JPS60209159A - ガス検知素子 - Google Patents
ガス検知素子Info
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- JPS60209159A JPS60209159A JP6517384A JP6517384A JPS60209159A JP S60209159 A JPS60209159 A JP S60209159A JP 6517384 A JP6517384 A JP 6517384A JP 6517384 A JP6517384 A JP 6517384A JP S60209159 A JPS60209159 A JP S60209159A
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- NNPPMTNAJDCUHE-UHFFFAOYSA-N isobutane Chemical compound CC(C)C NNPPMTNAJDCUHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 18
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- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はインブタンガス等の可燃性ガスのガス検知素子
に関する。
に関する。
従来インブタンガス等の可燃性ガスのガス検知素子とし
ては５ｎ０２を主成分としてこれに感度を同上させるべ
（Ａｇ、Ａｄ、Ｉ’ｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ等の貴金属を
添加したものが知られているが、イソブタンガス等の可
燃性ガスに対する感度が向上するばかシではなくアルコ
ール等の雑ガスに対する感度も同様に向上して特定のガ
スの牟の検知が出来ない欠点金有する。
ては５ｎ０２を主成分としてこれに感度を同上させるべ
（Ａｇ、Ａｄ、Ｉ’ｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ等の貴金属を
添加したものが知られているが、イソブタンガス等の可
燃性ガスに対する感度が向上するばかシではなくアルコ
ール等の雑ガスに対する感度も同様に向上して特定のガ
スの牟の検知が出来ない欠点金有する。
本発明はかかる欠点全解決し、イソブタンガス等の可燃
性ガスに対し優れた感度を有すると共にアルコール等の
雑ガスに対して撰択的にガス検知が出来るガス検知素子
を提供することを目的としだものであり、８ｎ０２を主
成分として、これに対して副成分としてＳｉｔたは／及
びｋｌを少なくとも帆Ｏ１重量％以上添加せしめて成る
。
性ガスに対し優れた感度を有すると共にアルコール等の
雑ガスに対して撰択的にガス検知が出来るガス検知素子
を提供することを目的としだものであり、８ｎ０２を主
成分として、これに対して副成分としてＳｉｔたは／及
びｋｌを少なくとも帆Ｏ１重量％以上添加せしめて成る
。
図は主成分Ｓ ｎ ０２に対して副成分としてＳｉ を
釉々の配合量で添加して得られたガス検知素子の温匿３
５ｏ℃下における該各８ｉの配合量と、空気中における
電気抵抗値（以下単に抵抗値と称す）ＲＡ、インブタン
ガス（ｍＷ １８００ ｐｐｍ 雰囲気中の抵抗直几Ｂ
並びにエタノールガス濃度３６００ｐｐｍ雰囲気中の抵
抗値ｆＬＥの各関係を示すもので、図から明らかな様に
ガス検知素子の空気中における抵抗値ＲＡはＳｉの添加
量が５重量％まではほぼ一定であるが５重量％超えると
減少傾向を示し、またガス検知素子のインブタンガス雰
囲気中における抵抗値ＲＢはＳｉの添加量が帆０１％Ｎ
量％よシ多くなるに従って減少全示すが５Ｎ量％超える
と最小直に達して横這い傾向を示し、またガス検知素子
のエタノールガス雰囲気中における抵抗値ＢＥはＳｉの
添加量が５重量％まではほぼ一定であるが５重量％超え
ると徐々に下降傾向を示すことが分る。
釉々の配合量で添加して得られたガス検知素子の温匿３
５ｏ℃下における該各８ｉの配合量と、空気中における
電気抵抗値（以下単に抵抗値と称す）ＲＡ、インブタン
ガス（ｍＷ １８００ ｐｐｍ 雰囲気中の抵抗直几Ｂ
並びにエタノールガス濃度３６００ｐｐｍ雰囲気中の抵
抗値ｆＬＥの各関係を示すもので、図から明らかな様に
ガス検知素子の空気中における抵抗値ＲＡはＳｉの添加
量が５重量％まではほぼ一定であるが５重量％超えると
減少傾向を示し、またガス検知素子のインブタンガス雰
囲気中における抵抗値ＲＢはＳｉの添加量が帆０１％Ｎ
量％よシ多くなるに従って減少全示すが５Ｎ量％超える
と最小直に達して横這い傾向を示し、またガス検知素子
のエタノールガス雰囲気中における抵抗値ＢＥはＳｉの
添加量が５重量％まではほぼ一定であるが５重量％超え
ると徐々に下降傾向を示すことが分る。
従って主成分５ｎ０２に対して副成分Ｓｉの疾加量が０
．０１重量％未満ではインブタンガス雰囲気中の抵抗値
几Ｂとエタノールガス雰囲気中の抵抗１１［ＲＥとは近
似した匝のため検知ガスに対する選択性が極めて低いた
め、ガス検知素子の主成分８ｎ０２に対する副成分８ｉ
の添加量は少なくとも０．０１重量％以上にすることに
よって検知ガスに対する感度向上と選択性効果が得られ
る。
．０１重量％未満ではインブタンガス雰囲気中の抵抗値
几Ｂとエタノールガス雰囲気中の抵抗１１［ＲＥとは近
