこの補正項は、アナログ回路又はソフトウ
ェアによって生成可能である。次に、核補正項のアナロ
グ表現は、ビームを指向づける電子光学素子を駆動する
回路上に重畳される。次に、ビームに付線される偏向は
、走査の末端におけるひずみをもたらすであろう。本発
明の方法は、Ｍ、Ｓ、　Ｍｉ＠ｈａｌｌ　　の米国特許
第３，９００．７３６号「荷電粒子のビームを位置決め
するための方法及び装置」に開示されたタイグの動的補
正ではなく、特性誤差を観測し且つ固定補正項を展開す
ることを前提とする。この固定補正項の生成及び適用は
、ハイブリッド可動ステージ（ｈｙｂｒｉｄ　ｍｏｖｉ
ｎｇ　ｓｔａｇｓ　）及びラスタ化電子ビーム・システ
ムに適するように決定されてきた。観測される多数の誤
差の明白な原因は到底決定され得す且つ動的フィードバ
ック情報が機械的ステージの動作を変えるた込容易に使
われることはあり得ないからである。

ハイブリッド可動ステージ及びラスク化電子ビームーリ
ソグラフィー・システムの機械的及び電気的特徴は、Ｒ
，Ｊ、　Ｃｏ１１ｌ＠ｒ　　等の米国特許第３．９００
，７３７号「電子ビーム露光システム」において詳細に
説明されている。本明細書の第１図に示されるように、
マスクグレートＩＯが可動チーゾル１１上に位置する。

たとえば、可動テーブル１１線、正確な機械的運動を生
じるために直交円筒状空気ベアリングに取り付けられて
も良い。又、可動テーブル１１は、ｐＪ、Ｊ、　Ｇｕａ
ｒｉｎｏの米国特許第４．２８０，０５４号ｒｘ−ｙ作
動テーブル」において開示されたようなマスクグレート
・ホルダーから成っても良い。マスクグレート１０は、
クロムの外被層１３及び電子ビームレゾストの最上層１
４を有するがラスプレート１２から成る。幅約０．５μ
ｍのスポットを形成する変調電子ビーム１５が、電子ビ
ームレジスト層１４を横切ってマスク方式で走査させる
電子光学素子２１によって指向づけられる。走査Ｉｌｊ
！２２が連続的に生成され、以て底部から上部にカラム
１７を描画する。動作上、可動テーブル１１は一定の運
動状態にあり、安定走査変調電子ビーム１５に対してカ
ラム１７のうち新しく且つ未描画部分を提供する。電子
ビームがカラム１７の上部に到達すると、可動テーブル
１１は、曲線矢印２３によって指示されるようにシフ　
　□トして、カラム１８の上部から底部への描画を始め
る。次に、カラム１８が完了されると、可動チーゾル１
１は、曲線矢印２４によって指示されるように別のシフ
トをして、カラム１９の底部から上部への描画を始める
。この順次動作は、分離回路領域１６の最左端カラム全
部が書き込まれる壕でカラム２５を通って連続する。そ
の次に同一の蛇行方式で、左カラムの次のカラムが、個
々の集積回路を成す分離回路領域１６の各々に描画され
る。全ての分離回路領域１６の総表面積が走査されるま
で、カラムからカラムへと走査が連続する。

次に電子レジス）１４の露光部分は現儂され、下層クロ
ムはエツチングされて、マスクが集積回路を製造するた
めに使用される。直接描画電子ビーム装置において、代
表的にはドー・ぐント原子が、レノストの現儂により画
成される領域内に直接注入されるであろう。電子ビーム
１５の安定性は、基準マーク２０の位置の定期検査によ
ってテストされる。

