JPS58106824A - フオ−カスイオンビ−ム加工方法 - Google Patents
フオ−カスイオンビ−ム加工方法Info
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- JPS58106824A JPS58106824A JP56205017A JP20501781A JPS58106824A JP S58106824 A JPS58106824 A JP S58106824A JP 56205017 A JP56205017 A JP 56205017A JP 20501781 A JP20501781 A JP 20501781A JP S58106824 A JPS58106824 A JP S58106824A
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- Japan
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- ion beam
- ion
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- pattern
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、フォーカスイオンビームの照射により被加工
物へのイオン注入や被加工物のエツチング等を行うフォ
ーカスイオンビーム加工方法に関する。
物へのイオン注入や被加工物のエツチング等を行うフォ
ーカスイオンビーム加工方法に関する。
発明の技術的背景とその問題点
近時、イオンビームを用いた各種のリングラフィ技術が
注目されており、この技術は将来半導体製造プロセスを
根底から革新するものと予想されている。イオンビーム
リソグラフィを大別すると、レジストを用いるイオンビ
ーム・レノスト・リソグラフィとレジストを用いないイ
オンビーム喀レジストレス・リソグラフィとに分けられ
る。イオンビーム・レノスト・リングラフィは、通常被
加工物上にレジスト／４′ターンを形成し九のち、イオ
ンビームを一括照射する方法であり、電子ビーム、光或
いはＸ線にょろりソダラフィの代替技術として、近い将
来実用化されると考えられる。また、イオンビーム・レ
ジストレス・リソグラフィは、通常微細寸法のイオンビ
ームを被加工物上で走査する方法であり、従来の技術で
は代替できない新分野を切り開くものと考えられている
。
注目されており、この技術は将来半導体製造プロセスを
根底から革新するものと予想されている。イオンビーム
リソグラフィを大別すると、レジストを用いるイオンビ
ーム・レノスト・リソグラフィとレジストを用いないイ
オンビーム喀レジストレス・リソグラフィとに分けられ
る。イオンビーム・レノスト・リングラフィは、通常被
加工物上にレジスト／４′ターンを形成し九のち、イオ
ンビームを一括照射する方法であり、電子ビーム、光或
いはＸ線にょろりソダラフィの代替技術として、近い将
来実用化されると考えられる。また、イオンビーム・レ
ジストレス・リソグラフィは、通常微細寸法のイオンビ
ームを被加工物上で走査する方法であり、従来の技術で
は代替できない新分野を切り開くものと考えられている
。
しかしながら、この種の方法にあっては次のような問題
があつ九、すなわち、前記イオンビーム・レゾスト・リ
ソグラフィでは、レゾストをマスクとしてイオンビーム
を一括照射するため、被加工物の異なる部位でイオンの
照射量（注入イオン濃度）を変えることはできない、さ
らに、異なるイオン種の注入を行う勢のことも不可能で
あり九、一方、前記イオンビーム・レジストレス・リソ
グラフィで紘、エッチンダ中ソース・ドレインへのイオ
ン注入勢の加工を行う場合、天文学的加工時間が賛求さ
れる０例えば、輝ｊｌ Ｉ Ｘ １０’ （Ａ／ｄ ｓ
ｒ ） Ｏイオン源を用イ、ビーム径０．５ （７１１
１１１φ〕、収束牛頂角（ｍ ｒａｄ ）の条件下で４
インチウェハをエツチングするには、３００００分以上
もの時間を要する。さらに、同じ条件下で８１−ＭｏＢ
）ランジス声のソースφドレインを形成するには、３
