JPS60235342A - イオンビ−ム発生装置 - Google Patents
イオンビ−ム発生装置Info
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- JPS60235342A JPS60235342A JP59093490A JP9349084A JPS60235342A JP S60235342 A JPS60235342 A JP S60235342A JP 59093490 A JP59093490 A JP 59093490A JP 9349084 A JP9349084 A JP 9349084A JP S60235342 A JPS60235342 A JP S60235342A
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- ion beam
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32321—Discharge generated by other radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/24—Ion sources; Ion guns using photo-ionisation, e.g. using laser beam
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体加工装置をはじめ材料改質。
材料合成等に使われるイオンビーム発生装置に関するも
のである。
のである。
従来、イオンビーム発生装置によるイオン発生方法とし
ては、種々の手法が考えられ実用化されて来た。その大
部分は放電を利用したものであったが、近年レーザ光を
使ったイオン源が考え出されて来ている。このレーザ光
等の光を使った方式には2つあり、1つはレーザ光を金
属等の固体に照射してそのプラズマをイオン源として使
ったり、レーザ光を集光して気体、液体に照射してプラ
ズマを作り、これをイオン源としたりするものであり、
他の1つは波長の可変な光源を使い、レーザ光等の単一
波長を対象とするイオン化されるべき物質のエネルギ準
位に共鳴させて該物質をイオン化させるものであり、本
発明は後者に関するものである。
ては、種々の手法が考えられ実用化されて来た。その大
部分は放電を利用したものであったが、近年レーザ光を
使ったイオン源が考え出されて来ている。このレーザ光
等の光を使った方式には2つあり、1つはレーザ光を金
属等の固体に照射してそのプラズマをイオン源として使
ったり、レーザ光を集光して気体、液体に照射してプラ
ズマを作り、これをイオン源としたりするものであり、
他の1つは波長の可変な光源を使い、レーザ光等の単一
波長を対象とするイオン化されるべき物質のエネルギ準
位に共鳴させて該物質をイオン化させるものであり、本
発明は後者に関するものである。
本発明は、上記共鳴光励起、イオン化方式のイオンビー
ム発生装置において、イオン化させる物質の共鳴光励起
にてイオン化させる直前の状態として、該物質のシュタ
ルク効果によりイオン化できるリュードベルグ状態(R
ydberg 1evel )を使うことにより、従来
の共鳴光励起、イオン化方式に比べ入力光エネルギに対
するイオン化効率を数桁以上向上でき、かつ選択イオン
化における選択性に優れたイオンビーム発生装置を提供
することを目的としている。
ム発生装置において、イオン化させる物質の共鳴光励起
にてイオン化させる直前の状態として、該物質のシュタ
ルク効果によりイオン化できるリュードベルグ状態(R
ydberg 1evel )を使うことにより、従来
の共鳴光励起、イオン化方式に比べ入力光エネルギに対
するイオン化効率を数桁以上向上でき、かつ選択イオン
化における選択性に優れたイオンビーム発生装置を提供
することを目的としている。
まず本発明装置におけるイオン化方法をベリリウムイオ
ンビームを発生する場合を例にとって従来の方法と比較
しつつ説明する。第1図はベリリウム中性原子のエネル
ギ準位図である。
ンビームを発生する場合を例にとって従来の方法と比較
しつつ説明する。第1図はベリリウム中性原子のエネル
ギ準位図である。
従来のイオン化方法は、例えば波長が2349人及び4
573人の2本のレーザビームB1.B2をイオン化さ
