JPS59220978A - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
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- JPS59220978A JPS59220978A JP58097233A JP9723383A JPS59220978A JP S59220978 A JPS59220978 A JP S59220978A JP 58097233 A JP58097233 A JP 58097233A JP 9723383 A JP9723383 A JP 9723383A JP S59220978 A JPS59220978 A JP S59220978A
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- JP
- Japan
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- laser beam
- photovoltaic device
- electrode layer
- semiconductor layer
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
- H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は太陽光等の光エネルギを直接電気エネルギに変
換する光起電力装置の製造方法に関する。
換する光起電力装置の製造方法に関する。
←）従来技術
光エネルギを直接１を気エネルギに変換する光起電力装
置、所謂太陽電池は無尽蔵な太陽光を主たるエネルギ嚢
源としているために、エネルギ資源の枯渇が問題となる
中で脚光を浴でいる。
置、所謂太陽電池は無尽蔵な太陽光を主たるエネルギ嚢
源としているために、エネルギ資源の枯渇が問題となる
中で脚光を浴でいる。
第１図は斯る光起電力装置を示し、（１）は力゛ラス・
透光性プラスチック等の絶縁基板、（２ａ）（２ｂ）Ｃ
２０）は該絶縁基板（１）の−主面に並設された複数の
光電変換領域で、該変換領域（２ａ）（２ｂＸ２１の各
々は、絶縁基板（１）側から酸化スズ（８ｎ０２ ）、
酸化インジウムスズ（ＩｎｚＯｓ−８ｎＯｚ）等の透明
酸化電極材の第１ Ｗｆ極層（３Ｂ）（３ｂ）（３０）
、！：、例えばｉ入射側からＰＩＮ接合を有するアモル
ファスシリコン等の膜状光半導体層（４Ｂ）（４ｂ）（
４ｃ）と、ＥＩＪ導体１（４ａ）（４ｂ）（４ｃ）とオ
ーミック接触するアルミニウムＡｄ等の第２電極層（５
１ｍ）（５ｂ）（５１と、を順次重畳せしめた積層構造
を成している。更に、上記並設された光ｉｆ換領領域２
ａ）（２ｂ）（２ｏ）は右１１１１１７）光半導体層（
４ｂ）（４ｃ）下面から絶縁基板（１）上に露出した第
１電極層（３ｂ）（３０’）の露出部（５ｂ’） （５
Ｃ’）に、左繭シの光半導体層（４Ｂ）（４ｂ）上面か
ら延出して来た第２電極層（５Ｂ）（５ｂ）の延長部（
５Ｂ’）（５ｂ）が直接結合し、従って複数の光電変換
領域（２Ｂ）（２ｂ）（２１ｉ１：電９（的に直列接続
される。
透光性プラスチック等の絶縁基板、（２ａ）（２ｂ）Ｃ
２０）は該絶縁基板（１）の−主面に並設された複数の
光電変換領域で、該変換領域（２ａ）（２ｂＸ２１の各
々は、絶縁基板（１）側から酸化スズ（８ｎ０２ ）、
酸化インジウムスズ（ＩｎｚＯｓ−８ｎＯｚ）等の透明
酸化電極材の第１ Ｗｆ極層（３Ｂ）（３ｂ）（３０）
、！：、例えばｉ入射側からＰＩＮ接合を有するアモル
ファスシリコン等の膜状光半導体層（４Ｂ）（４ｂ）（
４ｃ）と、ＥＩＪ導体１（４ａ）（４ｂ）（４ｃ）とオ
ーミック接触するアルミニウムＡｄ等の第２電極層（５
１ｍ）（５ｂ）（５１と、を順次重畳せしめた積層構造
