JPS60209101A - リニア磁気スケ−ル - Google Patents
リニア磁気スケ−ルInfo
- Publication number
- JPS60209101A JPS60209101A JP5370584A JP5370584A JPS60209101A JP S60209101 A JPS60209101 A JP S60209101A JP 5370584 A JP5370584 A JP 5370584A JP 5370584 A JP5370584 A JP 5370584A JP S60209101 A JPS60209101 A JP S60209101A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetized body
- magnetic
- lengthwise direction
- shaped
- rod
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はリニア磁気スケールに関する。
（従来技術とその問題点）
最近、磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子という）を検出
素子として使用した磁気式リニアスケールが提案されて
いる（例えば特願昭５８−０９５１６６）。
素子として使用した磁気式リニアスケールが提案されて
いる（例えば特願昭５８−０９５１６６）。
上記した従来のリニア磁気スケールは、第１図のように
磁気書き込み方向に対して直角にＭＲ素子の磁化容易軸
Ａを配置かつ磁気書き込み面の法線方向に磁化困難軸Ｃ
を配置して着磁体の上空を走行させるものであった。上
記従来の磁気スケールは、振動などによって着磁体とＭ
Ｒ素子の間隔が変動し、その結果、出力変動が生じて、
測定誤差の原因となりうるという欠点があった。例えば
第１図に示すような着磁体とＭＲ素子の配置では、ＭＲ
素子の抵抗変化は第２図の実線５のようになる。しかし
ながら、走行途中で着磁体とＭＲ間の距離が変化するセ
第２図の点線６のように変化し、正しい測定ができなく
なる。
磁気書き込み方向に対して直角にＭＲ素子の磁化容易軸
Ａを配置かつ磁気書き込み面の法線方向に磁化困難軸Ｃ
を配置して着磁体の上空を走行させるものであった。上
記従来の磁気スケールは、振動などによって着磁体とＭ
Ｒ素子の間隔が変動し、その結果、出力変動が生じて、
測定誤差の原因となりうるという欠点があった。例えば
第１図に示すような着磁体とＭＲ素子の配置では、ＭＲ
素子の抵抗変化は第２図の実線５のようになる。しかし
ながら、走行途中で着磁体とＭＲ間の距離が変化するセ
第２図の点線６のように変化し、正しい測定ができなく
なる。
（発明の目的）
本発明は、このような従来の欠点を除去せしめて、振動
に強いリニア磁気スケールを提供することにある。
に強いリニア磁気スケールを提供することにある。
（発明の構成）
本発明は所定の幅で磁気書き込みが施された棒状着磁体
又は該棒状着磁体を３以上その外周面の長手方向に配置
した棒状非磁性体と、前記棒状着磁体と所定の近接した
間隔を保ち、該棒状着磁体の長手方向に対して垂直な方
向に磁化容易軸を持つ１個の磁気抵抗効果素子が前記棒
状着磁体又は棒状非磁性体の外周をとりまくように同一
面内に配置されておシ、該棒状着磁体の長手方向に沿っ
て移動可能な可動部とを有する構造を特徴とするリニア
磁気スケールである。
又は該棒状着磁体を３以上その外周面の長手方向に配置
した棒状非磁性体と、前記棒状着磁体と所定の近接した
間隔を保ち、該棒状着磁体の長手方向に対して垂直な方
向に磁化容易軸を持つ１個の磁気抵抗効果素子が前記棒
状着磁体又は棒状非磁性体の外周をとりまくように同一
面内に配置されておシ、該棒状着磁体の長手方向に沿っ
て移動可能な可動部とを有する構造を特徴とするリニア
磁気スケールである。
