JPS60209162A - 化学感応電界効果トランジスタおよびその製造方法 - Google Patents
化学感応電界効果トランジスタおよびその製造方法Info
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- JPS60209162A JPS60209162A JP60037743A JP3774385A JPS60209162A JP S60209162 A JPS60209162 A JP S60209162A JP 60037743 A JP60037743 A JP 60037743A JP 3774385 A JP3774385 A JP 3774385A JP S60209162 A JPS60209162 A JP S60209162A
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- Japan
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- island
- layer
- substrate
- conductivity type
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
- H10W10/01—Manufacture or treatment
- H10W10/031—Manufacture or treatment of isolation regions comprising PN junctions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
- H10W10/30—Isolation regions comprising PN junctions
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は化学的に感応す゛る電界効果トランジスタ（Ｆ
ＥＴ ）素子に関し、特に、リーク電流の悪影響を減少
する改良された素子に関する。
ＥＴ ）素子に関し、特に、リーク電流の悪影響を減少
する改良された素子に関する。
背景技術
イオン又は分子と感応するＦＥＴは、例えば、液体内の
特定イオンの濃度測定用、又はこの種のイオンの濃度変
化のモニタ用の測定システムで急速に使用が進められて
いる素子である。
特定イオンの濃度測定用、又はこの種のイオンの濃度変
化のモニタ用の測定システムで急速に使用が進められて
いる素子である。
化学的に感応するＦＥＴ （化学感応ＦＥＴ ）素子は
、ＭＯＳＦＥＴにその基礎を置き、これは、絶縁ダート
を有するＩＧＦＥＴとしても知られている。ＭＯ８Ｆ］
ｌｉＴの金属ダートは、二酸化硅素のような電気的絶縁
層に置きかえられている。従来技術例は、Ｃ０Ｊｏｈｎ
ｓｏｎ他に与えられた米国特許第４，０２０，８３０号
に示されている。
、ＭＯＳＦＥＴにその基礎を置き、これは、絶縁ダート
を有するＩＧＦＥＴとしても知られている。ＭＯ８Ｆ］
ｌｉＴの金属ダートは、二酸化硅素のような電気的絶縁
層に置きかえられている。従来技術例は、Ｃ０Ｊｏｈｎ
ｓｏｎ他に与えられた米国特許第４，０２０，８３０号
に示されている。
このようなイオン感応ＦＥＴ （ｌ５ＦＥＴ ）は、例
えば、人間の血液流中に挿入するため９カテーテル内に
設置し、基準電極を含む適当な電気測定回路内にセンサ
として接続すれば、血液のＰＨの生体測定に使用できる
。このｌ５ＩＴの使用は、測定上能動的な役割を果すｌ
５ＦＥＴチツプの素子が電解質にさらされることを意味
している。しかし、素子の他の部分は、電解質との電解
的接触に対して密封されるべきであシ、従って包囲体を
設けるべきである。完全な電気的絶縁度を持つ包囲体の
製造には、技術的問題がある。特に、極めて小さい包囲
体内のセンサであって、被測定液体中に長時間置かれ、
高精度を満足すべきセンサを大量生産する場合には問題
がある。
えば、人間の血液流中に挿入するため９カテーテル内に
設置し、基準電極を含む適当な電気測定回路内にセンサ
として接続すれば、血液のＰＨの生体測定に使用できる
。このｌ５ＩＴの使用は、測定上能動的な役割を果すｌ
５ＦＥＴチツプの素子が電解質にさらされることを意味
している。しかし、素子の他の部分は、電解質との電解
的接触に対して密封されるべきであシ、従って包囲体を