せたいベリリウム蒸気に照射する方法であリ、即ち基底
状態2S(Is)にあるベリリウム原子をまず2349
人のレーザビームB1によす第1励起状態2p (i
po)に共鳴励起し、その後4573人のレーザビーム
B2によりエネルギ準位3d(1D)に共鳴励起し、さ
らに4573人のレーザビームB2でイオン化させるも
のである。
573人の2本のレーザビームB1.B2をイオン化さ
せたいベリリウム蒸気に照射する方法であリ、即ち基底
状態2S(Is)にあるベリリウム原子をまず2349
人のレーザビームB1によす第1励起状態2p (i
po)に共鳴励起し、その後4573人のレーザビーム
B2によりエネルギ準位3d(1D)に共鳴励起し、さ
らに4573人のレーザビームB2でイオン化させるも
のである。
本発明装置におけるイオン化方法が上記従来のイオン化
方法と異なるのは共鳴励起のみを用いている点であり、
ベリリウム蒸気をガス放電により準安定状態2p(3P
O)が支配的な状態に共鳴励起し、レーザビーム、第1
図の例では波長3321人、 1.46μ、 6449
人の3本のレーザビームB3〜B5により上記励起蒸気
をこの励起状態からりュードベルグ状態に共鳴励起し、
さらに従来のイオン化方法のようにベリリウム蒸気をレ
ーザビーム、第1図の例ではB2、により自由電子状態
、即ちイオン状態にするのではなく、次式で示される電
界により上記励起状態からイオン状態にする。
方法と異なるのは共鳴励起のみを用いている点であり、
ベリリウム蒸気をガス放電により準安定状態2p(3P
O)が支配的な状態に共鳴励起し、レーザビーム、第1
図の例では波長3321人、 1.46μ、 6449
人の3本のレーザビームB3〜B5により上記励起蒸気
をこの励起状態からりュードベルグ状態に共鳴励起し、
さらに従来のイオン化方法のようにベリリウム蒸気をレ
ーザビーム、第1図の例ではB2、により自由電子状態
、即ちイオン状態にするのではなく、次式で示される電
界により上記励起状態からイオン状態にする。
E (V/cm)−〇、3125x109 n−4ここ
でnはリュードベルグ状態の有効量子数である。
でnはリュードベルグ状態の有効量子数である。
この発明装置におけるイオン化方法の場合、従来のイオ
ン化方法が波長4573人のレーザビームB2によりベ
リリウム蒸気をエネルギ準位3d(ID)から直接イオ
ン化させるのに比べ、イオン化させる衝突断面積が数桁
以上高い。従ってレーザビームの出力エネルギが小さく
てすみ、また基底状態からではなく準安定状態からの励
起であるので光子の波長は短かくてすみ、しかも完全に
共鳴のみを使うためレーザビームのエネルギ準位、波長
を不純物原子のそれらと一致しないように選択すればイ
オン化させたい物質のみをイオン化でき、しかも純度の
高いものができる。
ン化方法が波長4573人のレーザビームB2によりベ
リリウム蒸気をエネルギ準位3d(ID)から直接イオ
ン化させるのに比べ、イオン化させる衝突断面積が数桁
以上高い。従ってレーザビームの出力エネルギが小さく
てすみ、また基底状態からではなく準安定状態からの励
起であるので光子の波長は短かくてすみ、しかも完全に
共鳴のみを使うためレーザビームのエネルギ準位、波長
を不純物原子のそれらと一致しないように選択すればイ
オン化させたい物質のみをイオン化でき、しかも純度の
高いものができる。
また上記レーザビームの波長や電界強度を変えることに
より、容易に他種の物質のイオンビームを発生すること
ができ、この場合イオン化される多種の物質を前もって
イオンビーム発生容器内に導入しておいても良い。この
ように発生するイオンビームの種類を容易に変えること
ができる本発明の手法は従来の方法にないものであり、
イオンビームで処理する2つ以上の行程を連続して行な
うことができる利点がある。
より、容易に他種の物質のイオンビームを発生すること
ができ、この場合イオン化される多種の物質を前もって
イオンビーム発生容器内に導入しておいても良い。この
ように発生するイオンビームの種類を容易に変えること
ができる本発明の手法は従来の方法にないものであり、
イオンビームで処理する2つ以上の行程を連続して行な
うことができる利点がある。
次にこの発明の実施例を図について説明する。
第2図は本発明の第1の実施例を示し、図において、1
はイオン化されるべき物質が導入される容器、1aは上
