JPS60206884A - 導電性ペ−スト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は横変性を付与した導電性ペースト組成物に関し
、その目的とするところはディスペンス法での塗布方法
に適したチクソトロピー性を有するポリイミド°基前駆
体導電性ペースト組成物を提供するごとにある。

従来、半導体素子のグイボンディング用接着剤として、
耐熱性に優れ半導体として高い信頼性の得られるポリイ
ミド銀ペーストに代表される導電性ペースト組成物が使
用されてきたことは広く周知である。このポリイミド銀
ペーストは、バインダーとしての樹脂成分が本質的に耐
熱性に優れ。

熱分解発生物によるチップ汚染が少ないこと、気密封止
型半導体の封止温度（４７０〜４２０℃）にも耐えられ
ること、およびＮａ”、ＣＩ−などのイオン性不純物が
少いため、半導体として高い信頼性が得られることがら
、半導体素子のグイボンディング用接着剤として用いら
れてきた。しかし、このボリイミＭ系銀ペーストには横
変性が小さいという欠点があった。これは、バインダー
であるボリイミＶ前駆体が溶液中に高濃度で溶解しに＜
＜、そのため最終ペースト中の溶剤量が多くなり、ため
に横変性が出にくいのであった。横変性が小さいことは
、シリンジを用いたディスペンス法で、ＩＪ　−Ｖフレ
ームトに連続的に銀ペーストを塗布した場合、塗布量が
ばらつくこと、および°“たれ”のため、塗布部分以外
のリート°フレームにもベース）が滴下し、汚染してし
まうこと、などの問題があった。

またポリイミド系導電性ペースト組成物の他の用途とし
て、チップ部品の端面外部電極材、水晶発振子の水晶振
動子固定兼電極用接着剤等があるが、このような用途に
対しても、従来のポリイミド系導電性ペースト組成物は
横変性に劣り、その本来の機能を発揮しない錐点があっ
た。

本発明はかかる欠点を改良してなるもので、導電性充填
剤を含有するボリイミ）ｒ系前駆体溶液に。

一般式 （式中Ｒ，およびＲ１は炭素数６〜２４の一価の炭化水
素基であり、互いに同じであっても異なって１／％でも
よい。Ｒ８は炭素数１〜６の二価の炭化水素基である。

）で示されるアルキレンビス脂肪族モノカルボン酸アミ
Ｆを添加してなる導電性ペースト組成物に関するもので
ある。

本発明の導電性ペースト組成物を製造するには。

ポリイミド前駆体溶液中に導電性充填剤およびチクソト
ロピー性付与剤としての前記アルキレンビス脂肪族モノ
カルボン酸アミドＦ、場合によシ各種界面活性剤、シラ
ンカップリング剤等の添加剤を加え、所望の方法（たと
えばミキサータイプの衝撃分散方式）により混線分散さ
せるのが一般的である。しかし導電性充填剤を含有する
ポリイミド。

系前駆体溶液を調整して後、これに前記酸アミル等の残
余成分を所望の方法により均一分散させることもできる
。前記方法において、アルキレンビス脂肪族モノカルボ
ン酸アミドをそのまま用し）てもよいが、これが粉状、
固形状を呈しているときには１分散効率を高め、チクソ
トロピー性を向上させるため、前記酸アミドを溶剤（キ
シレン、トルエン、ブタノール、プチルセロソルフ等）
中テ固形分含量１０〜２５重量％の膨潤分散体の形態で
用いるのが好ましい。このよンに工夫するとたとえば攪
拌や三本ロールなどのせん断分散方式で導電性ペースト
組成物を製造した際、上記酸アミＦが均一分散し微粒子
となる。