設けるべきである。完全な電気的絶縁度を持つ包囲体の
製造には、技術的問題がある。特に、極めて小さい包囲
体内のセンサであって、被測定液体中に長時間置かれ、
高精度を満足すべきセンサを大量生産する場合には問題
がある。
その理由としては、ｌ５ＦＥＴセンサ自身がＩＸ２郷程
の微小サイオであシ、一方、化学的選択被覆が置かれる
ダート領域は、更に小さく、例えば、２０×４００μｍ
のサイズであることがあげられる。実用上から、被測定
液体がｌ５ＦＥＴセンサ素子にまで浸透することもあり
、その結果、リーク電流が、基準電極を介して、・灼し
クに、即ち、ｌ５ＦＥＴチツプのソース、又はドレーン
に流れる。一般に、このリーク電流の強さは、時間と共
に増加する。殆どの基準電極は、比較的高インピーダン
ス（１０〜２０にΩ）なので、基準電極とｌ５ＦＥＴの
化学的選択表面被覆との間の、電気化学的ポテンシャル
差に、このリーク電流が帰与する。測定システムは、被
測定液体の化学組成の変化による測定信号と、上記の帰
与とを区別できないので、リニク電流は、ｌ５ＦＥＴ測
定システムの精度に悪影響を与える。従って、有効でな
い包囲体に起因する測定誤差の発生という問題は、実に
、絶縁の問題ということになる。
の微小サイオであシ、一方、化学的選択被覆が置かれる
ダート領域は、更に小さく、例えば、２０×４００μｍ
のサイズであることがあげられる。実用上から、被測定
液体がｌ５ＦＥＴセンサ素子にまで浸透することもあり
、その結果、リーク電流が、基準電極を介して、・灼し
クに、即ち、ｌ５ＦＥＴチツプのソース、又はドレーン
に流れる。一般に、このリーク電流の強さは、時間と共
に増加する。殆どの基準電極は、比較的高インピーダン
ス（１０〜２０にΩ）なので、基準電極とｌ５ＦＥＴの
化学的選択表面被覆との間の、電気化学的ポテンシャル
差に、このリーク電流が帰与する。測定システムは、被
測定液体の化学組成の変化による測定信号と、上記の帰
与とを区別できないので、リニク電流は、ｌ５ＦＥＴ測
定システムの精度に悪影響を与える。従って、有効でな
い包囲体に起因する測定誤差の発生という問題は、実に
、絶縁の問題ということになる。
ｌ５ＦＥＴ素子に関する従来技術には、英国特許出願Ｇ
Ｂ ２０１００１１Ａ（Ｋ、Ｓｈｉｍａｄａ等、１９７
９年６月２０日発行）があシ、例えば、第５５図と第５
に図に示すように置かれた、結合パッドが設置される側
部を除いて、全チップを被う二酸化硅素層を含む２重層
構造を用いている。この層は、窒化硅素から成る第２電
気絶縁層によって覆われる。これは、前述のＪｏｈｎｓ
ｏｎ、特許で開示されたＩ ５ＦＥＴよシも、絶縁度が
改善されている。しかし、このような２重絶縁層は、製
造上複雑であると思われる。
Ｂ ２０１００１１Ａ（Ｋ、Ｓｈｉｍａｄａ等、１９７
９年６月２０日発行）があシ、例えば、第５５図と第５
に図に示すように置かれた、結合パッドが設置される側
部を除いて、全チップを被う二酸化硅素層を含む２重層
構造を用いている。この層は、窒化硅素から成る第２電
気絶縁層によって覆われる。これは、前述のＪｏｈｎｓ
ｏｎ、特許で開示されたＩ ５ＦＥＴよシも、絶縁度が
改善されている。しかし、このような２重絶縁層は、製
造上複雑であると思われる。
発明の概要
従って、本発明の目的は、ＦＥＴ素子及び化学感応セン
サの製造手順及びとのＦＥＴ素子を用いた測定システム
に組入れるのに適するように作られたよシ高い電気絶縁
度を持つ化学感応ＦＥＴを提供することである。
サの製造手順及びとのＦＥＴ素子を用いた測定システム
に組入れるのに適するように作られたよシ高い電気絶縁
度を持つ化学感応ＦＥＴを提供することである。
この目的を達成するため、本発明によれば、上記のタイ
プの化学感応ＦＥＴ素子は、ソースとドレーンが基板の
上、及び／又は、基板内に設けられたアイランド（孤立
領域）に置かれ、このアイランドは、ＰＮ絶縁接合を定
義するため、基板をドープしたのとは逆のタイプの不純
物でドープされた半導体物質であることで特徴づけられ
る。
プの化学感応ＦＥＴ素子は、ソースとドレーンが基板の
上、及び／又は、基板内に設けられたアイランド（孤立
領域）に置かれ、このアイランドは、ＰＮ絶縁接合を定
義するため、基板をドープしたのとは逆のタイプの不純
物でドープされた半導体物質であることで特徴づけられ
る。
好ましい実施例の説明
説明の都合上、本発明を第１図及び第３図〜第５図を参
