JPS6020899Y2 - トランス - Google Patents
トランスInfo
- Publication number
- JPS6020899Y2 JPS6020899Y2 JP13183280U JP13183280U JPS6020899Y2 JP S6020899 Y2 JPS6020899 Y2 JP S6020899Y2 JP 13183280 U JP13183280 U JP 13183280U JP 13183280 U JP13183280 U JP 13183280U JP S6020899 Y2 JPS6020899 Y2 JP S6020899Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- case
- transformer
- silicon carbide
- transformer winding
- whose main
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Regulation Of General Use Transformers (AREA)
- Housings And Mounting Of Transformers (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はトランスに関し、特に底歪でかつ低損失特性が
得られるトランスに関するものである。
得られるトランスに関するものである。
トランスは、オーディオ機器の電源部等に多く用いられ
ているように、交流入力信号を昇圧または降圧して出力
するものあり、交流信号を扱う機器に於いてはなくては
ならないものである。
ているように、交流入力信号を昇圧または降圧して出力
するものあり、交流信号を扱う機器に於いてはなくては
ならないものである。
そして、このトランスは例えば１次コイルを２次コイル
を巻回されたトランス巻線を有しており、このトランス
巻線はケース内に収容されて１次、２次コイルの端子の
みが外部に引き出されている。
を巻回されたトランス巻線を有しており、このトランス
巻線はケース内に収容されて１次、２次コイルの端子の
みが外部に引き出されている。
この場合、該トランスのケースとしては、鉄あるいはア
ルミが用いられている。
ルミが用いられている。
しかしながら、トランスのケースとしては鉄を用いると
、機械的な強度を得るには優れているが、ケースが磁性
体となる関係上、ヒステリシス特性によってトランス巻
線に流れる信号電流が歪められてしまう。
、機械的な強度を得るには優れているが、ケースが磁性
体となる関係上、ヒステリシス特性によってトランス巻
線に流れる信号電流が歪められてしまう。
一方、非磁性体であるアルミを材料とするケースを用い
たトランスに於いては、上述したヒステリシスの問題は
解決されるが、漏洩磁束によってケースにうず電流が流
れ、このうず電流の影響を受けてトランス巻線に流れる
電流が歪められてしまう欠点を有している。
たトランスに於いては、上述したヒステリシスの問題は
解決されるが、漏洩磁束によってケースにうず電流が流
れ、このうず電流の影響を受けてトランス巻線に流れる
電流が歪められてしまう欠点を有している。
このように金属製のケースを用いた場合に於ける問題を
解決するものとしては、ケースを用いずにトランス巻線
を単独で使用するか、あるいは、樹脂等の非磁性材料に
よって作られたケースを使用することが考えられる。
解決するものとしては、ケースを用いずにトランス巻線
を単独で使用するか、あるいは、樹脂等の非磁性材料に
よって作られたケースを使用することが考えられる。
しかし、このような状態で使用すると、地磁気電磁波、
および、他の機器から漏洩する磁束の影響を受けて出力
電流が歪められてしまう欠点を有している。
および、他の機器から漏洩する磁束の影響を受けて出力
電流が歪められてしまう欠点を有している。
従って、本考案による目的は外来電磁の影響を受けず、
かつ、低歪で低損失のトランスを提供することである。
かつ、低歪で低損失のトランスを提供することである。
このような目的を遠戚するために本考案は、トランスの
ケースを炭化珪素を主材料とするセラミックによって構
成したことを特徴としたものである。
ケースを炭化珪素を主材料とするセラミックによって構
成したことを特徴としたものである。
以下図面を用いて本考案によるトランスを詳細に説明す
る。
る。
第１図は本考案によるトランスの一実施例を示す要部断
面図であって、１は断面がコ字状をなしたトランスのケ
ースであり、このケース１は炭化珪素を主材料とする多
孔質セラミックによって構成されている。
面図であって、１は断面がコ字状をなしたトランスのケ
ースであり、このケース１は炭化珪素を主材料とする多
孔質セラミックによって構成されている。
２はケース１内に収容されたトランス巻線であって、ト
ロイダル巻きされている。
ロイダル巻きされている。
そして、この多孔質セラミックのケース１に収容された
トランス巻線２は、必要に応じて耐熱性の樹脂によって
固められた後、図示しない多孔質セラミックによって作
られた蓋によって封止されている。
トランス巻線２は、必要に応じて耐熱性の樹脂によって
固められた後、図示しない多孔質セラミックによって作
られた蓋によって封止されている。
このように構成されたトランスに於いて、多孔質セラミ
ックによって作られたケース１内を介して引き出された
図示しない入力端子に交流信号を供給すると、トランス
巻線２に於いて昇圧または降圧された信号が出力端子に
送出される。
ックによって作られたケース１内を介して引き出された
図示しない入力端子に交流信号を供給すると、トランス
巻線２に於いて昇圧または降圧された信号が出力端子に
送出される。