０００分以上もの時間を要すると鴛う問題がありた。
があつ九、すなわち、前記イオンビーム・レゾスト・リ
ソグラフィでは、レゾストをマスクとしてイオンビーム
を一括照射するため、被加工物の異なる部位でイオンの
照射量（注入イオン濃度）を変えることはできない、さ
らに、異なるイオン種の注入を行う勢のことも不可能で
あり九、一方、前記イオンビーム・レジストレス・リソ
グラフィで紘、エッチンダ中ソース・ドレインへのイオ
ン注入勢の加工を行う場合、天文学的加工時間が賛求さ
れる０例えば、輝ｊｌ Ｉ Ｘ １０’ （Ａ／ｄ ｓ
ｒ ） Ｏイオン源を用イ、ビーム径０．５ （７１１
１１１φ〕、収束牛頂角（ｍ ｒａｄ ）の条件下で４
インチウェハをエツチングするには、３００００分以上
もの時間を要する。さらに、同じ条件下で８１−ＭｏＢ
）ランジス声のソースφドレインを形成するには、３
０００分以上もの時間を要すると鴛う問題がありた。
発明の目的
本発明の目的は、上述した従来方法Ｏ問題点を解決し、
イオンビームを用いて各種の加工を行うに際し加工時間
の大幅な短縮化をはかシ得て、かつ被加工物の異なる部
位でのイオン照射量および照射イオン種を容易に変える
ことのできるフォーカスイオンビーム加工方法を提供す
ることにある。
イオンビームを用いて各種の加工を行うに際し加工時間
の大幅な短縮化をはかシ得て、かつ被加工物の異なる部
位でのイオン照射量および照射イオン種を容易に変える
ことのできるフォーカスイオンビーム加工方法を提供す
ることにある。
発明の概要
本発明は、被加工物上にイオンビーム耐性のｈｈｖシス
トを塗布し九のち、光、Ｘ線或いは電子Ｃ−ムを用いて
上記レジストを所望パターンに露光し、次いで上記レジ
ストを現像してレジスト／４ターンを形成し、しかるの
ち上記レゾストΔｐ＝ｙをなぞるように該パターンの線
幅よ）大きな直＠０フォーカスイオンビームを走査する
ようにし友方法である。
トを塗布し九のち、光、Ｘ線或いは電子Ｃ−ムを用いて
上記レジストを所望パターンに露光し、次いで上記レジ
ストを現像してレジスト／４ターンを形成し、しかるの
ち上記レゾストΔｐ＝ｙをなぞるように該パターンの線
幅よ）大きな直＠０フォーカスイオンビームを走査する
ようにし友方法である。
発明の効果
本発明によれは、レジストをマスクとしてレノストパタ
ーンの線幅より大色な直径のイオンビームを皺／母ター
ン上で走査しているので、イオンビームの直径を通常の
直接描画におけるフォーカスイオンビームの直径よりも
大幅に大きくすることができる。このため、ビーム電流
を大きくすることがてき、前述したイオンビーム・レジ
ストレス・リングラフィに比してエツチングやイオン注
入等の際の所要時間を大幅に短縮化することができる。
ーンの線幅より大色な直径のイオンビームを皺／母ター
ン上で走査しているので、イオンビームの直径を通常の
直接描画におけるフォーカスイオンビームの直径よりも
大幅に大きくすることができる。このため、ビーム電流
を大きくすることがてき、前述したイオンビーム・レジ
ストレス・リングラフィに比してエツチングやイオン注
入等の際の所要時間を大幅に短縮化することができる。
つｔシ、スルーグツトの向上をはかシ得る。また、イオ
ンビームな一括照射するのではないため、前述したイオ
ンビーム・レジスト・リソグラフィのように被加工物の
異なる部位でイオン照射量や照射イオン種な可変できな
い等の不都合を避けることがで自る。
ンビームな一括照射するのではないため、前述したイオ
ンビーム・レジスト・リソグラフィのように被加工物の
異なる部位でイオン照射量や照射イオン種な可変できな
い等の不都合を避けることがで自る。
発明の実施例
菖１図線本発明の一実施例方法に使用したフォーオスイ
オンビーム照射装置を示す概略構成図である１図中１ｘ
ｆｉ、液体金属を保持すると共に加熱するためのタング
ステ／フィラメント、Ｊｊ／Ｉｉ液体共晶合金（８１１
−Ａｓ、 ６８１ｇ−ａｍ。
オンビーム照射装置を示す概略構成図である１図中１ｘ
ｆｉ、液体金属を保持すると共に加熱するためのタング
ステ／フィラメント、Ｊｊ／Ｉｉ液体共晶合金（８１１
−Ａｓ、 ６８１ｇ−ａｍ。
！４１１−１’ｋ）、１ ａｄｚｅ ｖｌｆｗプ、１４