照して説明する。半導体物質の極性が第１図のものと逆
であることを除いて、以下の説明は第２図にも適用され
る。
照して説明する。半導体物質の極性が第１図のものと逆
であることを除いて、以下の説明は第２図にも適用され
る。
第１図ａでは、ｌ５ＦＥＴ素゛子ｌは、ｐ型硅素で被わ
れた側壁３を持つｎ型硅素のアイランド６を有するｐ型
硅素の基板を含む。図中、ｌ５ＦＥＴ素子は、二酸化硅
素の電気絶縁層７を上面に有する。化学的選択被覆、例
えば、ＰＨ感応膜は、図に示されない方法で、ダート領
域８に施される。
れた側壁３を持つｎ型硅素のアイランド６を有するｐ型
硅素の基板を含む。図中、ｌ５ＦＥＴ素子は、二酸化硅
素の電気絶縁層７を上面に有する。化学的選択被覆、例
えば、ＰＨ感応膜は、図に示されない方法で、ダート領
域８に施される。
更に、ｌ５ＦＥＴ １は、図示しない電気絶縁物質の包
囲体が通常の方法で設けられていて、化学的選択膜が、
検査対≦液体、例えば、血液に接触可能にするため、ダ
ート領域のみ露出している。
囲体が通常の方法で設けられていて、化学的選択膜が、
検査対≦液体、例えば、血液に接触可能にするため、ダ
ート領域のみ露出している。
第３図から第５図に示すように、素子ｌは長い長方形を
している。第３図に見られるように、ソース領域とドレ
ーン領域は、引き延ばされたＬ型であって、それらの短
い足は互いに離れて対向し、その間にダート領域８を画
成する。領域１４と１５の他端は、各々、要素の外部線
結合用の金属結合パッドに電気的に接続される。
している。第３図に見られるように、ソース領域とドレ
ーン領域は、引き延ばされたＬ型であって、それらの短
い足は互いに離れて対向し、その間にダート領域８を画
成する。領域１４と１５の他端は、各々、要素の外部線
結合用の金属結合パッドに電気的に接続される。
第１図すに示すように、測定回路は、便宜上Ａｇ／Ａｇ
Ｃ１電極である基準電極５を含み、この電極は、ｌ５Ｆ
ＥＴと共に被測定液体中に置かれる。
Ｃ１電極である基準電極５を含み、この電極は、ｌ５Ｆ
ＥＴと共に被測定液体中に置かれる。
第１図ａのｌ５ＦＥＴを使用する場合、基準電極５の電
圧は、第１図すに示すようにソース１４の電圧に対し負
であるものとする。基板２′、アイランド６′、及びソ
ース１６とドレーン１７に使用される硅素の極性がｌ５
ＦＥＴ要素の極性の逆極性である第２図のＩ ５ＦＥＴ
では、基準電極５′の電圧は、上記から、ソース１６に
対して当然、正となる。
圧は、第１図すに示すようにソース１４の電圧に対し負
であるものとする。基板２′、アイランド６′、及びソ
ース１６とドレーン１７に使用される硅素の極性がｌ５
ＦＥＴ要素の極性の逆極性である第２図のＩ ５ＦＥＴ
では、基準電極５′の電圧は、上記から、ソース１６に
対して当然、正となる。
基準電極の動作点は、この点での電流が逆・くイアスを
印加されたｐ−ｎ接合を通過するように測定システム内
で選択される。
印加されたｐ−ｎ接合を通過するように測定システム内
で選択される。
一般に、発生し得るリーク電流は、ｎＡのオーダの非常
に低強度であって、ここでは、閉塞されたｐ−ｎ接合に
よって限定される。この閉塞はアイランド６と基板２の
間のＰＮ絶縁接合によって達成される。これを超える閉
塞は、アイランドと不純物ドープ側壁３の間のＰＮ絶縁
接合によって行われる。その結果、測定システムを通る
最大リーク電流は、もはや、包囲体の絶縁品質に依存し
ない。絶縁領域を通しての１ノーク電流は、ここでは、
その絶縁領域上に液体が存在するため（、このようなリ
ーク電流がチップ上のリード線に流れ込むことが可能な
時にのみ考慮することである。一般に、このリーク路は
、チップのバルクへの本来の経路よシもが、な）長いの
で、上記のカプセル封止の使用ニよって、センサの使用
寿命はずっと長くなる。
に低強度であって、ここでは、閉塞されたｐ−ｎ接合に
よって限定される。この閉塞はアイランド６と基板２の
間のＰＮ絶縁接合によって達成される。これを超える閉
塞は、アイランドと不純物ドープ側壁３の間のＰＮ絶縁
接合によって行われる。その結果、測定システムを通る
最大リーク電流は、もはや、包囲体の絶縁品質に依存し
ない。絶縁領域を通しての１ノーク電流は、ここでは、
その絶縁領域上に液体が存在するため（、このようなリ
ーク電流がチップ上のリード線に流れ込むことが可能な
時にのみ考慮することである。一般に、このリーク路は