（構成の詳細な説明）
本発明は、上述の構成をとることによシ従来技術の問題
点を解決した。即ち、第３図のＭＲ素子１が、例えば移
動したとするとＭＲ素子の一方は着磁体２から遠ざかり
、ＭＲ素子の反対側は近ずく、したがって、ＭＲ素子１
の抵抗は第４図のようにかならず変化する。また棒状着
磁体の全側面に磁気書き込みを施しておけば、ＭＲ素子
が棒状着磁体の周方向に回転あるいは振動しても問題は
起らない。第１図および第３図のＣ方向は、入方向の次
に磁化が容易な軸であシ、Ｃ方向に磁化される程度に応
じて、ＭＲ素子の抵抗値が変化する。
点を解決した。即ち、第３図のＭＲ素子１が、例えば移
動したとするとＭＲ素子の一方は着磁体２から遠ざかり
、ＭＲ素子の反対側は近ずく、したがって、ＭＲ素子１
の抵抗は第４図のようにかならず変化する。また棒状着
磁体の全側面に磁気書き込みを施しておけば、ＭＲ素子
が棒状着磁体の周方向に回転あるいは振動しても問題は
起らない。第１図および第３図のＣ方向は、入方向の次
に磁化が容易な軸であシ、Ｃ方向に磁化される程度に応
じて、ＭＲ素子の抵抗値が変化する。
なお第３図で３は磁束、７はり・−ド線、４，４′は端
子である。
子である。
次に本発明の実施例について詳細に説明する。
（実施例）
第５図は内径４．００４１１１１〜４．０１６−の精度
で仕上げた長さ３０簡の円筒８の端面に、Ｓｉ基板９上
にＭＲ素子１を配置したものを接着し、前記円筒８の中
心からＭＲ素子までの距離は４．０５±５μｍとなるよ
うに固定した。
で仕上げた長さ３０簡の円筒８の端面に、Ｓｉ基板９上
にＭＲ素子１を配置したものを接着し、前記円筒８の中
心からＭＲ素子までの距離は４．０５±５μｍとなるよ
うに固定した。
次に、直径３．９８８鯖〜４．０００ ｍの精度で仕上
げた長さ３００ｍの丸棒２を前記円筒に挿入した構造で
、前記丸棒を固定した。なお、前記丸棒状着磁体は、保
磁力〜６５０■ｅ）、残留磁束密度〜３００００の永久
磁石材料であり、８−Ｎ極の距離〜４０廂で全周面に、
かつ丸棒状着磁体の長さ方向に磁気書き込みが施されて
いる。上記のように構成し、前記円筒を摺動させＭＲ素
子の抵抗の変化を連続的に観測したところ、第６図の実
線１０のように４０μｍ毎にパルス状の抵抗変化が観測
された。
げた長さ３００ｍの丸棒２を前記円筒に挿入した構造で
、前記丸棒を固定した。なお、前記丸棒状着磁体は、保
磁力〜６５０■ｅ）、残留磁束密度〜３００００の永久
磁石材料であり、８−Ｎ極の距離〜４０廂で全周面に、
かつ丸棒状着磁体の長さ方向に磁気書き込みが施されて
いる。上記のように構成し、前記円筒を摺動させＭＲ素
子の抵抗の変化を連続的に観測したところ、第６図の実
線１０のように４０μｍ毎にパルス状の抵抗変化が観測
された。
また第７図は、Ｓ−Ｎ極の距離〜２０μｍで全周面に、
かつ着磁体の長さ方向に磁気書き込みを施した永久磁石
材料を使用した場合のＭＲ素子走行距離と抵抗変化の関
係を示した。
かつ着磁体の長さ方向に磁気書き込みを施した永久磁石
材料を使用した場合のＭＲ素子走行距離と抵抗変化の関
係を示した。
なお、第６図および第７図の実線１１の矩形波は各各４
０μｍおよび２０μｍの間隔の基準波である。
０μｍおよび２０μｍの間隔の基準波である。
本発明に使用する着磁体は、第８図のように、非磁性基
体に細い着磁体が固定あるいは塚込まれている状態でも
かまわないが、この場合は、ＭＲ素子の抵抗変化の量が
少ないため、Ｓハが悪くなる。
体に細い着磁体が固定あるいは塚込まれている状態でも
かまわないが、この場合は、ＭＲ素子の抵抗変化の量が
少ないため、Ｓハが悪くなる。
さらに、本発明の磁気スケールで、例えば２個のＭＲｉ
子をλ／４（λはＳ−Ｎ極間の距離）だけ位相をずらし
て配置すれば、左右の移動方向を弁別することができる
。
子をλ／４（λはＳ−Ｎ極間の距離）だけ位相をずらし
て配置すれば、左右の移動方向を弁別することができる
。
