JPH04222889A - 導電性樹脂ペースト - Google Patents
導電性樹脂ペーストInfo
- Publication number
- JPH04222889A JPH04222889A JP2418274A JP41827490A JPH04222889A JP H04222889 A JPH04222889 A JP H04222889A JP 2418274 A JP2418274 A JP 2418274A JP 41827490 A JP41827490 A JP 41827490A JP H04222889 A JPH04222889 A JP H04222889A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicone
- paste
- polyimide resin
- diamine
- dianhydride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
Landscapes
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、導電性フィラー、絶縁
性フィラー、シリコーン変性ポリイミド樹脂及び有機溶
剤からなり、IC、LSI等の半導体素子を金属フレー
ムやセラミック基板等に接着する導電性樹脂ペーストに
関するものである。更に詳しくは、セラミックパッケー
ジなどチップをパッケージ内に該ペーストを用いてマウ
ントした後、ハーメチックシールのように300℃以上
の高温に曝された場合でもチップとパッケージ内部との
密着強度が充分に保持され得る導電性樹脂ペーストに関
するものである。
性フィラー、シリコーン変性ポリイミド樹脂及び有機溶
剤からなり、IC、LSI等の半導体素子を金属フレー
ムやセラミック基板等に接着する導電性樹脂ペーストに
関するものである。更に詳しくは、セラミックパッケー
ジなどチップをパッケージ内に該ペーストを用いてマウ
ントした後、ハーメチックシールのように300℃以上
の高温に曝された場合でもチップとパッケージ内部との
密着強度が充分に保持され得る導電性樹脂ペーストに関
するものである。
【0002】
【従来技術】従来、セラミックパッケージについては、
半導体素子をパッケージ内にマウントする際Au−Si
共晶法により接合し、次いでハーメチックシールによっ
て封止するのが普通であった。しかしながら、半導体素
子の高集積化によるチップサイズの増大により、熱履歴
を受けた際にチップに発生する応力が信頼性低下につな
がるため、マウント材自身に応力緩和性が求められるよ
うになってきている。近年エポキシ樹脂に銀粉等の導電
性フィラーを混合した導電性樹脂ペーストが作業性、量
産性、応力緩和性の点で従来のAu−Si共晶法に比べ
て優れるため用いられるようになってきているが、セラ
ミックパッケージの場合には300℃以上の高温でガラ
スシールする工程があり、エポキシ樹脂系では耐熱性の
点で不充分であり、シール中に分解ガスが大量に発生し
内部応力が増大してシール部が膨れてしまうという問題
があった。一方、耐熱性の優れているポリイミド系樹脂
に導電性フィラーを混合して導電性樹脂ペーストとする
試みもなされているが、耐熱性の優れるポリイミド樹脂
はガラス転移温度が高く、溶液化するためには有機溶剤
に溶解することが必要で、そのためにはポリイミド前駆
体であるポリアミド酸の状態でワニス化しなければなら
なかった。ところが、ポリアミド酸は分子内にアミド基
とカルボキシル基を有するため分子間の相互作用が極め
て強く、作業性の点で数十〜百ポイズの粘度の溶液を得
るには濃度を30重量%以下に抑える必要があった。こ
のように有機溶剤を70%以上含むポリアミド酸に導電
性フィラーを混合してペースト化した場合、溶剤量がマ
ウント樹脂中30重量%以上にもなり、チップをマウン
トした場合、硬化加熱時の溶剤の抜け跡として硬化物中
にボイドが生成し、接着強度の低下、電気電導度及び熱
伝導不良の原因となり、信頼性面から好ましくなかった
。これらのことから、半導体素子のマウント材には、密
着性、耐熱性、応力緩和性に優れ、しかも硬化物中にボ
イド等のない信頼性に優れた導電性樹脂ペーストが強く
要望されていた。
半導体素子をパッケージ内にマウントする際Au−Si
共晶法により接合し、次いでハーメチックシールによっ
て封止するのが普通であった。しかしながら、半導体素
子の高集積化によるチップサイズの増大により、熱履歴
を受けた際にチップに発生する応力が信頼性低下につな
がるため、マウント材自身に応力緩和性が求められるよ
うになってきている。近年エポキシ樹脂に銀粉等の導電
性フィラーを混合した導電性樹脂ペーストが作業性、量
産性、応力緩和性の点で従来のAu−Si共晶法に比べ
て優れるため用いられるようになってきているが、セラ
ミックパッケージの場合には300℃以上の高温でガラ
スシールする工程があり、エポキシ樹脂系では耐熱性の
点で不充分であり、シール中に分解ガスが大量に発生し
内部応力が増大してシール部が膨れてしまうという問題
があった。一方、耐熱性の優れているポリイミド系樹脂
に導電性フィラーを混合して導電性樹脂ペーストとする
試みもなされているが、耐熱性の優れるポリイミド樹脂
はガラス転移温度が高く、溶液化するためには有機溶剤
に溶解することが必要で、そのためにはポリイミド前駆
体であるポリアミド酸の状態でワニス化しなければなら
なかった。ところが、ポリアミド酸は分子内にアミド基
とカルボキシル基を有するため分子間の相互作用が極め
て強く、作業性の点で数十〜百ポイズの粘度の溶液を得
るには濃度を30重量%以下に抑える必要があった。こ
のように有機溶剤を70%以上含むポリアミド酸に導電
性フィラーを混合してペースト化した場合、溶剤量がマ
ウント樹脂中30重量%以上にもなり、チップをマウン
トした場合、硬化加熱時の溶剤の抜け跡として硬化物中
にボイドが生成し、接着強度の低下、電気電導度及び熱
伝導不良の原因となり、信頼性面から好ましくなかった
。これらのことから、半導体素子のマウント材には、密
着性、耐熱性、応力緩和性に優れ、しかも硬化物中にボ
イド等のない信頼性に優れた導電性樹脂ペーストが強く
要望されていた。
【0003】
【発明の目的】本発明者らは、セラミックパッケージ内
でIC等の大型チップをマウントした後ハーメチックシ
ール時に発生ガスが少なく接着強度の低下が起こらず、
信頼性不良の原因となる硬化物中のボイドの発生も極め
て少ない導電性樹脂ペーストを得んとして鋭意研究を重
ねた結果、シリコーン変性ポリイミド樹脂を少量の有機
溶剤に溶かし、導電性フィラー及び絶縁性フィラーを添
加して得られる導電性樹脂ペーストが応力緩和性に優れ
