JPS60211757A - イオンビーム加工装置および表面加工方法 - Google Patents
イオンビーム加工装置および表面加工方法Info
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- JPS60211757A JPS60211757A JP59066741A JP6674184A JPS60211757A JP S60211757 A JPS60211757 A JP S60211757A JP 59066741 A JP59066741 A JP 59066741A JP 6674184 A JP6674184 A JP 6674184A JP S60211757 A JPS60211757 A JP S60211757A
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- secondary electron
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3005—Observing the objects or the point of impact on the object
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、イオン源から引出されたイオンを集束して得
られるイオンマイクロビームを走査して半導体基板上の
配線などのような加工試料の被加工部に直接照射するこ
とで配線の切断・接続などの加工を行なうイオンマイク
ロビーム加］二装置に関するもので、特に、この種の加
工作業における作業終了の確認の高精度化を図ったもの
である。
られるイオンマイクロビームを走査して半導体基板上の
配線などのような加工試料の被加工部に直接照射するこ
とで配線の切断・接続などの加工を行なうイオンマイク
ロビーム加］二装置に関するもので、特に、この種の加
工作業における作業終了の確認の高精度化を図ったもの
である。
最近、高電流密度のイオンマイクロビームを用いる微細
加工が試みられている。このマイクロビーム加工技術は
、将来の超ＬＳＩ素子を製造する上で必須の技術である
。
加工が試みられている。このマイクロビーム加工技術は
、将来の超ＬＳＩ素子を製造する上で必須の技術である
。
第１図は従来のイオンマイクロビーム加工装置を説明す
るための装置の基本摘成図である。イオン源１から引出
されたイオンを静電レンズ２で集束し、イオンマイクロ
ビーム３（以下ビーム３と略称する）を形成し、加工試
料４に照射する。５は偏向器で、ビーム３を加工試料４
」二で走査するためのものであり、走査電源６に接続さ
れている。
るための装置の基本摘成図である。イオン源１から引出
されたイオンを静電レンズ２で集束し、イオンマイクロ
ビーム３（以下ビーム３と略称する）を形成し、加工試
料４に照射する。５は偏向器で、ビーム３を加工試料４
」二で走査するためのものであり、走査電源６に接続さ
れている。
ビーム３の照射により加工試料４からは二次電子ｅが放
出され、二次電子検出器７で検出される。
出され、二次電子検出器７で検出される。
なお、破線で示した１０は真空容器である。二次電子像
観察部８内のＣＲＴ （陰極線管）では、走査電源６と
同期したビーム走査（Ｘ軸及びｙ軸）を行ない、二次電
子検出器７からの二次電子強度に対応した信号をＣＲＴ
の輝度変調（２軸）に入力することにより、加工試料４
のビーム走査面上の二次電子像がｍ察さ九、これを利用
して加工試料４の加工領域を設定している。加工作業が
終了すれば、その加工領域の試料原子が取り除かれるこ
とから、そこに凹みができ、下地の試料が表面に出てく
るため、そこの領域の二次電子強度が加工作業前と異な
ってくる。この変化をモニタすることにより、加工作業
の終了を確認していた。
観察部８内のＣＲＴ （陰極線管）では、走査電源６と
同期したビーム走査（Ｘ軸及びｙ軸）を行ない、二次電
子検出器７からの二次電子強度に対応した信号をＣＲＴ
の輝度変調（２軸）に入力することにより、加工試料４
のビーム走査面上の二次電子像がｍ察さ九、これを利用
して加工試料４の加工領域を設定している。加工作業が
終了すれば、その加工領域の試料原子が取り除かれるこ
とから、そこに凹みができ、下地の試料が表面に出てく
るため、そこの領域の二次電子強度が加工作業前と異な
ってくる。この変化をモニタすることにより、加工作業
の終了を確認していた。
しかしながら、上述した従来の加工装置では。
二次電子強度の変化を加工終了のモニタに用いているた
め２例えば配線パターンの切断加工などの場合、二次電
子強度変化の加工終了指示は、必ずしも配線パターンの
電気的切断の加工終了指示とは一致しない場合がしばし
ば生じるという不都合があった。主な原因は、加工の場