を成している。更に、上記並設された光ｉｆ換領領域２
ａ）（２ｂ）（２ｏ）は右１１１１１７）光半導体層（
４ｂ）（４ｃ）下面から絶縁基板（１）上に露出した第
１電極層（３ｂ）（３０’）の露出部（５ｂ’） （５
Ｃ’）に、左繭シの光半導体層（４Ｂ）（４ｂ）上面か
ら延出して来た第２電極層（５Ｂ）（５ｂ）の延長部（
５Ｂ’）（５ｂ）が直接結合し、従って複数の光電変換
領域（２Ｂ）（２ｂ）（２１ｉ１：電９（的に直列接続
される。
この様な装置に於いて、光利用効率を左右する一つの要
因は、装吟全体の受光面積（即ち、基板内債）に列し、
実際に発電に寄与する光電変換領域（２Ｂ）（２ｂ）（
２０）の総面積の占メル割合いである。然るに各光電変
換領域（２Ｂ ＞ （，２ｂ）（２Ｃ）の１しく￥接間
隔に必然的に存在する分離領域は上記面仔１割合いを低
−トさせる。
因は、装吟全体の受光面積（即ち、基板内債）に列し、
実際に発電に寄与する光電変換領域（２Ｂ）（２ｂ）（
２０）の総面積の占メル割合いである。然るに各光電変
換領域（２Ｂ ＞ （，２ｂ）（２Ｃ）の１しく￥接間
隔に必然的に存在する分離領域は上記面仔１割合いを低
−トさせる。
従って、光利用効率を向上させるためには各光ＴｌＬ及
力君領域（２＋１）（２ｂ）（２０）の降接間隔である
分離領域を小さくしなければならない。
力君領域（２＋１）（２ｂ）（２０）の降接間隔である
分離領域を小さくしなければならない。
Ｊｖｉる間隔縮小は各層の加工精度で決まり、従って、
細密加工性に＠免れている写真蝕刻技術が有望である。
細密加工性に＠免れている写真蝕刻技術が有望である。
この技術による場合、基板（１）全面への第１ηＬ庵層
の被着工程と、フォトレジスト及ヒエッチングによる各
個別の第１電極層（６Ｂ）（３ｂ）（３０）の分離、即
ち各第１電極層（３Ｂ）（３ｂ）ｉ’ｏ）の隣接間隔部
分の除去工程と、を順次経た後、同様の被着工程及び除
去工程を光半導体層（４８）（４ｂ）（４０）並びに第
２ｆｆｌ極層（５ａ）（５ｂ）’（５０）Ｋついても各
々再度繰シ返し行なうことになる。
の被着工程と、フォトレジスト及ヒエッチングによる各
個別の第１電極層（６Ｂ）（３ｂ）（３０）の分離、即
ち各第１電極層（３Ｂ）（３ｂ）ｉ’ｏ）の隣接間隔部
分の除去工程と、を順次経た後、同様の被着工程及び除
去工程を光半導体層（４８）（４ｂ）（４０）並びに第
２ｆｆｌ極層（５ａ）（５ｂ）’（５０）Ｋついても各
々再度繰シ返し行なうことになる。
然し乍ら、上記写真蝕刻技術は水洗い等のウェットプロ
セスを含むために、膜状を成す光半導体層（４ａ）（４
ｂ）（４０）Ｋピンホーｔｖが形成されることがあシ、
次工程で被着される第２電極材が斯るピンホールを介し
て第１電極層（３Ｂ）（３ｂ）（３０）に到達する結果
、該第１￥Ｎ、極層（３Ｂ）（３ｂ）（３（りＩ／′ｉ
当該光電変換領域（２Ｂ）（２ｂ）（２Ｃ）の光半導体
層（４１（４ｂ）（４０）を挾んで対向する第２電極層
（５Ｂ）（５ｂ）（５０）と電気的に短絡する事故を招
いていた。また、第２電極層（５Ｂ ） （５ｂ ）（
５Ｃ）がオーミック接触する光半導体層（４Ｂ）（４ｂ
）（４Ｃ）の接触面は上記写真蝕刻技術によるフォトレ
ジストの塗布・剥離及び水洗いに於いてピンホールが形
成されないまでも膜質が劣化せしめられると共に、水洗
いに使用した水が僅かながら残留し次工程で被着される
第２電極層（５１１）（５ｂ）（５Ｇ）を腐食する危惧
を有してい７’（ｎ 特開昭５７−１２５６８号公報に開示された先行技術は
、レーザビーム照射による層の焼き切りで、上記吟接間
隔を設けるものであり、写真蝕刻技術を使わないその技
法は上記の課題を解決する上で極めて有効である。
セスを含むために、膜状を成す光半導体層（４ａ）（４
ｂ）（４０）Ｋピンホーｔｖが形成されることがあシ、
次工程で被着される第２電極材が斯るピンホールを介し