、チップのバルクへの本来の経路よシもが、な）長いの
で、上記のカプセル封止の使用ニよって、センサの使用
寿命はずっと長くなる。
硅素基板がドープされたのと逆“の不純物タイプでドー
プされた硅素のアイランド６と６′は、種々の方法で得
られる。可能な一方法では、拡散、又は注入によってア
イランドを形成し、その後ソースとドレーン領域を拡散
ニよってアイランド内に作る。
プされた硅素のアイランド６と６′は、種々の方法で得
られる。可能な一方法では、拡散、又は注入によってア
イランドを形成し、その後ソースとドレーン領域を拡散
ニよってアイランド内に作る。
他の利用可能な方法では、ｎオン９又はｐオンｎのエピ
タキシャルウェハから始めて、本発明に従って、拡散に
よって絶縁領域を作シ、これによって、ｌ５ＦＥＴ素子
を設置し得る別々の領域を形成する。更に、再びｎオン
９又はｐオンｎエピタキシャルウェハから始めて、エピ
タキシャル層と交叉するスロットを作シ、続いて、機械
的に分離されたアイランドの側壁を電気絶縁物質で被覆
、及び／又は逆のタイプの不純物ドーパントを拡散する
ことによって絶縁できる。
タキシャルウェハから始めて、本発明に従って、拡散に
よって絶縁領域を作シ、これによって、ｌ５ＦＥＴ素子
を設置し得る別々の領域を形成する。更に、再びｎオン
９又はｐオンｎエピタキシャルウェハから始めて、エピ
タキシャル層と交叉するスロットを作シ、続いて、機械
的に分離されたアイランドの側壁を電気絶縁物質で被覆
、及び／又は逆のタイプの不純物ドーパントを拡散する
ことによって絶縁できる。
オンチップ絶縁によって、微小ｌ５ＦＥＴ素子を覆う方
法が容易になる。絶縁を設けること自体は、電荷による
方法を用いてオンウェハ技術で好都合に実現でき、この
絶縁によって、更に、基準電極は長寿命かつ高安定度を
得る。
法が容易になる。絶縁を設けること自体は、電荷による
方法を用いてオンウェハ技術で好都合に実現でき、この
絶縁によって、更に、基準電極は長寿命かつ高安定度を
得る。
当然ながら、本発明の精神を逸脱することなく、図を参
照して説明した化学感応ＦＥＴ素子の修正は可能である
。
照して説明した化学感応ＦＥＴ素子の修正は可能である
。
本発明を要約すると、化学感応ＦＥＴ （ｌ５ＦＥＴ
）素子は、よシ高い絶縁度を有する。ソースとドレーン
領域は、基板上のアイランド内に作られ、このアイラン
ドは、基板がドープされた不純物タイプと逆のタイプ０
の不純物でドープされる。
）素子は、よシ高い絶縁度を有する。ソースとドレーン
領域は、基板上のアイランド内に作られ、このアイラン
ドは、基板がドープされた不純物タイプと逆のタイプ０
の不純物でドープされる。
これによって、アイランドと基板の間にＰＮ絶縁接合が
画成される。
画成される。
第１図ａ及び第１図すは、各々、ｐ型不純物ドープ硅素
基板でのｌ５ＦＥＴ′素子の断面図、及びこのｌ５ＦＥ
Ｔ素子に基づいて実用上形成される回路の構成図、 第２図ａ及び第２図すは各々、ｎ型不純物ドープ硅素基
板でのｌ５ＦＥＴ素子の断面図、及び上記ｌ５ＦＥＴ素
子に基づいて実用上形成される回路の構成図、 第３図は第１図ａの要素の上面図、 第４図は、第３図の線４−４に沿った矢印の方向の断面
図、 第５図は、第３図の線５−５に沿った矢印の方向の断面
図である。 １．１′・・・ｌ５ＦＥＴ ２．２′・・・基板 ３・・・ｐ層 ３′・・・ｎ層 ５．５′・・・基準電極 ６．６′・・・アイランド ７．７′・・・電気絶縁層 ８．８′・・・ダート領域
基板でのｌ５ＦＥＴ′素子の断面図、及びこのｌ５ＦＥ
Ｔ素子に基づいて実用上形成される回路の構成図、 第２図ａ及び第２図すは各々、ｎ型不純物ドープ硅素基
板でのｌ５ＦＥＴ素子の断面図、及び上記ｌ５ＦＥＴ素
子に基づいて実用上形成される回路の構成図、 第３図は第１図ａの要素の上面図、 第４図は、第３図の線４−４に沿った矢印の方向の断面
図、 第５図は、第３図の線５−５に沿った矢印の方向の断面
図である。 １．１′・・・ｌ５ＦＥＴ ２．２′・・・基板 ３・・・ｐ層 ３′・・・ｎ層 ５．５′・・・基準電極 ６．６′・・・アイランド ７．７′・・・電気絶縁層 ８．８′・・・ダート領域
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■、化学的に感応する電界効果トランジスタにおいて、
該トランジスタは、 第１の導電型の不純物をドープされた半導体材料の基板