記物質を該容器1内に導入するためのガス導入孔、1b
はガス排出孔、3a又は3bは各々図示しないレーザビ
ーム発生部からのレーザビームB3.B5又はB4を上
記容器1内に導入する窓であり、該容器1内のレーザビ
ームB3〜B5が交差する空間はイオン生成空間4とな
っている。そして上記レーザビーム発生部には、図示し
ていないが、3つのレーザと、該各レーザの発振のトリ
ガとなる電気信号パルスを発生するパルス発生回路とが
設けられており、上記レーザとしては、波長可変レーザ
、色素レーザ、自由電子レーザ、アレキサンドライトレ
ーザ等の固体レーザ又はエキシマ、窒素等の気体レーザ
が用いられる。
はイオン化されるべき物質が導入される容器、1aは上
記物質を該容器1内に導入するためのガス導入孔、1b
はガス排出孔、3a又は3bは各々図示しないレーザビ
ーム発生部からのレーザビームB3.B5又はB4を上
記容器1内に導入する窓であり、該容器1内のレーザビ
ームB3〜B5が交差する空間はイオン生成空間4とな
っている。そして上記レーザビーム発生部には、図示し
ていないが、3つのレーザと、該各レーザの発振のトリ
ガとなる電気信号パルスを発生するパルス発生回路とが
設けられており、上記レーザとしては、波長可変レーザ
、色素レーザ、自由電子レーザ、アレキサンドライトレ
ーザ等の固体レーザ又はエキシマ、窒素等の気体レーザ
が用いられる。
5.6は上記イオン生成空間4を挟んで配置された電極
、5a、6aは上記電極5.6に電圧を印加する端子で
あり、これらは上記イオン生成空間4にパルス電界を生
せしめる電界発生部15を構成している。16はこれも
上記イオン生成空間4を挟んで配置された誘導コイルで
あり、これは該イオン生成空間4において高周波(RF
)放電を生ぜしめるRF放電発生部となっている。8は
試料、8aは該試料8を保持する試料台であり、該試料
台8aと上記電極6との間には直流電圧が印加され、こ
れによりイオン化された物質をイオンビームとして引き
出すための引き出し電界が発生される。
、5a、6aは上記電極5.6に電圧を印加する端子で
あり、これらは上記イオン生成空間4にパルス電界を生
せしめる電界発生部15を構成している。16はこれも
上記イオン生成空間4を挟んで配置された誘導コイルで
あり、これは該イオン生成空間4において高周波(RF
)放電を生ぜしめるRF放電発生部となっている。8は
試料、8aは該試料8を保持する試料台であり、該試料
台8aと上記電極6との間には直流電圧が印加され、こ
れによりイオン化された物質をイオンビームとして引き
出すための引き出し電界が発生される。
次に動作について説明する。
本実施例装置により、ベリリウムのイオンビームを発生
する場合を考える。まず容器1にガス導入孔1aからベ
リリウム蒸気10を導入する。そして上記誘導コイル1
6によりRF放電が発生し、またこれと同時にレーザビ
ーム発生部において、そのパルス発生回路から各レーザ
にトリガパルスが与えられ、これにより各レーザが発振
し、さらに該レーザ発振と時間的に同期して電極5と電
極6の各々に端子5a、6aから電圧が印加される。
する場合を考える。まず容器1にガス導入孔1aからベ
リリウム蒸気10を導入する。そして上記誘導コイル1
6によりRF放電が発生し、またこれと同時にレーザビ
ーム発生部において、そのパルス発生回路から各レーザ
にトリガパルスが与えられ、これにより各レーザが発振
し、さらに該レーザ発振と時間的に同期して電極5と電
極6の各々に端子5a、6aから電圧が印加される。
するとこれにより、上記基底状態2s(IS)にあるベ
リリウム蒸気10にRF放電による電子が衝突し、その
結果該ヘリリウム蒸気10は準安定状態2p(3PO)
に励起される。また上記レーザの発1辰により3321
人、 6449人のレーザビームB3、B5が窓3aを
介して容器l内に導入され、また1、46μのレーザビ
ームB4が窓3bを介して同様に導入され、各ビームB
3〜B5が容器1内のイオン生成空間4において交差し
、これにより上記へリリウム蒸気10は3321人のレ
ーザビームB3により準安定状態2p(3PO)から励
起状tm3s(3S)に共鳴励起され、さらに1.46
μのレーザビームB4により上記励起状態33(”S)
から励起状態3p(3PO)に励起され、さらに644
9 Aのlノ=ザビームB5によりリュードベルグ状態
