JPS60208013A - 素線絶縁導体の製造方法 - Google Patents

素線絶縁導体の製造方法

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JPS60208013A
JPS60208013A JP6448584A JP6448584A JPS60208013A JP S60208013 A JPS60208013 A JP S60208013A JP 6448584 A JP6448584 A JP 6448584A JP 6448584 A JP6448584 A JP 6448584A JP S60208013 A JPS60208013 A JP S60208013A
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JP
Japan
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conductor
container
oxide film
copper
copper oxide
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忠之 植松
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Furukawa Electric Co Ltd
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Furukawa Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 木兄8A#′i表皮効果による交流抵抗を低減した素線
絶縁導体の製造方法の改良に関する。
近時電力使用量の増大と発電所の大容量化に伴ない、電
力伝送線路の容量も大幅に増大しつつある。この大容量
化に伴って電力を伝送する寛カケーブルにおいても必然
的に容量増大のための性能改善が強く要求されている。
電カケーブルの性能改善なしには線路建設費の増大を招
くばかシであるので、既設の線路に大答骨の九カケーブ
ルを布設することによりこの問題を解決しようとしてい
る。それには、電カケーブルの電流密度の増大が必要で
あるが、単に導体断面積を大きくしただけでは、所謂交
流の表皮効果による損失が急に増大する。これを解決す
るためには全素線を絶縁した緊線絶縁導体をJ−nいる
必要がある。
従来、かかる素線絶縁導体を得る方法には種種の方法が
提案されているが、最も経済的な方法としては銅素線の
表面に酸化銅(CuO)の皮膜を形成せしめる方法であ
る。
酸化銅皮膜の形成法としては銅素線を撚合せた導体を気
密容器に収納し、アンモニア水又はアンモニアガスと酸
素を注入し、40〜100℃の温度範囲内の一定m度で
湿潤雰囲気下でルT定時間保持することにより各素線表
面に酸化銅皮膜を生成させる方法(特開昭57−21−
0517号)が提、案されている。
しかしながら、この方法では導体サイズが比較的小さい
場合すなわち導体を構成する素線数が少ない場合には、
導体の内外層のどの素線も一様に酸化銅皮膜が形成され
るが、導体サイズが大きくなると、導体の内外層の銅素
線に形成される酸化銅皮膜の厚さが均一になシ難いとい
う欠点があった。
すなわち、アンモニア水又はアンモニアガス及び酸素等
の存在する湿潤雰囲気下での酸化銅皮膜の生成機構はア
ンモニアを含む水蒸気が銅の表面に接触凝縮することに
よシ、酸素による銅の酸化反応が急速に進むというもの
であるが、極めて多くの銅素線を撚合せた導体でしかも
これを圧縮成形して占積率を85〜95%まで高めた大
サイズ導体の場合には、これら反応性ガスと接触するチ
ャンスの多い導体の最外層の素線から酸化皮膜の生成が
生じ、順次内部へ進行するため、導体の内層部及び外層
部ともに一様に酸化皮膜が形成されるためには極めて長
時間を要するという欠点があった。
本発明は、大サイズ導体であっても比較的短時間に導体
の内外層のどの緊線も均一な厚さの酸化銅皮膜を形成す
る方法を提供することを目的とする。
すなわち、本発明は、銅素線を撚合せた導体を気密容器
内で、アンモニアガス0.5容器1%JL上と酸素10
容量−以上の存在する、相対湿度80%以上の雰囲気で
かつ大気圧よシO〜50■Hg低い圧力下で40〜10
0℃の温度に保持することKより銅素線表面に酸化銅皮
膜を生成することを特徴とする素線絶縁導体の製造方法
である。
気密容器内を大気圧よ#)0〜50mHg低い圧力下す
なわち0〜−50 mHgの負圧に保持することKよシ
、導体の内層部及び外層部に位置するどの銅素線の表面
にもほぼ一様に酸化銅皮81急が形成されるが、その理
由は明らかでない。
容器内のアンモニアガス濃度は0.5容器%以上、酸素
濃度は10容量チ以上で、さらに相対湿度は80チ以上
にする必要がある。いずれもこれ以下では、本発明の目
的とする迅速な酸化銅皮膜の形成は期待できないからで
ある。アンモニアガス濃度、酸素濃度及び相対湿度はい
ずれも高い程、迅速に酸化銅皮膜が生成する。
1だ、容器内の圧力をO〜−50mugの負圧に保持す
る方法としては、導体を気密容器内に収納後、真空引き
して減圧後アンモニア水又はアンモニアガス及び酸素を
入れてもよく、あるいはアンモニア水又はアンモニアガ
ス及び酸素を入れた後減圧してもよい。
容器内の圧力を一50■進よシさらに減圧した雰囲気で
は良好な緻密な黒化皮膜(CuO皮膜)が形成されない
。容器内の圧力が大気圧よシ高い正圧では導体の内層部
と外層部の素線表面に厚さの一様な酸化銅皮膜を得るK