似した匝のため検知ガスに対する選択性が極めて低いた
め、ガス検知素子の主成分８ｎ０２に対する副成分８ｉ
の添加量は少なくとも０．０１重量％以上にすることに
よって検知ガスに対する感度向上と選択性効果が得られ
る。
尚ガス検知素子は主成分５ｎ０２に対して添加すべき副
成分Ｓ１の量の上限は空気中抵抗ｌｉ ＲＡとイソブタ
ンガス抵抗１ｉｉ１（Ｂ並びにエタノ−・ルガス抵抗１
ｌＩＩ几Ｅとの差が顕著に現れる５１量％にすることが
望ましい。１．たガス検知素子に対する信頼性並びに安
全性の観点から主成分５ｎ０２に対して副成分Ｓｉの添
加範囲を０．５〜２重量％にすることがより好ましい。
成分Ｓ１の量の上限は空気中抵抗ｌｉ ＲＡとイソブタ
ンガス抵抗１ｉｉ１（Ｂ並びにエタノ−・ルガス抵抗１
ｌＩＩ几Ｅとの差が顕著に現れる５１量％にすることが
望ましい。１．たガス検知素子に対する信頼性並びに安
全性の観点から主成分５ｎ０２に対して副成分Ｓｉの添
加範囲を０．５〜２重量％にすることがより好ましい。
副成分としてＳｉＯ代シに種々の配合量のＡ４或いはＳ
ｉとＡ／１．とを夫々添加して得たガス検知素子につき
前記と同条件下で空気中および各ガス雰囲気中における
夫々の抵抗値）ＬＡ、ＲＢ、ＲＥを測定した場合も８ｉ
の場合と同様の結果が得られた。
ｉとＡ／１．とを夫々添加して得たガス検知素子につき
前記と同条件下で空気中および各ガス雰囲気中における
夫々の抵抗値）ＬＡ、ＲＢ、ＲＥを測定した場合も８ｉ
の場合と同様の結果が得られた。
次に実施例、比較例によって本発明を更に説明する。
実施例
Ｓｎ Ｏ４水浴液をアンモニヤ水で中和して沈澱生成物
を得、この沈澱生成物を濾過して温度５７０℃で３時間
焼成後、これを粉砕して８ｎ０２から成るガス検知素子
原料を得、この原料に・８ｉ微粉末を８ｎ０２に対して
１．５重量％添加混合し、かかる混合物に純水を加えて
ペースト状にし、大きさ縦２．５泪、横３．５簡、厚さ
１．０簡の形状に成形し、温度６００℃で１時間焼成し
てガス検知素子Ｋ Ａを得た。
を得、この沈澱生成物を濾過して温度５７０℃で３時間
焼成後、これを粉砕して８ｎ０２から成るガス検知素子
原料を得、この原料に・８ｉ微粉末を８ｎ０２に対して
１．５重量％添加混合し、かかる混合物に純水を加えて
ペースト状にし、大きさ縦２．５泪、横３．５簡、厚さ
１．０簡の形状に成形し、温度６００℃で１時間焼成し
てガス検知素子Ｋ Ａを得た。
比較例
主成分Ｓ ｎ ０２に対し副成分Ｓｉの代りにＰｄを１
．５重量％添加する以外は前記実施例と同様にしてガス
検知素子ＫＢを得た。
．５重量％添加する以外は前記実施例と同様にしてガス
検知素子ＫＢを得た。
得られたガス検知素子ＫＡおよびＫＢを温度３５０℃に
保持しながら、空気中の抵抗値ＲＡ。
保持しながら、空気中の抵抗値ＲＡ。
イソブタンガス濃度１８００ｐｐｍ雰囲気中の抵抗値Ｒ
Ｂ、エタノールガス雰囲気中の抵抗値ＲＥの夫々につい
て測定し、空気中の抵抗値ＫＡの対数１ｉＥ ｔｏ ｙ
ＲＡと各ガス雰囲気中の抵抗値ＲＢ１ＲＥの対数値１
ｏ ｙ ＲＢ及び対数呟ｔ ｏ ｔ ＲＢとの差をガ
ス検知素子ＫＡ若しくはＫＢの検知ガスに対する感度特
性としてめた。その結果を表に示す。
Ｂ、エタノールガス雰囲気中の抵抗値ＲＥの夫々につい
て測定し、空気中の抵抗値ＫＡの対数１ｉＥ ｔｏ ｙ
ＲＡと各ガス雰囲気中の抵抗値ＲＢ１ＲＥの対数値１
ｏ ｙ ＲＢ及び対数呟ｔ ｏ ｔ ＲＢとの差をガ
ス検知素子ＫＡ若しくはＫＢの検知ガスに対する感度特
性としてめた。その結果を表に示す。
表
この表から実施例のガス検知素子ＫＡは比較例のガス検
知系・子ＫＢに比してイソブタンガスに対する感度が向
上したこと並びに実施例のガス検知素子ＫＡは比較例の
ガス検知素子に比してイソブタンガスとエタノールガス
とに対する感度に顕著な差があるため検知ガスに対する
優れた選択性を有することが確認された。
知系・子ＫＢに比してイソブタンガスに対する感度が向
上したこと並びに実施例のガス検知素子ＫＡは比較例の
ガス検知素子に比してイソブタンガスとエタノールガス
とに対する感度に顕著な差があるため検知ガスに対する
優れた選択性を有することが確認された。
このように本発明のガス検知素子は主成分８ｎ０２に対
し副成分８ｉまたは／及びｋｔｆ少なくとも０．０１重
量％以上添加せしめて成るためにイソブタンガス等の可
燃性ガスに対する感度に優れると共に特定ガスに対する
選択性にも優れる効果を有する。
し副成分８ｉまたは／及びｋｔｆ少なくとも０．０１重
量％以上添加せしめて成るためにイソブタンガス等の可
燃性ガスに対する感度に優れると共に特定ガスに対する
選択性にも優れる効果を有する。
図は主成分５ｎ０２に対して添加し九８ｉの重量％と各
抵抗値ＲＡ、ＲＢ、几Ｅとの関係を示す図である。 外２名゛。
抵抗値ＲＡ、ＲＢ、几Ｅとの関係を示す図である。 外２名゛。
Claims (1)
- ５ｎ０２を主成分として、これに対して副成分としてＳ
ｉまたは／及びｋｌを少なくとも０．０１重量％以上添
加せしめて成るガス検知素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6517384A JPS60209159A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | ガス検知素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6517384A JPS60209159A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | ガス検知素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60209159A true JPS60209159A (ja) | 1985-10-21 |