本発明で用いる前記一般式（１）で示されるアＩレキレ
ンピス脂肪族モノカルボン酸アミドとしては。

一般的に分子量２５０〜９００程度のものが用いられる
。

好ましい一般式０〕化合物としては、構造式に代表され
るエチレンビス脂肪族モノカルボン酸アミドである。

また一般式（１）化合物の添加量は通常、ポリイミド系
前駆体と導電性充填剤の総量に対して０．５〜５重量％
、好ましくは０．８〜２．０重量％とされる。

添加量が少なすぎると横変性が不充分となる傾向があシ
、一方多すぎても、使用時に、ペースト組成物硬化体か
らのプルーミングが大となり、たとえば接着剤と用いた
ときに被着体Ｃす４フレーム等）との界面接着力が低下
してくる恐れがある。

本発明の導電性ペースト組成物を構成する成分の量的割
合は一般的に下記の割合とされる。・固形分（ポリイミ
ド系前駆体、導電性充填剤および前記一般式（１）化合
物等）含有量は、通常１０〜９０重量％、好ましくは５
０〜８０重量％）−六　。

れ、他は有機溶剤である。

固形分レベルでの量的割合は、ボリイミＦ系前駆体１０
０重量部に対して導電性充填剤ｉｓｏ〜１．９００重量
部とされ、一般式（１）化合物の量的割合は前記の通シ
である。

前記有機溶剤としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、
　Ｎ−Ｎ’−ジメチルアセトアミド、Ｎ−Ｎ’〜ジメチ
ルホルムアミド、Ｎ−Ｎ’−ジメチルスルホキシド、ヘ
キサメチルホルホルアミドの如き高極性塩基性溶剤を挙
げることができる。

また、＃Ｉ記式ＣＩ）化合物を前記の膨潤分散体の形態
で用いて、導電性ペースト組成物を製造した場合にはこ
のとき用いた前記の＞Ｒ＝ｆｆＪ有機溶剤が混在する場
合もある。

本発明において用いられるポリイミド系前駆体として好
ましいのは１次のシロキチン変性ポリイミＦ前駆体であ
る。

即ち、ジアミノシロキチン、珪素を含まない有機ジアミ
ン（珪素不合ジアミン）およびテトラカルボン轟水物（
好ましくは芳香族テトラカルボン轟水物）を反応させて
得ることのでさる０、１〜５０モル％、好ましくは１〜
２０モル％の式（Ｉ）で示される反覆単位と５０〜９９
．９モル％、好ましくは８０〜９９モル％の式〔蓋〕で
示される反覆単位からなるシロキサｌ変性ポリイミド前
駆体である。

（但し、Ｒは２価の炭化水素基、Ｔｅは１価の炭化水素
基、ｒは４価の有機基、ｒはケイ素を含まない有機ジア
ミンの残基である２価の有機基、ｎは１以上の整数であ
る。） ヒ記シロキチン変性ポリイミド前駆体を合成するにあた
り、用いられる芳香族テトラカルボン酸二無水物として
は。

　０ ２００〜５００程度のもので、その代表的なものを例示
すると以下の如くである。す々わち、ピロメリット酸二
無水物、３・ご・４・４′−ベンゾフェノンテトラカル
ホン酸二無水物、３・γ・４・４′−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物、２・３・了・４′−ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物、２・３・６・７−ナフタレン
テトラカルボン酸二無水物、１・２・５・６−ナフタレ
ンテトラカルボン酸二無水物、１・４・５・８−ナフタ
レンテトラカルボン酸二熱水物、２・７−ビス（３・４
−ジカルボキシフェニル）プロパンニ無水物、ビス（３
・４−ジカルボキシフェニル）スルホｙ二無水物、　３
・４・９・１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、
ビス（３・４−ジカルボキシフェニル）エーテルニ無水
物、２・２−ビス（２・３−ジカルボキシフェニル）プ
ロパンニ無水物、ｌ・１−ビス（２・３−ジカルボキシ
フェニル）エタン二無水物。ベンゼン−１・２・３・４
−テトラカルボン酸二無水物、２・３・６・７−アント
ラセンテトラカルボン酸二無水物、１・２・７・８−フ
エナントレソテトラヵルボン酸二無水物などがある。