、ガラスシール工程を経ても分解ガスの発生が少なく、
接着強度の低下も少なく、しかも硬化物中にボイドの発
生が極めて少ないことが判り、本発明を完成するに至っ
たものである。
でIC等の大型チップをマウントした後ハーメチックシ
ール時に発生ガスが少なく接着強度の低下が起こらず、
信頼性不良の原因となる硬化物中のボイドの発生も極め
て少ない導電性樹脂ペーストを得んとして鋭意研究を重
ねた結果、シリコーン変性ポリイミド樹脂を少量の有機
溶剤に溶かし、導電性フィラー及び絶縁性フィラーを添
加して得られる導電性樹脂ペーストが応力緩和性に優れ
、ガラスシール工程を経ても分解ガスの発生が少なく、
接着強度の低下も少なく、しかも硬化物中にボイドの発
生が極めて少ないことが判り、本発明を完成するに至っ
たものである。
【0004】その目的とするところは、マウント樹脂と
しての電気特性や機械特性、不純物濃度等の諸特性を満
足して優れた信頼性を有し、しかも応力緩和特性に優れ
た導電性樹脂ペーストを提供するにある。
しての電気特性や機械特性、不純物濃度等の諸特性を満
足して優れた信頼性を有し、しかも応力緩和特性に優れ
た導電性樹脂ペーストを提供するにある。
【0005】
【発明の構成】本発明は、導電性フィラー(A)、絶縁
性フィラー(B)、シリコーン変性ポリイミド樹脂(C
)及び有機溶剤(D)よりなる導電性樹脂ペーストであ
って、(A)、(B)、(C)の重量割合が(A)/{
(B)+(C)}=50/50〜90/10、(B)/
{(A)+(C)}=0.1/99.9〜49/51で
あり、かつ(D)の重量割合が(D)/{(A)+(B
)+(C)}=0.01/100〜50/100である
ことを特徴とする導電性樹脂ペーストであり、シリコー
ン変性ポリイミド樹脂(C)が芳香族酸二無水物と、芳
香族ジアミン化合物及び式〔I〕及び/或いは〔II〕
性フィラー(B)、シリコーン変性ポリイミド樹脂(C
)及び有機溶剤(D)よりなる導電性樹脂ペーストであ
って、(A)、(B)、(C)の重量割合が(A)/{
(B)+(C)}=50/50〜90/10、(B)/
{(A)+(C)}=0.1/99.9〜49/51で
あり、かつ(D)の重量割合が(D)/{(A)+(B
)+(C)}=0.01/100〜50/100である
ことを特徴とする導電性樹脂ペーストであり、シリコー
ン変性ポリイミド樹脂(C)が芳香族酸二無水物と、芳
香族ジアミン化合物及び式〔I〕及び/或いは〔II〕
【0006】
【化2】
【0007】で示されるシリコーン化合物からなり、シ
リコーン成分が全樹脂分中少なくとも5重量%以上であ
って、且つイミド化され得るシリコーン変性ポリアミド
酸のうち、少なくとも80%以上がイミド化されている
ことを特徴とする導電性樹脂ペーストである。
リコーン成分が全樹脂分中少なくとも5重量%以上であ
って、且つイミド化され得るシリコーン変性ポリアミド
酸のうち、少なくとも80%以上がイミド化されている
ことを特徴とする導電性樹脂ペーストである。
【0008】本発明に用いられる導電性フィラーとして
は、ニッケル、銅、銀、金、AI等の金属粉やカーボン
ブラックなどを挙げることができるが、特に限定される
ものではない。但し本発明において用いられる導電性フ
ィラーにおいては、ハロゲンイオン、アルカリ金属イオ
ン等のイオン性不純物の含量が好ましくは10ppm以
下であることが望ましい。また粒子の形状としては、フ
レーク状、樹枝状や球状等のものが用いられる。異なる
導電性フィラーを混合して用いることもできる。また粒
径についても、比較的粗いものと細かいものを適宜混合
してもよい。必要な特性を得るための粒径は0.01〜
50μmが望ましい。
は、ニッケル、銅、銀、金、AI等の金属粉やカーボン
ブラックなどを挙げることができるが、特に限定される
ものではない。但し本発明において用いられる導電性フ
ィラーにおいては、ハロゲンイオン、アルカリ金属イオ
ン等のイオン性不純物の含量が好ましくは10ppm以
下であることが望ましい。また粒子の形状としては、フ
レーク状、樹枝状や球状等のものが用いられる。異なる
導電性フィラーを混合して用いることもできる。また粒
径についても、比較的粗いものと細かいものを適宜混合
してもよい。必要な特性を得るための粒径は0.01〜
50μmが望ましい。
【0009】本発明に用いられる絶縁性フィラーとして
は、炭酸カルシウム、シリカ、炭化珪素、窒化珪素、ア
ルミナボレート、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化マ
グネシウム、酸化チタン、窒化ホウ素、窒化アルミニウ
ム等を挙げることができるが、特にこれらに限定される
ものではなく、異なる絶縁性フィラーを二種以上混合し
て用いてもよい。形状としては、フレーク状、樹枝状や
球状等のものが用いられる。異なる粒径のものを混合し
て用いても差し支えない。本発明において用いられる絶
縁性フィラーにおいては、ハロゲンイオン、アルカリ金
属イオン等のイオン性不純物の含量が好ましくは10p
pm以下であることが望ましい。
は、炭酸カルシウム、シリカ、炭化珪素、窒化珪素、ア
ルミナボレート、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化マ
グネシウム、酸化チタン、窒化ホウ素、窒化アルミニウ
ム等を挙げることができるが、特にこれらに限定される
ものではなく、異なる絶縁性フィラーを二種以上混合し
て用いてもよい。形状としては、フレーク状、樹枝状や
球状等のものが用いられる。異なる粒径のものを混合し
て用いても差し支えない。本発明において用いられる絶
縁性フィラーにおいては、ハロゲンイオン、アルカリ金
属イオン等のイオン性不純物の含量が好ましくは10p
pm以下であることが望ましい。
【0010】本発明において用いられる導電性フィラー
(A)はペースト硬化後の導電性付与のために必要であ
り、絶縁性フィラー(B)はペーストの硬化時の流動性
をコントロールし、ボイドが硬化物中に残らないように
するために必要である。これらのペーストにおける割合
は、バインダーであるシリコーン変性ポリイミド樹脂(
C)と合せて、(A)/{(B)+(C)}=50/5
0〜90/10、(B){(A)+(C)}=0.1/
99.9〜49/51であることが望ましい。導電性フ
ィラー(A)が(B)及び(C)に対して50重量%未
満であると、導電性が得られないので好ましくなく、ま
た90重量%を越えるとペーストの粘度が極めて上昇し
、作業性の点で好ましくない。また、絶縁性フィラー(
B)が(A)及び(C)に対して5重量%未満であると
、ペースト硬化時の流動性を充分にコントロールできな
くなるので好ましくなく、50重量%を越えると粘度が
上昇し、作業性の点で好ましくなく、充分な導電性が得