12d(3D)に階段状に共鳴励起され、最後に該励起
蒸気は上記電界発生部15からのパルス電界によりイオ
ン化される。また上記電極6と試料台8aとの間には直
流電圧が印加されており、これにより上記イオン化され
たベリリウム蒸気10はベリリウムのイオンのみからな
るイオンビーム9として引き出され、該イオンビーム9
は上記試料8に照射される。
リリウム蒸気10にRF放電による電子が衝突し、その
結果該ヘリリウム蒸気10は準安定状態2p(3PO)
に励起される。また上記レーザの発1辰により3321
人、 6449人のレーザビームB3、B5が窓3aを
介して容器l内に導入され、また1、46μのレーザビ
ームB4が窓3bを介して同様に導入され、各ビームB
3〜B5が容器1内のイオン生成空間4において交差し
、これにより上記へリリウム蒸気10は3321人のレ
ーザビームB3により準安定状態2p(3PO)から励
起状tm3s(3S)に共鳴励起され、さらに1.46
μのレーザビームB4により上記励起状態33(”S)
から励起状態3p(3PO)に励起され、さらに644
9 Aのlノ=ザビームB5によりリュードベルグ状態
12d(3D)に階段状に共鳴励起され、最後に該励起
蒸気は上記電界発生部15からのパルス電界によりイオ
ン化される。また上記電極6と試料台8aとの間には直
流電圧が印加されており、これにより上記イオン化され
たベリリウム蒸気10はベリリウムのイオンのみからな
るイオンビーム9として引き出され、該イオンビーム9
は上記試料8に照射される。
以上の動作説明における本実施例の特徴を示すと、まず
第1に本実施例は完全に共鳴のみを用いて選択イオン化
を行なうものであるので、上記容器1内にイオン化させ
るべ−き物質、この場合ベリリウム、以外の不純物、酸
素、窒素、炭素、水素等が含まれていて、しかもその量
かへリリウムより多くても、レーザビームのエネルギ準
位、波長を上記不純物等のそれらと一致させないように
して希望の元素、この場合はベリリウムのみ、がイオン
化された純粋なベリリウムイオンビームが得られる。
第1に本実施例は完全に共鳴のみを用いて選択イオン化
を行なうものであるので、上記容器1内にイオン化させ
るべ−き物質、この場合ベリリウム、以外の不純物、酸
素、窒素、炭素、水素等が含まれていて、しかもその量
かへリリウムより多くても、レーザビームのエネルギ準
位、波長を上記不純物等のそれらと一致させないように
して希望の元素、この場合はベリリウムのみ、がイオン
化された純粋なベリリウムイオンビームが得られる。
第2に本実施例は上述のとおり、選択イオン化を行なう
ものであり、かつ共鳴光励起によるイオン化を行なうも
のであるので、“電子や他の元素が励起されたり、エネ
ルギ吸収により温度上昇したすすることはなく、その結
果イオンビームを照射する対象試別8、例えば半導体の
場合は基板、の温度を上昇させることはなく、低温処理
ができる。
ものであり、かつ共鳴光励起によるイオン化を行なうも
のであるので、“電子や他の元素が励起されたり、エネ
ルギ吸収により温度上昇したすすることはなく、その結
果イオンビームを照射する対象試別8、例えば半導体の
場合は基板、の温度を上昇させることはなく、低温処理
ができる。
第3にイオンビームの種類や特性を変える場合はレーザ
ビームの波長、印加電圧を変えれば良く、従来のような
試料を取り出したり、イオン源部を交換するために容器
を開閉したりする必要はなく、従って、イオン注入とア
ニーリング等の連続動作が容易にできる。
ビームの波長、印加電圧を変えれば良く、従来のような
試料を取り出したり、イオン源部を交換するために容器
を開閉したりする必要はなく、従って、イオン注入とア
ニーリング等の連続動作が容易にできる。
第3図は本発明の第2の実施例を示す。図において、第
2図と同一符号は同−又は相当部分を示し、13はイオ
ン化させるべき物質12を収容するオーブン、13aは
上記オーブン13の外周に設けられたヒータ、14はイ
オン化されたベリリウム蒸気10をイオンビーム9とし
て引き出す引き出し電極である。
2図と同一符号は同−又は相当部分を示し、13はイオ
ン化させるべき物質12を収容するオーブン、13aは
上記オーブン13の外周に設けられたヒータ、14はイ
オン化されたベリリウム蒸気10をイオンビーム9とし
て引き出す引き出し電極である。