珪素不合ジアミン（分子内に珪素原子を含まないジアミ
ノ）は、Ｈ，Ｎ　−Ｒ”　−Ｎｌ２で表わされる芳香族
ジアミン、脂肪族ジアミンおよび脂環族ジアミンが含ま
れる。とくに好適なものは、芳香族ジアミンであり１分
子量１（１０〜５００程度のものであるが、その代表例
を示すと、たとえばメタフェニレンジアミン、パラフェ
ニレンジアミン、４・４７−ジアミツジフエニルメタン
、４・４′−ジアミノジフェニルエーテル、　２・２−
ビス（４−アミノフェニル）プロパン、３・ご−ジアミ
ノジフェニルスルホン。

４・４′−ジアミノジフェニルスルホン、４・４′−ジ
アミノジフェニルスルフィド、ベンジジン、ベンジジン
−３・ご−ジカルボン酸、ベンジジン−３・ご−ジスル
ホン酸、ベンジジン−３−モノカルボン酸、ベンジジン
−３−モノスルホン酸、３・了−ジメトキシ−ベンジジ
ン、パラ−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、メ
タ−ビス（４〜アミノフエノキシ）ベンゼン、メタキシ
リレンジアミン、パラキシリレンジアミンなどが挙げら
れる。

また、ジアミノシロキサンは式 用される。その代表的なものを例示すると以下の如くで
ある。

ＣＨ，Ｃル ＣＨ，Ｃ几 ジアミノシロキサンは、これを使用したポリイミド系導
電性ベース）Ｍ放物の硬化物と半導体素子、又は硬化物
とり−Ｆフレームと界面の密着性を高め、半導体として
の信頼性を高めるのに寄与するところが大きい。

このジアミノシロキサンの使用量は、ジアミノシロキサ
ンと珪素不含ジアミンの総合計量中。

０．１〜５０モル％とするのが良い。さらに好適には熱
性が低下するので好ましくない。

シミキチン変性ポリイミド前駆体は、上記芳香族テ）−
１カルボン酸二無水物に対してジアミノシロキサンと珪
素不合ジアミンの合計量を略等モルとし、不活性溶剤中
にて１通常６０℃以下、特に好ましくは３０℃以下にて
従来の公知の方法に準じて重合を行なうことにより得る
ことがで傘る。

使用する溶剤は、たとえばＮ−メチル−２−ピロリＦン
、　Ｎ−Ｎ’−ジメチルアセトアミド、　Ｎ−１’ｆ−
ジメチルホルムアミド、　Ｎ−に−ジメチルスルｒｈ　
キｉｙド、ヘキサメチルホスホルアミドなどの高極性塩
基性溶剤を挙げるこ七ができる。また、これらの溶剤ト
トモニ、トルエン、キシレン、ベンゾニトリル、ベンゼ
ン、フェノール、ブチルセロソルヴの如き汎用溶剤を併
用することもできる。しかし。

その使用量は、生成ポリイミド前駆体の溶解膚を低下さ
せない範囲にすべきである。この様にして　□ポリイミ
ド前駆体が合成されるが、その溶液粘度は場合にＪす、
数十万ボイプにもなり、導電性充填剤を含有してなるペ
ーストは、粘度が高くなシすぎるので、場合によシ、前
駆体溶液を４０〜８０℃で加熱・熟成して、あらかじめ
溶液粘度を下げてお（のが良い。

本発明において使用されるポリイミド−系前駆体の固有
粘度（＠記シロキチン変性ポリイミド前駆体の場合も含
めて）通常０．３〜３．０とされる。

固有粘ばは、溶媒としてＮ−メチル−２−ピロリＶンを
使用し測定温度３０±０．０１℃（恒温槽）でつぎの式
； ％式％） ｔ；ウベローデ粘度計で測定されるポリマー溶液の落下
時間 ｔｏ；　上記同様に測定される溶媒の落下時間Ｃ；ポリ
イミド系樹脂の前駆体濃度（０，５重量％とじた） よシ算出した値である。

