JPS60206352A - 包絡線発生回路 - Google Patents
包絡線発生回路Info
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- JPS60206352A JPS60206352A JP59062805A JP6280584A JPS60206352A JP S60206352 A JPS60206352 A JP S60206352A JP 59062805 A JP59062805 A JP 59062805A JP 6280584 A JP6280584 A JP 6280584A JP S60206352 A JPS60206352 A JP S60206352A
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- JP
- Japan
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- circuit
- capacitor
- resistance
- output
- diode
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Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 6
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
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- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/20—Automatic control
- H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
- H03G3/3036—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers
- H03G3/3042—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers in modulators, frequency-changers, transmitters or power amplifiers
- H03G3/3047—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers in modulators, frequency-changers, transmitters or power amplifiers for intermittent signals, e.g. burst signals
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D1/00—Demodulation of amplitude-modulated oscillations
- H03D1/08—Demodulation of amplitude-modulated oscillations by means of non-linear two-pole elements
- H03D1/10—Demodulation of amplitude-modulated oscillations by means of non-linear two-pole elements of diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B7/00—Radio transmission systems, i.e. using radiation field
- H04B7/14—Relay systems
- H04B7/15—Active relay systems
- H04B7/204—Multiple access
- H04B7/212—Time-division multiple access [TDMA]
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04J—MULTIPLEX COMMUNICATION
- H04J3/00—Time-division multiplex systems
- H04J3/02—Details
- H04J3/10—Arrangements for reducing cross-talk between channels
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
- Y02D30/00—Reducing energy consumption in communication networks
