JPS60211993A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS60211993A JPS60211993A JP6849284A JP6849284A JPS60211993A JP S60211993 A JPS60211993 A JP S60211993A JP 6849284 A JP6849284 A JP 6849284A JP 6849284 A JP6849284 A JP 6849284A JP S60211993 A JPS60211993 A JP S60211993A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- refractive index
- oscillation
- regions
- region
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 4
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、衛星間通信、レーザプリンタ、光情報処理装
置等に用いられる高出力を必要とする半導体レーザに関
するものである。
置等に用いられる高出力を必要とする半導体レーザに関
するものである。
（従来技術とその問題点）
半導体レーザにおいて、高出力を単一モードでめる際に
発振領域を複数のストライプ状にして、光の全出力を増
加させる方法が実現されている。
発振領域を複数のストライプ状にして、光の全出力を増
加させる方法が実現されている。
（アプライド・フィジックス・レター、４３巻１０９６
ページ １９８３年） しかし、従来の良好な遠視野像を得る事のできるストラ
イプ状発振領域を複数個単に平行に並べた多重ストライ
プ構造においては、出力レーザ光の遠視野像は良いもの
が得られず、また、これら複数の発振領域が相互に光学
的に結合し、全体としてあたかも１つのレーザのように
コヒーレントに発振する現象も得られにくかった。
ページ １９８３年） しかし、従来の良好な遠視野像を得る事のできるストラ
イプ状発振領域を複数個単に平行に並べた多重ストライ
プ構造においては、出力レーザ光の遠視野像は良いもの
が得られず、また、これら複数の発振領域が相互に光学
的に結合し、全体としてあたかも１つのレーザのように
コヒーレントに発振する現象も得られにくかった。
（発明の目的）
本発明の目的は、複数の発振領域の相互の光学的結合に
よりコヒーレントな発振を容易に得る事ができ、微細構
造の少ない遠視野像を持つ半導体レーザを提供する事に
ある。
よりコヒーレントな発振を容易に得る事ができ、微細構
造の少ない遠視野像を持つ半導体レーザを提供する事に
ある。
（発明の構成）
本発明は、多層へテロ構造を備え、互いに平行でかつ相
互に光学的に結合した複数のストライプ状の発振領域を
有する半導体レーザにおいて、各発振領域間ｌこはさま
れている部分の実効的な屈折率が、発振領域の実効的な
屈折率より低く、かつ、発振領域の外側の領域の実効的
な屈折率より高い事に特徴がある。
互に光学的に結合した複数のストライプ状の発振領域を
有する半導体レーザにおいて、各発振領域間ｌこはさま
れている部分の実効的な屈折率が、発振領域の実効的な
屈折率より低く、かつ、発振領域の外側の領域の実効的
な屈折率より高い事に特徴がある。
（本発明の作用、原理）
図面を用いて、本発明の詳細な説明する。第４図は、媒
質の屈折率１１が空間的一方向において、場所とともに
変化している時の、光の強度分布１２を示す図である。
質の屈折率１１が空間的一方向において、場所とともに
変化している時の、光の強度分布１２を示す図である。
