JPS60211752A - イオンビ−ム発生装置 - Google Patents
イオンビ−ム発生装置Info
- Publication number
- JPS60211752A JPS60211752A JP59066901A JP6690184A JPS60211752A JP S60211752 A JPS60211752 A JP S60211752A JP 59066901 A JP59066901 A JP 59066901A JP 6690184 A JP6690184 A JP 6690184A JP S60211752 A JPS60211752 A JP S60211752A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- state
- substance
- ion beam
- laser
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/24—Ion sources; Ion guns using photo-ionisation, e.g. using laser beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/08—Ion sources; Ion guns
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体加工装置をはじめ材料改質。
材料合成等に使われるイオンビーム発生装置に関するも
のである。
のである。
従来、イオンビーム発生装置によるイオン発生方法とし
ては、種々の手法が考えられ実用化されて来た。その大
部分は放電を利用したものであったが、近年レーザ光を
使ったイオン源が考え出されて来ている。このレーザ光
等の光を使った方式には２つあり、１つはレーザ光を金
属等の固体に照射してそのプラズマをイオン源として使
ったり、レーザ光を集光して気体、液体に照射してプラ
ズマを作り、これをイオン源としたりするものであり、
他の１つは波長の可変な光源を使い、レーザ光等の単一
波長を対象とするイオン化されるべき物質のエネルギ準
位に共鳴させて該物質をイオン化させるものであり、本
発明は後者に関するものである。
ては、種々の手法が考えられ実用化されて来た。その大
部分は放電を利用したものであったが、近年レーザ光を
使ったイオン源が考え出されて来ている。このレーザ光
等の光を使った方式には２つあり、１つはレーザ光を金
属等の固体に照射してそのプラズマをイオン源として使
ったり、レーザ光を集光して気体、液体に照射してプラ
ズマを作り、これをイオン源としたりするものであり、
他の１つは波長の可変な光源を使い、レーザ光等の単一
波長を対象とするイオン化されるべき物質のエネルギ準
位に共鳴させて該物質をイオン化させるものであり、本
発明は後者に関するものである。
本発明は、上記共鳴光励起、イオン化方式のイオンビー
ム発生装置において、イオン化させる物質の共鳴光励起
にてイオン化させる直前の状態として、該物質のシュタ
ルク効果によりイオン化できるリュードベルグ状態（Ｒ
ｙｄｂｅｒｇ １ｅｖｅｌ ）を使うことにより、従来
の共鳴光励起、イオン化方式に比べ入力光エネルギに対
するイオン化効率を数桁以上向上でき、かつ選択イオン
化における選択性に優れたイオンビーム発生装置を提供
することを目的としている。
ム発生装置において、イオン化させる物質の共鳴光励起
にてイオン化させる直前の状態として、該物質のシュタ
ルク効果によりイオン化できるリュードベルグ状態（Ｒ
ｙｄｂｅｒｇ １ｅｖｅｌ ）を使うことにより、従来
の共鳴光励起、イオン化方式に比べ入力光エネルギに対
するイオン化効率を数桁以上向上でき、かつ選択イオン
化における選択性に優れたイオンビーム発生装置を提供
することを目的としている。
まず本発明装置におけるイオン化方法をベリリウムイオ
ンビームを発生する場合を例にとって従来の方法と比較
しつつ説明する。第１図はベリリウム中性原子のエネル
ギ準位図である。
ンビームを発生する場合を例にとって従来の方法と比較
しつつ説明する。第１図はベリリウム中性原子のエネル
ギ準位図である。
従来のイオン化方法は、例えば波長が２３４９人。
４５７３人及び５０００人の３本のレーザビームＢ１．
Ｂ２、Ｂ３をイオン化させたいベリリウム蒸気に照射す