本発明においては、ポリイミド系前駆体製造時に用いた
反応溶媒を、導電性ペーストの有機溶剤としてそのまま
用いるのが通常である。

また、導電性ペーストを製造する場合、一般的には、ポ
リイミド前駆体溶液に、まず導電性充填剤を添加し１次
いで前記式（１）化合物を所望の方法により均一に分散
させる。

本発明において、導電性充填剤としては、通常Ａｕ、　
Ａｇ、　Ｐｄ、　Ｐｔ、　Ｍｎ、　Ｃｕ、　Ｎｉ、　Ａ
Ｉ、　Ｓｎ、　Ｆｅ、　Ｃｏ、Ｃｒなどの金嘱粉または
これらの合金粉、またはＲｎＯ，、Ｃｒｙ、、ＺｎＯ，
ＳｎＯ，、Ｆｅ２Ｏ，、Ｉｎ２Ｏ，、ＰｄＯ，ＴＩ、Ｏ
，。

Ｉｒｅ、、Ｐｈｉ、　Ｓｂ、０．、　Ｂｉ２Ｏ，、Ｃｄ
Ｏ等の酸化粉なとうちの１種または２種以上使用する。

また、カーボングラファイト、カーボンブラックの併用
もできる。

しかし好ましくは、　Ａｕ粉、　Ａｇ粉、　Ａｇ粉とＰ
ｄ粉との混合粉であり、さらに好適には〜粉である。こ
れら導電性充填剤は、その製法により１種々の形状のも
のがあり、樹状粉、鱗片状粉１球状粉、多孔質粉、針状
粉などが挙げられる。好ましくは。

樹状粉、鱗片状粉を用いるのが良い。これら導電性粉末
は、一般に１０１）メツシュフリーパス、好適には３２
５メツシユフリーバスであるのが良い。

使用量は１組成物＊＠４・＾形イン通常６０〜９５重量
％、好適には７０〜９０重量％程度である。

ポリイミド前駆体の溶液に、かかる導電性充填剤を混線
分散する方法は、三本ロール、ボールミルなどの分散機
を用いるのが良い力Ｙ、高粘度ペーストを分散できしか
も回収効率の良い三本ロールを用いるのが良い。この導
電性充填剤の分散と同時に、前記チクソトロピー性剤で
あるアルキレンビス脂肪族モノカルボン酸アミド、もし
くは、その膨潤分散体を同時に混線分散するのが作業効
率ヒ好ましいが、後添加による分散でもかまわない。

この様にして得られるポリイミド系前駆体パイングーに
よる導電性ペースト組成物はたとえば接着剤として使用
できる。−例を挙げると、これをリードフレームに塗工
し、さらに半導体素子を載置し、乾燥・硬化して有機溶
剤を除去した後。

２００〜３００℃の高温に加熱すると、ポリイミド系前
駆体が分子内閉環反応（イミＶ化）をおこして硬化し、
半導体素子とリードフレームとを強固に接着させるもの
である。しかも１本発明による導電性ペースト組成物は
、チクソトロピー性に優れる（揺変性が高い）ものであ
るから、シリンジによるディスペンス塗布法での作業性
に優れるものである。

この発明で得られる導電性ペースト組成物によれば、高
い揺変性によるところのディスペンス塗布法に優れるの
で、同時にチクソトロピー性を要求されるスクリーン印
刷法ＩＣよる塗布法が用いられる各種分野で使用できる
。また、半導体素子のグイボンディング用接着剤以外に
も、電子部品用接着剤等の各種用途、たとえば高い接着
力を要求されるチップ部品（チップコンデンサー、チッ
プ抵抗器など）のセラミック端面外部電橋用、水晶発振
子の水晶振動板とり−ト°フレームとの導電接着剤とし
ても用いられ、また、印刷回路基板の印刷配線導体とし
ても有用である。すなわち、この導電性ペースト組成物
は、ハイブリッドＩＣやモノシリツクＩＣのグイポンデ
ィング用接着剤、あるいは従来低融点ガラスフリット銀
ペーストなど無機系銀ペーストしか使用できなかったチ
ップコンテンサーやチップ抵抗器などのチップ部品ノ分
野における電極材として、あ゛るいは水晶振動子固定用
導電性接着剤兼電極材、液晶表示セル電極材などに広く
用いられる。