一般に、光の電磁場としての２軸方向の空間分布ψ（Ｚ
ｌは、次式でめられる。
ｌは、次式でめられる。
２
ここで、ｋは２πを真空中での光の波長で除したもの、
εｆＺ）は誘電率、βは光の伝搬定数である。
εｆＺ）は誘電率、βは光の伝搬定数である。
屈折率は誘電率の正の根で与えられる。ここで、βをｋ
で除したものは、屈折率と同じ次元を持つので、以下２
方向の光の等側屈折率と呼ぶ。
で除したものは、屈折率と同じ次元を持つので、以下２
方向の光の等側屈折率と呼ぶ。
（１）式よりまる実際に伝搬する光の等側屈折率は、屈
折率１１の最大より小さく最小より大きい。
折率１１の最大より小さく最小より大きい。
よって、低屈折率領域１３においては、屈折率が光の等
側屈折率１４よりも低いので、（１）式よりわかるよう
に、ψ（Ｚ）は指数関数の一次結合で与えられる。
側屈折率１４よりも低いので、（１）式よりわかるよう
に、ψ（Ｚ）は指数関数の一次結合で与えられる。
高屈折率領域１５においてはこの逆で、ψ（ｚｌは三角
関数の一次結合で与えられる。そして各領域の境界にお
いては、（１）式よりわかるように、ψ＜Ｚｊの２階微
分の符号が変わる、つまり光の強度分布１２の変曲点に
なっている。
関数の一次結合で与えられる。そして各領域の境界にお
いては、（１）式よりわかるように、ψ＜Ｚｊの２階微
分の符号が変わる、つまり光の強度分布１２の変曲点に
なっている。
第２図は、第１図の屈折率分布を単に並列させた時の光
の強度分布２１を示す図である。これは、従来の多重ス
トライプ型半導体レーザについてあてはまる。この時、
ストライプ状の発振領域２２での屈折率ｎは第１図の場
合と同じく光の等側屈折率２４より高く、発振領域以外
のすべての領域２５では、この関係は逆になっている。
の強度分布２１を示す図である。これは、従来の多重ス
トライプ型半導体レーザについてあてはまる。この時、
ストライプ状の発振領域２２での屈折率ｎは第１図の場
合と同じく光の等側屈折率２４より高く、発振領域以外
のすべての領域２５では、この関係は逆になっている。
よって、この時の光の強度分布は、谷発振領域の境界で
変曲点を持つ起伏の激しい分布になり、全発憑領域を包
み込む形にはならない事がわかる。
変曲点を持つ起伏の激しい分布になり、全発憑領域を包
み込む形にはならない事がわかる。
第３図は、複数のストライプ状発振領域にはさまれた部
分の屈折率を上昇させ、光の等側屈折率より大きくした
時の光の強度分布を示す図である。
分の屈折率を上昇させ、光の等側屈折率より大きくした
時の光の強度分布を示す図である。
この時、複数の発振領域と、複数の発振領域にはさまれ
る領域を含む全領域３１において、屈折率３２は光の等
側屈折率３３より高く、複数の発振領域の外側の領域３
４においては、この逆の関係ζどなっている。よって、
光の強度分布３５は、（１）式より、領域３１内におい
ては変曲点を持たず、全発掘領域を包み込む形になる。
る領域を含む全領域３１において、屈折率３２は光の等
側屈折率３３より高く、複数の発振領域の外側の領域３
４においては、この逆の関係ζどなっている。よって、
光の強度分布３５は、（１）式より、領域３１内におい
ては変曲点を持たず、全発掘領域を包み込む形になる。
このため、出射光の遠視野隊は今までのような分布２１
でなく、非常に良好な分布３５が得られる。
でなく、非常に良好な分布３５が得られる。
又、筆者らは、実際にストライプ状発振領域を作製する
時に生じる発振領域の幅の誤差や、発振領域ごとでの屈
折率の差が、ストライプ状の発振領域の幅の大きい時や
、発振領域と発振領域にはさまれた部分との間での屈折
率差が大きい時には、光の強度が少数の発振領域にほと
んど局在するところのモードが立つ事を数値計算で確め