所による不均一性や、ビーム照射により一度取り除かれ
た試料原子の再付着によるものである。
め２例えば配線パターンの切断加工などの場合、二次電
子強度変化の加工終了指示は、必ずしも配線パターンの
電気的切断の加工終了指示とは一致しない場合がしばし
ば生じるという不都合があった。主な原因は、加工の場
所による不均一性や、ビーム照射により一度取り除かれ
た試料原子の再付着によるものである。
本発明の目的は、従来技術での上記した不都合を除去し
、その加工作業の終了を制度よくモニタすることのでき
るイオンマイクロビーム加工装置を提供することにある
。
、その加工作業の終了を制度よくモニタすることのでき
るイオンマイクロビーム加工装置を提供することにある
。
上記目的を達成するために本発明においては。
イオン源から引出されたイオンを集束して得られるイオ
ンマイクロビームを走査して加工試料の被加工部に照射
して加工を行なうイオンマイクロビーム加工装置におい
て、ビーム照射により上記試料から放出される二次電子
を検出する二次電子検出器と試料との間に金属メツシュ
を配置し、上記試料の被加工部あるいは上記金属メツシ
ュの少なくとも一方が出力電圧可変の制御電源に接続さ
れている構成を採用し、これにより、上記電位を可変に
しながら二次電子信号をモニタすることで配線パターン
加工などの切断作業等の終了モニタを制度よく行なうこ
とを可能とするものである。本発明は、配線パターンな
どの切断作業のような加工ばかりでなく、配線パターン
の接続作業のような加工にも同様に適用できるものであ
る。
ンマイクロビームを走査して加工試料の被加工部に照射
して加工を行なうイオンマイクロビーム加工装置におい
て、ビーム照射により上記試料から放出される二次電子
を検出する二次電子検出器と試料との間に金属メツシュ
を配置し、上記試料の被加工部あるいは上記金属メツシ
ュの少なくとも一方が出力電圧可変の制御電源に接続さ
れている構成を採用し、これにより、上記電位を可変に
しながら二次電子信号をモニタすることで配線パターン
加工などの切断作業等の終了モニタを制度よく行なうこ
とを可能とするものである。本発明は、配線パターンな
どの切断作業のような加工ばかりでなく、配線パターン
の接続作業のような加工にも同様に適用できるものであ
る。
以下９本発明の一実施例を第２図により説明する。イオ
ン源１は輝度の高い液体金属イオン源であり、そこから
引出されたイオンは静電レンズ２により集束され、その
ビーム３が加工試料４に照射される。なお、マイクロビ
ーム加工装置としては、ビームをオン・オフ制御するた
めのブランキング電極がイオン光学系の途中に設けであ
るが。
ン源１は輝度の高い液体金属イオン源であり、そこから
引出されたイオンは静電レンズ２により集束され、その
ビーム３が加工試料４に照射される。なお、マイクロビ
ーム加工装置としては、ビームをオン・オフ制御するた
めのブランキング電極がイオン光学系の途中に設けであ
るが。
第２図では省略しである。
まず、配線パターンの切断作業を行なう場合について述
べる。第３図（ａ）は、加工試料４上の配線パターンを
その一部の位置ＰＰ’で切断してパターンをＡとＢに電
気的に切断する例である。
べる。第３図（ａ）は、加工試料４上の配線パターンを
その一部の位置ＰＰ’で切断してパターンをＡとＢに電
気的に切断する例である。
パターンは酸化シリコン（絶縁体）上に形成されたアル
ミニウム配線（導体）である。パターンＡ。
ミニウム配線（導体）である。パターンＡ。
Ｂはそれぞれ電位ＶＡＴ Ｖｅが与えられるように端子
１１，１．２に接続されている。端子１１は、制御電源
１３、電流計９を通して接地されている。端子１２は。
１１，１．２に接続されている。端子１１は、制御電源
１３、電流計９を通して接地されている。端子１２は。
制御抵抗１４．制御電源１３′、電流計９′を通して接
地されている。ただし、配線パターンＢの電位は、配線
パターンＡと継がっている場合はＶ八であり切断後はＶ
ａが印加されることになる。
地されている。ただし、配線パターンＢの電位は、配線
パターンＡと継がっている場合はＶ八であり切断後はＶ
ａが印加されることになる。
第２図に戻り加工試料４の上には半球面上の金属メツシ
ュ１５が設けられており、これには可変電位■□が制御
電源１６より与えられている。この電位Ｖｍを越える二
次電子ｅのみが金属メツシュ１５を通過でき二次電子検
出器７で検出される。二次電子検出器７の出力を二次電
子像観察部８のＣＲＴの輝度変調に用い、ＣＲＴのビー
ム偏向はビーム３の走査と同期して行なわれる。
ュ１５が設けられており、これには可変電位■□が制御
電源１６より与えられている。この電位Ｖｍを越える二
次電子ｅのみが金属メツシュ１５を通過でき二次電子検
出器７で検出される。二次電子検出器７の出力を二次電
子像観察部８のＣＲＴの輝度変調に用い、ＣＲＴのビー