以上のように、本発明の磁気スケールは、振動の大きい
用途に適していることは明白である。
用途に適していることは明白である。
第１図（ａ）、（ｂ）は従来の磁気スケールを示す図。
同図中１はＭＲ，２は着磁体、３は磁束、４と４′はＭ
Ｒ素子の端子。 第２図は、前記従来の磁気スケールにおいてＭＲ素子を
着磁体の長さ方向に走行させた場合の抵抗の変化率を示
した図。 第３図（ａ）、 （ｂ）は本発明の一実施例の磁気スケ
ールを示す図。 同図で７はＭＲを接続するリード線を示す。 第４図は本発明の磁気スケールにおいてＭＲ素子を着磁
体の長さ方向に走行させた場合の抵抗変化率の変化を示
す図。 第５図は本発明の実施例の磁気スケールを示す図。 ８は円筒、９はＳｉ基板を示す。 第６図と第７図ＭＨの抵抗変化率波形と基準波を示す図
。 第８図は本発明の他の実施例を示す図。 １２は非磁性基体を示す。 箋１図 Ｌｎ距倒便 第３図 第４図 支社距肉位 第５図 ゐ 第４図 足訂τ巨阪佳 第７図 １
Ｒ素子の端子。 第２図は、前記従来の磁気スケールにおいてＭＲ素子を
着磁体の長さ方向に走行させた場合の抵抗の変化率を示
した図。 第３図（ａ）、 （ｂ）は本発明の一実施例の磁気スケ
ールを示す図。 同図で７はＭＲを接続するリード線を示す。 第４図は本発明の磁気スケールにおいてＭＲ素子を着磁
体の長さ方向に走行させた場合の抵抗変化率の変化を示
す図。 第５図は本発明の実施例の磁気スケールを示す図。 ８は円筒、９はＳｉ基板を示す。 第６図と第７図ＭＨの抵抗変化率波形と基準波を示す図
。 第８図は本発明の他の実施例を示す図。 １２は非磁性基体を示す。 箋１図 Ｌｎ距倒便 第３図 第４図 支社距肉位 第５図 ゐ 第４図 足訂τ巨阪佳 第７図 １
Claims (1)
- 所定の幅で磁気書き込みが施された棒状着磁体又は該棒
状着磁体を３以上その外周面の長手方向に配置した棒、
状非磁性体と、前記棒状着磁体と所定の近接した間隔を
保ち、該棒状着磁体の長手方向に対して垂直な方向に磁
化容易軸を持つ１個の磁気抵抗効果素子が前記棒状着磁
体又は棒状非磁能な可動部とを有する構造を特徴とする
リニア磁気スケール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5370584A JPS60209101A (ja) | 1984-03-21 | 1984-03-21 | リニア磁気スケ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5370584A JPS60209101A (ja) | 1984-03-21 | 1984-03-21 | リニア磁気スケ−ル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60209101A true JPS60209101A (ja) | 1985-10-21 |
| JPH0339566B2 JPH0339566B2 (ja) | 1991-06-14 |
Family
ID=12950242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5370584A Granted JPS60209101A (ja) | 1984-03-21 | 1984-03-21 | リニア磁気スケ−ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60209101A (ja) |
-
1984
- 1984-03-21 JP JP5370584A patent/JPS60209101A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0339566B2 (ja) | 1991-06-14 |
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