た。この局在は、発振領域と発振領域にはさまれた部分
との間での屈折率差が小さければ減少するので、第３図
の構造はこの局在の影響をも軽減させる事ができる。従
って、複数の発振領域の相互の光学的結合が局在によっ
て阻害される事が少なくなり、コヒーレントな発振も得
られやすくなっている。
時に生じる発振領域の幅の誤差や、発振領域ごとでの屈
折率の差が、ストライプ状の発振領域の幅の大きい時や
、発振領域と発振領域にはさまれた部分との間での屈折
率差が大きい時には、光の強度が少数の発振領域にほと
んど局在するところのモードが立つ事を数値計算で確め
た。この局在は、発振領域と発振領域にはさまれた部分
との間での屈折率差が小さければ減少するので、第３図
の構造はこの局在の影響をも軽減させる事ができる。従
って、複数の発振領域の相互の光学的結合が局在によっ
て阻害される事が少なくなり、コヒーレントな発振も得
られやすくなっている。
第４図は、半導体基板上４１に複数のストライプ状の溝
４２を作製し、その複数の溝にはさまれた部分４３の障
壁を複数の溝の外側の領域４４の障壁より低くし、その
上に光ガイド層４５．活性層４６．キャップ層４７を結
晶成長させて製作した半導体レーザの断面図である。こ
の断面の垂直方向（Ｘ方向）に伝搬する光の空間モード
を考える方法としては、空間モードを断面の平面内で２
方向に変数分離する方法が用いられる。つまり、まず、
第４図のＸ方向に対して、前述した方程式（１）を４２
、４３ 、４４の３つの領域に対して解く。こうして
得られるＸ方向の光の等側屈折率は、領域４２で一番犬
きく、領域４４で一番小さくなり、領域４３においては
、その間の値をとる。次に、２方向に対しても、同様に
方程式（１）を解く。この時、２方向での屈折率は、４
２ 、４３ 、４４の３つの領域でのＸ方向の光の等側
屈折率と同一になる。これは、空間モードを変数分離の
形で考察する事により得られる結果である。
４２を作製し、その複数の溝にはさまれた部分４３の障
壁を複数の溝の外側の領域４４の障壁より低くし、その
上に光ガイド層４５．活性層４６．キャップ層４７を結
晶成長させて製作した半導体レーザの断面図である。こ
の断面の垂直方向（Ｘ方向）に伝搬する光の空間モード
を考える方法としては、空間モードを断面の平面内で２
方向に変数分離する方法が用いられる。つまり、まず、
第４図のＸ方向に対して、前述した方程式（１）を４２
、４３ 、４４の３つの領域に対して解く。こうして
得られるＸ方向の光の等側屈折率は、領域４２で一番犬
きく、領域４４で一番小さくなり、領域４３においては
、その間の値をとる。次に、２方向に対しても、同様に
方程式（１）を解く。この時、２方向での屈折率は、４
２ 、４３ 、４４の３つの領域でのＸ方向の光の等側
屈折率と同一になる。これは、空間モードを変数分離の
形で考察する事により得られる結果である。
従って、本発明で注目している２方向について、方程式
（１）における屈折率の変化は、実効的に第３図におけ
る屈折率３２と同じ変化となる。このｙ方向の光の等側
屈折率による２方向の方程式上の屈折率を実効的な屈折
率と言う。よって、第４図の構造に右いても、２方向に
対しての方程式（１）を解く事によって得られる本発明
で注目している２方向に対する光の等側屈折率と、２方
向に対する実効的な屈折率の各領域ごとでの変化は、第
３図に示したごとき関係になり、２方向に対する光の強
度変化は、第３図３５のように全ストライプを包み込む
ようになる。その結果１本発明で注目している２方向、
つまり、活性層平面方向における遠視野像は、良好なも
のが得られる。
（１）における屈折率の変化は、実効的に第３図におけ
る屈折率３２と同じ変化となる。このｙ方向の光の等側