て第１電極層（３Ｂ）（３ｂ）（３０）に到達する結果
、該第１￥Ｎ、極層（３Ｂ）（３ｂ）（３（りＩ／′ｉ
当該光電変換領域（２Ｂ）（２ｂ）（２Ｃ）の光半導体
層（４１（４ｂ）（４０）を挾んで対向する第２電極層
（５Ｂ）（５ｂ）（５０）と電気的に短絡する事故を招
いていた。また、第２電極層（５Ｂ ） （５ｂ ）（
５Ｃ）がオーミック接触する光半導体層（４Ｂ）（４ｂ
）（４Ｃ）の接触面は上記写真蝕刻技術によるフォトレ
ジストの塗布・剥離及び水洗いに於いてピンホールが形
成されないまでも膜質が劣化せしめられると共に、水洗
いに使用した水が僅かながら残留し次工程で被着される
第２電極層（５１１）（５ｂ）（５Ｇ）を腐食する危惧
を有してい７’（ｎ 特開昭５７−１２５６８号公報に開示された先行技術は
、レーザビーム照射による層の焼き切りで、上記吟接間
隔を設けるものであり、写真蝕刻技術を使わないその技
法は上記の課題を解決する上で極めて有効である。
斯るレーザ技術により第１図の如き光起電力装置を製造
する場合、第１電極層、光半導体層及び第２電極層は各
層被着工程終了後に各光電変換領域（２ａ）（２ｂ）（
２ｃ）毎ＫＬ／−ｆＰ：：−Ａの照射によ部分ｈ１ｔさ
れる。このレーザビームの照射による分離に於いて留潰
、しなければならないことは、焼き切らんとする膜部分
の下に他の膜が存在しておれば、それに損傷を与えない
ことである。
する場合、第１電極層、光半導体層及び第２電極層は各
層被着工程終了後に各光電変換領域（２ａ）（２ｂ）（
２ｃ）毎ＫＬ／−ｆＰ：：−Ａの照射によ部分ｈ１ｔさ
れる。このレーザビームの照射による分離に於いて留潰
、しなければならないことは、焼き切らんとする膜部分
の下に他の膜が存在しておれば、それに損傷を与えない
ことである。
さもなければ、目的の膜部分を焼き切った上、必要とし
ない下の膜まで焼き切ってしまう。
ない下の膜まで焼き切ってしまう。
上記先行技術はこの要求を満すべく第１電極層、光半導
体層及び第２電極層の閾値エネルギ祷度が加工する順序
に小さいことに着目し、レーザビームの出力を選択する
ことを提案している。
体層及び第２電極層の閾値エネルギ祷度が加工する順序
に小さいことに着目し、レーザビームの出力を選択する
ことを提案している。
然し乍ら、上記レーザビーム出力の選択はレーザビーム
を対物レンズを介してビームを収束せしめる度合、即ち
ビーム径を調整することによって行なわれるために、上
記対物レンズと被加工面との距離を常に一定に保持しな
ければビーム径が変動し、大面積化が要求される光起電
力装置にあって斯るビーム径を厳密に制御することは製
造工程上困難である。
を対物レンズを介してビームを収束せしめる度合、即ち
ビーム径を調整することによって行なわれるために、上
記対物レンズと被加工面との距離を常に一定に保持しな
ければビーム径が変動し、大面積化が要求される光起電
力装置にあって斯るビーム径を厳密に制御することは製
造工程上困難である。
ｅ→ 発明の目的
本発明は斯る点に鑑みて為されたものであって、その目
的は細密加工性に富むレーザ技術の使用を可能ならしめ
ることにある。
的は細密加工性に富むレーザ技術の使用を可能ならしめ
ることにある。
に）発明の構成
本発明光起電力装置の製造方法は、基板の絶縁表面に分
割配置された複数の第１ＴＦＬ価層を連続的に覆う膜状
の光半導体層を被着した後、該光半導体層をレーザビー
ムの照射により除去し複数の光電変換領域毎に分割する
と同時に上記第１電極層の一部を直列接続せしめるべく
電気的に露出せしめるχ際し、該露出部を予め上記レー
ザビームの照射に列して鮭加工性の導電保護層で被覆す
る、構成にある。
割配置された複数の第１ＴＦＬ価層を連続的に覆う膜状
の光半導体層を被着した後、該光半導体層をレーザビー
ムの照射により除去し複数の光電変換領域毎に分割する