第１図〜第５図はこれら使用例を示すものである。第１
図（Ａ）はハイプリツＩ″ＩＣの平面図であり。

同図（Ｂ）は同１＝Ｉ線断面図である。両図において１
は金属外囲器、　２ｍ、　２ｂ、　２ｃ、　２ｄ、　２
ｅはリーＶビンである。３はアルミニウム、アルミナま
たはガラスエポキシなどからなる基板であり、この基板
３上に導体層４ａ、　４ｂ、　４ｃ、４ｄ、　４ｅ、　
４ｆ、　４ｇ、　４ｈ、　４ｉ４ｊ、　４に、　４１が
設けられている。これら導体層は。

銀、金、銀−パラジウムなどを導電フィラーとし、有機
ポリマーおよび低融点ガラスをバインダーとするペース
ト状物を基板上に塗工し、溶媒を除去したのち７００〜
１，２００℃程度で焼成することにょシ設けられる。

導体層４ｃ上には半導体素子５が、この発明の導電性ペ
ースト組成物を用いて形成されたペースト硬化物層６に
よって強固に接着固定されている。

この接着は、導体層４ｃ上に前記の導電性ペースト組成
物を所定量設け、この上に半導体素子５をのせて、前記
組成物を加熱硬化（イミド化）させることによってなさ
れたものである。７ａ、　７ｂは他の導体層４ｂ、４ｄ
と電気的に接続するためのボンディングワイヤ、　８ａ
、８ｂ、　８ｃは抵抗、コンデンサー、ダイオ−Ｆなど
のチップ部品である。９は基板１をのせた放熱板であり
、この放熱板９１に、アースのために導体層４ａとワイ
ヤ１１１によって電気的に接続された導体層１ｏが設け
られている。１１はエポキシ樹脂などからなる封Ｉｋ、
Ｉｌ脂。

１２はＩＪ’　Ｍピン２ａ〜２ｃの外部への延出部を封
止するためのエポキシ樹脂などからなるｍ指対止部であ
る。

第２図（Ａ）はモノシリツクＩＣの封止樹脂層を省略し
たモ面図であり、同ｍ　（Ｂ）は同ト］線断面図である
。両図において１３はリーＦフレームであり、このリー
ドフレーム１３上に半導体素子１４が、この発明の導電
性ペースト組成物を用いて形成されたペースト硬化物層
１５によって強固に接着固定されている。この接着は前
記のへイブリッドｔＣにおける導体層と半導体素子との
接着と同様の方法で行われる。１６ｍ、１６ｂは他のり
−Ｖフレーム１４ｍ、　１４ｂｌＣポンディングワイヤ
１７ｍ。

１７ｂによって電気的に接続された電極、１８はト’）
ｙスファー成形などにより上記の各部品を一体に封＋ｈ
　したエポキシ樹脂などからなる封止樹脂層である。

第３図はチップコンデンサーの断面図である。

同図において１９はＢａＴｉ０．、　Ｔｉｅ、などを主
成分とするセラミック誘電体、２０は有機ポリマーおよ
び低融点ガラスをバインダとする導電性ペースト組成物
から焼結により形成されよ無機系銀、金。

銀−パラジウムなどのペースト硬化物からなる内部電極
である。２１ｍ、２１ｂはこれら内部電極を並列接続す
るように設けられたこの発明の導電性ペースト組成物を
硬化させてなる外部電極である。