る方法であり、即ち基底状態２ｓ（１３）にあるヘリリ
ウム原子をまず２３４９人のレーザビームＢｌにより第
１励起状態２ｐ（’ＰＯ）に共鳴励起し、その後４５７
３人のレーザビームＢ２によりエネルギ準位３ｄ（ＩＤ
）に共鳴励起し、さらに５０００人のレーザビ一ムＢ３
でイオン化させるものである。
Ｂ２、Ｂ３をイオン化させたいベリリウム蒸気に照射す
る方法であり、即ち基底状態２ｓ（１３）にあるヘリリ
ウム原子をまず２３４９人のレーザビームＢｌにより第
１励起状態２ｐ（’ＰＯ）に共鳴励起し、その後４５７
３人のレーザビームＢ２によりエネルギ準位３ｄ（ＩＤ
）に共鳴励起し、さらに５０００人のレーザビ一ムＢ３
でイオン化させるものである。
・ 本発明装置におけるイオン化方法が上記従来のイオ
ン化方法と異なる点は、ベリリウム蒸気をガス放電によ
り準安定状態２ｐ（３ＰＯ）が支配的な状態にする点と
、レーザビーム、第１図の例では波長３３２１人、 １
．４６μ、 ６４４９人の３本のレーザビームＢ４〜Ｂ
６、により上記励起蒸気をこの励起状態からりュードベ
ルグ状態にする点と、さらに従来のイオン化方法のよう
にベリリウム蒸気をレーザビーム、第１図の例ではＢ３
、により自由電子状態、即ちイオン状態にするのではな
く、ガス放電により上記励起状態からイオン状態にする
点にある。
ン化方法と異なる点は、ベリリウム蒸気をガス放電によ
り準安定状態２ｐ（３ＰＯ）が支配的な状態にする点と
、レーザビーム、第１図の例では波長３３２１人、 １
．４６μ、 ６４４９人の３本のレーザビームＢ４〜Ｂ
６、により上記励起蒸気をこの励起状態からりュードベ
ルグ状態にする点と、さらに従来のイオン化方法のよう
にベリリウム蒸気をレーザビーム、第１図の例ではＢ３
、により自由電子状態、即ちイオン状態にするのではな
く、ガス放電により上記励起状態からイオン状態にする
点にある。
この発明装置におけるイオン化方法の場合、従来のイオ
ン化方法が波長５０００人のレーザビームＢ３によりベ
リリウム蒸気をエネルギ準位３ｄ（ＩＤ）から直接イオ
ン化させるのに比べ、イオン化させる衝突断面積が数桁
以上高い。従ってレーザビームの出力エネルギが小さく
てすみ、また基底状態からではなく準安定状態からの励
起であるので光子の波長は短かくてすみ、しかも完全に
共鳴のみを使うためレーザビームのエネルギ準位、波長
を不純物原子のそれらと一致しないように選択すればイ
オン化させたい物質のみをイオン化でき、しかも純度の
高いものができる。
ン化方法が波長５０００人のレーザビームＢ３によりベ
リリウム蒸気をエネルギ準位３ｄ（ＩＤ）から直接イオ
ン化させるのに比べ、イオン化させる衝突断面積が数桁
以上高い。従ってレーザビームの出力エネルギが小さく
てすみ、また基底状態からではなく準安定状態からの励
起であるので光子の波長は短かくてすみ、しかも完全に
共鳴のみを使うためレーザビームのエネルギ準位、波長
を不純物原子のそれらと一致しないように選択すればイ
オン化させたい物質のみをイオン化でき、しかも純度の
高いものができる。
また上記レーザビームの波長を変えることにより、容易
に他種の物質のイオンビームを発生することができ、こ
の場合イオン化される多種の物質を前もってイオンビー
ム発生容器内に導入しておいても良い。このように発生
するイオンビームの種類を容易に変えることができる本
発明の手法は従来の方法にないものであり、イオンビー
ムで処理する２つ以上の行程を連続して行なうことがで
きる利点がある。
に他種の物質のイオンビームを発生することができ、こ
の場合イオン化される多種の物質を前もってイオンビー
ム発生容器内に導入しておいても良い。このように発生
するイオンビームの種類を容易に変えることができる本
発明の手法は従来の方法にないものであり、イオンビー
ムで処理する２つ以上の行程を連続して行なうことがで
きる利点がある。
次にこの発明の実施例を図について説明する。
第２図は本発明の第１の実施例を示す。図において、１
はイオン化されるべき物質が導入される容器、１ａは上
記物質を該容器１内に導入するためのガス導入孔、１ｂ
はガス排出孔、３ａ又は３ｂは各々図示しないレーザビ
ーム発生部からのレーザビームＢ４．Ｂ６又はＢ５を上
記容器１内に導入する窓であり、該容器ｌ内のレーザビ
ーム８４〜Ｂ６が交差する空間はイオン生成空間４とな
っている。なお上記レーザビーム発生部としては、波長