屈折率による２方向の方程式上の屈折率を実効的な屈折
率と言う。よって、第４図の構造に右いても、２方向に
対しての方程式（１）を解く事によって得られる本発明
で注目している２方向に対する光の等側屈折率と、２方
向に対する実効的な屈折率の各領域ごとでの変化は、第
３図に示したごとき関係になり、２方向に対する光の強
度変化は、第３図３５のように全ストライプを包み込む
ようになる。その結果１本発明で注目している２方向、
つまり、活性層平面方向における遠視野像は、良好なも
のが得られる。
（実施例）
第５図に、本発明の１実施例の半導体レーザの断面図を
示す。これは、Ｓドープのｎ型ＩｎＰ基板５１上に、ま
ず２μｍのストライプ状の溝５２を１０本、４μｍ間隔
に通常のフォトリソグラフィー法で作製し１次に複数の
溝にはさまれた部分５３のみマスクをはがし、再びエツ
チングし、２μｍのストライプ状の溝５２の１０本と、
それらにはさまれた部分５３の９カ所を基板５１より深
くして、その上にＩｎＰに格子整合するバンドギャップ
１．０８ ｅＶ相当のＳドープｎ型のＩｎＧａＡｓＰ
による光ガイド層５４を０．３μｍ、 同じ（’ＩｎＰ
に格子整合するバンドギャップ０．９７ ｅＶ （１，
３μｍ発振用）のノンドープのＩｎＧａＡｓＰによる活
性層５５をＱ、 １５ μｍ、気相成長法により結晶成
長し、その上に、Ｚｎ ドープのｐ型ＩｎＰ ５５を同
じく気相成長法で２μｍ結晶成長し、上下にそれぞれ蒸
着により電極５７をつけたものである。この構造の多重
ストライプ型半導体レーザ光 では、発振流の遠視野像が、従来の５３の部分のエツチ
ングなしの構造の多重ストライプ型半導体レーザと比べ
、著しく改良された。第６図、第７図に、この遠視野像
を示す。第６図は改良前（従来型）の多重ストライブ型
半島体レーザの遠視野像。
示す。これは、Ｓドープのｎ型ＩｎＰ基板５１上に、ま
ず２μｍのストライプ状の溝５２を１０本、４μｍ間隔
に通常のフォトリソグラフィー法で作製し１次に複数の
溝にはさまれた部分５３のみマスクをはがし、再びエツ
チングし、２μｍのストライプ状の溝５２の１０本と、
それらにはさまれた部分５３の９カ所を基板５１より深
くして、その上にＩｎＰに格子整合するバンドギャップ
１．０８ ｅＶ相当のＳドープｎ型のＩｎＧａＡｓＰ
による光ガイド層５４を０．３μｍ、 同じ（’ＩｎＰ
に格子整合するバンドギャップ０．９７ ｅＶ （１，
３μｍ発振用）のノンドープのＩｎＧａＡｓＰによる活
性層５５をＱ、 １５ μｍ、気相成長法により結晶成
長し、その上に、Ｚｎ ドープのｐ型ＩｎＰ ５５を同
じく気相成長法で２μｍ結晶成長し、上下にそれぞれ蒸
着により電極５７をつけたものである。この構造の多重
ストライプ型半導体レーザ光 では、発振流の遠視野像が、従来の５３の部分のエツチ
ングなしの構造の多重ストライプ型半導体レーザと比べ
、著しく改良された。第６図、第７図に、この遠視野像
を示す。第６図は改良前（従来型）の多重ストライブ型
半島体レーザの遠視野像。
第７図が本実施例の多重ストライプ型半導体レーザの遠
視野像である。但し、横軸は角度である。
視野像である。但し、横軸は角度である。
ここで、電流は全領域にわたって注入しているが、発振
領域のみに電流が流れるように、ストライプ状の窓のあ
いた絶縁体膜のカバーや、ストライプ状の電極等を用い
ると、発振に必要な電流は低減される。又１発振領域を
埋めこんだ埋めこみ構造でも同・際である。
領域のみに電流が流れるように、ストライプ状の窓のあ
いた絶縁体膜のカバーや、ストライプ状の電極等を用い
ると、発振に必要な電流は低減される。又１発振領域を
埋めこんだ埋めこみ構造でも同・際である。
本発明は、複数の発振領域の間の実効的な屈折率を、複