次に動作について説明する。
オーブン13内にイオン化させる物質であるベリリウム
12を入れ、ヒータ13aによりオーブン13を加熱す
ると上記へリリウム12が溶融。
12を入れ、ヒータ13aによりオーブン13を加熱す
ると上記へリリウム12が溶融。
気化してベリリウム蒸気10が発生し、該蒸気10はガ
ス導入孔1aを通って容器1内に導入される。そして誘
導コイル1GによりRF放電が発生し、また同時に33
21人、 6449人のレーザビームB3、B5が窓3
aを介して、また1、46μのレーザビームB4が窓3
bを介して上記容器1内に導入され、さらに電極5.6
に電圧が印加されてパルス電界が発生し4、これにより
蒸気10は基底状態2s(Is)から励起状態2p (
3PO)、3s(3S)、3p (3PO)を経てリュ
ードベルグ状態12d(3D)に階段状に励起され、さ
らに該リュードヘルグ状態12d(3D)にあるベリリ
ウム蒸気10の電子が自由電子となり、これによりイオ
ン生成空間4にベリリウムイオンが生成され、該ベリリ
ウムイオンは引き出し電極14によってイオンビーム9
として放出される。
ス導入孔1aを通って容器1内に導入される。そして誘
導コイル1GによりRF放電が発生し、また同時に33
21人、 6449人のレーザビームB3、B5が窓3
aを介して、また1、46μのレーザビームB4が窓3
bを介して上記容器1内に導入され、さらに電極5.6
に電圧が印加されてパルス電界が発生し4、これにより
蒸気10は基底状態2s(Is)から励起状態2p (
3PO)、3s(3S)、3p (3PO)を経てリュ
ードベルグ状態12d(3D)に階段状に励起され、さ
らに該リュードヘルグ状態12d(3D)にあるベリリ
ウム蒸気10の電子が自由電子となり、これによりイオ
ン生成空間4にベリリウムイオンが生成され、該ベリリ
ウムイオンは引き出し電極14によってイオンビーム9
として放出される。
第4図は本発明の第3の実施例によるイオンビーム発生
装置におけるレーザ発振装置の構成例である。
装置におけるレーザ発振装置の構成例である。
本発明におけるイオン生成のためのレーザビ−ム、電界
及びRF放電は時間的に同期されるためには複数の各々
特定周波数のレーザビームが必要であり、該複数のレー
ザビームももちろん同期させる必要がある訳であるが、
第4図はその同期方法の一例を示すものである。
及びRF放電は時間的に同期されるためには複数の各々
特定周波数のレーザビームが必要であり、該複数のレー
ザビームももちろん同期させる必要がある訳であるが、
第4図はその同期方法の一例を示すものである。
本レーザ発振装置20は、3台の波長の異なるレーザ2
2,23.24と、該各レーザ22〜24にレーザ発振
のトリガとなる電気信号パルスを与える1台のトリガ発
生器21とから構成されている。このように各レーザ2
2〜24を1台のトリガ発生器21からのトリガパルス
によって発振させるように構成したことにより、発振す
るレーザビームω1.ω2.ω3は時間的に同期された
ものとなる。そして上記トリガ発生器21のパルスの発
生と、上記電極5.6及び誘導コイル16への電圧印加
を同時に行なうことにより、レーザビームと電界及びR
F放電とを時間的に同期できることとなる。
2,23.24と、該各レーザ22〜24にレーザ発振
のトリガとなる電気信号パルスを与える1台のトリガ発
生器21とから構成されている。このように各レーザ2
2〜24を1台のトリガ発生器21からのトリガパルス
によって発振させるように構成したことにより、発振す
るレーザビームω1.ω2.ω3は時間的に同期された
ものとなる。そして上記トリガ発生器21のパルスの発
生と、上記電極5.6及び誘導コイル16への電圧印加
を同時に行なうことにより、レーザビームと電界及びR
F放電とを時間的に同期できることとなる。
第5図は本発明の第4の実施例によるイオンビーム発生
装置のレーザ発振装置の構成例であり、図において、2
5〜27は固体し〜ザのレーザヘッド、28はフラッシ
ュランプ電源、29はQスイッチのボッケルセル電源で
あり、該両型源28゜29は各レーザ25〜27をトリ
ガするトリガ手段30となっている。この実施例では、
各レーザヘッド25〜27が上記1組の電源28.29
を共用しているので、発振するレーザビームω1〜ω3
は時間的に同期されたものとなる。
装置のレーザ発振装置の構成例であり、図において、2