可変レーザ又は自由電子レーザ等のレーザが用いられる
。
はイオン化されるべき物質が導入される容器、１ａは上
記物質を該容器１内に導入するためのガス導入孔、１ｂ
はガス排出孔、３ａ又は３ｂは各々図示しないレーザビ
ーム発生部からのレーザビームＢ４．Ｂ６又はＢ５を上
記容器１内に導入する窓であり、該容器ｌ内のレーザビ
ーム８４〜Ｂ６が交差する空間はイオン生成空間４とな
っている。なお上記レーザビーム発生部としては、波長
可変レーザ又は自由電子レーザ等のレーザが用いられる
。
５．６は上記イオン生成空間４を挟んで配置された電極
、５ａ、５ａは上記電極５．６に電圧を印加する端子で
あり、これらは上記イオン生成空間４にガス放電を生ぜ
しめるガス放電発生部１５を構成している。、８は試料
、８ａは該試料８を保持する試料台であり、該試料台８
ａと上記電極６との間には直流電圧が印加され、これに
よりイオン化された物質をイオンビームとして引き出す
ための引き出し電界が発生される。
、５ａ、５ａは上記電極５．６に電圧を印加する端子で
あり、これらは上記イオン生成空間４にガス放電を生ぜ
しめるガス放電発生部１５を構成している。、８は試料
、８ａは該試料８を保持する試料台であり、該試料台８
ａと上記電極６との間には直流電圧が印加され、これに
よりイオン化された物質をイオンビームとして引き出す
ための引き出し電界が発生される。
次に動作について説明する。
本実施例装置により、ベリリウムのイオンビームを発生
する場合を考える。まず容器１にガス導入孔１ａよりベ
リリウム蒸気１０を導入する。そして上記レーザビーム
発生部が発振し、また該レーザ発振と時間的に同期して
電極５と電極６の各々に端子５ａ、６ａから電圧が印加
される。するとこれにより、上記基底状態２ｓ（’Ｓ）
にあるベリリウム蒸気１０にガス放電による電子が衝突
し、その結果該ベリリウム蒸気１０は準安定状態２ｐ（
３ＰＯ）に励起される。また上記レーザの発１辰により
３３２１人、 ６４４９人のレーザビームＢ４゜Ｂ６が
窓３ａを介して容器１内に導入され、また１、４６μの
レーザビームＢ６が窓３ｂを介して同様に導入され、各
ビームＢ４〜Ｂ６が容器１内のイオン生成空間４におい
て交差し、これにより上記ベリリウム蒸気１０は３３２
１人のレーザビームＢ４により準安定状態２ｐ（３ＰＯ
）から励起状態３ｓ（３３）に共鳴励起され、さらに１
．４６μのレーザビームＢ５により上記励起状態３ｇ（
３３）から励起状態３ｐ（３ＰＯ）に励起され、さらに
６４４９人のレーザビームＢ６によりリュードベルり状
態１２ｄ （３Ｄ）に階段状に共鳴励起され、最後に該
励起蒸気は上記ガス放電による電子の衝突によりイオン
化される。また上記電極６と試料台８ａとの間には直流
電圧が印加されており、これにより上記イオン化された
ベリリウム蒸気１ｏはベリリウムのイオンのみからなる
イオンビーム９として引き出され、該イオンビーム９は
上記試料８に照射される。
する場合を考える。まず容器１にガス導入孔１ａよりベ
リリウム蒸気１０を導入する。そして上記レーザビーム
発生部が発振し、また該レーザ発振と時間的に同期して
電極５と電極６の各々に端子５ａ、６ａから電圧が印加
される。するとこれにより、上記基底状態２ｓ（’Ｓ）
にあるベリリウム蒸気１０にガス放電による電子が衝突
し、その結果該ベリリウム蒸気１０は準安定状態２ｐ（
３ＰＯ）に励起される。また上記レーザの発１辰により
３３２１人、 ６４４９人のレーザビームＢ４゜Ｂ６が
窓３ａを介して容器１内に導入され、また１、４６μの
レーザビームＢ６が窓３ｂを介して同様に導入され、各
ビームＢ４〜Ｂ６が容器１内のイオン生成空間４におい
て交差し、これにより上記ベリリウム蒸気１０は３３２
１人のレーザビームＢ４により準安定状態２ｐ（３ＰＯ
）から励起状態３ｓ（３３）に共鳴励起され、さらに１
．４６μのレーザビームＢ５により上記励起状態３ｇ（
３３）から励起状態３ｐ（３ＰＯ）に励起され、さらに
６４４９人のレーザビームＢ６によりリュードベルり状
態１２ｄ （３Ｄ）に階段状に共鳴励起され、最後に該
励起蒸気は上記ガス放電による電子の衝突によりイオン
化される。また上記電極６と試料台８ａとの間には直流
電圧が印加されており、これにより上記イオン化された
ベリリウム蒸気１ｏはベリリウムのイオンのみからなる
イオンビーム９として引き出され、該イオンビーム９は
上記試料８に照射される。