と同時に上記第１電極層の一部を直列接続せしめるべく
電気的に露出せしめるχ際し、該露出部を予め上記レー
ザビームの照射に列して鮭加工性の導電保護層で被覆す
る、構成にある。
０う 実 〃向 例
第２図乃至第８図は・本発明実施例方法を工程順に示し
ている。第２図の工程では、厚み１間〜３闘程度の透明
なガラス製絶縁基板（１０）α上面に、厚ら成る第１〒
ｌｊ−ＪＭ層（１１）が被着される。
ている。第２図の工程では、厚み１間〜３闘程度の透明
なガラス製絶縁基板（１０）α上面に、厚ら成る第１〒
ｌｊ−ＪＭ層（１１）が被着される。
第６図の工程では、隣接間隔部０１）がレーザビームの
照射によｐ除去されて、個別の各第１電極層（１１Ｂ）
（１１ｂ）・・・が分離形成される。使用されるレーザ
は波長１．０６μｍ、エネルギ密度６ Ｘ １０７Ｗ／
ｃｔ４、パ／Ｉ／ス周波数６ＫＨｚ ノＮ ｄ ：ＹＡ
Ｇレーザが適当であり、苅物レンズｆ５０ＭＭ。
照射によｐ除去されて、個別の各第１電極層（１１Ｂ）
（１１ｂ）・・・が分離形成される。使用されるレーザ
は波長１．０６μｍ、エネルギ密度６ Ｘ １０７Ｗ／
ｃｔ４、パ／Ｉ／ス周波数６ＫＨｚ ノＮ ｄ ：ＹＡ
Ｇレーザが適当であり、苅物レンズｆ５０ＭＭ。
走査速度５０門／渡により加工される。このレーザ加工
により隣接間隔部面の間隔（Ｌｌ）は約５第４図の工程
では、第１電極Ｍ＃（Ｉｌｂ）・・・の直列接続に必要
な露出部（１１ｂ’戸・を露出せしめたマスクを介して
該第１電極＃（１１ｂ）・・・に比してレーザビームの
照射に対して熱加工性の導電保護層■を電子ビーム蒸着
、スパッタ等により幅（Ｗ）３００μｍ、厚み１０００
Ａ程度被着せしめる。斯る難加工性の導電保護層（１２
）としては、使用されるレーザに対し反射率、熱伝導率
及び融点の高い銀、金、銅、白金が好適である。
により隣接間隔部面の間隔（Ｌｌ）は約５第４図の工程
では、第１電極Ｍ＃（Ｉｌｂ）・・・の直列接続に必要
な露出部（１１ｂ’戸・を露出せしめたマスクを介して
該第１電極＃（１１ｂ）・・・に比してレーザビームの
照射に対して熱加工性の導電保護層■を電子ビーム蒸着
、スパッタ等により幅（Ｗ）３００μｍ、厚み１０００
Ａ程度被着せしめる。斯る難加工性の導電保護層（１２
）としては、使用されるレーザに対し反射率、熱伝導率
及び融点の高い銀、金、銅、白金が好適である。
第５図の工程では、各第１電極層（１１Ｂ）（１１ｂ）
・・・及び導電保護層０２）の表面を含んで絶縁基板０
０）上全面に連続的に厚み５０００Ａ〜７０００Ａのア
モルファスシリコンの光半導体？１（１３１が被着され
る。斯る光半導体＃（１３）はその内部に膜面に平行な
ＦＩＮ接合を含み、従ってより具体的には、先ｆＰＷの
アモルファスシリコン層が被着され、次いでｌ型及びぺ
型のアモルファスシリコン層が順次積層被着される。
・・・及び導電保護層０２）の表面を含んで絶縁基板０
０）上全面に連続的に厚み５０００Ａ〜７０００Ａのア
モルファスシリコンの光半導体？１（１３１が被着され
る。斯る光半導体＃（１３）はその内部に膜面に平行な
ＦＩＮ接合を含み、従ってより具体的には、先ｆＰＷの
アモルファスシリコン層が被着され、次いでｌ型及びぺ
型のアモルファスシリコン層が順次積層被着される。
第６図の工程では、隣接間隔部（１３）鋺レーザビーム
の照射によシ除去されて、個別の各光半導体層（１３ａ
）（１３ｂ）・・・が分離形成される。使用されるレ
ーザは上ｎ己Ｎｄ：ＹＡＧレーザであり、そのエネルギ
密度は２ Ｘ １０７Ｗ／ｄである。斯るレーザビーム
の照射により内接間隔部（１３）′の光半導体層が６０
０μｍｎの間隔（Ｌ２）に亘り除去され、導市；保ｈｌ
ｔ層（１２）が露出せしめられる。
の照射によシ除去されて、個別の各光半導体層（１３ａ
）（１３ｂ）・・・が分離形成される。使用されるレ
ーザは上ｎ己Ｎｄ：ＹＡＧレーザであり、そのエネルギ