5〜27は固体し〜ザのレーザヘッド、28はフラッシ
ュランプ電源、29はQスイッチのボッケルセル電源で
あり、該両型源28゜29は各レーザ25〜27をトリ
ガするトリガ手段30となっている。この実施例では、
各レーザヘッド25〜27が上記1組の電源28.29
を共用しているので、発振するレーザビームω1〜ω3
は時間的に同期されたものとなる。
このように、本発明に係るイオンビーム発生装置によれ
ば、イオン化されるべき物質をガス放電によりその比較
的下位の励起状態に励起し、レーザビームの照射により
該励起状態からりュードベルグ状態に共鳴光励起し、さ
らに上記物質を電界印加により該励起状態からイオン状
態にするようにしたので、イオン化効率及びイオンの選
択性を大きく向上できる効果がある。
ば、イオン化されるべき物質をガス放電によりその比較
的下位の励起状態に励起し、レーザビームの照射により
該励起状態からりュードベルグ状態に共鳴光励起し、さ
らに上記物質を電界印加により該励起状態からイオン状
態にするようにしたので、イオン化効率及びイオンの選
択性を大きく向上できる効果がある。
第1図はベリリウム中性原子のシングレット系のエネル
ギ状態図、第2図は本発明の第1の実施例によるシャワ
ー型イオンビーム発生装置の概略構成図、第3図は本発
明の第2の実施例による集束型イオンビーム発生装置の
概略構成図、第4図は本発明の第3の実施例によるイオ
ンビーム発生装置ル−ザビーム発生部のブロツク図、第
5図は本発明の第4の実施例によるイオンビーム発生装
置のレーザビーム発生部のブロツク図である。 1.13・・・容器、15・・・電界発生部、16・・
・ガス放電発生部、20・・・レーザビーム発生部、2
2〜27・・・レーザ、B1〜B5・・・レーザビーム
。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 ++++2彎〜Lす+I)イうt−ぐ律「呵〜I、町V
争メ〜−−−−デー央噌イhml師−v−1もtつ物−
一慢−41−−1−鴫一第3図
ギ状態図、第2図は本発明の第1の実施例によるシャワ
ー型イオンビーム発生装置の概略構成図、第3図は本発
明の第2の実施例による集束型イオンビーム発生装置の
概略構成図、第4図は本発明の第3の実施例によるイオ
ンビーム発生装置ル−ザビーム発生部のブロツク図、第
5図は本発明の第4の実施例によるイオンビーム発生装
置のレーザビーム発生部のブロツク図である。 1.13・・・容器、15・・・電界発生部、16・・
・ガス放電発生部、20・・・レーザビーム発生部、2
2〜27・・・レーザ、B1〜B5・・・レーザビーム
。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 ++++2彎〜Lす+I)イうt−ぐ律「呵〜I、町V
争メ〜−−−−デー央噌イhml師−v−1もtつ物−
一慢−41−−1−鴫一第3図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (11−fオン化されるべき物質を収容する容器と、該
容器内の上記物質にレーザビームを照射するレーザビー
ム発生部と、上記容器内の上記物質に電界を印加する電
界発生部と、上記容器内の上記物質雰囲気中でガス放電
を発生するガス放電発生部とを備え、上記物質のイオン
ビームを発生する装置において、上記ガス放電発生部は
ガス放電により上記物質をエネルギ準位の基底状態から
比較的下位の励起状態に励起するものであり、上記レー
ザビーム発生部はレーザ発振のトリガとなる電気信号を
発生するトリガ手段と、上記物質を上記比較的下位の励
起状態からりュードベルグ状態に共鳴光励起するような
波長を有するレーザビームを発生するレーザとからなる
ものであり、上記電界発生部は上記物質をシュタルク効
果によりリュードベルグ状態からイオン状態とする電界
を発生ずるものであることを特徴とするイオンビーム発
生装置。 (2)上記レーザビーム発生部は、上記物質を上記比較
的下位の励起状態から中間状態を経て上記リュードベル
グ状態に階段状に共鳴励起するような波長の異なる複数
のレーザビームを発生するものであることを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載のイオンビーム発生装置。 (3) 上記レーザビーム発生部のレーザとして、エキ