Ｆｉ、ｒリッド電極、１ｓはイオン引出電極であり、こ
れらから微細寸法イオンビームを発射するイオン銃が形
成されている。１６はイオンビームを０Ｎ−ＯＦＦする
九めのブランキング電極、１ｒはブランキング用アパー
チャマスク、Ｊ＃Ｆｉイオンビームを収束する良めのア
インツエル臘の静電レンズ（コンデンサレンズ）、ｚｓ
’ａウィーンフィルＪ１０質量分析器、２０はイオンを
選択する九めＯイオン選択用アパーチャマスク、２１は
イオンビームを試料面上で走査する良めの偏向器、１１
はアインツエル履の静電レンズ（対物リンＪｅ）である
、！、１ｄ８１ウェーハ岬の試料、２４は試料ＩＪを固
定保持する試料台、２６は試料台１４を移動駆動する駆
動彎−タ、ｊｌｉｊ試料台試料台１霞０ る＊ｊＦＵレジストレージｌンのために用いられる反射
イオｙ検出器、２８は２次イオン分析器、Ｚ＊、ＳＯは
それぞれ反射イオン検出器２１シよび２次イオン分析器
２８０舎検出信号をデジタル信号に変換するに１変換器
である。１１祉各種制御を行うえめＯ計算器、ｚｘＢイ
ンタフェースである。１良、ＪｚＢフィラメン）１１の
加熱層電源、Ｊ４はイオン銃の高圧電源、１５祉バイア
ス電圧発生回路、ｓｇはイオン引出電＠１１１０高圧電
源、ｓｒはパターン信号発生回路である。３１はコンデ
ンサレンズ１８の高圧電源、１＃は質量分析器１ｇの電
場および磁場を生成する九めＯ電源、４０は偏向器２１
の偏向用電源、４１は対物レンズ２２の高圧電源である
。
Ｆｉ、ｒリッド電極、１ｓはイオン引出電極であり、こ
れらから微細寸法イオンビームを発射するイオン銃が形
成されている。１６はイオンビームを０Ｎ−ＯＦＦする
九めのブランキング電極、１ｒはブランキング用アパー
チャマスク、Ｊ＃Ｆｉイオンビームを収束する良めのア
インツエル臘の静電レンズ（コンデンサレンズ）、ｚｓ
’ａウィーンフィルＪ１０質量分析器、２０はイオンを
選択する九めＯイオン選択用アパーチャマスク、２１は
イオンビームを試料面上で走査する良めの偏向器、１１
はアインツエル履の静電レンズ（対物リンＪｅ）である
、！、１ｄ８１ウェーハ岬の試料、２４は試料ＩＪを固
定保持する試料台、２６は試料台１４を移動駆動する駆
動彎−タ、ｊｌｉｊ試料台試料台１霞０ る＊ｊＦＵレジストレージｌンのために用いられる反射
イオｙ検出器、２８は２次イオン分析器、Ｚ＊、ＳＯは
それぞれ反射イオン検出器２１シよび２次イオン分析器
２８０舎検出信号をデジタル信号に変換するに１変換器
である。１１祉各種制御を行うえめＯ計算器、ｚｘＢイ
ンタフェースである。１良、ＪｚＢフィラメン）１１の
加熱層電源、Ｊ４はイオン銃の高圧電源、１５祉バイア
ス電圧発生回路、ｓｇはイオン引出電＠１１１０高圧電
源、ｓｒはパターン信号発生回路である。３１はコンデ
ンサレンズ１８の高圧電源、１＃は質量分析器１ｇの電
場および磁場を生成する九めＯ電源、４０は偏向器２１
の偏向用電源、４１は対物レンズ２２の高圧電源である
。
このような構成のフォーカスイオンビーム照射装置の動
作は周知の電子ビーム描ｍ装置と略同様であるので、そ
の詳しい説明は省略する。
作は周知の電子ビーム描ｍ装置と略同様であるので、そ
の詳しい説明は省略する。
前記電子銃から発射され九イオンはムｓ” 、 ａｍ”
およびｐＨＩ 勢を含む豪合イオンである。これから
質量分析器１９と選択用ア／ｆ−チャマスク２０とによ
り所定のイオ／、例えはムｔのみを選択することによシ
、試料ｊＪＫムーイオンビームが照射されることＫなる
。そして、仁のイオンビームは試料１３上でブランキン
グし九ヵ所定方向に走査することが可能である。なお、
イオンビームＯＩ［径線１〜１０（μｍφ〕の範囲で可
変できるものとし良。
およびｐＨＩ 勢を含む豪合イオンである。これから
質量分析器１９と選択用ア／ｆ−チャマスク２０とによ
り所定のイオ／、例えはムｔのみを選択することによシ
、試料ｊＪＫムーイオンビームが照射されることＫなる
。そして、仁のイオンビームは試料１３上でブランキン
グし九ヵ所定方向に走査することが可能である。なお、
イオンビームＯＩ［径線１〜１０（μｍφ〕の範囲で可
変できるものとし良。