以上の動作説明における本実施例の特徴を示すと、まず
第１に本実施例は完全に共鳴のみを用いて選択イオン化
を行なうものであるので、上記容Ｂ１内にイオン化させ
るべき物質、この場合ベリリウム、以外の不純物、酸素
、窒素、炭素、水素等が含まれていて、しかもその量が
ベリリウムより多くても、レーザビームのエネルギ準位
、波長を上記不純物等のそれらと一致さすないようにし
て希望の元素、この場合はベリリウム、のみ、がイオン
化された純粋なベリリウムイオンビームが得られる。
第１に本実施例は完全に共鳴のみを用いて選択イオン化
を行なうものであるので、上記容Ｂ１内にイオン化させ
るべき物質、この場合ベリリウム、以外の不純物、酸素
、窒素、炭素、水素等が含まれていて、しかもその量が
ベリリウムより多くても、レーザビームのエネルギ準位
、波長を上記不純物等のそれらと一致さすないようにし
て希望の元素、この場合はベリリウム、のみ、がイオン
化された純粋なベリリウムイオンビームが得られる。
第２に本実施例は上述のとおり、選択イオン化を行なう
ものであり、かつ共鳴光励起によるイオン化を行なうも
のであるので、電子や他の元素が励起されたり、エネル
ギ吸収により温度上昇したりすることはなく、その結果
イオンビームを照射する対象試料８、例えば半導体の場
合は基板、の温度を上昇させることはなく、低温処理が
できる。
ものであり、かつ共鳴光励起によるイオン化を行なうも
のであるので、電子や他の元素が励起されたり、エネル
ギ吸収により温度上昇したりすることはなく、その結果
イオンビームを照射する対象試料８、例えば半導体の場
合は基板、の温度を上昇させることはなく、低温処理が
できる。
第３にイオンビームの種類や特性を変える場合はレーザ
ビームの波長を変えれば良く、従来のような試料を取り
出したり、イオン源部を交換するために容器を開閉した
りする必要はなく、従って、イオン注入とアニーリング
等の連続動作が容易にできる。
ビームの波長を変えれば良く、従来のような試料を取り
出したり、イオン源部を交換するために容器を開閉した
りする必要はなく、従って、イオン注入とアニーリング
等の連続動作が容易にできる。
第３図は本発明の第２の実施例を示す。図において、第
２図と同一符号は同−又は相当部分を示し、１３はイオ
ン化させるべき物質１２を収容するオーブン、１３ａは
上記オーブン１３の外周に設けられたヒータ、１１はイ
オン化されたベリリウム蒸気１０を容器１の軸心に集束
せしめるマグネット、１４は上記集束されたベリリウム
蒸気１０をイオンビーム９として引き出す引き出し電極
である。
２図と同一符号は同−又は相当部分を示し、１３はイオ
ン化させるべき物質１２を収容するオーブン、１３ａは
上記オーブン１３の外周に設けられたヒータ、１１はイ
オン化されたベリリウム蒸気１０を容器１の軸心に集束
せしめるマグネット、１４は上記集束されたベリリウム
蒸気１０をイオンビーム９として引き出す引き出し電極
である。
次に動作について説明する。
オーブン１３内にイオン化させる物質であるベリリウム
１２を入れ、ヒータ１３ａによりオーブン１３を加熱す
ると上記ベリリウム１２が溶融。
１２を入れ、ヒータ１３ａによりオーブン１３を加熱す
ると上記ベリリウム１２が溶融。
気化してベリリウム蒸気ｌＯが発生し、該蒸気ｌＯはガ
ス導入孔１ａを通って容器１内に導入される。そして電
極５，６に電圧が印加されて上記蒸気１０にガス放電に
よる電子が衝突し、また同時に３３２１人、 ６４４９
人のレーザビームＢ４．Ｂ６が窓３ａを介して、また１
、４６μのレーザビームＢ５が窓３ｂを介して上記容器
ｌ内に導入されて上記蒸気ｌＯに照射される６するとこ
れにより蒸気１０は基底状態２ｓ（’Ｓ）から励起状態
２ｐ（３Ｐ’）。
ス導入孔１ａを通って容器１内に導入される。そして電
極５，６に電圧が印加されて上記蒸気１０にガス放電に
よる電子が衝突し、また同時に３３２１人、 ６４４９
人のレーザビームＢ４．Ｂ６が窓３ａを介して、また１
、４６μのレーザビームＢ５が窓３ｂを介して上記容器
ｌ内に導入されて上記蒸気ｌＯに照射される６するとこ
れにより蒸気１０は基底状態２ｓ（’Ｓ）から励起状態
２ｐ（３Ｐ’）。
３ｓ （３Ｓ）、３ｐ （３ＰＯ）を経てリュードベル
グ状態１２ｄ（３Ｄ）に階段状に励起され、さらに該リ
ュードペルグ状態１２ｄ（３Ｄ）にあるベリリウム蒸気
１０の電子が自由電子となり、これによりイオン生成空