は極めて長時間を要し実用性がない。
次に本発明を実施例で説明する。
実施例1 直径2.3 tmの軟銅線88本を撚合せ、これを断面
扇形に圧縮成形した占積率93%のセグメントヲ鉄製気
密容器に入れ真空ポンプで容器内の圧力を−20mHH
に減圧した後、20%礎度のアンモニア水を入れ、容器
内の温度を約60℃とし、容器内の酸素濃度を15〜2
0容量チに、また相対湿度を95〜100チに保持して
、容器内の圧力を真空ポンプで一20mHgの負圧に保
ったまま10時間経過後、セグメントを取シ出した。
実施例2 実施例1で用いたのと同じ未処理セグメントをステンレ
ス製気容器度に入れ、容器内を一10mHgに真空引き
した後、湿ったアンモニアガス、酸素ガスを注入し、ア
ンモニアガス&[ヲ1゜〜15容量チ、酸素濃度を20
〜25答量チに、相対湿度を90〜95チに保持して温
度約65℃で容器内の圧力を一10■Hgの負圧に保っ
たまま10時間経過後セグメントを取り川した。
実施例3 実施例1で用いたのと同じ未処理セグメントをステンレ
ス製気密容器に入れ、中に水をはった後、容器内のアン
モニアガス娘度5〜10’J埜チ、酸素濃度10〜15
容量チ、相対湿度80〜90チとし、容器内を絶えず一
30mHgに真空引きして減圧状態とし、容器内温度約
70℃で10時間経過後にセグメントを取り出した。
比較例1 実施例1において容器を真空?ン!で減圧せずに、絶え
ず大気圧よp 0.2 kg/cm高い正圧になるよう
にした以外は、実施例1と全く同じ条件で実験を行った
比較例2 実施例3において容器を真空引きせずに、絶えず大気圧
よF) 0.5 ky/cm2高い正圧になるようにし
た以外は実施例3と全く同じ条件で実験を行った。
比較例3 実施例2において、アンモニアガスallO91容偏・
チにした以外は実施例2と全く同じ条件で実験を行った
比較例4 実施例2において、酸素濃度を5容貴チにした以外は実
施例2と全く同じ条件で実験を行った。
比較例5 実施例2において、相対湿度を60%とした以外は実施
例2と全く同じ条件で実験を行った。
次に上記各実施例及び各比較例で得たセグメントの酸化
銅皮膜厚をカソード還元法(電解液Q、 l N −K
Ct 、電流密度0.5 mA/an ) Icより測
定した。尚、酸化皮膜厚測定はセグメントを構成してい
る各層毎の素線について行った。セグメントを構成する
中心素線を第1層とし、順次外側に向って第2層、第3
層、第4層、第51装(最外層)とした。かくして測定
した結果を次表に示す。
以上、実施例から明らかな如く、本発明によれば、セグ
メントを構成している各層の素線ともほぼ一様な酸化銅
皮膜厚が得られる。これに対して比較例では、いずれも
最外層の素線には若干の酸化銅皮膜が形成されているも
のの内層部の素線にはほとんど酸化銅皮膜が形成されて
いない。
次に、各実施例及び各比較例で得たセグメントについて
、それぞれ6本撚合せて分割導体を得、これら分割導体
のAC抵抗(RAc)とDC抵抗(RD、 )とを測定
したところ、両抵抗の比(RAC/ RDC)は、本発
明による上記実施例の分割導体では1.05〜1.10
でアシ、これに対して、上記比較例の分割導体では1.
2〜14でしかもその比のバラツキが極めて大きかった
尚、酸化銅皮膜を形成していない銅素紗からなる分割導
体では1.3〜1.4であった。したがって本発明によ
る素線絶縁導体は表皮効果による交流損失が著しく低減
されていることが明らかである。
以上の如く、本発明によれば、導体を(メジ族している
どの層の銅素線表面にも厚さのほぼ一様な酸化銅皮膜を
形成することができ、その結果、表皮効果による交流損
失を著しく低減し7だ素線絶縁導体が得られるものであ
る。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1) 銅素線を撚合せた導体を気密容器内で、アンモ
    ニアガス0.5容量チ以上と酸素lO容容量板以上存在
    する、相対湿度80%以上の雰囲気でかつ大気圧よりO
    〜50+a+Hg低い圧力下で40〜100℃の温度に
    保持することにより銅素線表面に酸化銅皮膜を生成する
    ことを特徴とする緊線絶縁導体の製造方法。
JP6448584A 1984-03-31 1984-03-31 素線絶縁導体の製造方法 Granted JPS60208013A (ja)

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JP6448584A JPS60208013A (ja) 1984-03-31 1984-03-31 素線絶縁導体の製造方法

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JPS60208013A true JPS60208013A (ja) 1985-10-19
JPH0566689B2 JPH0566689B2 (ja) 1993-09-22

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DE19643609B4 (de) * 1996-10-14 2007-07-19 Pirelli Cavi E Sistemi S.P.A. Fertigungseinrichtung zum Aufbringen einer Oxidschicht auf die einzelnen Drähte eines vieldrähtigen Kupferleiters

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