られなくなるので好ましくない。
(A)はペースト硬化後の導電性付与のために必要であ
り、絶縁性フィラー(B)はペーストの硬化時の流動性
をコントロールし、ボイドが硬化物中に残らないように
するために必要である。これらのペーストにおける割合
は、バインダーであるシリコーン変性ポリイミド樹脂(
C)と合せて、(A)/{(B)+(C)}=50/5
0〜90/10、(B){(A)+(C)}=0.1/
99.9〜49/51であることが望ましい。導電性フ
ィラー(A)が(B)及び(C)に対して50重量%未
満であると、導電性が得られないので好ましくなく、ま
た90重量%を越えるとペーストの粘度が極めて上昇し
、作業性の点で好ましくない。また、絶縁性フィラー(
B)が(A)及び(C)に対して5重量%未満であると
、ペースト硬化時の流動性を充分にコントロールできな
くなるので好ましくなく、50重量%を越えると粘度が
上昇し、作業性の点で好ましくなく、充分な導電性が得
られなくなるので好ましくない。
【0011】本発明において用いられるシリコーン変性
ポリイミド樹脂は、芳香族酸二無水物と芳香族ジアミン
化合物及び末端ジアミノシリコーン化合物及び/又は酸
無水物末端シリコーン化合物を反応させて得られるシリ
コーンポリアミド酸をイミド化して得られるものである
。さらに、シリコーン成分は全樹脂分中少なくとも5重
量%含まれていることが必要であり、イミド化率は少な
くとも80%以上であることが望ましい。シリコーン変
性率が5%未満であると、チップと基板との密着性が大
幅に低下し、300℃以上のガラスシール熱処理後の密
着強度も極めて小さいものになるので好ましくない。 またイミド化率が80%未満のものは、分子内にあるア
ミド基及びカルボキシル基の分子間水素結合によって相
互作用し、作業性の良好な100ポイズ以下の粘度の溶
液とするためには樹脂分濃度を30%以下にする必要が
あり、必然的にペースト中に含まれる有機溶剤が多くな
り、このため加熱硬化時にボイドの発生が顕著になるの
で好ましくない。
ポリイミド樹脂は、芳香族酸二無水物と芳香族ジアミン
化合物及び末端ジアミノシリコーン化合物及び/又は酸
無水物末端シリコーン化合物を反応させて得られるシリ
コーンポリアミド酸をイミド化して得られるものである
。さらに、シリコーン成分は全樹脂分中少なくとも5重
量%含まれていることが必要であり、イミド化率は少な
くとも80%以上であることが望ましい。シリコーン変
性率が5%未満であると、チップと基板との密着性が大
幅に低下し、300℃以上のガラスシール熱処理後の密
着強度も極めて小さいものになるので好ましくない。 またイミド化率が80%未満のものは、分子内にあるア
ミド基及びカルボキシル基の分子間水素結合によって相
互作用し、作業性の良好な100ポイズ以下の粘度の溶
液とするためには樹脂分濃度を30%以下にする必要が
あり、必然的にペースト中に含まれる有機溶剤が多くな
り、このため加熱硬化時にボイドの発生が顕著になるの
で好ましくない。
【0012】本発明において使用されるシリコーン変性
ポリイミド樹脂を構成する酸無水物成分の例を挙げると
、ピロメリッ卜酸二無水物、3,3′,4,4′−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2′,3,
3′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,
3,3′,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物、ナフタレン−2,3,6,7−テトラカルボン酸
二無水物、ナフタレン−1,2,5,6−テトカルボン
酸二無水物、ナフタレン−1,2,4,5−テトラカル
ボン酸二無水物、ナフタレン−1,4,5,8−テトラ
カルボン酸二無水物、ナフタレン−1,2,6,7−テ
トラカルボン酸二無水物、4,8−ジメチル−1,2,
3,5,6,7−ヘキサヒドロナフタレン−1,2,5
,6−テトラカルボン酸二無水物、4.8−ジメチル−
1,2,3,5,6,7−ヘキサヒドロナフタレン−2
,3,6,7−テトラカルボン酸二無水物、2,6−ジ
クロロナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸
二無水物、2,7−ジクロロナフタレン−1,4,5,
8−テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−テト
ラクロロナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン
酸二無水物、1,4,5,8−テトラクロロナフタレン
−2,3,6,7−テトラカルボン酸二無水物、3,3
′,4,4′−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、
2,2′,3,3′−ジフェニルテトラカルボン酸二無
水物、2,3,3′,4′−ジフェニルテトラカルボン
酸二無水物、3,3′′,4,4′′−p−テルフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物、2,2′′,3,3′′
−p−テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3
,3′′,4′′−p−テルフェニルテトラカルボン酸
二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニ
ル)−プロパン二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカ
ルボキシフェニル)−プロパン二無水物、ビス(2,3
−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、ビス(3
,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、ビス
(2,3−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビ
ス(3,4−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、
ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水
物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン二
無水物、1,1−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル
)エタン二無水物、1,1−ビス(3,4−ジカルボキ