上述したように、走査線の長さが２５６μｒＩＬＫ制限
されるとき、感知可能なひずみは走査の末端に認められ
ない。しかしながら、走査線の長さが増大されると、末
端における位置的誤差が、認められた。これらの誤差は
、以下のさまざまな特性を有する。すなわち、ｙ軸に沿
ったトラバースの末端における走査のフィールドの曲り
或いは軸に沿った走査の末端における上方又は下方への
走査の曲シである像面湾曲（ｆｉ＠ｌｄ　ｃｕｒｖａｔ
ｕｒｅ　）　（走査弓（ｍｃａｎ、ｂｏｗ　）とも呼ば
れる）；走査の軸の回転を含むひずみ；ビームのソース
からグレートｔでの距離が偏向角と共に変化するため、
平坦なプレート上に生成される糸巻形ひずみ；並びにＸ
軸又はｙ軸の何れかの−ＩＡＫおける走査の広がシ又は
狭まシから生じる台形ひずみなどである。これらのタイ
グの誤差の図的説明のため、たとえば、Ｒ，Ａ、　Ｇｅ
５ｈｎｓｒによる「電子ビーム二半導体マスクを作るた
めのより良い方法」固体工学（８ｏｌｌｄＳｔａｔｅＴ
ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）　、　１９７９年７月、６９〜７
２ベーゾ又は精密陰極線管表示装置におけるひずみ補−
１年、Ｉｎｔｒｏｎｌｃｓ　Ｂｒｏｃｈｕｒｅ　（１９
７０）を参照されたい。

ＥＢＥＳ型装置において、これらのひずみ誤差の成るも
ののために容認できる近似補正が決定されてきた。これ
らの補正は、マスクを保持するステージ又は電子光学素
子を駆動する回路に適用可能である。しかしながら、実
際上ステージは質量が大きく、従って大きな慣性が補正
信号に対する遅い応答を生じる。更に、ステージは、所
望の精密補正を行うのを困難にするところの修正時間を
有する。従って、近似補正は好適には、電子光学ビーム
指向素子を駆動する回路上に重畳される。本発明の例示
的実施例は、次に記述されるようＫ。

適切な近似補正ファクターのアナログ表現を発生する回
路を使用する。このアナログ信号は、電子光学素子を駆
動する回路に印加される。変形的には、この補正信号を
、ソフトウェアによって生成して龜良い。

第６図の図形は、Ｘ軸に沿った像面湾曲を示す。

Ｘ方向は、ノ々ターンがあるカラムの上方又は下方へと
描画されている方向である。ｙ方向は、走査の個々の線
の方向である。必然的に、可動テーブル１１（第１図参
照）は、露光されるべき新しく且つ未描画の領域を連続
的に提供する方向に移動する。従って、第１図において
カラム１７が描画されているとき、可動テーブル１１は
、負のＸ方向に移動する。ビーム１５は、ｙ方向の走査
移動と共にＸ方向に微少移動を行う。そのため、可動テ
ーブル１１のＸ方向の大きな移動と共に、水平トレース
２２が生成される。カラム１８が描画されているとき、
可動テーブル１１は、正のＸ方向に移動する。ｙ方向（
ｙ＝０があるカラムの中心線である）は、走査ビーム１
５の走査の所望方向である。完全な走査・ヤターンは、
水平線の連続によって表わされ、該水平線はカラムを画
成するニップライン内に全体として完全に長方形を形成
するであろう。像面湾曲は、走査の端部がＸ軸に沿って
上方若しくは下方に又はＹ軸に沿って走査の終末に曲線
形状を呈するようなひずみである。この曲線は、代表的
、ては対称的であり、両端がＸ方向の上方又は下方に曲
がっているか或いはｙ方向の右側又は左側に曲がってい
るかの何れかである。

第２図は、走査電子ビームによつ、で生成した実際の像
面湾曲を示す。破線３０．３１及び３２によって形成さ
れたマトリックスは、完全な走査の正確な形状を示す。

一方、実線３３．３４及び３５は、走査電子ビームによ
って作られた実際のトレースを図示する。第２図の実行
に関して、可動ステージはロック固定されて、ビームは
Ｘ方向のその許容範囲に亘って走査を生成するため指向
づけられる。ｙ軸の中心はカラムの中心であシ、Ｘ軸の
中心は中心の水平破線である。実線の正方形は（Ｘ方向
に）２８μＲ（ｙ方向に）２９μｍである。

従って、トルレース３５のような実線の水平トレース紘
、電子ビームのスポットサイズが０．５μｍであるので
、５６本のトレースのうち１本を表わす。

走査電子ビームがＸ方向に移動するときに像面湾曲は永
続することが明白である。この誤差を補正するための受
容近似修正ファクターは、以下の通シであることがわか
った。

Ｘ＝恥±ｋｙ３ ここで、Ｘ：カラムの上方又は下方方向の電子ビームの
補正位置 Ｘｏ　ニー’！ターンの方向の未補正ビーム位置 に：定数 ｙ：走査されるカラムの中心線からの 距離、である。