次に、上述したフォーカスイオンビーム照射装置を使用
し、本発明を酸化膜の微細加エエ棚に適用した例につい
て説明する。ｔず、第２図（１）Ｋ示す如＜８Ｓウエー
ハ４１上に熱酸化膜４２を堆積し、さらに熱酸化膜４２
上にイオンビーム耐性のある′耐イオンビームレジスト
４３、例えばＰＭＭＡ（ＩＩ！リメチルメメクリレート
）を塗布し九、１＆お、図中４４は基準マークを示して
いゐ、しかるのち、周知の電子ビーム露光装置を用いル
ジスト４Ｊを所望パターンに露光し、続−てしＶスト４
３を現像して第−ＩＩ （ｍｓ） Ｋ示す如くレジスト
パターン４Ｊを形成し良。
し、本発明を酸化膜の微細加エエ棚に適用した例につい
て説明する。ｔず、第２図（１）Ｋ示す如＜８Ｓウエー
ハ４１上に熱酸化膜４２を堆積し、さらに熱酸化膜４２
上にイオンビーム耐性のある′耐イオンビームレジスト
４３、例えばＰＭＭＡ（ＩＩ！リメチルメメクリレート
）を塗布し九、１＆お、図中４４は基準マークを示して
いゐ、しかるのち、周知の電子ビーム露光装置を用いル
ジスト４Ｊを所望パターンに露光し、続−てしＶスト４
３を現像して第−ＩＩ （ｍｓ） Ｋ示す如くレジスト
パターン４Ｊを形成し良。
次−で、前述し良フォーカスイオンビーム照射装置を７
１ ’ｒ” ｓそのビーム直径を前記レジスト／９ター
ン４Ｉの最大線幅よ〕僅かに大きく設定すると共に、ビ
ームのレジストレージ冒ンを行つ友のち、レジスト／９
ターン４Ｊをなぞるようにイオンビーム（図中夷纏矢印
Ｘで示す）を走査した。これにより、第２図（＠）に示
す如く熱酸化膜４２の前記レゾスト４１で扱われて−な
い部分のみが工、チンダされ良、そして、このときの工
、チン！精度は、レジストノぐターンＫｊしく一致し高
精度なものであり九、なお、上記酸化膜４２の工、チン
ダに用−るイオン種はムｒ＋が最適でＴｏ−）え、ま九
、イオンビームの直径は前記レジストパターン４５に依
存し、通常は最大パターン寸法より大きく、隣接するパ
ターンにイオンビームが照射されなｉ条件から求められ
る。
１ ’ｒ” ｓそのビーム直径を前記レジスト／９ター
ン４Ｉの最大線幅よ〕僅かに大きく設定すると共に、ビ
ームのレジストレージ冒ンを行つ友のち、レジスト／９
ターン４Ｊをなぞるようにイオンビーム（図中夷纏矢印
Ｘで示す）を走査した。これにより、第２図（＠）に示
す如く熱酸化膜４２の前記レゾスト４１で扱われて−な
い部分のみが工、チンダされ良、そして、このときの工
、チン！精度は、レジストノぐターンＫｊしく一致し高
精度なものであり九、なお、上記酸化膜４２の工、チン
ダに用−るイオン種はムｒ＋が最適でＴｏ−）え、ま九
、イオンビームの直径は前記レジストパターン４５に依
存し、通常は最大パターン寸法より大きく、隣接するパ
ターンにイオンビームが照射されなｉ条件から求められ
る。
かくして本実施ガ方法によれは、イオンビームの直径を
レジスト／９ターン４５の締輪１０ （Ｉａｍ）程度ま
で大きくする仁とが可能となる。 １０（ｓｍφ〕のフ
ォーカスイオンビームのビーム電流は、通常の直接描画
で用いられるフォーカスイオンビームのそれより数１０
０倍以上も大きくすることかで龜、さらに収差を考慮す
る必要もないので、１０００倍以上にもＶ−五強度を強
くすることがで龜る。し九がりて、４インチウェーハの
エッチシダＯ場合３０分、ソース・ドレイン形成Ｏ場会
３分程度の時間しか必賢としなくなシ、加工時間の大幅
な短縮化をはかｐ得た。なお、工、チンｒの場合、前記
２次イオン質量分析器ＸａＯ分析儒勺を実時間解析する
ことによりて、工、チン！終了を確認できることが判明
した。
レジスト／９ターン４５の締輪１０ （Ｉａｍ）程度ま
で大きくする仁とが可能となる。 １０（ｓｍφ〕のフ
ォーカスイオンビームのビーム電流は、通常の直接描画
で用いられるフォーカスイオンビームのそれより数１０
０倍以上も大きくすることかで龜、さらに収差を考慮す
る必要もないので、１０００倍以上にもＶ−五強度を強
くすることがで龜る。し九がりて、４インチウェーハの
エッチシダＯ場合３０分、ソース・ドレイン形成Ｏ場会
３分程度の時間しか必賢としなくなシ、加工時間の大幅
な短縮化をはかｐ得た。なお、工、チンｒの場合、前記