間４にベリリウムイオンが生成され、該ベリリウムイオ
ンはマグネ７）１１により軸心に集束された後、引き出
し電極１４によってイオンビーム９として放出される。
グ状態１２ｄ（３Ｄ）に階段状に励起され、さらに該リ
ュードペルグ状態１２ｄ（３Ｄ）にあるベリリウム蒸気
１０の電子が自由電子となり、これによりイオン生成空
間４にベリリウムイオンが生成され、該ベリリウムイオ
ンはマグネ７）１１により軸心に集束された後、引き出
し電極１４によってイオンビーム９として放出される。
第４図は本発明の第３の実施例によるイオンビーム発生
装置におけるレーザ発振装置の構成例である。
装置におけるレーザ発振装置の構成例である。
本発明におけるイオン生成のためのレーザビームとガス
放電とは時間的に同期される必要があり、また階段状に
元素を励起させるためには複数の各々特定周波数のレー
ザビームが必要であり、該複数のレーザビームももちろ
ん同期させる必要がある訳であるが、第４図はその同期
方法の一例を示すものである。
放電とは時間的に同期される必要があり、また階段状に
元素を励起させるためには複数の各々特定周波数のレー
ザビームが必要であり、該複数のレーザビームももちろ
ん同期させる必要がある訳であるが、第４図はその同期
方法の一例を示すものである。
本レーザ発振装置２０は、３台の波長可変のダイレーザ
２２，２３．２４と、該各ダイレーザ２２〜２４を励起
するための励起源レーザ２１と、ハーフミラ−２５，２
６、全反射ミラー２７とから構成されている。このよう
に励起源を１台ｂレーザ１で構成したことにより、発振
するレーザビームωｌ、ω２．ω３は時間的に同期され
たものとなる。そして上記励起源レーザ２１の発振と、
上記電極５．６への電圧印加を同時に行なうことにより
、レーザビームとガス放電とを時間的に同期できること
となる。
２２，２３．２４と、該各ダイレーザ２２〜２４を励起
するための励起源レーザ２１と、ハーフミラ−２５，２
６、全反射ミラー２７とから構成されている。このよう
に励起源を１台ｂレーザ１で構成したことにより、発振
するレーザビームωｌ、ω２．ω３は時間的に同期され
たものとなる。そして上記励起源レーザ２１の発振と、
上記電極５．６への電圧印加を同時に行なうことにより
、レーザビームとガス放電とを時間的に同期できること
となる。
こ°のように、本発明に係るイオンビーム発生装置によ
れば、イオン化されるべき物質をガス放電によりその比
較的下位の励起状態に励起し、レーザビームの照射によ
り該励起状態からりュードベルグ状態に共鳴光励起し、
さらに上記物質をガス放電の電子の衝突により該励起状
態からイオン状態にするようにしたので、イオン化効率
及びイオンの選択性を大きく向上できる効果がある。
れば、イオン化されるべき物質をガス放電によりその比
較的下位の励起状態に励起し、レーザビームの照射によ
り該励起状態からりュードベルグ状態に共鳴光励起し、
さらに上記物質をガス放電の電子の衝突により該励起状
態からイオン状態にするようにしたので、イオン化効率
及びイオンの選択性を大きく向上できる効果がある。
第１図はベリリウム中性原子のシングレット系のエネル
ギ状態図、第２図は本発明の第１の実施例によるシャワ
ー型イオンビーム発生装置の概略構成図、第３図は本発
明の第２の実施例による集束型イオンビーム発生装置の
概略構成図、第４図は本発明の第３の実施例によるイオ
ンビーム発生装置のレーザビーム発振器のブロック図で
ある。 １・・・容器、１５・・・ガス放電発生部、２０・・・
レーザビーム発生部、Ｂｌ〜Ｂ６・・・レーザビーム。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第４図 手続補正書（自発） ２、発明の名称 イオンビーム発生装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代１１３区丸の白玉丁目２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社 代表者片山仁八部 ４、代理人 住 所 東京都千代目」区丸の内二丁１」２番３壮５、
？１正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄、及び図面（第１図） ６、補正の内容 ＋１１ 明細書第５頁第１〜２行の「該物質の・・・・
・・（Ｒｙｄｂｅｒｇ １ｅｖｅｌ ） Ｊを「リュー