シマ、窒素等の気体レーザ又は該気体レーザからの高調
波によって励起される色素レーザのいずれか一方又は両
方を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第1項又は
第2項記載のイオンビーム発生装置。 (4)上記レーザビーム発生部のレーザとして、波長可
変レーザを用いたことを特徴とする特許請求の範囲第1
項又は第2項記載のイオンビーム発生装置。 (5) 上記レーザビーム発生部のレーザとして、色素
レーザを用いたことを特徴とする特許請求の範囲第1項
又は第2項記載のイオンビーム発生装置。 (6)上記レーザビーム発生部のレーザとして、アレキ
サンドライトレーザ等の固体レーザ又は該固体レーザか
らの高調波によって励起される色素レーザのいずれか一
方又は両方を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第
1項又は第2項記載のイオンビーム発生装置。 (7) 上記レーザビーム発生部のレーザとして、自由
電子レーザを用いたことを特徴とする特許請求の範囲第
1項又は第2項記載のイオンビーム発生装置。 (8)上記比較的下位の励起状態が準安定状態であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第7項のい
ずれかに記載のイオンビーム発生装置。 (9)上記電界発生部のシュタルク効果によりイオン化
させる電界がイオンをビームとして引き出す引き出し電
界を兼ねていることを特徴とする特許請求の範囲第1項
ないし第8項のいずれかに記載のイオンビーム発生装置
。 Ql 上記ガス放電発生部は、高周波(RF)放電を発
生せしめるものであることを特徴とする特許請求の範囲
第1項ないし第9項のいずれかに記載のイオンビーム発
生装置。 (11)上記物質は、化合物又は分子状態のガスとして
上記容器内に導入され、上記ガス放電は、上記容器内に
導入された物質を中性原子状態にするためのガス放電を
兼ねていることを特徴とする特許請求の範囲第1項ない
し第10項のいずれかに記載のイオンビーム発生装置。 (12)上記各レーザビーム、ガス放電、電界は、これ
らのうちの少なくこともいずれか2つの位相が時間的に
同期できるものであることを特徴とする特許請求の範囲
第1項ないし第11項のいずれかに記載のイオンビーム
発生装置。 (13)上記物質は、固体又は液体の物質を加熱気化し
て生成された蒸気として上記容器内に導入されることを
特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第12項のいず
れかに記載のイオンビーム発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59093490A JPS60235342A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | イオンビ−ム発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59093490A JPS60235342A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | イオンビ−ム発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60235342A true JPS60235342A (ja) | 1985-11-22 |
Family
ID=14083781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59093490A Pending JPS60235342A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | イオンビ−ム発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60235342A (ja) |
-
1984
- 1984-05-08 JP JP59093490A patent/JPS60235342A/ja active Pending
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