補正項の符号は、弓形の湾曲が下向きであるならば正で
あり、弓形の湾曲が上向きであるならば負である。定数
の値は、湾曲の鋭さく　ｓ＠ｖ＠ｒｌｔｙ　）、すなわ
ち、湾曲の半径によって決定される。誤差が電子ビーム
露光装置のエレクトロニクス、ハードウェア及びソフト
ウェアの作用であって、ウェーハの位置、特定のカラム
又は成るカラム内の走査線の位置に依存しないというこ
とがわかっているときに、補正ファクターは連続的に印
加される。

成る走査線に沿ったビームの位置のみが、必要な補正の
決定に適切である。

第７図の図形は、ｙ軸に沿った像面湾曲を示す。

これは、描画されるべきカラムのニップを越えた電子ビ
ームスポットの移動を成している。第３図は、左方への
実際の像面湾曲ひずみを示す。破線マトリックス４１．
４０及び４５は、走査電子ビームトレースの所望位置を
表わす。実線４２．４３及び４４は、左方に移動してい
る走査電子ビームの実際のトレースを示す。前記のとお
シ、可動ステージはロック固定され、ｙ軸の中心はカラ
ムの中心であシ、Ｘ軸の中心は中心水平線でちる。本発
明にとって像面湾曲の原因を突きとめることは、必要で
はない。むしろ１本発明の実施において、誤差が観測さ
れて適切な近似補正が適用される。

偉面湾曲に関して適切な補正項は、以下の通りであるこ
とがわかったニ ア　＝　Ｔｏ±　ｋｇ” ここで、ｙ：走査方向の電子ビームの補正位置ｙｏ：走
査方向の電子ビームの未補正位置 に：定数 Ｘ二個向フィールドの中心からの距離、である。

隣接カラムの特徴・譬ターンが互いに対して適切に接す
るようｙ軸に沿ってのｇ１１面湾白金補正することが重
要である。

第８−１１図は、２つのタイグの台形誤差を示す。第８
図は、直立台形状の台形誤差を図示する。

破線マトリックス７０，７１及び７２は、走査電子ビー
ムトレースの所望位置を表わす。実線７３．７４及び７
５は、前記直立台形を含む場合がある走査電子ビームの
実際のトレースを示す。前記の通り、可動ステージはロ
ック固定され、ｙ軸の中心はカラムの中心であり、Ｘ軸
の中心は中心水平線である。第１０図は、誤差の形状を
図示する。

この系統的誤差の補正のために適切な補正項は、以下の
通りであることがわかった。

ここで、Ｘ　：　ｉ！ターンの方向の電子ビームの補正
位置 ｘｏ：・９ターンの方向のビームの未補正位置 に：定数 （利得）８：ｘ方向の電子光学偏向素子に印加された利
得 ｙ：走査されるカラムの中心線からの 距離、である。

第９図は、右方に移動する台形状の台形誤差を図示する
。破線マ）　ＩＪソックフ６．７７及び７８は、走査電
子ビームトレースの所望位置を表わす。

実！Ｉ７９．８０及び８１は、前記右方移動台形を含む
走査電子ビームの実際のトレースを示す。前記の通り、
可動ステージはロック固定され、ｙ軸はカラムの中心で
あり、Ｘ軸は第１１図に図示される如くである。この系
統的誤差の補正のために適切な補正項は、以下の通りで
おることがわかった。

ｙ　−Ｆｏ　（利得）、十− に ここで、ｙ：走査方向の電子ビーム補正位置ｙｏ：走査
方向の電子ビーム未補正位置に：定数 （利得）、：ｙ方向の電子光学偏向素子に印加された利
得 Ｘ：偏向フィールドの中心からの距離、である。

第２及び３図のひずみ誤差は、共役座標の２乗に比例す
る補正項を印加することにより近似的に補正される。第
８及び９図のひずみ誤差は、電子光学偏向素子の利得及
び共役座標に比例する補正項を印加することにより近似
的に補正される。これらの補正項は、ハイブリッド電子
ビーム露光装置のラスタ蛇行カラム走査方法に適切であ
ることがわかる。このハイブリッド機構は、やや狭い走
査の長さ及び前述のカラム状運動を有する。従って、Ｉ
ｎｔｒｏｎｉｅｓ　　Ｃ−Ｚｏｏ　　補正モジュールに
おけるようなより正確な補正項は、必要としない。