と、 該基板の上表面にあって該基板のバルクから隔離され、
第１の導電型の不純物をドープした半導体材料の横方向
に分離されたソース領域及びドレーン領域と、 前記基板の前記上表面を被い、少くとも前記ソース領域
および前記ドレーン領域の一部と、それらの間の領域と
を含み、その上に化学的に選択された被覆を受けるよう
にされた電気絶縁材料層と、 前記基板内においてこれと共にＰＮ接合を形成する第２
の導電型の不純物をドープされた半導体材料のアイラン
ドとを含み、前記ソース領域と前記ドレーン領域は醍記
アイランドの上表面中に位置し、これによって前記基板
のバルクから離隔されていることを特徴とする化学感応
電界効果トランジスタ。 ２、特許請求の範囲第１項記載のトランジスタにおいて
、前記半導体材料は硅素であることを特徴とする化学感
応電界効果トランジスタ。 ３、特許請求の範囲第１項記載のトランジスタにおいて
、前記アイランドは前記基板のバルク及び前記絶縁接合
Ｑ上方に延びたアイランドであることを特徴とする化学
感応電界効果トランジスタ。 ４、特許請求の範囲第３項記載のトランジスタにおいて
、前記アイランドは前記基板から前記アイランドの上表
面に延びる直立し声側壁を有し、該側壁は、第１の導電
型の不純物ドープ半導体材料層によって被覆され、これ
と共にＰＮ絶縁接合を形成することを特徴とする化学感
応電界効果トランジスタ。 ５、特許請求の範囲第４項記載のトランジスタにおいて
、前記側壁上の前記層は、前記基板に比較して、第１の
導電型の不純物をよシ多くドープされていることを特徴
とする化学感応電界効果トランジスタ。 ６、化学感応電界トランジスタの製造方法において、該
方法は、 第１の導電型の不純物がドープされた半導体材料の基板
を設ける工程と、 前記基板の上表面上にアイランドを設け、該アイランド
は、第２の導電型の不純物がドープされた半導体材料で
あって、前記基板との間にＰＮ絶縁接合を画成し、該基
板の・旬しクから離隔された上表面を有する工程と、 前記アイランドの上表面内にソース領域とドレーン領域
とを拡散で形成し、各々を離隔させる工程と、 前記アイランドの上表面を電気絶縁材料層で被覆し、前
記ソース領域および前記ドレーン領域の少くとも一部、
ならびに前記ソース領域と前記ドレーン領域との間の前
記アイランドの表面領域を被覆する工程とを含むことを
特徴とする化学感応電界効果トランジスタの製造方法。 ７、特許請求の範囲第６項記載の方法において、前記ア
イランドは前記基板の上表面内に拡散によって形成され
ることを特徴とする化学感応電界効果トランジスタの製
造方法。 ８、特許請求の範囲第６項記載の方法において、前記ア
イランドは前記基板の上表面内に注入によって形成され
ることを特徴とする化学感応電界効果トランジスタの製
造方法。 ９、 化学的に感応する電界効果トランジスタの製造方
法において該方法は、 第１層と第２層とを有するエピタキシャル成長で形成さ
れたウェーハを設け、第１層は第１の導電型の不純物が
ドープされた半導体材料であシ、第２層は逆の型の第２
の導電型の不純物がドープされた半導体材料であシ、こ
れによって第１層と前記第２層の間にＰＮ絶縁接合を画
成する工程と、 第２層内に一対の離隔されたスロットを形成し、第１層
に該スロットが交叉して該スロットによって画成される
側壁を持つアイランドを画盛する工程と、 第１の導電型の不純物ト９−７°半導体材料の絶縁層で
前記側壁を被覆し、これによシ、前記アイランドの前記
側壁と該側壁上の前記絶縁層との間にＰＮ絶縁層を画成
する工程と、 前記アイランドの上表面内に離隔されたソース領域とド
レーン領域とを拡散し、前記ソース領域と前記ドレーン
領域は、第１の導電型の不純物ドープ半導体材料である
工程と、 前記アイランドの上表面上に電気絶縁材料層を設けて前
記ソース領域および前記ドレーン領域の少くとも一部、
ならびに両領域の間の領域を覆う工程とを含むことを特
徴とする化学感応電界効果トランジスタの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8400612 | 1984-02-28 | ||
| NL8400612A NL8400612A (nl) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | Chemisch gevoelige fet-component. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60209162A true JPS60209162A (ja) | 1985-10-21 |