ム偏向はビーム３の走査と同期して行なわれる。
第３図（ｂ）は、第３図（ａ）の配線パターン部からの
二次電子像である。ビーム走査によるＰＰ’位置での切
断作業の途中においても時々。
二次電子像である。ビーム走査によるＰＰ’位置での切
断作業の途中においても時々。
全面ビーム走査して第３図（ｂ）のような二次電子像を
観察して切断作業が終了しているか否かを判断するもの
である。つまり、二次電子の試料からの放出時の運動エ
ネルギーは１０ｅＶ以下のものが大部分であるためＩＶ
Ａ−Ｖ□＞ＩＯＶの時は、配線パターンＡからの二次電
子の大部分は金属メッシュ１５を通過できないため、二
次電子像ａｍはできない。逆に、制御電源１３あるいは
１６のいずれか一方、または両方、を制御することによ
り、ＶＡあるいは■□を変化させてＶ Ａ Ｖ ｍ ＜
１０ Ｖとすることにより配線パターンＡを二次電子
像観測ができる。切断作業の途中では配線パターンＡと
Ｂは電気的に継がっており９両パターンとも二次電子像
観測におけるＶＡやＶｍの制御に対する変化は同じであ
る。
観察して切断作業が終了しているか否かを判断するもの
である。つまり、二次電子の試料からの放出時の運動エ
ネルギーは１０ｅＶ以下のものが大部分であるためＩＶ
Ａ−Ｖ□＞ＩＯＶの時は、配線パターンＡからの二次電
子の大部分は金属メッシュ１５を通過できないため、二
次電子像ａｍはできない。逆に、制御電源１３あるいは
１６のいずれか一方、または両方、を制御することによ
り、ＶＡあるいは■□を変化させてＶ Ａ Ｖ ｍ ＜
１０ Ｖとすることにより配線パターンＡを二次電子
像観測ができる。切断作業の途中では配線パターンＡと
Ｂは電気的に継がっており９両パターンとも二次電子像
観測におけるＶＡやＶｍの制御に対する変化は同じであ
る。
しかし、切断作業が終了した時点からは、配線パターン
Ｂの電位がＡの電位ＶＡと異なるため。
Ｂの電位がＡの電位ＶＡと異なるため。
二次電子像観測における変化は異なる。即ち、いま、パ
ターンＢが制御電源１３’ に接続されていない場合を
考えると、切断作業が終了した直後から。
ターンＢが制御電源１３’ に接続されていない場合を
考えると、切断作業が終了した直後から。
チャージアップのため、パターンＡは見えるがパターン
Ｂは見えなくなる。こうして、切断作業の終了を高精度
に検知できることになる。さらに。
Ｂは見えなくなる。こうして、切断作業の終了を高精度
に検知できることになる。さらに。
制御電源１３′ を用い、パターンＢの電位ＶＢを変化
させることにより、パターンＡとＢが電気的に接続して
いるか否かが再確認でき、切断作業終了の判断が、さら
に高精度に行なえるようになる。
させることにより、パターンＡとＢが電気的に接続して
いるか否かが再確認でき、切断作業終了の判断が、さら
に高精度に行なえるようになる。
第３図（ａ）では２つの制御電源１３．１．３’ を設
けるとしであるが９以上の説明から判るように。
けるとしであるが９以上の説明から判るように。
１３あるいは１３’のいずれか一方の制御電源を設けれ
ば本発明を実現することは可能であり、さらに。
ば本発明を実現することは可能であり、さらに。
第２図における２つの制御電源１．３．１．６は少なく
ともその一方が出力電圧可変の制御電源であれば良１、
）。
ともその一方が出力電圧可変の制御電源であれば良１、
）。
具体的な数値例を挙げる。イオン源としてＧａ液体金属
イオン源を用い、イオンマイクロビームは１６ｋｅＶ
Ｇ ａ＋ビビーであり、ビーム径は０．５ｔＩｍ、電流
密度は０．３Ａ／ｃｄ、配線パターンは酸化シリコン上
のＡｌｌパターンで幅２ｐ、厚さ約０．２１Ｍである。
イオン源を用い、イオンマイクロビームは１６ｋｅＶ
Ｇ ａ＋ビビーであり、ビーム径は０．５ｔＩｍ、電流
密度は０．３Ａ／ｃｄ、配線パターンは酸化シリコン上
のＡｌｌパターンで幅２ｐ、厚さ約０．２１Ｍである。
上記の条件で、数十秒で切断作業が終了することが判っ
た。
た。
次に、配線パターンの切れている部分を接続する接続作
業の場合について述べる。試料は上記実施例と同じもの
である。ただし、パターンの切れている部分の幅は約２
岬である。本実施例においては、接続作業用のマイクロ
ビームとして３ ｋｅＶＧａ＋ビームを用い、ビーム径
は約２０１Ｍ、電流密度は約０．Ｏ］Ａ／Ｃｄである。
業の場合について述べる。試料は上記実施例と同じもの
である。ただし、パターンの切れている部分の幅は約２
岬である。本実施例においては、接続作業用のマイクロ
ビームとして３ ｋｅＶＧａ＋ビームを用い、ビーム径
は約２０１Ｍ、電流密度は約０．Ｏ］Ａ／Ｃｄである。
二次電子像観測には、 １０ｋｅＶ Ｇ ａ＋ビビー、
ビーム径約０．５−を用いた。両ビームはイオン源に印
加する電圧を切り替えるのみで容易に選択可能である。
ビーム径約０．５−を用いた。両ビームはイオン源に印