密度は２ Ｘ １０７Ｗ／ｄである。斯るレーザビーム
の照射により内接間隔部（１３）′の光半導体層が６０
０μｍｎの間隔（Ｌ２）に亘り除去され、導市；保ｈｌ
ｔ層（１２）が露出せしめられる。
この時、上記導電保護層（１２）にレーザビームが最終
的に到達するが、注目すべきは斯る導電保護層（Ｊ２）
が下層の第１７■枠にり（ｌｌｂ）の露出部（１１ｂ
／、よりもレーザビームの照射に対して難加工性を呈し
、ｆ！’５１ｉｉ！ｉ工ネルギ密度が高くなっているこ
とである。従って、光半導体層（１３）をその膜部分だ
け除去するに？７！、は必要十分な照射時間長をもって
レーザビームを走査させると、光半導体層α３）の膜部
分だけ完全に除去されて、その結果一時的にレーザビー
ムが導■ｉ保設層（１２）を直撃するに致ったとしても
、その部分けはとんと損傷を受けず、また、たとえレー
ザビームのエネルギ密度の厳密な制御が行なわれ外かっ
たと靴も、２３電保眼層Ｕは閾値エネルギ密度が遥かに
高いために、加工されるに至らない。
的に到達するが、注目すべきは斯る導電保護層（Ｊ２）
が下層の第１７■枠にり（ｌｌｂ）の露出部（１１ｂ
／、よりもレーザビームの照射に対して難加工性を呈し
、ｆ！’５１ｉｉ！ｉ工ネルギ密度が高くなっているこ
とである。従って、光半導体層（１３）をその膜部分だ
け除去するに？７！、は必要十分な照射時間長をもって
レーザビームを走査させると、光半導体層α３）の膜部
分だけ完全に除去されて、その結果一時的にレーザビー
ムが導■ｉ保設層（１２）を直撃するに致ったとしても
、その部分けはとんと損傷を受けず、また、たとえレー
ザビームのエネルギ密度の厳密な制御が行なわれ外かっ
たと靴も、２３電保眼層Ｕは閾値エネルギ密度が遥かに
高いために、加工されるに至らない。
第７図の工程では、導電保護層α２及び光半導体層（１
３Ｂ）（１３ｂ）・・・の各表面を含んで絶縁基板（１
αα上面に厚み５０００Ｘ〜１μｍ程度のチタンから成
る第２電極層（１４）が被着される。
３Ｂ）（１３ｂ）・・・の各表面を含んで絶縁基板（１
αα上面に厚み５０００Ｘ〜１μｍ程度のチタンから成
る第２電極層（１４）が被着される。
第８図の最終工程では、隣接間隔部（１４）畷レーザビ
ームの照射によシ除去されて、個別の各第２電極層（１
４Ｂ）（１４ｂ）・・・が形成され、その結果各光驚変
換領域（１５１Ｌ）（１５ｂ）・・・が電気的に直列接
続される。使用されるレーザはＮｄ：８）は約２０μｍ
に設定される。
ームの照射によシ除去されて、個別の各第２電極層（１
４Ｂ）（１４ｂ）・・・が形成され、その結果各光驚変
換領域（１５１Ｌ）（１５ｂ）・・・が電気的に直列接
続される。使用されるレーザはＮｄ：８）は約２０μｍ
に設定される。
（へ）発明の効果
本発明は以上の説明から明らかな如く、第１電極層の電
気的露出部を予めレーザビームの照射に対して難加工性
の導電保護層で被覆したので、レーザ出力を厳密に制御
することなく、複数の第１電極層を連続的に覆う膜状の
光半導体層をレーザビームの照射によシ各光電変換領域
毎に分割せしめると同時に上記第ＨＱ：４ｉ！ｌｉ粕の
一部を直列接続せしめるべく電気的に露出せしめること
ができ、製造工程が簡便となる。
気的露出部を予めレーザビームの照射に対して難加工性
の導電保護層で被覆したので、レーザ出力を厳密に制御
することなく、複数の第１電極層を連続的に覆う膜状の
光半導体層をレーザビームの照射によシ各光電変換領域
毎に分割せしめると同時に上記第ＨＱ：４ｉ！ｌｉ粕の
一部を直列接続せしめるべく電気的に露出せしめること
ができ、製造工程が簡便となる。
第１図は典型的な光起電力装置の要部斜視図、第２図乃
至第８図は本発明製造方法を工程順に示す断面図、であ
る。 ａＯ＋ −−−−・−絶Ｒ基板、（１１１（１１Ｒ）
（１１ｂ ）−・−第１電極層、（１２）・・・・・・