Ｉｎｔｒｏｎｌｅｓ　ｂｒｏｃｈｕｒｅ　　の精密陰極
線管表示装置のひずみ補正、第８−ｅ−ノを参照された
い。他の近似補正ファクター、たとえば回転の補正のだ
めの補正ファクターが可能である。

第４図は、前記説明の通り第２−３図の像面湾曲誤差の
補正を生成するための回路を図示する。

ｖｘｏ及びｖｙｏ電圧は、それぞれ、カラムに沿ったノ
臂ターンの方向Ｘに対する未補正位置及び個々の走査の
方向ｙに対する未補正位置に相当する。補正がないとし
たらこれらの電圧は、電子光学カラムのビーム傷内電磁
石に印加されるべき電圧である。値ｖｘ及びＶアは、実
際に電子光学カラムに印加される補正値である。動作上
、Ｖｘ０値は、次の工程によってｖｘＫ変換される。ｖ
ｙに対する値は、“回路素子５４内で２乗され可変抵抗
器５６の手段によって定数を掛けられる。Ｖｘ及びｖｙ
に対する値が、回路素子５２内で掛は算され可変抵抗器
５８の手段によって定数を掛けられる。次に、２乗値Ｖ
ｙｌ及びｖｘｘｖアが増幅器５ｏを通してｖｘｏに加え
られて、ｖｘを生成する。同様に、ｖｘは、回路素子５
３内で２乗され可変抵抗器５７を通って定数を掛けられ
る。ｖｘ及びＶアに対する値が、回路素子５５内で掛は
算され可変抵抗器５９の手段によって定数を掛けられる
。次に２乗値ｖｘ１及びｖ！×ｖｙが増幅器５１を通し
てｖｙｏに加えられて、ｖｙを生成する。

第５図に示すように、補正電圧′は、電子光学指向素子
を制御する回路内のさまざまな位置のところでバイブ１
講ツド可動ステージ及びマスク電子ビームリソグラフィ
ー装置に印加されることができる。たとえば、補正値は
、Ｅ点において可変電流ソース／シンクの形態で直接電
磁石６０に印加される。変形的には、補正ファクターは
、Ｄ点において可変電圧の形態で偏向増幅器６１の入力
として印加される。他の変形では、補正ファクターは、
Ｃ点において電圧補正として受信機に；Ｂ点において電
圧補正としてラインドライバーに；又はＡ点において電
圧補正として走査利得回路に印加される。好適な印加点
は、可変電圧としてのＢ点である。何故ならばすべての
他の補正が、この点に加えられているからである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、カラムが縞状に露光されているハイブリッド
可動ステージ及びマスク走査電子ビーム装置を示す・　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　、ｌ第２図は、
走査線のための所望位置から成るマトリックス（破線）
上に一連の電子ビーム走査（実線）を重ねることによっ
てＸ軸像面湾曲を示す。 第３図は、走査線のための所望位置から成るマトリック
ス（破線）上に一連の電子ビーム走査（実Ｉｓ）を重ね
ることによってｙ軸像面湾曲を示す。 第４図は、本発明を実行する回路の概略図である。 第５図は、本発明を実行する回路を利用し得るハイブリ
ッド可動ステージ及び走査電子ビーム・リソグラフィー
・システム内の、多数の点を図示するブロック線図であ
る。 第６図は、第２図のＸ＠偉画面湾曲略図である。 第７図は、第３図の像面湾曲に対して鏡像関係にあるｙ
軸像面湾曲の略図である。 第８図は、走査線のための所望位置から成るマトリック
ス（破線）上に一連の電子ビーム走査（実線）を重ねる
ことによって台形誤差の一例を示す。 第９図は、走査線のための所望位置から成るマトリック
ス（破線）上に一連の電子ビーム短剣実線）を重ねるこ
とによって台形誤差の他の例を示す。 第１０図は、第８図の台形誤差の略図である。 第１１図は、第９図の台形誤差の略図である。 〔主要符号の説明〕 １０・・・マスクグレート １１・・・可動テーブル １２・・・ガラスグレート １３・・・外被層 １４・・・電子ビームレノスト １５・・・電子ビーム １６・・・分離回路領域 １７．１８，１９．２５・・・カラム ２０・・・基準マーク ２１・・・電子光学素子 ２２・・・走査線（水平トレース） ２３．２４・・・曲線矢印 ３０．３１，３２，４０，４１，４５，７０，７１，７
２，７６゜７７．７８・・・所望位置 ３３．３４，３５，４２．４３，４４，７３，７４，７
５，７９゜８０．８１・・・トレース ５０．５１・・・増幅器 ５２．５３，５４．５５・・・回路素子５６．５７，５
８．５９・・・可変抵抗器６０・・・電磁石 ６１・・・偏向増幅器 ム、Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅ・・・補正項印加点特許出願人　　
パリアン・アソシエイツＣインコーボレイテット９