- Y02D30/70—Reducing energy consumption in communication networks in wireless communication networks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Digital Transmission Methods That Use Modulated Carrier Waves (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、時分割多重アクセス通信（以下、ＴＤ Ｍ
Ａ １ｆｆｌ信という。）方式に用いられる送信バース
トの包絡線制御を実行するためのバースト包絡線発生回
路に関する。
Ａ １ｆｆｌ信という。）方式に用いられる送信バース
トの包絡線制御を実行するためのバースト包絡線発生回
路に関する。
Ｔｒ）ＭＡ通借方式では、位相シフトキーイング変調方
式（以下、ＰＳＫ変調方式という。）が多用される。
式（以下、ＰＳＫ変調方式という。）が多用される。
この変調方式の場合に、変調データの位相が０／πのよ
うに１８０℃の位相変化が起る時点では、搬送波になだ
らかなくびれが発生するために、この時点でスイソチイ
ングしてバースト制御を行うようにすると、搬送波のス
イッチイングによるスペクトラム拡散現象をある程度ま
で抑圧することができる。
うに１８０℃の位相変化が起る時点では、搬送波になだ
らかなくびれが発生するために、この時点でスイソチイ
ングしてバースト制御を行うようにすると、搬送波のス
イッチイングによるスペクトラム拡散現象をある程度ま
で抑圧することができる。
しかし、周波数変調方式（以下、ＩｉＭ変調方式という
。）を採用し、一定包絡線の搬送波を矩形波にてバース
トスイソチイングを行うと、その゛影響でスペクトラム
が拡散し、他チャンネルに妨害を与えるだけでなく、自
局の受信機に対しても送受間干渉を起こす可能性がある
。このために、団変調方式でＴＤＭＡ通信を行う場合に
は、ＰＳＫ変調方式の包絡線に見るようななだらかな立
らｌ−Ｉ／１立ち下りを有するバースト波形の制御が必
要になる。
。）を採用し、一定包絡線の搬送波を矩形波にてバース
トスイソチイングを行うと、その゛影響でスペクトラム
が拡散し、他チャンネルに妨害を与えるだけでなく、自
局の受信機に対しても送受間干渉を起こす可能性がある
。このために、団変調方式でＴＤＭＡ通信を行う場合に
は、ＰＳＫ変調方式の包絡線に見るようななだらかな立
らｌ−Ｉ／１立ち下りを有するバースト波形の制御が必
要になる。
この包絡線制御の方法の一つとしてノ、（車となるバー
スト包絡線を用意し、これと相似包絡線となるように制
御する方法が用いられており、この基準となるバースト
包絡綿を発生させる従来回路として、デジタル包絡線発
生回路が用いられ“ζいた。
スト包絡線を用意し、これと相似包絡線となるように制
御する方法が用いられており、この基準となるバースト
包絡綿を発生させる従来回路として、デジタル包絡線発
生回路が用いられ“ζいた。
このデジタル包絡線発生回路はクロックによって逐次１
？ＯＭのデータを読み出し、これをディジタル・アナロ
グ変換器でアナログ信号に変換した後に、フィルタリン
グを行い目的とする包絡線を発生させるものである。し
かし、一般に高速で動作する（ＩＣは消費電力も多くか
つ高価であり、また、正負両極性の電源を必要とする場
合もあるほかに、ラソヂ回路、ディジタル・アナログ変
換器などの周辺回路が必要となるために広い実装スペー
スを要し、回路が大型になるなどの問題点がある。
？ＯＭのデータを読み出し、これをディジタル・アナロ
グ変換器でアナログ信号に変換した後に、フィルタリン
グを行い目的とする包絡線を発生させるものである。し
かし、一般に高速で動作する（ＩＣは消費電力も多くか
つ高価であり、また、正負両極性の電源を必要とする場
合もあるほかに、ラソヂ回路、ディジタル・アナログ変
換器などの周辺回路が必要となるために広い実装スペー
スを要し、回路が大型になるなどの問題点がある。
本発明は、前述の欠点を除去するもので、消費電力の節
減と、回路の小型化が計られた包絡線発生回路を提供す
ることを目的とする。
減と、回路の小型化が計られた包絡線発生回路を提供す
ることを目的とする。
本発明は、なだらかな立ち上りおよび立ち下り特性を有
するバースト包絡線を発生させるもので、バースト制御
信号の断時に所定幅のパルスを発生させるパルス発生回
路と、このパルス発生回路の出力に接続された微分回路
と、第一の抵抗とコンデンサとの間に上記バースト制御
信号の方向に導ｉｌｌするダイオードが挿入されて構成
され、このコンテン１ノ°とこのダイオードの接続点か
ら出力する積分回路と、この積分回路の出力点にその一
端が接続され、」−記ｉ戚分回路からの出力信号により
抵抗値が変化する可変抵抗素子と、この可変抵抗素子の
両端子間に接続された第二の抵抗と、その一端がこの可
変抵抗素子の他端と接続され、その他端が共通電位に接
続された第三の抵抗とを備えた抵抗可変回路と、を備え
たことを特徴とする。
するバースト包絡線を発生させるもので、バースト制御
信号の断時に所定幅のパルスを発生させるパルス発生回
路と、このパルス発生回路の出力に接続された微分回路
と、第一の抵抗とコンデンサとの間に上記バースト制御
信号の方向に導ｉｌｌするダイオードが挿入されて構成
され、このコンテン１ノ°とこのダイオードの接続点か