| JPH053541B2 JPH053541B2 (ja) | 1993-01-18 |
Family
ID=13279234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6517384A Granted JPS60209159A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | ガス検知素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60209159A (ja) |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5163693A (ja) * | 1974-11-29 | 1976-06-02 | Kaoru Aotani | Gasukenchisoshi |
| JPS51126897A (en) * | 1975-04-26 | 1976-11-05 | Marcon Electronics Co Ltd | Gas detector element |
| JPS5349493A (en) * | 1976-10-18 | 1978-05-04 | Saito Noboru | Gas detecting element composed of oxide semiconductor |
| JPS53135700A (en) * | 1977-04-30 | 1978-11-27 | Matsushita Electric Works Ltd | Inflammable gas detecting element |
| JPS53135698A (en) * | 1977-04-30 | 1978-11-27 | Matsushita Electric Works Ltd | Production of gas detecting element |
| JPS5613905A (en) * | 1980-04-05 | 1981-02-10 | Kenji Nakamura | Manufacture of blank of wiping tool |
| JPS5749850A (en) * | 1980-09-10 | 1982-03-24 | Nec Corp | Gas detecting element |
| JPS5753533A (en) * | 1980-09-12 | 1982-03-30 | Int Harvester Co | Manufacture of polyimide and polyimide precursor |
| JPS6013452U (ja) * | 1983-07-06 | 1985-01-29 | 日本電気株式会社 | 半導体ガス検知素子 |
| JPS60100755A (ja) * | 1983-11-08 | 1985-06-04 | Fuigaro Giken Kk | ガスセンサ |
| JPS60114759A (ja) * | 1983-11-28 | 1985-06-21 | Nec Corp | 半導体式ガス検知素子 |
| JPS60170758A (ja) * | 1984-02-15 | 1985-09-04 | Nec Corp | 半導体ガス検知素子 |
-
1984
- 1984-04-03 JP JP6517384A patent/JPS60209159A/ja active Granted
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5163693A (ja) * | 1974-11-29 | 1976-06-02 | Kaoru Aotani | Gasukenchisoshi |
| JPS51126897A (en) * | 1975-04-26 | 1976-11-05 | Marcon Electronics Co Ltd | Gas detector element |
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| JPS6013452U (ja) * | 1983-07-06 | 1985-01-29 | 日本電気株式会社 | 半導体ガス検知素子 |
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| JPS60114759A (ja) * | 1983-11-28 | 1985-06-21 | Nec Corp | 半導体式ガス検知素子 |
| JPS60170758A (ja) * | 1984-02-15 | 1985-09-04 | Nec Corp | 半導体ガス検知素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH053541B2 (ja) | 1993-01-18 |
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