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、電子のソース； マスク又はウェーハに対して電子を指向づけるための電
   子光学カラム；及び 露光されるべき前記マスク又はウェーハを版付けるため
   の可動ステージ； を真空室内に含むところの、ハイブリッド可動ステージ
   及び走査電子ビームリソグラフィ装置であって： ラスタル走査誤差を近似補正するために電気削除１的補
   正項を生成する丸めの回路； から成シ、 前記電気的補正項が前記電子の指向づけに影響を及ぼす
   九めに前配電子光学カラムに印加される； とζろの装置。 ２、特許請求の範囲第１項に記載されたハイブリッド可
   動ステージ及び走査電子ビームリソグラフィー装置であ
   って： 前記補正項が、式； ％式％ 但し、χ：カラムの上方又は下方方向の電子ビームの補
   正位置 ｘｏ：カラムの上方又は下方方向の電子ビームの未補正
   位置 に：定数 ｙ：走査されるカラムの中心線からの距離； に従って像面湾曲を補正するところの装置。 ３、特許請求の範囲第２項に記載され九ハイブリッド可
   動ステーノ及び走査電子ビームリソグラフィー装置であ
   って： 前記補正項が、前記電子光学カラムのＸ軸偏向増幅器に
   印加されるところの装置。 ４、特許請求の範囲第１項に記載されたハイブリッド可
   動ステー・ゾ及び走査電子ビームリソグラフィー装置で
   あって： 前記補正項が、式； ％式％ 但し、ｙ：走査方向の電子ビームの補正位置ｙｏ：走査
   方向の電子ビームの未補正位置に：定数 Ｘ：カラムの上方又は下方の電子ビームの位置； に従って像面湾曲を補正するところの装置。 ５、％許請求の範囲第４項に記載されたハイブリッド可
   動ステージ及び走査電子ビームリングラフイー装置であ
   って： 前記補正項が、前記電子光学カラムのｙ軸偏向増幅器に
   印加されるところの装置。 ６、特許請求の範囲第１項に記載されたハイブリッド可
   動ステージ及び走査電子ビームリソグラフィー装置であ
   って： 前記補正項が、式； ％式％ 但し、Ｘ：走査方向の電子ビームの補正位置ｘ０：走査
   方向の電子ビームの未補正位置（轡）、：、方向の電子
   光学偏向素子に印加される利得 に：定数 ｙ：カラムの上方又は下方の電子ビームの位置； に従って台形娯差を補正するところの装置。 ７、特許請求の範囲第６項に記載されたノ・イゾリツド
   可動ステーゾ及び走査電子ビームリソグラフィー装置で
   あって： 前記補正項が、前記電子光学カラムのＸ軸偏向増幅器に
   印加されるところの装置。 ８、特許請求の範囲第１項に記載され九ノ・イブリッド
   可動ステーノ及び走査電子ビームリソグラフィー装置で
   あって： 前記補正項が、式； ％式％） 但し、ｙ：走査方向の電子ビームの補正位置ｙｏ：走査
   方向の電子ビームの未補正位置（鯛）ｒ：　ｙ方向の電
   子光学偏向素子に印加された利得 に：定数 Ｘ：カラムの上方又は下方の電子ビームの位置 に従って像面湾曲を補正するところの装置。 ９、特許請求の範囲第１項に記載されたハイブリッド可
   動ステージ及び走査電子ビームリソグラフィー装置であ
   って： 前記補正項が、前記電子光学カラムのｙ軸偏向増幅器に
   印加されるところの装置。