２次イオン質量分析器ＸａＯ分析儒勺を実時間解析する
ことによりて、工、チン！終了を確認できることが判明
した。
１１大、レジストを用いるＫも拘らずイオンビームを一
括照射するのではないので、８１クエーハＯＡなる部位
に異なるイオン種を注入することも可能である０例えに
１前記第２図（＠）に示す如く８１ウエーＡ４１のＩＥ
ＩＯ部位４６に鉱ム■”イオンを注入し、第２０部位４
７にはｒイオンを注入すｈ勢のことも容易に行い得る。
括照射するのではないので、８１クエーハＯＡなる部位
に異なるイオン種を注入することも可能である０例えに
１前記第２図（＠）に示す如く８１ウエーＡ４１のＩＥ
ＩＯ部位４６に鉱ム■”イオンを注入し、第２０部位４
７にはｒイオンを注入すｈ勢のことも容易に行い得る。
ｔた、本発−者勢０１１ＪＩＥＫよれは、イオン種６Ａ
＆る装置、例えｌｆ Ａｒ＋イオン用加工鋏置装１イオ
ｙｌｆＪ加工装置、Ｐ＋イオン用加工装置等Ｏ複数台の
装置を用いＬＩＩＩＯ試作を行りたとζろ、従来の７オ
ーカスイオンビーム加工法に比して２桁以上もスループ
、トが向上し良、これからも本爽施例方法がＬＩＩＩＯ
試作開発中カスタムＬＳＩの試作等に極めて有効である
ことが判明し九。
＆る装置、例えｌｆ Ａｒ＋イオン用加工鋏置装１イオ
ｙｌｆＪ加工装置、Ｐ＋イオン用加工装置等Ｏ複数台の
装置を用いＬＩＩＩＯ試作を行りたとζろ、従来の７オ
ーカスイオンビーム加工法に比して２桁以上もスループ
、トが向上し良、これからも本爽施例方法がＬＩＩＩＯ
試作開発中カスタムＬＳＩの試作等に極めて有効である
ことが判明し九。
なお、本発明は上述し九実施ガに限定されるものｔ″祉
な−。例えは、前記エツチングされる被加工層としては
、酸化膜に限るもＯてはなく、イオンビームの照射によ
りエツチングされるものであればよい、ｔた、本発明方
法に使用するフォーカスイオンビーム照射装置嬬前記嬉
１図に示した装置に＠定されるものではなく、仕様に応
じて適宜変形することができる。さらに、本発明祉エッ
テンダ中イオン注入０１１Ｉ！Ｋ、酸化膜形成、シリナ
イド属形成、金属膜形成および半導体膜形成等にも適用
で龜るのは勿論のことである。資するに本発ＩｊｌｉＦ
ｉ、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施す
ることがで亀る。
な−。例えは、前記エツチングされる被加工層としては
、酸化膜に限るもＯてはなく、イオンビームの照射によ
りエツチングされるものであればよい、ｔた、本発明方
法に使用するフォーカスイオンビーム照射装置嬬前記嬉
１図に示した装置に＠定されるものではなく、仕様に応
じて適宜変形することができる。さらに、本発明祉エッ
テンダ中イオン注入０１１Ｉ！Ｋ、酸化膜形成、シリナ
イド属形成、金属膜形成および半導体膜形成等にも適用
で龜るのは勿論のことである。資するに本発ＩｊｌｉＦ
ｉ、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施す
ることがで亀る。
第１ａｉｌｔｊ本発明の一実施例方法に使用したフォー
カスイオンビーム照射装置の一例を示す概略構成図、ｓ
２図（ａ）〜（＠）は上記実施例方法に係わる微細加工
工程を示す断面図である。 ４ Ｊ−１１１クエーハ、４２・・・熱酸化膜、４３・
・・レジスト、４４・−基準！−り、４５−・レジスト
−譬ターン。
カスイオンビーム照射装置の一例を示す概略構成図、ｓ
２図（ａ）〜（＠）は上記実施例方法に係わる微細加工
工程を示す断面図である。 ４ Ｊ−１１１クエーハ、４２・・・熱酸化膜、４３・
・・レジスト、４４・−基準！−り、４５−・レジスト
−譬ターン。
Claims (2)
- （１） 被加工物上にイオンビーム耐性のあるレジス
トを塗布したのち、光、Ｘ線或いは電子ビームを用いた
りソダラフイにより上記レジストに所望のレジス） ｉ
４ターンを形成し、しかるのち上記レジストノ母ターン
に添わせて該パターンの線幅より大径のフォーカスイオ
ンビームを走査することを特徴とするフォーカスイオン
ビーム加工方法。 - （２） 前記フォーカスイオンビームの走査により、
前記被加工物にイオン注入、酸化層を形成、シリサイド