シフェニル)エタン二無水物、ペリレン−2,3,8,
9−テトラカルボン酸二無水物、ペリレン−3,4,9
,10−テトラカルボン酸二無水物、ペリレン−4,5
,10,11−テトラカルボン酸二無水物、ペリレン−
5,6,11,12−テトラカルボン酸二無水物、フェ
ナンスレン−1,2,7,8−テトラカルボン酸二無水
物、フェナンスレン−1,2,6,7−テトラカルボン
酸二無水物、フェナンスレン−1,2,9,10−テト
ラカルボン酸二無水物、シクロペンタン−1,2,3,
4−テトラカルボン酸二無水物、ピラジン−2,3,5
,6−テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン−2,3
,4,5−テトラカルボン酸二無水物、チオフェン−2
,3,4,5−テトラカルボン酸二無水物などがあげら
れるが、これらに限定されるものではない。
ポリイミド樹脂を構成する酸無水物成分の例を挙げると
、ピロメリッ卜酸二無水物、3,3′,4,4′−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2′,3,
3′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,
3,3′,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物、ナフタレン−2,3,6,7−テトラカルボン酸
二無水物、ナフタレン−1,2,5,6−テトカルボン
酸二無水物、ナフタレン−1,2,4,5−テトラカル
ボン酸二無水物、ナフタレン−1,4,5,8−テトラ
カルボン酸二無水物、ナフタレン−1,2,6,7−テ
トラカルボン酸二無水物、4,8−ジメチル−1,2,
3,5,6,7−ヘキサヒドロナフタレン−1,2,5
,6−テトラカルボン酸二無水物、4.8−ジメチル−
1,2,3,5,6,7−ヘキサヒドロナフタレン−2
,3,6,7−テトラカルボン酸二無水物、2,6−ジ
クロロナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸
二無水物、2,7−ジクロロナフタレン−1,4,5,
8−テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−テト
ラクロロナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン
酸二無水物、1,4,5,8−テトラクロロナフタレン
−2,3,6,7−テトラカルボン酸二無水物、3,3
′,4,4′−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、
2,2′,3,3′−ジフェニルテトラカルボン酸二無
水物、2,3,3′,4′−ジフェニルテトラカルボン
酸二無水物、3,3′′,4,4′′−p−テルフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物、2,2′′,3,3′′
−p−テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3
,3′′,4′′−p−テルフェニルテトラカルボン酸
二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニ
ル)−プロパン二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカ
ルボキシフェニル)−プロパン二無水物、ビス(2,3
−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、ビス(3
,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、ビス
(2,3−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビ
ス(3,4−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、
ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水
物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン二
無水物、1,1−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル
)エタン二無水物、1,1−ビス(3,4−ジカルボキ
シフェニル)エタン二無水物、ペリレン−2,3,8,
9−テトラカルボン酸二無水物、ペリレン−3,4,9
,10−テトラカルボン酸二無水物、ペリレン−4,5
,10,11−テトラカルボン酸二無水物、ペリレン−
5,6,11,12−テトラカルボン酸二無水物、フェ
ナンスレン−1,2,7,8−テトラカルボン酸二無水
物、フェナンスレン−1,2,6,7−テトラカルボン
酸二無水物、フェナンスレン−1,2,9,10−テト
ラカルボン酸二無水物、シクロペンタン−1,2,3,
4−テトラカルボン酸二無水物、ピラジン−2,3,5
,6−テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン−2,3
,4,5−テトラカルボン酸二無水物、チオフェン−2
,3,4,5−テトラカルボン酸二無水物などがあげら
れるが、これらに限定されるものではない。
【0013】また酸無水物末端シリコーン化合物の例を
挙げると
挙げると
【0014】
【化3】
【0015】などであるが、特に限定されるものではな
い。
い。
【0016】本発明において用いられる芳香族ジアミン
の例を具体的に挙げると、3,3′−ジメチル−4,4
′−ジアミノビフェニル、4.6−ジメチル−m−フェ
ニレンジアミン、2,5−ジメチル−p−フェニレンジ
アミン、2,4−ジアミノメシチレン、4,4′−メチ
レンジ−o−トルイジン、4,4′−メチレンジ−2,
6−キシリジン、4,4′−メチレン−2,6−ジエチ
ルアニリン、2,4−トルエンジアミン、m−フェニレ
ン−ジアミン、p−フェニレン−ジアミン、4,4′−
ジアミノ−ジフェニルプロパン、3,3′−ジアミノ−
ジフェニルプロパン、4,4′−ジフェニルエタン、3
,3′−ジアミノ−ジフェニルエタン、4,4′−ジア
ミノ−ジフェニルメタン、3,3′−ジアミノージフェ
ニルメタン、4,4′−ジアミノ−ジフェニルスルフィ
ド、3,3′−ジアミノ−ジフェニルスルフィド、4,
4′−ジアミノ−ジフェニルスルホン、3,3′−ジア
ミノ−ジフェニルスルホン、4,4′−ジアミノ−ジフ
ェニルエーテル、3,3′−ジアミノ−ジフェニルエー