加する電圧を切り替えるのみで容易に選択可能である。
接続作業に要する時間は１〜２分であった。この接続作
業の場合は、配線パターンＡとＢが電気的に接続された
直後から。
業の場合は、配線パターンＡとＢが電気的に接続された
直後から。
二次電子像において両パターンは、ＶＡや■、の変化に
対して同じ振舞いを示すものである。
対して同じ振舞いを示すものである。
なお、上述の実施例ではイオン源としてＧａ液体金属イ
オン源を例に挙げて述べたが、電界電離型イオン源のよ
うな他のイオン源を用いてもよいことは言うまでもない
。また、液体金属イオン源を用いる場合にも、イオン化
すべき物質はＧａに限らず、用途に応じて種々の物質を
用いることができる。合金などのイオン化物質を用いる
場合は。
オン源を例に挙げて述べたが、電界電離型イオン源のよ
うな他のイオン源を用いてもよいことは言うまでもない
。また、液体金属イオン源を用いる場合にも、イオン化
すべき物質はＧａに限らず、用途に応じて種々の物質を
用いることができる。合金などのイオン化物質を用いる
場合は。
イオン光学系の途中に質量分析器を入れて所望のイオン
種のみを選択する構成とすることもできる。
種のみを選択する構成とすることもできる。
以上説明したように２本発明によれば、イオンマイクロ
ビーム加工において、加工作業終了の確認が高精度にで
きるようになり、その結果、半導体基板上の配線パター
ンの切断や接続などの加工の高精度化、高能率化が可能
となる。
ビーム加工において、加工作業終了の確認が高精度にで
きるようになり、その結果、半導体基板上の配線パター
ンの切断や接続などの加工の高精度化、高能率化が可能
となる。
第１図は従来装置の全体構成図、第２図は本発明の詳細
な説明用の全体構成図、第３図は本発明の動作及び効果
説明用の図で（ａ）は配線パターン部の概略図、（ｂ）
は（ａ）で示した配線パターン部の二次電子像を示す図
である。 〈符号の説明〉 １・・・イオン源 ２・・・静電レンズ３・・・イオン
マイクロビーム ４・・・加工試料 ５・・・偏向器 ６・・・走査電源 ７・・・二次電子検出器８・・・二
次電子像観察部 ９，９′・・・電流計１０・・・真空
容器 １３．１３’ 、 １６・・・制御電源１５・・
・金属メツシュ 代理人弁理士 中 村 純之助 第１頁の続き ＠発明者 円相 −１三 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８幡地 株式会社日立製作所
中央研究所内
な説明用の全体構成図、第３図は本発明の動作及び効果
説明用の図で（ａ）は配線パターン部の概略図、（ｂ）
は（ａ）で示した配線パターン部の二次電子像を示す図
である。 〈符号の説明〉 １・・・イオン源 ２・・・静電レンズ３・・・イオン
マイクロビーム ４・・・加工試料 ５・・・偏向器 ６・・・走査電源 ７・・・二次電子検出器８・・・二
次電子像観察部 ９，９′・・・電流計１０・・・真空
容器 １３．１３’ 、 １６・・・制御電源１５・・
・金属メツシュ 代理人弁理士 中 村 純之助 第１頁の続き ＠発明者 円相 −１三 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８幡地 株式会社日立製作所
中央研究所内
Claims (1)
- イオン源から引出されたイオンを集束して得られるイオ
ンマイクロビームを走査して加工試料の被加工部に照射
して加工を行なうイオンマイクロビーム加工装置におい
て、イオンマイクロビーム照射により」１記試料から放
出される二次電子を検出する二次電子検出器と試料との
間に金属メツシュを配置し、上記試料の被加工部あるい
は上記金属メツシュの少なくとも一方が出力電圧可変の
制御電源に接続されていることを特徴とするイオンマイ
クロビーム加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59066741A JPH0770299B2 (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | イオンビーム加工装置および表面加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59066741A JPH0770299B2 (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | イオンビーム加工装置および表面加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60211757A true JPS60211757A (ja) | 1985-10-24 |