導電保護層、（１３１（１３Ｂ）（１３ｂ ）−−−・
−光半導体層、（１４１（１４Ｂ）（１４ｂ）・・・・
・・第２電極層、（１５Ｂ）（１５ｂ）・・・・・・光
ｉぼ変換領域。
至第８図は本発明製造方法を工程順に示す断面図、であ
る。 ａＯ＋ −−−−・−絶Ｒ基板、（１１１（１１Ｒ）
（１１ｂ ）−・−第１電極層、（１２）・・・・・・
導電保護層、（１３１（１３Ｂ）（１３ｂ ）−−−・
−光半導体層、（１４１（１４Ｂ）（１４ｂ）・・・・
・・第２電極層、（１５Ｂ）（１５ｂ）・・・・・・光
ｉぼ変換領域。
Claims (1)
- （１）複数の膜状光電変換領域が基板の絶縁表面に於い
て電匈的に直列接続された光起電力装置の製造方法であ
って、上記基板の絶縁表面に分割配置されｆｃ複数の第
１電極層を連続的に覆う膜状の光半導体層を被着した後
、゛該元半導体層をレーザビームの照射によシ除去し複
数の光電変換領域毎に分￥；！Ｉすると同時に上記第１
Ｗｍ層の一部を直列接続せしめるべくｍ：’Ａ的に露出
せしめるに際し、該露出部を予め上記レーザビームの照
射に対して難加工性の導電保膜層で被法することを特徴
とした光起電力装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58097233A JPS59220978A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58097233A JPS59220978A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59220978A true JPS59220978A (ja) | 1984-12-12 |
Family
ID=14186899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58097233A Pending JPS59220978A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59220978A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4734379A (en) * | 1985-09-18 | 1988-03-29 | Fuji Electric Corporate Research And Development Ltd. | Method of manufacture of solar battery |
| US4783421A (en) * | 1985-04-15 | 1988-11-08 | Solarex Corporation | Method for manufacturing electrical contacts for a thin-film semiconductor device |
| JPH0193174A (ja) * | 1987-10-05 | 1989-04-12 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US4956023A (en) * | 1987-03-31 | 1990-09-11 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Integrated solar cell device |
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-
1983
- 1983-05-31 JP JP58097233A patent/JPS59220978A/ja active Pending
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