テル、ベンジジン、3,3′−ジアミノ−ビフェニル、
3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミノ−ビフェニル
、3,3′−ジメトキシ−ベンジジン、4,4′′−ジ
アミノ−p−テルフェニル、3,3′′−ジアミノ−p
−テルフェニル、ビス(p−アミノ−シクロヘキシル)
メタン、ビス(p−β−アミノ−t−ブチルフェニル)
エーテル、ビス(p−β−メチル−δ−アミノペンチル
)ベンゼン、p−ビス(2−メチル−4−アミノ−ペン
チル)ベンゼン、p−ビス(1,1−ジメチル−5−ア
ミノ−ペンチル)ベンゼン、1,5−ジアミノ−ナフタ
レン、2,6−ジアミノ−ナフタレン、2,4−ビス(
β−アミノ−t−ブチル)トルエン、2,4−ジアミノ
−トルエン、m−キシレン−2,5−ジアミン、p−キ
シレン−2,5−ジアミン、m−キシリレン−ジアミン
、p−キシリレン−ジアミン、2,6−ジアミノ−ピリ
ジン、2,5−ジアミノ−ピリジン、2,5−ジアミノ
−1,3,4−オキサジアゾール、1,4−ジアミノ−
シクロヘキサン、ピペラジン、メチレン−ジアミン、エ
チレン−ジアミン、プロピレン−ジアミン、2,2−ジ
メチル−プロピレン−ジアミン、テトラメチレン−ジア
ミン、ペンタメチレン−ジアミン、ヘキサメチレン−ジ
アミン、2,5−ジメチル−ヘキサメチレン−ジアミン
、3−メトキシ−ヘキサメチレン−ジアミン、ヘプタメ
チレン−ジアミン、2,5−ジメチル−ヘプタメチレン
−ジアミン、3−メチル−ヘプタメチレン−ジアミン、
4,4−ジメチル−ヘプタメチレン−ジアミン、オクタ
メチレン−ジアミン、4,4−ジメチル−ヘプタメチレ
ン−ジアミン、オクタメチレン−ジアミン、ノナメチレ
ン−ジアミン、5−メチル−ノナメチレン−ジアミン、
2,5−ジメチル−ノナメチレン−ジアミン、デカメチ
レン−ジアミン、1,10−ジアミノ1,10−ジメチ
ル−デカン、2,11ジアミノ−ドデカン、1,12−
ジアミノ−オクタデカン、2,12−ジアミノ−オクタ
デカン、2,17−ジアミノ−アイコサンなどがあげら
れるが、これらに限定されるものではない。
の例を具体的に挙げると、3,3′−ジメチル−4,4
′−ジアミノビフェニル、4.6−ジメチル−m−フェ
ニレンジアミン、2,5−ジメチル−p−フェニレンジ
アミン、2,4−ジアミノメシチレン、4,4′−メチ
レンジ−o−トルイジン、4,4′−メチレンジ−2,
6−キシリジン、4,4′−メチレン−2,6−ジエチ
ルアニリン、2,4−トルエンジアミン、m−フェニレ
ン−ジアミン、p−フェニレン−ジアミン、4,4′−
ジアミノ−ジフェニルプロパン、3,3′−ジアミノ−
ジフェニルプロパン、4,4′−ジフェニルエタン、3
,3′−ジアミノ−ジフェニルエタン、4,4′−ジア
ミノ−ジフェニルメタン、3,3′−ジアミノージフェ
ニルメタン、4,4′−ジアミノ−ジフェニルスルフィ
ド、3,3′−ジアミノ−ジフェニルスルフィド、4,
4′−ジアミノ−ジフェニルスルホン、3,3′−ジア
ミノ−ジフェニルスルホン、4,4′−ジアミノ−ジフ
ェニルエーテル、3,3′−ジアミノ−ジフェニルエー
テル、ベンジジン、3,3′−ジアミノ−ビフェニル、
3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミノ−ビフェニル
、3,3′−ジメトキシ−ベンジジン、4,4′′−ジ
アミノ−p−テルフェニル、3,3′′−ジアミノ−p
−テルフェニル、ビス(p−アミノ−シクロヘキシル)
メタン、ビス(p−β−アミノ−t−ブチルフェニル)
エーテル、ビス(p−β−メチル−δ−アミノペンチル
)ベンゼン、p−ビス(2−メチル−4−アミノ−ペン
チル)ベンゼン、p−ビス(1,1−ジメチル−5−ア
ミノ−ペンチル)ベンゼン、1,5−ジアミノ−ナフタ
レン、2,6−ジアミノ−ナフタレン、2,4−ビス(
β−アミノ−t−ブチル)トルエン、2,4−ジアミノ
−トルエン、m−キシレン−2,5−ジアミン、p−キ
シレン−2,5−ジアミン、m−キシリレン−ジアミン
、p−キシリレン−ジアミン、2,6−ジアミノ−ピリ
ジン、2,5−ジアミノ−ピリジン、2,5−ジアミノ
−1,3,4−オキサジアゾール、1,4−ジアミノ−
シクロヘキサン、ピペラジン、メチレン−ジアミン、エ
チレン−ジアミン、プロピレン−ジアミン、2,2−ジ
メチル−プロピレン−ジアミン、テトラメチレン−ジア
ミン、ペンタメチレン−ジアミン、ヘキサメチレン−ジ
アミン、2,5−ジメチル−ヘキサメチレン−ジアミン
、3−メトキシ−ヘキサメチレン−ジアミン、ヘプタメ
チレン−ジアミン、2,5−ジメチル−ヘプタメチレン
−ジアミン、3−メチル−ヘプタメチレン−ジアミン、
4,4−ジメチル−ヘプタメチレン−ジアミン、オクタ
メチレン−ジアミン、4,4−ジメチル−ヘプタメチレ
ン−ジアミン、オクタメチレン−ジアミン、ノナメチレ
ン−ジアミン、5−メチル−ノナメチレン−ジアミン、
2,5−ジメチル−ノナメチレン−ジアミン、デカメチ
レン−ジアミン、1,10−ジアミノ1,10−ジメチ
ル−デカン、2,11ジアミノ−ドデカン、1,12−
ジアミノ−オクタデカン、2,12−ジアミノ−オクタ
デカン、2,17−ジアミノ−アイコサンなどがあげら
れるが、これらに限定されるものではない。
【0017】ジアミン末端シリコーン化合物の一例を挙
げると、
げると、
【0018】
【化4】
【0019】があるが、特にこれに限定されるものでは
ない。
ない。
【0020】本発明において用いられるシリコーン変性
ポリイミドを溶解する有機溶剤は特に限定されるもので
はないが、均一溶解可能なものならば、一種類或いは二
種類以上を併用した混合溶媒であっても差し支えない。 この種の溶媒として代表的なものは、N,N−ジメチル
ホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N
−ジエチルホルムアミド、N,N−ジエチルアセトアミ
ド、N,N−ジメチルメトキシアセトアミド、ジメチル
スルホキシド、ヘキサメチルフォスホアミド、N−メチ
ル−2−ピロリドン、ピリジン、ジメチルスルホン、テ
トラメチルスルホン、ジメチルテトラメチレスルホン、
γ−ブチロラクトン、ジグライム、テトラヒドロフラン
、塩化メチレン、ジオキサン、シクロヘキサノン等があ
り、均一に溶解できる範囲で貧溶媒を揮散調節剤、皮膜
平滑剤などとして使用することもできる。
ポリイミドを溶解する有機溶剤は特に限定されるもので
はないが、均一溶解可能なものならば、一種類或いは二
種類以上を併用した混合溶媒であっても差し支えない。 この種の溶媒として代表的なものは、N,N−ジメチル
ホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N