このチップコンデンサーは、　ＢａＴｉ０．、　Ｔｉｅ
、などを主成分とするセラミック材料を薄膜シート状に
したものに、前記の無機系銀、金、＃−パラジウムなど
の４電性ペ一スト組成物を印１！Ｊ　Ｌ　、この一族シ
ートを数層から数千ｍに積み直ねて７００〜１．２００
℃程度で焼結し、次いでこの発明のペースト組成物を硬
化させた外部電極を設けることにより得られる。なお、
外部電極は、チップコンデンサーのハンダ付けの際に、
導電性充填剤としてノ銀のハンダへの溶出防止のため、
Ｎｉ等のメッキ層を設ける場合もある。

第４図はチップ抵抗器の断面図である。アルミナ基板２
２ｈに酸化ルテニウム、カーボンなどの厚膜からなる抵
抗素子２３が設けられている。

２４はこの発明の導電性ペースト組成物が加熱硬化（イ
ミＭ化）されて形成されたペースト硬化物であり、ハン
ダ付は性を良くするために錫を主体として設けられたハ
ンダメッキ層２６およびニッケル層２４′とともに外部
電極２５を構成している。

このニッケルー２４′は外部電極２５をハンダ付けする
際にペースト硬化物２４から導電性充填剤としての銀が
溶出するのを防止するために設けられえものである６２
７はガラスからなる保護膜である。

第５図（Ａ）は水晶発振子の切欠側面図である。水晶板
２８の両面に銀−金１４＄　２９ｍ、　２９ｂが設けら
れている。同図（Ｂ）は、この−膜２９ａ、２９ｂが設
けられた水晶板２８のモ面図である。２９’ａ、２９’
ｂはこの発明の導電性ペースト組成物が加熱硬化（イミ
ド化）されて形成されたペースト硬化物であり、水晶板
２８とり−Ｖフレーム３１ａ、３１ｂとを接着する機能
を有するとともに、前記の銀−金ｌＩ膜２９ａ、２９ｂ
とともに電極３０ａ。

３０ｂを構成している。３２は金属製ケースである。

以下にこの発明を実施例によって説明する。

各実施例および比較例には、横変性を示す尺度として、
揺変度（チクソトロビックインデックス）を次の式によ
シ定義した。

揺変度＝□ ま ただし、ｌ；東京計器■製ＢＨ型回転粘度針で。

ローターＮｏ　７を用い、　２ｒ−で計つた２５℃での
粘度（ボイズ） マ；同じ（２０ｒｐｍでの粘度（ボイズ）実施例１ 攪拌装置、冷却管、温ＩＩ’計および窒素置換装置を付
したフラスコ′中に、Ｎ−メチル−２−ピロリＦ７１９
Ｂ、３ｆを加え、ビス（３−アミノプロピル）テトラメ
チルジシロキサン０．８７９（０，００３５モル）４・
１−ｔｙアミ／９７ｚ＝ルエ−テ＋Ｌ’１９．：ｌ（０
，０９６５モル）を仕込み、溶解するまで攪拌した。つ
ぎに３・ご・４・４′−ビフェニルテトラカルボン酸二
無水２９．４Ｆ（０，１モル）を除々に添加した。反応
系を３０℃以下になるように保持し、透明粘稠溶液にな
るまで攪拌した。つぎに反応系を６０℃に８時間保ち、
この加熱・熟成工程後不揮発固形分、２０ＪＩ重量％、
溶液粘度が４２（）ボイズのポリイミド°前駆体の溶液
を作製した。

得られたボリイミｐ前駆体の溶液１１１０　Ｆ　（固形
分２０ｔ）Ｋ、３２５メツシユフリーパスの鱗片状銀粉
（ｉ＆大粒径３２ｐｍ、ＩＰ均粒径５．１μｙ＋ｚ）９
６、６　ｆを加え、３本ロールで混練してボリイミＦ前
駆体の溶液に分散した。この３本ロールでの混線・分散
工程中に、エチレンビス、ステアリン酸アミＦのキシレ
ン中膨潤分散ペースト（有効成分２０重量％）５．８３
ｆを加え、銀粉とともにポリイミ１″前駆体の溶液に分
散し、この発明の導電性ペースト組成物を作製した。