この場合炭化珪素を主材料とするセラミックは、電磁波
の吸収が優れているために、内部に収容されているトラ
ンス巻線２は外来電磁波の影響を受けることがない。
の吸収が優れているために、内部に収容されているトラ
ンス巻線２は外来電磁波の影響を受けることがない。
そして、この炭化珪素を主材料とするセラミックは、多
孔質化することにより外来電磁波の吸収効率、つまり熱
への変換がより良好となる。
孔質化することにより外来電磁波の吸収効率、つまり熱
への変換がより良好となる。
また、この炭化珪素を主材料とするセラミックは非磁性
体でかつ絶縁性であることから、ヒステリシスによる問
題および漏洩磁束によって生ずるうず電流の問題をすべ
て解決することが出来る。
体でかつ絶縁性であることから、ヒステリシスによる問
題および漏洩磁束によって生ずるうず電流の問題をすべ
て解決することが出来る。
従って、このように構成されたトランスを、オーディオ
装置に用いることにより、低歪みでかつ低損失とするこ
とが出来るために、音場豊かな再生音を容易に得ること
が出来る。
装置に用いることにより、低歪みでかつ低損失とするこ
とが出来るために、音場豊かな再生音を容易に得ること
が出来る。
第２図は本考案によるトランスの他の実施例を示す要部
断面図であって、第１図と同一部分は同記号を用いてそ
の詳細説明を省略しである。
断面図であって、第１図と同一部分は同記号を用いてそ
の詳細説明を省略しである。
同図に於いて３は炭化珪素を主材料とする多孔質セラミ
ンクによって作られたケース１の外周面を覆うように設
けられた導電樹脂ケースである。
ンクによって作られたケース１の外周面を覆うように設
けられた導電樹脂ケースである。
この場合、導電樹脂ケース３としては、例えばカーボン
を樹脂に混入したものが用いられる。
を樹脂に混入したものが用いられる。
このように、トランス巻線２を炭化珪素を主材料とする
多孔質セラミックによって作られたケース１と導電樹脂
ケース３とによって２重に収容すると導電樹脂ケース３
か非磁性体でかつ導電性であるために、外部電界による
影響および電界不整による影響を更に受けなくなる。
多孔質セラミックによって作られたケース１と導電樹脂
ケース３とによって２重に収容すると導電樹脂ケース３
か非磁性体でかつ導電性であるために、外部電界による
影響および電界不整による影響を更に受けなくなる。
なお、上述した実施例においては、セラミックとして多
孔質化したものを用いたが、本考案はこれに限定される
ものではなく、多孔質化しない炭化珪素を主材料とする
セラミックを用いても十分な効果が得られることは言う
までもない。
孔質化したものを用いたが、本考案はこれに限定される
ものではなく、多孔質化しない炭化珪素を主材料とする
セラミックを用いても十分な効果が得られることは言う
までもない。
以上説明したように本考案によるトランスは、トランス
巻線を炭化珪素を主材料とするセラミックによって作ら
れたケース内に収容したものであるために、外来電磁波
の影響を受けず、かつ低歪み低損失比が容易に行なえる
優れた効果を有する。
巻線を炭化珪素を主材料とするセラミックによって作ら
れたケース内に収容したものであるために、外来電磁波
の影響を受けず、かつ低歪み低損失比が容易に行なえる
優れた効果を有する。
第１図は本考案によるトランスの一実施例をす要部断面
図、第２図は本考案によるトランスの他の実施例を示す
要部断面図である。 １・・・・・・ケース、２・・・・・・トランス巻線、
３・・・・・・導電性樹脂ケース。
図、第２図は本考案によるトランスの他の実施例を示す
要部断面図である。 １・・・・・・ケース、２・・・・・・トランス巻線、
３・・・・・・導電性樹脂ケース。
Claims (2)
- （１）コイルが巻回されたトランス巻線と、該トランス
巻線を収容するケースとを備えたトランスにおいて、該
ケースを炭化珪素を主材料とするセラミックによって構
成したことを特徴とするトランス。 - （２）前記ケースを炭化珪素を主材料とする多孔質セラ
ミックによって構成した実用新案登録請求の範囲第１項
記載のトランス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13183280U JPS6020899Y2 (ja) | 1980-09-16 | 1980-09-16 | トランス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13183280U JPS6020899Y2 (ja) | 1980-09-16 | 1980-09-16 | トランス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5755922U JPS5755922U (ja) | 1982-04-01 |
| JPS6020899Y2 true JPS6020899Y2 (ja) | 1985-06-22 |
Family
ID=29492096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13183280U Expired JPS6020899Y2 (ja) | 1980-09-16 | 1980-09-16 | トランス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6020899Y2 (ja) |
-
1980
- 1980-09-16 JP JP13183280U patent/JPS6020899Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5755922U (ja) | 1982-04-01 |
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