−ジエチルホルムアミド、N,N−ジエチルアセトアミ
ド、N,N−ジメチルメトキシアセトアミド、ジメチル
スルホキシド、ヘキサメチルフォスホアミド、N−メチ
ル−2−ピロリドン、ピリジン、ジメチルスルホン、テ
トラメチルスルホン、ジメチルテトラメチレスルホン、
γ−ブチロラクトン、ジグライム、テトラヒドロフラン
、塩化メチレン、ジオキサン、シクロヘキサノン等があ
り、均一に溶解できる範囲で貧溶媒を揮散調節剤、皮膜
平滑剤などとして使用することもできる。
【0021】本発明において用いられる有機溶剤(D)
の重量割合は、導電性フィラー(A)、絶縁性フィラー
(B)、シリコーン変性ポリイミド樹脂(C)とからな
るペースト中、(D)/{(A)+(B)+(C)}=
0.01/100〜50/100であることが望ましい
。0.01/100未満であるとペーストの粘度が極め
て高くなり作業性の点で好ましくなく、50/100を
越えるとペースト硬化時にボイドが発生しやすくなるの
で好ましくない。
の重量割合は、導電性フィラー(A)、絶縁性フィラー
(B)、シリコーン変性ポリイミド樹脂(C)とからな
るペースト中、(D)/{(A)+(B)+(C)}=
0.01/100〜50/100であることが望ましい
。0.01/100未満であるとペーストの粘度が極め
て高くなり作業性の点で好ましくなく、50/100を
越えるとペースト硬化時にボイドが発生しやすくなるの
で好ましくない。
【0022】さらに本発明においては必要により消泡剤
を添加することもできる。
を添加することもできる。
【0023】導電性樹脂ペーストの製造工程は、次の通
りである。導電性フィラー(A)、絶縁性フィラー(B
)、シリコーン変性ポリイミド樹脂(C)、有機溶剤(
D)を秤量し、必要に応じ消泡剤等を添加して攪拌機、
擂漬器、乳鉢、三本ロール、ニーダー等を単独又は適宜
組合せて均一のペースト状にする。本発明の導電性樹脂
ペーストの使用方法としては、通常のディスペンサー等
で金属フレームやセラミックパッケージ内に塗布するこ
とができ、IC等のチップマウント後オーブン中又は熱
盤上で加熱硬化し接着することができる。以下実施例に
より本発明を具体的に説明する。
りである。導電性フィラー(A)、絶縁性フィラー(B
)、シリコーン変性ポリイミド樹脂(C)、有機溶剤(
D)を秤量し、必要に応じ消泡剤等を添加して攪拌機、
擂漬器、乳鉢、三本ロール、ニーダー等を単独又は適宜
組合せて均一のペースト状にする。本発明の導電性樹脂
ペーストの使用方法としては、通常のディスペンサー等
で金属フレームやセラミックパッケージ内に塗布するこ
とができ、IC等のチップマウント後オーブン中又は熱
盤上で加熱硬化し接着することができる。以下実施例に
より本発明を具体的に説明する。
【0024】
【実施例】(シリコーン変性ポリイミド樹脂 合成例
1)温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管
を備えた四つ口のセパラブルフラスコに3,3′,4,
4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物32.
22g(0.1モル)N−メチル−2−ピロリドン24
0gに溶解させ、下記式のシリコーンジアミン
1)温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管
を備えた四つ口のセパラブルフラスコに3,3′,4,
4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物32.
22g(0.1モル)N−メチル−2−ピロリドン24
0gに溶解させ、下記式のシリコーンジアミン
【002
5】
5】
【化5】
【0026】16.84g(0.02モル)を1時間か
けて滴下ロートにて滴下し、徐々に反応させ、さらに1
時間攪拌を続ける。この間ずっと乾燥窒素ガスを流して
おき、更に氷浴で冷却し系を20℃に保っておく。次い
でこの系に2,6−ジアミノ−4−トリフルオロメチル
ピリジン10.63g(0.06モル)、2,4−ジア
ミノトルエン2.44g(0.02モル)を添加し、さ
らに系を20℃に保ちながら5時間攪拌を続けて反応を
完結する。続いてこの系にトルエン72gを添加し、乾
燥窒素ガス導入管を外して、代りにディーンスターチ還
流冷却管を取付け、氷浴を外してオイルバスで加熱して
系の温度を上昇させる。イミド化に伴って生じる水をト
ルエンとの共沸により系外へ除去しながら加熱を続け、
140−150℃でイミド化を進めて水が生成しなくな
った5時間後に反応を終了させた。このポリイミドシロ
キサンワニスを30リットルの純水に撹拌しながら1時
間かけて滴下し、樹脂を沈澱させ、濾過して固形分のみ
を回収した後、乾燥機中にて120℃で3時間乾燥させ
た。このようにして得たポリイミド樹脂のFT−IRス
ペクトルを測定し、1650cm−1に現れるイミド化
前のアミド結合に基づく吸収と、1780cm−1に現
れるイミド環に基づく吸収からイミド化率を求めたとこ
ろ100%イミド化されていることが判った。
けて滴下ロートにて滴下し、徐々に反応させ、さらに1
時間攪拌を続ける。この間ずっと乾燥窒素ガスを流して
おき、更に氷浴で冷却し系を20℃に保っておく。次い
でこの系に2,6−ジアミノ−4−トリフルオロメチル
ピリジン10.63g(0.06モル)、2,4−ジア
ミノトルエン2.44g(0.02モル)を添加し、さ
らに系を20℃に保ちながら5時間攪拌を続けて反応を
完結する。続いてこの系にトルエン72gを添加し、乾
燥窒素ガス導入管を外して、代りにディーンスターチ還
流冷却管を取付け、氷浴を外してオイルバスで加熱して
系の温度を上昇させる。イミド化に伴って生じる水をト
ルエンとの共沸により系外へ除去しながら加熱を続け、
140−150℃でイミド化を進めて水が生成しなくな
った5時間後に反応を終了させた。このポリイミドシロ
キサンワニスを30リットルの純水に撹拌しながら1時
間かけて滴下し、樹脂を沈澱させ、濾過して固形分のみ
を回収した後、乾燥機中にて120℃で3時間乾燥させ
た。このようにして得たポリイミド樹脂のFT−IRス
ペクトルを測定し、1650cm−1に現れるイミド化
前のアミド結合に基づく吸収と、1780cm−1に現
れるイミド環に基づく吸収からイミド化率を求めたとこ
ろ100%イミド化されていることが判った。
【0027】(シリコーン変性ポリイミド樹脂 合成
例2)合成例1と同様の方法に従い、3,3′,4,4
′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物の代りに
3,3′,4,4′−オキシジフタル酸二無水物31.