逼られた銀ペースト組成物の揺変度を測定したところ、
４．２１であり、チクソトロピー性力１高１．）ことが
判った。なお、２１）ｒｐｒｔ＋での粘度は９００ポイ
ズであった。次にこれを５ｃｃシリンジに５ｆ充填し、
　５ｋｇ／ｃｄの空気圧で　９−Ｆフレームのグイボン
ディングプレート上に、ディスペンチ−を用いて、連続
塗布したところ、吐出量のノ（ラツキが少なく、定量塗
布が可能であり、しかも、°°たれ”が無く、塗布作業
性に優れていることが判った。塗布後、半導体素子を接
着し、１２０℃で３０分間、２００℃で６０分間、乾燥
・硬化し−た。

半導体素子と　ＩＪ　−Ｖフレームとの接着力をプツシ
ニブルゲージにて測定したところ、１０５ｋｆ／ｊだっ
た。同様にして３５０℃での接着力を調べたところ、　
２５ｋｆ／ｄであり、アセンブリ一工程での組ヴに支障
の無い接着力を示した。

実施例２ 実施例１と同様にして、Ｎ−メチル−２−ピロリド°ン
２１０、Ｏｆ中にビス（３−アミノプロピル）テトラメ
チルジシロキサン２．４８５９　（０，０１モル）４・
４′−ジアミノジフェニルメタン１７．８２ｆ（０，０
９モル）を溶解し１次いで３・了・４・ｌ−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水３２．２ｆ（０，１モル）
を反応させ、不揮発固形分１９．８重量％、溶液粘度１
４３ボイズのポリイミド前駆体溶液を作製した。

このポリイミ）’前駆体溶液１０・Ｏｆ（固形分１９．
８ｆ）Ｋ、３２５メソシユフリーパスの鱗片状銀粉（最
大粒径３２ｐｍ、’ｌ’均粒径３．３　ａｍ　）　９９
．Ｏｆを加え。

三本ロールで混線・分散した。このペースト組成物１０
０ｔに、実施例１で使用したエチレンビスステアリン酸
アミド°のキシレン中膨Ｍ分歓ヘ−ｘ　□ト（有効成分
２０膚量％）１．８０ｔを加え、再度３本ロールで分散
し、揺変度　３．７３．２Ｏｒｐｍでの粘度８３０ボイ
ズのこの発明の導電性ペースト組成物を作成した。

実施例１と同様にして、ディスペンス法テ塗布作業性を
調べたところ、塗布作業性に優れ、しかも同様にして半
導体素子を接着し、１００℃で３０分間、２５０℃で６
０分間乾燥・硬化した後の半導体素子とリードフレーム
との接着力は、９５ｋｆ／ｃｄ、３５０℃で２３ｋｆ／
ｃｄであり、充分な接着力を示した。

実施例３ 実施例２で作製したこの発明の導電性銀ペースト組成物
を、５ｃｃシリンジに５ｆ詰め、　３ｋｆ／ｄの空気圧
で、気密封止型水晶発振子の組立に用いる４２７０イ製
リードフレーム上にディスペンス法で滴下し、水晶振動
板を接着後、１２０℃で３０分間、２７５℃で９０分間
乾燥し硬化し、接着固定した。低融点ガラスを用いて、
ガラス特容器上下を４７０℃で１０分間の条件で密封し
、気密封止型水晶発振子を作製した。この過程でのディ
スペンサー塗布作業では、定量塗布が可能で、しかも、
シリンジ先端からの“°たれ”も無く、塗布作業性に優
れていることが判った。また、４２アロイ製リードフレ
ームと水晶振動板との接着力も充分で。