ドベルグ状態（Ｒｙｄｂｅｒｇ ５ｔａｔｅ ） ｊに
訂正する。 （２）第１図を別紙の通り訂正する。 以 上
ギ状態図、第２図は本発明の第１の実施例によるシャワ
ー型イオンビーム発生装置の概略構成図、第３図は本発
明の第２の実施例による集束型イオンビーム発生装置の
概略構成図、第４図は本発明の第３の実施例によるイオ
ンビーム発生装置のレーザビーム発振器のブロック図で
ある。 １・・・容器、１５・・・ガス放電発生部、２０・・・
レーザビーム発生部、Ｂｌ〜Ｂ６・・・レーザビーム。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第４図 手続補正書（自発） ２、発明の名称 イオンビーム発生装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代１１３区丸の白玉丁目２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社 代表者片山仁八部 ４、代理人 住 所 東京都千代目」区丸の内二丁１」２番３壮５、
？１正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄、及び図面（第１図） ６、補正の内容 ＋１１ 明細書第５頁第１〜２行の「該物質の・・・・
・・（Ｒｙｄｂｅｒｇ １ｅｖｅｌ ） Ｊを「リュー
ドベルグ状態（Ｒｙｄｂｅｒｇ ５ｔａｔｅ ） ｊに
訂正する。 （２）第１図を別紙の通り訂正する。 以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１イオン化されるべき物質を収容する容器と、該容
器内の上記物質にレーザビームを照射するレーザビーム
発生部と、上記容器内の上記物質雰囲気中でレーザビー
ムと交差するガス放電を発生するガス放電発生部とを備
え、上記物質のイオンビームを発生する装置において、
上記ガス放電発生部はガス放電により上記物質をエネル
ギ準位の基底状態から比較的下位の励起状態に励起し、
かつ後述のレーザビームの照射により得られたりュード
ベルグ状態からイオン状態とするものであり、上記レー
ザビーム発生部は上記物質を上記比較的下位の励起状態
からりュ〜ドベルグ状態に共鳴光励起するような波長を
有するレーザビームを発生するものであることを特徴と
するイオンビーム発生装置。 （２）上記レーザビーム発生部は、上記物質を上記比較
的下位の励起状態から中間状態を経て上記リュードベル
グ状態に階段状に共鳴、励起するような波長の異なる複
数のレーザビ−ムを発生するものであることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のイオンビーム発生装置。 （３） 上記比較的下位の励起状態が準安定状態である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載
のイオンビーム発生装置。 （４） 上記レーザビーム発生部として、波長可変レー
ザを用いたことを特徴とする特許請求の範囲第１項ない
し第３項のいずれかに記載のイオンビーム発生装置。 （５） 上記レーザビーム発生部として、自由電子レー
ザを用いたことを特徴とする特許請求の範囲第１項ない
し第３項のいずれかに記載のイオンビーム発生装置。 （６） 上記レーザビーム発生部は、１つの励起源レー
ザと、該励起源レーザからのレーザビームで励起される
相互に時間同期可能な複数の色素レーザとからなること
を特徴とする特許請求の範囲第２項又は第３項記載のイ
オンビーム発生装置。 （７） 上記ガス放電発生部は、高周波放電を生ゼしめ
るものであることを特徴とする特許請求の範囲第１項な
いし第６項のいずれかに記載のイオンビーム発生装置。 （８）上記物質は、化合物又は分子状態のガスとして上
記容器内に導入され、上記ガス放電は、上記容器内に導
入された物質を中性元素状態にするためのガス放電を兼
ねていることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし
第７項のいずれかに記載のイオンビーム発生装置。 （９）上記ガス放電発生部は、上記物質がそのリュード
ベルグ状態からイオン化状態になるように共鳴するよう
な高周波電源を有することを特徴とする特許請求の範囲