02g(0.1モル)を用い、2,6−ジアミノ−4−
トリフルオロメチルピリジン/2,4ジアミノトルエン
混合物の代りに2,4−ジアミノトルエン9.76g(
0.08モル)を用いる。得られたシリコーン変性ポリ
イミド樹脂のイミド化率は旬100%であった。
例2)合成例1と同様の方法に従い、3,3′,4,4
′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物の代りに
3,3′,4,4′−オキシジフタル酸二無水物31.
02g(0.1モル)を用い、2,6−ジアミノ−4−
トリフルオロメチルピリジン/2,4ジアミノトルエン
混合物の代りに2,4−ジアミノトルエン9.76g(
0.08モル)を用いる。得られたシリコーン変性ポリ
イミド樹脂のイミド化率は旬100%であった。
【0028】(シリコーン変性ポリイミド樹脂 合成
例3)合成例1と同様の方法、組成でシリコーン変性ポ
リアミド酸を合成した後、イミド化反応を1時間で終了
した。得られたシリコーン変性ポリイミド樹脂のイミド
化率は65%であった。
例3)合成例1と同様の方法、組成でシリコーン変性ポ
リアミド酸を合成した後、イミド化反応を1時間で終了
した。得られたシリコーン変性ポリイミド樹脂のイミド
化率は65%であった。
【0029】(シリコーン変性ポリイミド樹脂 合成
例4)合成例2の組成からシリコーンジアミンを除き、
2,4−ジアミノトルエンの量を12.22g(0.1
モル)としてポリアミド酸を合成した後、イミド化反応
を30分間で終了した。得られたポリイミド樹脂のイミ
ド化率は30%であった。
例4)合成例2の組成からシリコーンジアミンを除き、
2,4−ジアミノトルエンの量を12.22g(0.1
モル)としてポリアミド酸を合成した後、イミド化反応
を30分間で終了した。得られたポリイミド樹脂のイミ
ド化率は30%であった。
【0030】(実施例1)合成例1で得られたシリコー
ン変性ポリイミド樹脂100重量部、平均粒径5μmの
銀粉末400重量部、平均粒径0.02μの酸化アルミ
ニウム10重量部、N−メチル−2−ピロリドン100
重量部、ジオキサン20重量部を攪拌し、均一分散液と
し、三本ロールで混練し、均一なマウント用樹脂ペース
トを得た。得られたペーストをセラミックパッケージに
塗布し、10×7mm角のシリコンチップをマウントし
、1時間/150℃+1時間/280℃で硬化させた直
後及びさらに420℃で30分間処理した際の接着強度
をテンシロン万能試験機で測定したところ、何れも測定
限界の20kgf以上であった。また軟X線画像測定装
置にてペースト硬化物内部のボイド面積を調べたところ
、全面積の5%未満であった。また体積抵抗率を測定し
たところ、1×10−4Ω−cmであった。
ン変性ポリイミド樹脂100重量部、平均粒径5μmの
銀粉末400重量部、平均粒径0.02μの酸化アルミ
ニウム10重量部、N−メチル−2−ピロリドン100
重量部、ジオキサン20重量部を攪拌し、均一分散液と
し、三本ロールで混練し、均一なマウント用樹脂ペース
トを得た。得られたペーストをセラミックパッケージに
塗布し、10×7mm角のシリコンチップをマウントし
、1時間/150℃+1時間/280℃で硬化させた直
後及びさらに420℃で30分間処理した際の接着強度
をテンシロン万能試験機で測定したところ、何れも測定
限界の20kgf以上であった。また軟X線画像測定装
置にてペースト硬化物内部のボイド面積を調べたところ
、全面積の5%未満であった。また体積抵抗率を測定し
たところ、1×10−4Ω−cmであった。
【0031】(実施例2)ペースト組成のうち、酸化ア
ルミニウムの代りに平均粒径0.02μmの無水シリカ
5重量部を用いた以外は全て実施例1と同様の方法でマ
ウント用樹脂ペーストを得た。実施例1と同様の方法で
接着強度を測定した結果、420℃/30分間の熱処理
前後何れの強度も20kgf以上であった。また硬化物
中のボイド面積も5%未満であった。体積抵抗率は、1
×10−4Ω−cmであった。
ルミニウムの代りに平均粒径0.02μmの無水シリカ
5重量部を用いた以外は全て実施例1と同様の方法でマ
ウント用樹脂ペーストを得た。実施例1と同様の方法で
接着強度を測定した結果、420℃/30分間の熱処理
前後何れの強度も20kgf以上であった。また硬化物
中のボイド面積も5%未満であった。体積抵抗率は、1
×10−4Ω−cmであった。
【0032】(実施例3〜6及び比較例1〜5)ペース
ト組成を表1のようにして実施例1と同様の方法でマウ
ント用樹脂ペーストを得て表1の結果を得た。
ト組成を表1のようにして実施例1と同様の方法でマウ
ント用樹脂ペーストを得て表1の結果を得た。
【0033】
【表1】
【0034】実施例1、2並びに表1の実施例3〜6の
ように、導電性フィラー、絶縁性フィラー、シリコーン
変性ポリイミド樹脂及び有機溶剤の特定の割合からなる
マウント用樹脂ペーストを用いてチップを接着すると、
接着強度は硬化後420℃×30分熱処理で何れも20
kgf/(10×7mm角)以上の値が得られ、ハーメ
チックシールの高温封止後の接着力にも優れていること
が判る。またボイド面積も全て5%未満で優れており、
体積抵抗率は1×10−4Ω−cmで充分な導電性を有
していた。
ように、導電性フィラー、絶縁性フィラー、シリコーン
変性ポリイミド樹脂及び有機溶剤の特定の割合からなる
マウント用樹脂ペーストを用いてチップを接着すると、
接着強度は硬化後420℃×30分熱処理で何れも20
kgf/(10×7mm角)以上の値が得られ、ハーメ
チックシールの高温封止後の接着力にも優れていること
が判る。またボイド面積も全て5%未満で優れており、