７５ｔＭの高さから堅木上へ落下後の導通不良もなかっ
た。また、低融点ガラスでの封止にも充分耐えることか
ら、耐熱性も充分であシ、この発明の導電性ペースト組
成物は半導体素子のグイボンディング接着剤以外の用途
においても有用であることがわかった。

比較例１ 実施例２で用いたポリイミド前駆体溶液１００ｔ。

鱗片状銀粉９９．　Ｏｆを相様に３本ロールで混練・分
散した。このペースト組成物の揺変度は、１．４３で、
２０ｒｐｍでの粘度は８９０ボイズであった。

実施例２と同様にして、塗布作業性を調べたところ、吐
出量にバラツキが有り、定量塗布は困難であった。さら
に、ペースト組成物は塗布作−中に。

グイボンディングプレート以外のリードフレーム上に滴
下する場合があり　ＩＪ　−Ｍフレームを汚染　′する
ことがあった。しかし、正常に塗布された場合の半導体
素子とり−Ｆフレームとの接着力とは。

実施例２と同様であった。

なお、上、記各実施例および比較例より得られたペース
ト組成物のＮａ＋およびＣ１イオン含有量は以下の如く
であった。即ち該組成物を１２０℃。

３（）分間を引続く２００℃、６０　分で乾燥・硬化し
粉砕して得られる１５０メツシュバス品５ｔに対して蒸
留水５０Ｆを加えて１２１℃、２気圧。

２０時間抽出した抽出水のＮａ”　、　Ｃ１−含有量は
各々５ＰＰＭ以下であった。

【図面の簡単な説明】

第１１図〜第５図はこの発明の導電性銀ペースト組成物
の使用例を示すものであり、第１図（Ａ）はハイブリツ
ＦＩＣの平面図、第１図（Ｂ）は上記第１図（Ａ）のｆ
−１線断面図、第２図（Ａ）はモノシリツクＩＣの封止
樹脂層を省略したモ面図、第２図（Ｂ）は上記第２図（
Ａ）の■−■線断面図、第３図はチップコンデンサーの
断面図、第４１文はチップ抵抗器の断面図、第５図（Ａ
）は水晶発振子の切欠側面図、第５図（Ｂ）は上記第５
図（Ａ）の水晶振動子部分のモ面図である。 第２図 第３図 第４図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ＋１１導電性充填剤を含有するポリイミド系前駆体溶液
   に、一般式 （式中Ｒ０およびＲ３は炭素数６〜２４の一価の炭素水
   素基であり、互いに同じであっても異なっていてもよい
   。Ｒ３は炭素数１〜６の二価の炭化水素基である。）で
   示されるアルキレンビス脂肪族モノカルボン酸アミＶを
   添加してなる導電性ペースト組成物。 （２）アルキレンビス脂肪族モノカルボン酸アミドの添
   加量が、ポリイミド°系前駆体と導電性充填剤の合計竜
   に対し、０．５〜５重量％である特許請求の範囲第１項
   記載の導電性ペースト組成物。 １３）アルキレンビス脂肪族モノカルボン酸アミドとし
   て、有機溶剤中に肪酸アミドを固形分会量゛　１０〜２
   ５電量％の割合で膨潤分散させてなる膨潤分散体を用い
   てなる特許請求の範囲第１項又は第２項記載の導電性ペ
   ースト組成物。 て得ることのできる０、１〜５０モル％の式（Ｉｔ）で
   示される反覆単位と５０〜９９．９モル％の式（ＩＩＩ
   ）で示される反覆単位からなるシミキチン変性ボリイミ
   Ｆ前駆体である特許請求の範囲第１項〜第３項いずれか
   記載の導電性ペースト組成物。 （但し、Ｒは２価の炭化水素基、Ｒ′は１価の炭化水素
   基、Ｒ＃は４価の有機基、ｒはケイ素を含まない有機ジ
   アミンの残基である２価の有機基、ｎは１以上の整数で
   ある）。 １６）導電性充填剤が銀粉末である特許請求の範囲第１
   項〜第４項いずれか記載の導電性ペースト組成物。