ら出力する積分回路と、この積分回路の出力点にその一
端が接続され、」−記ｉ戚分回路からの出力信号により
抵抗値が変化する可変抵抗素子と、この可変抵抗素子の
両端子間に接続された第二の抵抗と、その一端がこの可
変抵抗素子の他端と接続され、その他端が共通電位に接
続された第三の抵抗とを備えた抵抗可変回路と、を備え
たことを特徴とする。
以下、本発明の実施例回路を図面に基づいて説明する。
第１図は、この実施例回路の構成を示すブロック構成図
であり、第２図は、この実施例回路を構成する主要ブロ
ックの構成を示す接続図であり、第３図（７） （１）
〜（ＩＶ）は第２図（７） （＋） 〜（ＴＶ）各部
の信号波形図である。
であり、第２図は、この実施例回路を構成する主要ブロ
ックの構成を示す接続図であり、第３図（７） （１）
〜（ＩＶ）は第２図（７） （＋） 〜（ＴＶ）各部
の信号波形図である。
まず、この実施例回路の構成を第１図および第２図に基
づいて説明する。この実施例回路は、入力端子１と、積
分回路２と、抵抗可変回路３と、濾波回路４と、出力端
子５と、パルス発生回路６と、微分回路７と、積分回路
出力端子８とで構成される。ここで、積分回路２は、積
分ｌｉｔ抗９と、ダイオード１０と、積分コンデンサ１
１とで構成され、抵抗可変回路３は、高抵抗１２と、電
界効果トランジスタ１３と、低抵抗１４とで構成され、
また、微分回路７は、微分コンデンサ１５と、微分抵抗
１６とで構成される。
づいて説明する。この実施例回路は、入力端子１と、積
分回路２と、抵抗可変回路３と、濾波回路４と、出力端
子５と、パルス発生回路６と、微分回路７と、積分回路
出力端子８とで構成される。ここで、積分回路２は、積
分ｌｉｔ抗９と、ダイオード１０と、積分コンデンサ１
１とで構成され、抵抗可変回路３は、高抵抗１２と、電
界効果トランジスタ１３と、低抵抗１４とで構成され、
また、微分回路７は、微分コンデンサ１５と、微分抵抗
１６とで構成される。
入力端子１は積分回路２の入力およびパルス発生回路６
の入力のそれぞれに接続され、積分回路２の出力は積分
回路出力端子８に接続され、一方、パルス発生回路６の
出力は微分回路７の入力に接続され、微分回路７の出力
は抵抗可変回路３の入力に接続され、抵抗可変回路３の
出力は積分回路出力端子８に接続され、積分回路出力端
子８は濾波回路４の入力に接続され、濾波回路４の出力
は出力端子５に接続される。ここで、積分回路２の入力
は積分抵抗９の一方の端に接続され、積分抵抗９の他方
の端はダイオード１０のアノードに接続され、ダイオー
ド１０のカソードは積分コンデンサ１１の一方の端およ
び積分回路出力端子８に接続され、積分コンデンサ１１
の他方の端は兵庫電位に接続され、また、微分回路７の
入力は微分コンデンサ１５の一方の端に接続され、微分
コンデンサ１５の他方の端は微分１１ｕ冗１６の一方の
端およびｔｌ（抗可変回路３の電界効果トランジスタ１
３のゲートに接続され、微分抵抗１６の他方の端は共ｉ
ｍ電位に接続され、さらに、抵抗可変回路３の電界効果
ｌランジスタ１２のソースは低抵抗１４の一方の端およ
び高抵抗１２の一方の端に接読され、低１１℃抗１４の
他方の端は共通電位に接続され、電界効果トランジスタ
１３のドレインは高抵抗１２の他方の端および積分回路
出力端子８に接続される。
の入力のそれぞれに接続され、積分回路２の出力は積分
回路出力端子８に接続され、一方、パルス発生回路６の
出力は微分回路７の入力に接続され、微分回路７の出力
は抵抗可変回路３の入力に接続され、抵抗可変回路３の
出力は積分回路出力端子８に接続され、積分回路出力端
子８は濾波回路４の入力に接続され、濾波回路４の出力
は出力端子５に接続される。ここで、積分回路２の入力
は積分抵抗９の一方の端に接続され、積分抵抗９の他方
の端はダイオード１０のアノードに接続され、ダイオー
ド１０のカソードは積分コンデンサ１１の一方の端およ
び積分回路出力端子８に接続され、積分コンデンサ１１
の他方の端は兵庫電位に接続され、また、微分回路７の
入力は微分コンデンサ１５の一方の端に接続され、微分
コンデンサ１５の他方の端は微分１１ｕ冗１６の一方の
端およびｔｌ（抗可変回路３の電界効果トランジスタ１
３のゲートに接続され、微分抵抗１６の他方の端は共ｉ
ｍ電位に接続され、さらに、抵抗可変回路３の電界効果
ｌランジスタ１２のソースは低抵抗１４の一方の端およ
び高抵抗１２の一方の端に接読され、低１１℃抗１４の
他方の端は共通電位に接続され、電界効果トランジスタ
１３のドレインは高抵抗１２の他方の端および積分回路
出力端子８に接続される。
次に、この実施例装置の動作を第１図ないし第３図に基
づいて説明する。
づいて説明する。
入力端子１からの矩形波のバースト制御信号は積分回路
２に入力される。積分回路２にはコンデンサ１１の放電
を阻止する方向にダイオ−１゛１０が接続されており、
積分回路２の出力には抵抗値ｒＲＪの抵抗９とオン抵抗
［ｒｌのダイオード１０および容量ｒｃＪのコンデン−
’Ｊｌｌで決定されるｃ （Ｒｌｒ）の時定数にしたが
って、なだらかに立ち」−る積分波形が得られる。一方
、バースト制御信号オフ時の波形はダイオード１０が逆