膜を形成、金属膜を形成或いは前記被加工物をエツチン
グすることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のフ
ォーカスイオンビーム加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56205017A JPS58106824A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | フオ−カスイオンビ−ム加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56205017A JPS58106824A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | フオ−カスイオンビ−ム加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58106824A true JPS58106824A (ja) | 1983-06-25 |
Family
ID=16500059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56205017A Pending JPS58106824A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | フオ−カスイオンビ−ム加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58106824A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6057931A (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-03 | Nec Corp | 集束イオンビ−ムを用いたイオン注入方法 |
| JPS60165718A (ja) * | 1984-02-08 | 1985-08-28 | Agency Of Ind Science & Technol | マスクレスイオン注入法におけるイオン光学系の構造 |
| JPS60211757A (ja) * | 1984-04-05 | 1985-10-24 | Hitachi Ltd | イオンビーム加工装置および表面加工方法 |
| JPS60243960A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-03 | Hitachi Ltd | イオンマイクロビ−ム装置 |
| JPS62112845U (ja) * | 1986-01-08 | 1987-07-18 |
-
1981
- 1981-12-18 JP JP56205017A patent/JPS58106824A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6057931A (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-03 | Nec Corp | 集束イオンビ−ムを用いたイオン注入方法 |
| JPS60165718A (ja) * | 1984-02-08 | 1985-08-28 | Agency Of Ind Science & Technol | マスクレスイオン注入法におけるイオン光学系の構造 |
| JPS60211757A (ja) * | 1984-04-05 | 1985-10-24 | Hitachi Ltd | イオンビーム加工装置および表面加工方法 |
| JPS60243960A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-03 | Hitachi Ltd | イオンマイクロビ−ム装置 |
| JPS62112845U (ja) * | 1986-01-08 | 1987-07-18 |
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