第７項記載のイオンビーム発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59066901A JPS60211752A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | イオンビ−ム発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59066901A JPS60211752A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | イオンビ−ム発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60211752A true JPS60211752A (ja) | 1985-10-24 |
| JPH0527212B2 JPH0527212B2 (ja) | 1993-04-20 |
Family
ID=13329301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59066901A Granted JPS60211752A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | イオンビ−ム発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60211752A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5022999A (ja) * | 1973-06-28 | 1975-03-12 |
-
1984
- 1984-04-02 JP JP59066901A patent/JPS60211752A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5022999A (ja) * | 1973-06-28 | 1975-03-12 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0527212B2 (ja) | 1993-04-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4692627A (en) | Ion beam generator | |
| JPS60211752A (ja) | イオンビ−ム発生装置 | |
| JPS60208035A (ja) | イオンビ−ム発生装置 | |
| US4716295A (en) | Ion beam generator | |
| JPS60235346A (ja) | イオンビ−ム発生装置 | |
| JPS60208025A (ja) | イオンビ−ム発生装置 | |
| JPS60208038A (ja) | イオンビ−ム発生装置 | |
| JPS6127038A (ja) | イオンビ−ム発生装置 | |
| JPS60208037A (ja) | イオンビ−ム発生装置 | |
| JPS60235347A (ja) | イオンビ−ム発生装置 | |
| JPS60235341A (ja) | イオンビ−ム発生装置 | |
| JPS60208036A (ja) | イオンビ−ム発生装置 | |
| JPS60208034A (ja) | イオンビ−ム発生装置 | |
| JPS60235338A (ja) | イオンビ−ム発生装置 | |
| JPS6127040A (ja) | イオンビ−ム発生装置 | |
| JPS60235345A (ja) | イオンビ−ム発生装置 | |
| JPS60235340A (ja) | イオンビ−ム発生装置 | |
| JPS60235339A (ja) | イオンビ−ム発生装置 | |
| JPS60208033A (ja) | イオンビ−ム発生装置 | |
| JPS60235342A (ja) | イオンビ−ム発生装置 | |
| JPS6127039A (ja) | イオンビ−ム発生装置 | |
| JPS6127043A (ja) | イオンビ−ム発生装置 | |
| JPS6127042A (ja) | イオンビ−ム発生装置 | |
| JPS60235337A (ja) | イオンビ−ム発生装置 | |
| JPS60235348A (ja) | イオンビ−ム発生装置 |