接続され−ζいるので、積分回路２の出力側に接続され
ている抵抗可変回路３により３７７７４月Ｏの放電時間
が決定される。
２に入力される。積分回路２にはコンデンサ１１の放電
を阻止する方向にダイオ−１゛１０が接続されており、
積分回路２の出力には抵抗値ｒＲＪの抵抗９とオン抵抗
［ｒｌのダイオード１０および容量ｒｃＪのコンデン−
’Ｊｌｌで決定されるｃ （Ｒｌｒ）の時定数にしたが
って、なだらかに立ち」−る積分波形が得られる。一方
、バースト制御信号オフ時の波形はダイオード１０が逆
接続され−ζいるので、積分回路２の出力側に接続され
ている抵抗可変回路３により３７７７４月Ｏの放電時間
が決定される。
したがって、第１図に示すように抵抗可変回路３の制御
によりコンデンサ１１に蓄積された電荷の放電時間が制
御され、包絡綿の傾きを所望の傾きに設定することがで
きる。さらに、この出力波形は浦波回路４で波形整形さ
れ、立ち上りおよび立ち下り共に変化の少ないバースト
包絡線出力を得ることができる。
によりコンデンサ１１に蓄積された電荷の放電時間が制
御され、包絡綿の傾きを所望の傾きに設定することがで
きる。さらに、この出力波形は浦波回路４で波形整形さ
れ、立ち上りおよび立ち下り共に変化の少ないバースト
包絡線出力を得ることができる。
ここで、積分回路２の出力にはデプリーションタイプの
電界効果トランジスタ１３が図のように接続され、さら
に、一方のチャンネル、、は低抵抗１４を介して接地さ
れている。また、チャンネル間には高抵抗１２が接続さ
れ、電界効果トランジスタ１３のゲートにはパルス発生
回路６の出力信号から微分波形を発生させる微分回路７
が接続されている。
電界効果トランジスタ１３が図のように接続され、さら
に、一方のチャンネル、、は低抵抗１４を介して接地さ
れている。また、チャンネル間には高抵抗１２が接続さ
れ、電界効果トランジスタ１３のゲートにはパルス発生
回路６の出力信号から微分波形を発生させる微分回路７
が接続されている。
したがって、第３図（１）に示す制御信号が入力端子１
に加えられると、積分回路出力８には（Ｒ＋ｒ）ｃで決
定される時定数で積分された立ち上りの出力波形（ＩＶ
）が得られる。一方、パルス発生回路６ではバースト制
御信号の下ｌ！Ｔ点で一定幅のパルス（ｎ）が作られ、
さらに微分回路７では（Ｉｌｌ）で見るような微分波形
が作られて、電界効果Ｉ−ランジスタ１３のゲートに制
御信号として加えられる。
に加えられると、積分回路出力８には（Ｒ＋ｒ）ｃで決
定される時定数で積分された立ち上りの出力波形（ＩＶ
）が得られる。一方、パルス発生回路６ではバースト制
御信号の下ｌ！Ｔ点で一定幅のパルス（ｎ）が作られ、
さらに微分回路７では（Ｉｌｌ）で見るような微分波形
が作られて、電界効果Ｉ−ランジスタ１３のゲートに制
御信号として加えられる。
前述のように、バースト制御信号オフ時では、逆方向に
ダイオードが挿入されているためにコンデンサ１１に蓄
積された電荷は電界効果Ｉ・ランジスタ１３のチャンネ
ルを介して放電されるが、（Ｉｌｌ ）に示すように、
この時間帯では電界効果１ランジスタ１３のゲートば深
く逆バイアスされているのでカットオフの状態にある。
ダイオードが挿入されているためにコンデンサ１１に蓄
積された電荷は電界効果Ｉ・ランジスタ１３のチャンネ
ルを介して放電されるが、（Ｉｌｌ ）に示すように、
この時間帯では電界効果１ランジスタ１３のゲートば深
く逆バイアスされているのでカットオフの状態にある。
この時区間ｔ１では、高抵抗１２と低抵抗１４とを介し
てτ、で示される特定数で放電が行われる。
てτ、で示される特定数で放電が行われる。
電界効果トランジスター３のデー１〜バイアスが徐々に
浅くなり、電位が「０」■になる時区間【２では、使用
する電界効果トランジスタＩ３がデプリーションタイプ
なので、チャンネル抵抗はある抵抗値をもって導通し、
この結果τ２の時定数にて放電効果が早められ傾斜がさ
らに急激になる。さらに、時区間ＬＩ＋１２の経過後に
図の（Ｉｌｌ ）に示す正方向のパルスが電界効果トラ
ンジスタ１３のゲートに入力されると、チャンネル抵抗
はさらに低抵抗になり、時区間ｔ３内にτ３の時定数で
放電が終了し、（ｒＶ）に示す制御波形が得られる。こ
の出力波形は浦波回路４にて波形整形されバースト包絡
線出力になる。
浅くなり、電位が「０」■になる時区間【２では、使用
する電界効果トランジスタＩ３がデプリーションタイプ
なので、チャンネル抵抗はある抵抗値をもって導通し、
この結果τ２の時定数にて放電効果が早められ傾斜がさ
らに急激になる。さらに、時区間ＬＩ＋１２の経過後に
図の（Ｉｌｌ ）に示す正方向のパルスが電界効果トラ
ンジスタ１３のゲートに入力されると、チャンネル抵抗
はさらに低抵抗になり、時区間ｔ３内にτ３の時定数で
放電が終了し、（ｒＶ）に示す制御波形が得られる。こ
の出力波形は浦波回路４にて波形整形されバースト包絡
線出力になる。
本発明は、以上説明したように、節華な回路と低い消費
電力で包絡線が発生されるので、従来例装置に比べ、装
置を経済的にする効果がある。
電力で包絡線が発生されるので、従来例装置に比べ、装
置を経済的にする効果がある。