体積抵抗率は1×10−4Ω−cmで充分な導電性を有
していた。
【0035】比較例1のように充分にイミド化されてい
ないシリコーン変性ポリイミドを用いると、ペーストの
粘度が高くなり、作業性の点で有機溶剤量を増やさざる
を得なくなった結果、ボイドの原因となり、硬化物には
40%の面積でボイドを発生しており、密着強度も特に
熱処理後は低下が著しかった。比較例2のようにシリコ
ーン成分を含まない通常のポリイミド樹脂をバインダー
として用いると密着強度が極端に低下し、また作業性の
点で有機溶剤量も増え、ボイドの発生につながり好まし
くなかった。比較例3のように導電性フィラー成分が少
ないと充分な導電性が得られず、好ましくなかった。比
較例4のように逆に導電性フィラーが多すぎるとバイン
ダーであるシリコーン変性ポリイミド樹脂が相対的に少
なくなるために密着強度が低下し、好ましくなかった。 比較例5のように絶縁性フィラーを全く用いないと、密
着強度は充分なものの硬化時の流動性をコントロールで
きずに溶剤の抜け道としてボイドが残存し、好ましくな
かった。
ないシリコーン変性ポリイミドを用いると、ペーストの
粘度が高くなり、作業性の点で有機溶剤量を増やさざる
を得なくなった結果、ボイドの原因となり、硬化物には
40%の面積でボイドを発生しており、密着強度も特に
熱処理後は低下が著しかった。比較例2のようにシリコ
ーン成分を含まない通常のポリイミド樹脂をバインダー
として用いると密着強度が極端に低下し、また作業性の
点で有機溶剤量も増え、ボイドの発生につながり好まし
くなかった。比較例3のように導電性フィラー成分が少
ないと充分な導電性が得られず、好ましくなかった。比
較例4のように逆に導電性フィラーが多すぎるとバイン
ダーであるシリコーン変性ポリイミド樹脂が相対的に少
なくなるために密着強度が低下し、好ましくなかった。 比較例5のように絶縁性フィラーを全く用いないと、密
着強度は充分なものの硬化時の流動性をコントロールで
きずに溶剤の抜け道としてボイドが残存し、好ましくな
かった。
【0036】
【発明の効果】本発明の導電性樹脂ペーストは、銅、4
2アロイ等の金属フレーム、セラミック基板、ガラスエ
ボキシ等の有機基板へのIC等半導体素子の接着に用い
ることができ、特に10mm角以上の大型チップの接着
に適しており、ボイドの発生が極めて少なく、弾性率の
低いシリコーン変性ポリイミド樹脂をバインダーとして
用いているため、応力緩和特性に優れている。またシリ
コーン成分の基板への密着性が良好で、セラミックパッ
ケージのガラスシール工程のような300℃を越える熱
履歴を受けた場合でも強固な密着強度を維持し、信頼性
にも優れたマウント用樹脂ペーストである。
2アロイ等の金属フレーム、セラミック基板、ガラスエ
ボキシ等の有機基板へのIC等半導体素子の接着に用い
ることができ、特に10mm角以上の大型チップの接着
に適しており、ボイドの発生が極めて少なく、弾性率の
低いシリコーン変性ポリイミド樹脂をバインダーとして
用いているため、応力緩和特性に優れている。またシリ
コーン成分の基板への密着性が良好で、セラミックパッ
ケージのガラスシール工程のような300℃を越える熱
履歴を受けた場合でも強固な密着強度を維持し、信頼性
にも優れたマウント用樹脂ペーストである。
Claims (2)
- 【請求項1】 導電性フィラー(A)、絶縁性フ
ィラー(B)、シリコーン変性ポリイミド樹脂(C)及
び有機溶剤(D)よりなる導電性樹脂ペーストであって
、(A)、(B)、(C)の重量割合が(A)/{(B
)+(C)}=50/50〜90/10、(B)/{(
A)+(C)}=0.1/99.9〜49/51であり
、かつ(D)の重量割合が(D)/{(A)+(B)+
(C)}=0.01/100〜50/100であること
を特徴とする導電性樹詣ペースト。 - 【請求項2】 シリコーン変性ポリイミド樹脂(
C)が芳香族酸二無水物と、芳香族ジアミン化合物及び
式〔I〕及び/或いは〔II〕 【化1】 で示されるシリコーン化合物からなり、シリコーン成分
が全樹脂分中少なくとも5重量%以上であって、且つイ
ミド化され得るシリコーン変性ポリアミド酸のうち、少
なくとも80%以上がイミド化されていることを特徴と
する請求項1記載の導電性樹脂ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2418274A JPH04222889A (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | 導電性樹脂ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2418274A JPH04222889A (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | 導電性樹脂ペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04222889A true JPH04222889A (ja) | 1992-08-12 |
Family
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| JP (1) | JPH04222889A (ja) |
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1990
- 1990-12-25 JP JP2418274A patent/JPH04222889A/ja active Pending
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