Family
ID=19843549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60037743A Pending JPS60209162A (ja) | 1984-02-28 | 1985-02-28 | 化学感応電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0155726A1 (ja) |
| JP (1) | JPS60209162A (ja) |
| CA (1) | CA1224524A (ja) |
| NL (1) | NL8400612A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2591389B1 (fr) * | 1985-12-05 | 1988-08-12 | Elf Aquitaine | Transistor a effet de champ selectif aux ions et procede de fabrication |
| FR2706616B1 (fr) * | 1993-06-14 | 1995-09-01 | Lyon Ecole Centrale | Capteur de type ISFET dont le substrat est isolé électriquement. |
| DE10254523B4 (de) | 2002-11-22 | 2004-12-09 | Micronas Gmbh | Sensor zum Messen einer Gaskonzentration oder Ionenkonzentration |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4055884A (en) * | 1976-12-13 | 1977-11-01 | International Business Machines Corporation | Fabrication of power field effect transistors and the resulting structures |
| JPS5466194A (en) * | 1977-11-04 | 1979-05-28 | Kuraray Co | Fet sensor |
| US4322680A (en) * | 1980-03-03 | 1982-03-30 | University Of Utah Research Foundation | Chemically sensitive JFET transducer devices utilizing a blocking interface |
| US4485392A (en) * | 1981-12-28 | 1984-11-27 | North American Philips Corporation | Lateral junction field effect transistor device |
-
1984
- 1984-02-28 NL NL8400612A patent/NL8400612A/nl not_active Application Discontinuation
-
1985
- 1985-02-27 EP EP85200275A patent/EP0155726A1/en not_active Withdrawn
- 1985-02-27 CA CA000475293A patent/CA1224524A/en not_active Expired
- 1985-02-28 JP JP60037743A patent/JPS60209162A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA1224524A (en) | 1987-07-21 |
| NL8400612A (nl) | 1985-09-16 |
| EP0155726A1 (en) | 1985-09-25 |
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