第１図は本発明実施例装置の構成を示すブロック構成図
。 第２図は第１図の主要部の構成を示す接続図。 第３図は第２図の各部の波形を示す信号波形図。 １・・・入力端子、２・・・積分回路、３・・・抵抗可
変回路、４・・・濾波回路、５・・・出力端子、６・・
・パルス発生回路、７・・・微分回路、８・・・積分回
路出力、９・・・積分抵抗、１０・・・ダイオード、１
１・・・積分コンデンサ、０ １２・・・高抵抗、１３・・・電界効果１ランジスタ、
１４・・・低抵抗、１５・・・微分コンデンサ、１６・
・・ｆｆｋ分抵抗抵抗許出願人 日本電気株式会社、− 代理人 弁理士 井 出 直 暑 １ 第 １ 図 児 ２ 図
。 第２図は第１図の主要部の構成を示す接続図。 第３図は第２図の各部の波形を示す信号波形図。 １・・・入力端子、２・・・積分回路、３・・・抵抗可
変回路、４・・・濾波回路、５・・・出力端子、６・・
・パルス発生回路、７・・・微分回路、８・・・積分回
路出力、９・・・積分抵抗、１０・・・ダイオード、１
１・・・積分コンデンサ、０ １２・・・高抵抗、１３・・・電界効果１ランジスタ、
１４・・・低抵抗、１５・・・微分コンデンサ、１６・
・・ｆｆｋ分抵抗抵抗許出願人 日本電気株式会社、− 代理人 弁理士 井 出 直 暑 １ 第 １ 図 児 ２ 図
Claims (1)
- （１） バースト制御信号の断時に所定幅のパルスを発
生させるパルス発生回路と、 このパルス発生回路の出力に接続された微分回路と、 第一の抵抗とコンデンサとの間に」−記ハースト接続信
号の方向に導通ずるダイオ−１゛が挿入されて構成され
、このコンデンサとこのダイオードの接続点から出力す
る積分回路と、 この積分回路の出力点にその一端が接続され、上記微分
回路からの出力信号に。１ミリ抵抗値が変化する可変抵
抗素子と、この可変抵抗素子の両端子間に接続された第
二の抵抗と、その一端がこの可変抵抗素子の他端と接続
され、その他端が共通電位に接続された第三の抵抗とを
備えた抵抗可変回路と を備えた包絡線発生回路。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59062805A JPS60206352A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 包絡線発生回路 |
| US06/716,270 US4706262A (en) | 1984-03-30 | 1985-03-26 | FSK or FM burst signal generating apparatus |
| CA000477795A CA1246253A (en) | 1984-03-30 | 1985-03-28 | Fsk or fm burst signal generating apparatus |
| DE8585103848T DE3587081T2 (de) | 1984-03-30 | 1985-03-29 | Frequenz- oder frequenzumtastungsmodulierter burstsignalgenerator. |
| AU40521/85A AU578082B2 (en) | 1984-03-30 | 1985-03-29 | Tdma burst signal generation |
| EP85103848A EP0156398B1 (en) | 1984-03-30 | 1985-03-29 | Fsk or fm burst signal generating apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59062805A JPS60206352A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 包絡線発生回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60206352A true JPS60206352A (ja) | 1985-10-17 |
| JPH0234545B2 JPH0234545B2 (ja) | 1990-08-03 |
Family
ID=13210914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59062805A Granted JPS60206352A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 包絡線発生回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60206352A (ja) |
-
1984
- 1984-03-30 JP JP59062805A patent/JPS60206352A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0234545B2 (ja) | 1990-08-03 |
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