| JPH0770299B2 JPH0770299B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=13324601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59066741A Expired - Lifetime JPH0770299B2 (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | イオンビーム加工装置および表面加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770299B2 (ja) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4999077A (ja) * | 1973-01-26 | 1974-09-19 | ||
| JPS52123163A (en) * | 1976-04-09 | 1977-10-17 | Hitachi Ltd | Reflection electron image observation unit for scanning type electroni c microscope |
| JPS5523454A (en) * | 1978-08-09 | 1980-02-19 | Yoshitoshi Nanba | Lead auger analyzer |
| JPS5550652A (en) * | 1978-09-19 | 1980-04-12 | Agency Of Ind Science & Technol | Composite element adjusting method by ion beam |
| JPS58106750A (ja) * | 1981-12-18 | 1983-06-25 | Toshiba Corp | フオ−カスイオンビ−ム加工方法 |
| JPS58106824A (ja) * | 1981-12-18 | 1983-06-25 | Toshiba Corp | フオ−カスイオンビ−ム加工方法 |
| JPS58164135A (ja) * | 1982-03-25 | 1983-09-29 | Agency Of Ind Science & Technol | 収束イオンビ−ムを用いた半導体加工装置 |
| JPS58202038A (ja) * | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | イオンビ−ム加工装置 |
-
1984
- 1984-04-05 JP JP59066741A patent/JPH0770299B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4999077A (ja) * | 1973-01-26 | 1974-09-19 | ||
| JPS52123163A (en) * | 1976-04-09 | 1977-10-17 | Hitachi Ltd | Reflection electron image observation unit for scanning type electroni c microscope |
| JPS5523454A (en) * | 1978-08-09 | 1980-02-19 | Yoshitoshi Nanba | Lead auger analyzer |
| JPS5550652A (en) * | 1978-09-19 | 1980-04-12 | Agency Of Ind Science & Technol | Composite element adjusting method by ion beam |
| JPS58106750A (ja) * | 1981-12-18 | 1983-06-25 | Toshiba Corp | フオ−カスイオンビ−ム加工方法 |
| JPS58106824A (ja) * | 1981-12-18 | 1983-06-25 | Toshiba Corp | フオ−カスイオンビ−ム加工方法 |
| JPS58164135A (ja) * | 1982-03-25 | 1983-09-29 | Agency Of Ind Science & Technol | 収束イオンビ−ムを用いた半導体加工装置 |
| JPS58202038A (ja) * | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | イオンビ−ム加工装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0770299B2 (ja) | 1995-07-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |