JPS60211882A - 光電変換装置およびその作製方法 - Google Patents
光電変換装置およびその作製方法Info
- Publication number
- JPS60211882A JPS60211882A JP59068329A JP6832984A JPS60211882A JP S60211882 A JPS60211882 A JP S60211882A JP 59068329 A JP59068329 A JP 59068329A JP 6832984 A JP6832984 A JP 6832984A JP S60211882 A JPS60211882 A JP S60211882A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- photoelectric conversion
- oxide
- semiconductor
- conductive film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
- H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、光照射により光起電力を発生ずるアモルフ
ァス半導体を含む非単結晶半導体を絶縁表面を有する基
様上に設けた光電変換素子（単に素子ともいう）を複数
個電気的に直列接続し、高い電圧を発生させる光電変換
装置において、第２の電極の側より光を照射する光電変
換装置およびその作製方法に関する。
ァス半導体を含む非単結晶半導体を絶縁表面を有する基
様上に設けた光電変換素子（単に素子ともいう）を複数
個電気的に直列接続し、高い電圧を発生させる光電変換
装置において、第２の電極の側より光を照射する光電変
換装置およびその作製方法に関する。
本発明の装置における素子の配置、大きさ、形状は設計
仕様によって決められる。しかし、本発明の内容を簡単
にするため、以下の詳細な説明においては、第１の素子
の下側（基板側）の第１の電極と、その右隣りに配置し
た第２の素子の第２の電極（半導体−ヒ即ち基板から離
れた側）とを電気的に直列接続させた場合を基として記
す。
仕様によって決められる。しかし、本発明の内容を簡単
にするため、以下の詳細な説明においては、第１の素子
の下側（基板側）の第１の電極と、その右隣りに配置し
た第２の素子の第２の電極（半導体−ヒ即ち基板から離
れた側）とを電気的に直列接続させた場合を基として記
す。
かかる構成において、第１の素子および第２の素子のそ
れぞれの第２の電極間を互いに分離するための第３の開
溝は、ＰまたはＮ型の非単結晶半導体層に密接して半導
体と金属との化合物（混合物）よりなる非酸化物透光性
導電膜（以下、単にＴＣＮＯという）、特に例えばクロ
ム・シリサイドを設け、該導電膜上に酸化スズまたは酸
化インジュームを主成分とする透光性導電膜（以下単に
ＴＣＯともいう）を積層して導体として構成セしめたこ
とを特徴とする。
れぞれの第２の電極間を互いに分離するための第３の開
溝は、ＰまたはＮ型の非単結晶半導体層に密接して半導
体と金属との化合物（混合物）よりなる非酸化物透光性
導電膜（以下、単にＴＣＮＯという）、特に例えばクロ
ム・シリサイドを設け、該導電膜上に酸化スズまたは酸
化インジュームを主成分とする透光性導電膜（以下単に
ＴＣＯともいう）を積層して導体として構成セしめたこ
とを特徴とする。
本発明は、半導体上に設けられた第２の電極用導体をレ
ーザ光を用いてスクライブせしめ、それぞれの電極に分
離形成せしめるものである。その際、１８００℃もの高
温のレーザ光の照射に対し、その下側の非単結晶半導体
特に水素化アモルファス半導体が多結晶化され、導電性
になってしまうことを防ぐため、昇華性を有し、かつ熱
伝導率が比鮫的小さいＴＣＯとその下に非酸化物透光性
導電膜（ＴＣＮＯ）とを積層し、かかる積層した導電膜
にＬＳを施すことにより第３の開溝下の半導体を除去す
ることなく初期状態のまま保持し、どの開溝部での半導
体のレーザアニールによる多結晶化、微結晶化を防いだ
ものである。
ーザ光を用いてスクライブせしめ、それぞれの電極に分
離形成せしめるものである。その際、１８００℃もの高
温のレーザ光の照射に対し、その下側の非単結晶半導体
特に水素化アモルファス半導体が多結晶化され、導電性
になってしまうことを防ぐため、昇華性を有し、かつ熱
伝導率が比鮫的小さいＴＣＯとその下に非酸化物透光性
導電膜（ＴＣＮＯ）とを積層し、かかる積層した導電膜
にＬＳを施すことにより第３の開溝下の半導体を除去す
ることなく初期状態のまま保持し、どの開溝部での半導
体のレーザアニールによる多結晶化、微結晶化を防いだ
ものである。
即ち、従来、単に光入射側の第２の電極としてＩＴＯ（
酸化インジュームを主成分とする透光性導電酸化膜）の
電子ビーム蒸着法が用いられていた。
酸化インジュームを主成分とする透光性導電酸化膜）の
電子ビーム蒸着法が用いられていた。
しかしＩＴＯは下地の非単結晶半導体の長期使用におい
て酸化反応をし続け、その境界に酸化珪素絶縁膜をバリ
アとして作製してしまう。これらのことより、第２の電
極の改良がめられていた。
て酸化反応をし続け、その境界に酸化珪素絶縁膜をバリ
アとして作製してしまう。これらのことより、第２の電
極の改良がめられていた。
加えてＣＴＯのみの電極においては、第３の開溝をＬＳ
で形成せんとした時、その下の半導体ばかりか、さらに
その下の第１の電極に対してもスクライブをして損傷を
与えてしまいやすく、結果として量産性を可能とする透
光性の第２の電極をマスクレス・プロセスで形成する方
法はこれまでまったく知られていなかった。
で形成せんとした時、その下の半導体ばかりか、さらに
その下の第１の電極に対してもスクライブをして損傷を
与えてしまいやすく、結果として量産性を可能とする透
光性の第２の電極をマスクレス・プロセスで形成する方
法はこれまでまったく知られていなかった。
本発明はかかる目的のため、マスクレスプロセス即ちＬ
Ｓにより開溝を作り得るクロムと半導体との反応による
非酸化物透光性導電膜である金属間化合物を形成させ、
半導体金属間の界面反応を防止し、加えてＬＳＯ際の半
導体およびその第１の電極への損傷を防いだものである
う 例えば非単結晶半導体上にクロムまた珪化クロムを１０
〜２００人の厚さに形成させた。さらに１００〜３００
℃代表的には２００℃の温度（３０分〜５時間）での熱
処理により下地珪素材料との反応を起こせしめ、熱的に
きわめて安定かつ緻密なりロム・シリサイド （Ｃｒ
約５％、・Ｓｉ 約９５％）を３０〜２００人の厚さで
構成し、きわめて安定なバッファ１−を構成させ得るこ
とが実験的に判明した。さらにＮまたはＰ型半導体層と
のオーム接触の抵抗も低くきわめて望ましいものであっ
た。
Ｓにより開溝を作り得るクロムと半導体との反応による
非酸化物透光性導電膜である金属間化合物を形成させ、
半導体金属間の界面反応を防止し、加えてＬＳＯ際の半
導体およびその第１の電極への損傷を防いだものである
う 例えば非単結晶半導体上にクロムまた珪化クロムを１０
〜２００人の厚さに形成させた。さらに１００〜３００
℃代表的には２００℃の温度（３０分〜５時間）での熱
処理により下地珪素材料との反応を起こせしめ、熱的に
きわめて安定かつ緻密なりロム・シリサイド （Ｃｒ
約５％、・Ｓｉ 約９５％）を３０〜２００人の厚さで
構成し、きわめて安定なバッファ１−を構成させ得るこ
とが実験的に判明した。さらにＮまたはＰ型半導体層と
のオーム接触の抵抗も低くきわめて望ましいものであっ
た。
さらに本発明はこの上面にＴＣＯを同じ電子ビーム蒸着
法またはスパッタ法とにより２００〜２０００人の厚さ
に積層したＴＣＮＯとＴＣＯとの２層構造の第２の電極
としたものである。即ち、ＴＣＮＯとＴＣＯとを同じ電
子ビーム蒸着法により作製し得ることは、その製造工程
でまったく余分の工程を用いず、大きな特長である。
法またはスパッタ法とにより２００〜２０００人の厚さ
に積層したＴＣＮＯとＴＣＯとの２層構造の第２の電極
としたものである。即ち、ＴＣＮＯとＴＣＯとを同じ電
子ビーム蒸着法により作製し得ることは、その製造工程
でまったく余分の工程を用いず、大きな特長である。
以下に図面に従って本発明の詳細を示す。
第１図は本発明の製造工程を示す縦断面図である。
図面において絶縁表面を有する基板（１）例えばステン
レス板（例えば厚さ２０〜１００ μ例えば５０μ、長
さ〔図面では左右方向） ６０ｃｍ、中２０ｃ＋ｎ＞＜
１６）を用いた。さらにこの上面に全面にわたってポリ
イミド樹脂等の耐熱性有機樹脂（１７）を形成させたも
のを基板（１）として用い、た。さらにこれらの絶縁表
面を有する基板上にスパック法によりクロムを主成分と
する被４％ （１４）を１００人の厚さにマグネトロン
スパッタ法により作製した。さらにその上面にＩＴＯを
１０５０人の厚さに（その上面の半導体がＮ型の場合）
または酸化スズ（１５）を１０５０人の厚さに（その上
の半導体がＰ型の場合）を形成させた。
レス板（例えば厚さ２０〜１００ μ例えば５０μ、長
さ〔図面では左右方向） ６０ｃｍ、中２０ｃ＋ｎ＞＜
１６）を用いた。さらにこの上面に全面にわたってポリ
イミド樹脂等の耐熱性有機樹脂（１７）を形成させたも
のを基板（１）として用い、た。さらにこれらの絶縁表
面を有する基板上にスパック法によりクロムを主成分と
する被４％ （１４）を１００人の厚さにマグネトロン
スパッタ法により作製した。さらにその上面にＩＴＯを
１０５０人の厚さに（その上面の半導体がＮ型の場合）
または酸化スズ（１５）を１０５０人の厚さに（その上
の半導体がＰ型の場合）を形成させた。
この後、ＷＡＧレーザ加工機（日本レーザ製 波長１．
０６μまたは０．５３μ）により平均出力０．１〜３Ｗ
（焦点距離４０ｍｍ）をＱスイッチをかけて加えて開ｍ
（１３）を形成した。このスポット径は２０〜７０μ
φ代表的には５０μφにマイクロコンピュータにより制
御した。かくして第１の電極用導体にこの照射レーザ光
を走査させて、スクライブラインである第１の開溝（１
３）を形成させ、各素子間領域（３１）、（１１’）に
第１の電極（２）を作製した。
０６μまたは０．５３μ）により平均出力０．１〜３Ｗ
（焦点距離４０ｍｍ）をＱスイッチをかけて加えて開ｍ
（１３）を形成した。このスポット径は２０〜７０μ
φ代表的には５０μφにマイクロコンピュータにより制
御した。かくして第１の電極用導体にこの照射レーザ光
を走査させて、スクライブラインである第１の開溝（１
３）を形成させ、各素子間領域（３１）、（１１’）に
第１の電極（２）を作製した。
下側の第１の電極としてクロムのみならず昇華性を有す
る他の導電膜例えばモリブデン、クロム化合物であって
もよいことはいうまでもない。さらにこのクロムの低い
光学的反射率を向上させ、ひいては素子の変換効率を向
上させるため、Ｃｒ中に銅または銀を０．１〜５０重量
％例えば２．０〜１０重量％添加した。
る他の導電膜例えばモリブデン、クロム化合物であって
もよいことはいうまでもない。さらにこのクロムの低い
光学的反射率を向上させ、ひいては素子の変換効率を向
上させるため、Ｃｒ中に銅または銀を０．１〜５０重量
％例えば２．０〜１０重量％添加した。
（１） Ｃｒ （３００〜５０００人）、（２） Ｃｒ
−Ｃｕ （２，５重量％）り３００〜５０００人）（３
）Ｃｒ−八ｇ （２，５重量％）（３００〜５０００人
）がＬＳの加工性において優れていた。
−Ｃｕ （２，５重量％）り３００〜５０００人）（３
）Ｃｒ−八ｇ （２，５重量％）（３００〜５０００人
）がＬＳの加工性において優れていた。
これらの電極において、（１）のクロムを用いる場合は
、ＬＳにより同時にその下の半導体も完全に除去させて
しまうため、製造歩留りが大きい。
、ＬＳにより同時にその下の半導体も完全に除去させて
しまうため、製造歩留りが大きい。
しかし反射率が低いため長波長光特性がよくない。
他方（２＞、＜ ３ ）の銀、銅が添加されたクロムｔ
よ光の反射率が５〜２０％もクロム単体に比べて向上さ
せることができレーザ加工性には特に界雷がなく理想的
であった。
よ光の反射率が５〜２０％もクロム単体に比べて向上さ
せることができレーザ加工性には特に界雷がなく理想的
であった。
この第１のＬＳにより形成された第１の開溝（１３）は
、巾約５０μ長さ２０ｃｍ深さは第１の導電膜の電極そ
れぞれを完全に切断して電気的に分離した。
、巾約５０μ長さ２０ｃｍ深さは第１の導電膜の電極そ
れぞれを完全に切断して電気的に分離した。
この後、この電極（２）、開ｉ （１３）の上面にプラ
ズマＣＶＤ法またはＬＰＣＶ Ｄ法により光照射により
光起電力を発生させる非単結晶半導体層（３）を０．２
〜１．０μ代表的には０．７ μの平均厚さに形成させ
た。
ズマＣＶＤ法またはＬＰＣＶ Ｄ法により光照射により
光起電力を発生させる非単結晶半導体層（３）を０．２
〜１．０μ代表的には０．７ μの平均厚さに形成させ
た。
その代表例はＩＴＯ（１５）上にＮ型微結晶半導体−Ｉ
型アモルファスまたはセミアモルファスのシリコン半導
体（約０．７μ）−Ｐ型の微結晶（約５００人）を有す
る半導体珪素の非単結晶半導体、さらにこの上に５ｉｘ
Ｃ１−×（ｘ ＝０．９約５０人）を積層させて一つの
ＮＩＰ接合を有する非単結晶半導体、またはＰ型半導体
（ＳｉｘＧｅ １−Ｘ） −１型、Ｎ型、Ｐ型Ｓｉ半導
体−Ｉ型Ｓｉ半導体−Ｎ型５ｉｘＣ１−）＜半導体より
なる２つのＰＩＮ接合と１つのＰＮ接合を有するタンデ
ム型のＰＩＮＦＩＮ、、、、、ＰＩＮ接合の半導体（３
）である。
型アモルファスまたはセミアモルファスのシリコン半導
体（約０．７μ）−Ｐ型の微結晶（約５００人）を有す
る半導体珪素の非単結晶半導体、さらにこの上に５ｉｘ
Ｃ１−×（ｘ ＝０．９約５０人）を積層させて一つの
ＮＩＰ接合を有する非単結晶半導体、またはＰ型半導体
（ＳｉｘＧｅ １−Ｘ） −１型、Ｎ型、Ｐ型Ｓｉ半導
体−Ｉ型Ｓｉ半導体−Ｎ型５ｉｘＣ１−）＜半導体より
なる２つのＰＩＮ接合と１つのＰＮ接合を有するタンデ
ム型のＰＩＮＦＩＮ、、、、、ＰＩＮ接合の半導体（３
）である。
さらに第１図（Ｂ）に示されるごとく、第１の開溝（１
３）の左方向側（第１の素子側）にわたって第２の開溝
（１８）を第２のＬＳＩ程により形成させた。
３）の左方向側（第１の素子側）にわたって第２の開溝
（１８）を第２のＬＳＩ程により形成させた。
この図面では第１および第２の開溝（１３）、＜ １８
）の中心間を１００μずらしている。
）の中心間を１００μずらしている。
かくして第２の開溝（１８）は第１の電極の側面（８）
または側面と上面（９）（１１］Ｏ〜５μ）を露出させ
た。
または側面と上面（９）（１１］Ｏ〜５μ）を露出させ
た。
さらにこの基板を希弗酸（４８％ＩＩＦを１０倍の水で
希釈した１／１０肝をここでは用いた）にて１０秒へ１
分代表的には３０秒エツチングした。
希釈した１／１０肝をここでは用いた）にて１０秒へ１
分代表的には３０秒エツチングした。
すると半導体（３〉、導電膜（２）がＬＳの際、大気中
の酸素と反応して生成した低級多孔性酸化珪素を除去す
ることができた。
の酸素と反応して生成した低級多孔性酸化珪素を除去す
ることができた。
次にこの半導体上にクロムまたはクロム・ンリサイドを
電子ビーム蒸着法により２０〜２００人の厚さに形成さ
せた。この時の基板温度は１００〜３００℃例えば２０
０℃である。さらにこの雰囲気は真空中であるため、こ
の被膜を形成した後３０分〜１時間熱アニールをし、Ｔ
ＣＮＯを形成させた。さらにこの表面上に透光性のＩＴ
Ｏを電子ビーム蒸着法により３００〜２０００人の厚さ
例えば５００人の厚さに形成させることによりＴ（：Ｎ
ＯとＴＣＯの２Ｉ−の第２の電極用の導電膜を形成した
。このＩＴＯは透過率８７％（５００μｍ ）、シート
抵抗２０Ω／口であった。ＴＣＮＯは透過率８５％（５
００μｍ ）、シート抵抗３に’Ω／口であった。
電子ビーム蒸着法により２０〜２００人の厚さに形成さ
せた。この時の基板温度は１００〜３００℃例えば２０
０℃である。さらにこの雰囲気は真空中であるため、こ
の被膜を形成した後３０分〜１時間熱アニールをし、Ｔ
ＣＮＯを形成させた。さらにこの表面上に透光性のＩＴ
Ｏを電子ビーム蒸着法により３００〜２０００人の厚さ
例えば５００人の厚さに形成させることによりＴ（：Ｎ
ＯとＴＣＯの２Ｉ−の第２の電極用の導電膜を形成した
。このＩＴＯは透過率８７％（５００μｍ ）、シート
抵抗２０Ω／口であった。ＴＣＮＯは透過率８５％（５
００μｍ ）、シート抵抗３に’Ω／口であった。
次に本発明の第１図（Ｃ）においては、この第２の電極
を構成するクロム（４５）とコネクタ（３０）とが電気
的にショートしないよう、第３の開溝（２０）を第１の
素子領域（３１）にわたって設りた。
を構成するクロム（４５）とコネクタ（３０）とが電気
的にショートしないよう、第３の開溝（２０）を第１の
素子領域（３１）にわたって設りた。
即ち第１の素子の開放電圧が発生ずる電極（３９）。
（３Ｂ）間の電気的分離をレーザ光（２０〜１００μφ
代表的には５０μφ）を第２の開溝（１Ｂ）より約１０
０μ離間せしめて形成させた。即ち第３の開ｅｉ（２０
）の中心は第２の開溝（３０）の中心に比べて１００〜
２００μ代表的には１５０μの深さに第１の素子側にわ
たって設けている。
代表的には５０μφ）を第２の開溝（１Ｂ）より約１０
０μ離間せしめて形成させた。即ち第３の開ｅｉ（２０
）の中心は第２の開溝（３０）の中心に比べて１００〜
２００μ代表的には１５０μの深さに第１の素子側にわ
たって設けている。
このＬＳによりＴＣＮＯの下の半導体が損傷を受すない
ようにして除去した。第１図（Ｃ）はかかる図面を示す
。
ようにして除去した。第１図（Ｃ）はかかる図面を示す
。
かくして第１図（Ｃ）に示されるごとく、複数の素子（
３１）、＜ １１ ）をｆ地のＣＴＦ （１５）とクロ
ムとの連結による連結部（１２）で直接接続する光電変
換装置を作ることができた。
３１）、＜ １１ ）をｆ地のＣＴＦ （１５）とクロ
ムとの連結による連結部（１２）で直接接続する光電変
換装置を作ることができた。
第１図（Ｄ）はさらに本発明を光電変換装置として完成
させんとしたものであり、即ちパッジヘイジョン膜とし
てプラズマ気相法により窒化珪素膜（２１）を５００〜
２０００人の厚さに均一に形成さ−Ｕ、湿気等の吸着に
よる各素子間のリーク電流の発生の防止および反射防止
膜用に形成した。
させんとしたものであり、即ちパッジヘイジョン膜とし
てプラズマ気相法により窒化珪素膜（２１）を５００〜
２０００人の厚さに均一に形成さ−Ｕ、湿気等の吸着に
よる各素子間のリーク電流の発生の防止および反射防止
膜用に形成した。
かくして照射光（１０）により発生した光起電力は側面
または側面と上面とのコンタクトより矢印（３２）のご
とく第１の素子の第１の電極より第２の素子の第２の電
極に流れ、直列接続をさせることができた。
または側面と上面とのコンタクトより矢印（３２）のご
とく第１の素子の第１の電極より第２の素子の第２の電
極に流れ、直列接続をさせることができた。
その結果、この基板（６０ｃｍ Ｘ ２０ｃｍ）におり
て各素子を１１４．３５ｍｍ連結部の＋１１１５０ ／
Ｊ、外部引出し電極部の中１０ｍｍ、周辺部４ｍｍによ
り、実質的に５８０ｍｍ Ｘ １９２ｍｍ内に４０段を
有し、有効面積（１９２ｍｍ Ｘ１４．３５ｍｍ ４０
段１１０２ ｃｎｌ即ち９１．８％）を得ることができ
た。
て各素子を１１４．３５ｍｍ連結部の＋１１１５０ ／
Ｊ、外部引出し電極部の中１０ｍｍ、周辺部４ｍｍによ
り、実質的に５８０ｍｍ Ｘ １９２ｍｍ内に４０段を
有し、有効面積（１９２ｍｍ Ｘ１４．３５ｍｍ ４０
段１１０２ ｃｎｌ即ち９１．８％）を得ることができ
た。
そして、セグメントが９．５％（１，０５ｃｍ）の変換
効率を有する場合、パネルにて６．４％（理論的には８
．１％になるが、４０段連結の抵抗により実効変換効率
が低下した）〈へ旧 （１００ｍＷ ／ ｃｎｌ ）
）にて、６．４−の出力電力を有せしめることができた
。
効率を有する場合、パネルにて６．４％（理論的には８
．１％になるが、４０段連結の抵抗により実効変換効率
が低下した）〈へ旧 （１００ｍＷ ／ ｃｎｌ ）
）にて、６．４−の出力電力を有せしめることができた
。
さらにこのパネルを１５０℃の高温放置テストを行うと
１０００時間を経て１０％以下例えばパネル数２０枚に
てＸ＝３．３％の低下しかみられなかった。
１０００時間を経て１０％以下例えばパネル数２０枚に
てＸ＝３．３％の低下しかみられなかった。
これは従来のマスク方式を用いて信頼性テストを同一条
件にて行う時、１０時間で動作不能パネル数が１７枚も
発生してしまうことを考えると、驚異的な値であった。
件にて行う時、１０時間で動作不能パネル数が１７枚も
発生してしまうことを考えると、驚異的な値であった。
またこのパネル例えば４０ｃｍ Ｘ ６０ｃｍまたは６
０ｃｍ ｘ２０ｃｍ、 ４０ｃｍ Ｘ １２０ｃｍを２
ケ、４ケまたは１ケをアルミサツシまたは炭素繊維枠内
に組み合わせることによりパッケージさせ、１２０ｃｍ
Ｘ ４０ｃｍのＮＰ、ＤＯ規格の大電力用のパネルを
設けることが可能である。
０ｃｍ ｘ２０ｃｍ、 ４０ｃｍ Ｘ １２０ｃｍを２
ケ、４ケまたは１ケをアルミサツシまたは炭素繊維枠内
に組み合わせることによりパッケージさせ、１２０ｃｍ
Ｘ ４０ｃｍのＮＰ、ＤＯ規格の大電力用のパネルを
設けることが可能である。
またこのＮＥＤＯ規格のパネルはシーフレックスにより
弗素系保護膜を本発明の充電変換装置の反射面側（図面
では上側）にはりあわせて合わせ、風圧、雨等に対し機
械強度の増加を図ることち自効である。
弗素系保護膜を本発明の充電変換装置の反射面側（図面
では上側）にはりあわせて合わせ、風圧、雨等に対し機
械強度の増加を図ることち自効である。
さらに本発明を以下に実施例を記してその詳細を補完す
る。
る。
実施例１
第１図の図面に従ってこの実施例を示ず。
即ち透光性基板（１）としてステンレス箔（１６）（厚
さ５０μ）、長さ６０ｃｍ、中２０ｃｍを用いた。
さ５０μ）、長さ６０ｃｍ、中２０ｃｍを用いた。
この上面にポリイミド樹脂（１７）を３μの厚さに塗付
しブロッキング層とした。
しブロッキング層とした。
さらにその上に銅が２．５％混入したクロムをマグネト
ロンスパッタ法により１０００人の厚さに形成した。さ
らにその上にＩＴＯを１０５０人の厚さに同時にスパッ
タ法により作製した。
ロンスパッタ法により１０００人の厚さに形成した。さ
らにその上にＩＴＯを１０５０人の厚さに同時にスパッ
タ法により作製した。
さらにこの後、第１の開溝をスポット径５０μ、平均出
力０．７Ｗの買Ｇレーザをマイクロコンピユータにより
制御して０．３ｍ／分の走査速度にて作製した。
力０．７Ｗの買Ｇレーザをマイクロコンピユータにより
制御して０．３ｍ／分の走査速度にて作製した。
さらにパネルの端部をレーザ光平均出力０．７旧ごて第
１の電極用半導体をガラス端より５ｍｍ内側で長方形に
走査し、パネルの枠との電気的短絡を防止した。素子領
域（３１）、（１１）は１５ｍｍ中とした。
１の電極用半導体をガラス端より５ｍｍ内側で長方形に
走査し、パネルの枠との電気的短絡を防止した。素子領
域（３１）、（１１）は１５ｍｍ中とした。
この後公知のＰＣＶＤ法により第２図に示したＰＩＮ接
合を１つ有する非単結晶半導体を作製した。
合を１つ有する非単結晶半導体を作製した。
その厚さは約０．７μであった。
かかる後、第１の開溝より１００μ第１の素子（３１）
をシフトさせて、スポット径５０μφ、出力ＩＷにて大
気中でＬＳにより第２の開溝（１８）を第１図（Ｂ）に
示すごとく作製した。
をシフトさせて、スポット径５０μφ、出力ＩＷにて大
気中でＬＳにより第２の開溝（１８）を第１図（Ｂ）に
示すごとく作製した。
さらにこの上面にクロムを２０人の厚さに電子ビーム蒸
着法により形成した。この後２００℃、１時間の熱処理
を施し、さらにＩＴＯを５００人の厚さに同じ蒸着装置
により作製した。
着法により形成した。この後２００℃、１時間の熱処理
を施し、さらにＩＴＯを５００人の厚さに同じ蒸着装置
により作製した。
さらに第３の開溝（２０）を同様に第３のＬＳをＹＡＧ
レーザを用い、０．６ Ｗ （スキャンスピード３０ｃ
ｍ ）の平均出力で５０μφの光径にて第２の開溝（１
８）より１５０μのわたり深さに第１の素子（３１）側
にシフトして形成させ、第１図（Ｃ）を得た。
レーザを用い、０．６ Ｗ （スキャンスピード３０ｃ
ｍ ）の平均出力で５０μφの光径にて第２の開溝（１
８）より１５０μのわたり深さに第１の素子（３１）側
にシフトして形成させ、第１図（Ｃ）を得た。
この後、パンシベイション膜（２１）をｐｃｖｏ法によ
り窒化珪素膜を６００人の厚さに２００°Ｃの基板温度
（被膜形成時間３０分）にて作製した。
り窒化珪素膜を６００人の厚さに２００°Ｃの基板温度
（被膜形成時間３０分）にて作製した。
すると２０ｃｍ Ｘ ６０ｃｍのパネルに１５ｍｍ１Ｊ
の素子を４０段作ることができた。
の素子を４０段作ることができた。
パネルの実効効率として八Ｍｌ （１００ｍ Ｗ ／
ＣＩＡ）にて８．１％、出力６．４Ｗを得ることができ
た。
ＣＩＡ）にて８．１％、出力６．４Ｗを得ることができ
た。
有効面積は１１０２ｃＪであり、パネル全体の９１．８
％を有効に利用することができた。
％を有効に利用することができた。
第１図において、光入射は上側の透光性絶縁基板よりと
した。
した。
本発明において第２の開溝（１８）は半導体の一方より
他方のすべてにわたって形成することよりもその内部の
みとする方が集積化に伴う電極間のショートまたリーク
の発生を少なくすることができた。また第２の開溝を１
つまたば複数の開化とし、半導体内部でのコンタクトに
より連続方式とすることも電卓（カリキュレータ）等に
応用される本発明の光電変換装置の場合は有効である。
他方のすべてにわたって形成することよりもその内部の
みとする方が集積化に伴う電極間のショートまたリーク
の発生を少なくすることができた。また第２の開溝を１
つまたば複数の開化とし、半導体内部でのコンタクトに
より連続方式とすることも電卓（カリキュレータ）等に
応用される本発明の光電変換装置の場合は有効である。
かかる場合には１つの素子は１ｃｍＸ１ｃｍであり、集
積化は１ｃｍＸ５〜１０ｃｍときわめて小さな構造をし
得ることはいうまでもない。
積化は１ｃｍＸ５〜１０ｃｍときわめて小さな構造をし
得ることはいうまでもない。
本発明において基板はステンレス箔上に有機樹脂の絶縁
膜とした。しかしこの基板を有機樹脂としても、またア
ルミニューム箔としその上面を酸化アルミニュームとし
てもよいことはいうまでもない。
膜とした。しかしこの基板を有機樹脂としても、またア
ルミニューム箔としその上面を酸化アルミニュームとし
てもよいことはいうまでもない。
第１図は本発明の光電変換装置の製造工程を示す縦断面
図である。 特許出願人 １ （ｒ）２ 私１ω
図である。 特許出願人 １ （ｒ）２ 私１ω
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁表面を有する基板上に導電膜の第１の電極と、
該電極上の光照射により光起電力を発生させる非単結晶
半導体と、該半導体上に第２の電極とを有する光電変換
素子を複数個圧いに電気的に直列接続せしめて前記絶縁
基板上に配設した光電変換装置において、前記素子の前
記第２の電極は非酸化物透光性導電膜と酸化物透光性導
電膜とよりなることを特徴とする光電変換装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、非酸化物透光性導
電膜はクロムと珪素の混合物（化合物）を主成分とする
とともに、その上面には酸化インジュームまたは酸化ス
ズを主成分とする被膜が設けられたことを特徴とする光
電変換装置。 ３、絶縁表面を有する基板上に導電膜の第１の電極と、
該電極上の光照射により光起電力を発生させる非単結晶
半導体と、該半導体上に第２の電極とを有する光電変換
素子を複数個圧いに電気的に直列接続せしめて前記絶縁
基板上に配設した光電変換装置の作製方法において、第
２の電極としてクロムを主成分とする金属と珪素との金
属間化合物（混合物）を形成する工程と、該工程の後、
酸化スズまたは酸化インジュームを主成分とする酸化物
透光性導電膜を形成する工程とを有することを特徴とす
る光電変換装置作製方法。 ４、特許請求の範囲第３項において、非単結晶半導体を
１００〜３００℃の非酸化性雰囲気に保持した後、クロ
ムを主成分とする金属または珪素とクロムとの化合物（
混合物）を１０〜２００人の厚さに形成し、熱処理を施
す工程と、該工程の後、酸化スズまたは酸化インジュー
ムを主成分とする透光性酸化物導電膜を形成する工程と
を有することを特徴とする光電変換装置作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59068329A JPS60211882A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 光電変換装置およびその作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59068329A JPS60211882A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 光電変換装置およびその作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60211882A true JPS60211882A (ja) | 1985-10-24 |
Family
ID=13370679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59068329A Pending JPS60211882A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 光電変換装置およびその作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60211882A (ja) |
-
1984
- 1984-04-05 JP JP59068329A patent/JPS60211882A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104205359B (zh) | 光电动势元件及其制造方法、太阳能电池模块 | |
| JP2989373B2 (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
| JPS60211882A (ja) | 光電変換装置およびその作製方法 | |
| JP2968404B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPS6095980A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPS60211881A (ja) | 半導体装置作製方法 | |
| JPS60211880A (ja) | 光電変換装置の作製方法 | |
| JPH0518275B2 (ja) | ||
| JP2585503B2 (ja) | レ−ザ加工方法 | |
| JPS59220978A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPH06112514A (ja) | 光電変換半導体装置作製方法 | |
| JPS60211817A (ja) | 光電変換装置 | |
| JP2001223379A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPS6158278A (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JPH0550152B2 (ja) | ||
| JPS6086875A (ja) | 半導体装置作製方法 | |
| JPS6085574A (ja) | 半導体装置作製方法 | |
| JPS6242465A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPS61255072A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH0518276B2 (ja) | ||
| JPH11126914A (ja) | 集積化太陽電池の製造方法 | |
| JPH0614556B2 (ja) | 光電変換装置及びその作製方法 | |
| JPH0554274B2 (ja) | ||
| JPS60124881A (ja) | 光電変換装置作製方法 | |
| JPH0653534A (ja) | 光電変換装置 |