数の発、光領域の実効的な屈折率より低く。
数の発、光領域の実効的な屈折率より低く。
複数の発光領域の外側の実効的な屈折率よりは高くした
事が本質であり、製造方法、材料ストライプ構造等に限
定されないのは明らかである。
事が本質であり、製造方法、材料ストライプ構造等に限
定されないのは明らかである。
（発明の効果）
このような多重ストライプ型半導体レーザは、高出力を
得つつ、良好な遠視野像を持ち、全ての発光領域を包み
込むコヒーレントな発振をしやすいという特徴を持つ。
得つつ、良好な遠視野像を持ち、全ての発光領域を包み
込むコヒーレントな発振をしやすいという特徴を持つ。
第１図は屈折率の空間的変化とそれに伴う光の強度分布
を示す図。第２図は、従来の多ｌストライプ型半導体レ
ーザの屈折率の空間変化と、それに伴う光の強度分布を
示す図、第３図は、本発明による構造の多重ストライプ
型子導体レーザの屈折率の空間変化と、それに伴う光の
強度分布を示す図。第４図は本発明による構造を有する
多重ストライプ型半導体レーザの断面図の一例を示す図
。 第５図は実施例Ｉこおける多重ストライプ型半導体レー
ザの断面図。第６図は、従来の多重ストライプ型レーザ
の遠視野酸。第７図は本発明による多重ストライプ型半
導体レーザの遠視野像である。 図において、 １１・・・屈折率、１２・・・光の強度分布、１３・・
・低屈折率領域、１４・・・光の等側屈折率、ｆ５・・
・高屈折率領域、２１・・・光の強度分布、２２・・・
ストライプ状の発光領域、２３・・・屈折率、２４・・
・光の等側屈折率、２５・・・発光領域以外の全領域、
３１・・発光領域及び発光領域にはさまねた領域、３２
・・・屈折率、３３・・・光の弄１１１１ｉ屈折率、３
４・・・発光領域の外側の低屈折率領域、３５・・・光
の強度分布、４１・・・半導体基板、４２・・・ストラ
イプ状の溝。 ４３・・・溝にはさまれた領域、４４・・・溝の外側の
領域、４５・・・光ガイド層、４６・・・活性層、４７
・・・キャップ層。 ５１・・・Ｓドープのｎ型ＩｎＰ基板、５２・・・スト
ライプ状の溝、５３・・・連にはさまれた部分、５４・
・・ＩｎＰに格子整合するバンドギャップ１．０８ｅＶ
のＳドープｎ型ＩｎＧａＡｓＰ 、 ５５・・・ＬｎＰ
に格子整合するバンドギャップ０．９７ ｅＶのノンド
ープ１ｎＧａＡｓＰ、 ５６−・−Ｚｎドープのｐ型ｉ
ｎＰ、５７・・・電極。 オ １ 図 １、−；ｌ（２図 オ ３図 ５Ｑ ３１ ３４
を示す図。第２図は、従来の多ｌストライプ型半導体レ
ーザの屈折率の空間変化と、それに伴う光の強度分布を
示す図、第３図は、本発明による構造の多重ストライプ
型子導体レーザの屈折率の空間変化と、それに伴う光の
強度分布を示す図。第４図は本発明による構造を有する
多重ストライプ型半導体レーザの断面図の一例を示す図
。 第５図は実施例Ｉこおける多重ストライプ型半導体レー
ザの断面図。第６図は、従来の多重ストライプ型レーザ
の遠視野酸。第７図は本発明による多重ストライプ型半
導体レーザの遠視野像である。 図において、 １１・・・屈折率、１２・・・光の強度分布、１３・・
・低屈折率領域、１４・・・光の等側屈折率、ｆ５・・
・高屈折率領域、２１・・・光の強度分布、２２・・・
ストライプ状の発光領域、２３・・・屈折率、２４・・
・光の等側屈折率、２５・・・発光領域以外の全領域、
３１・・発光領域及び発光領域にはさまねた領域、３２
・・・屈折率、３３・・・光の弄１１１１ｉ屈折率、３
４・・・発光領域の外側の低屈折率領域、３５・・・光
の強度分布、４１・・・半導体基板、４２・・・ストラ
イプ状の溝。 ４３・・・溝にはさまれた領域、４４・・・溝の外側の
領域、４５・・・光ガイド層、４６・・・活性層、４７
・・・キャップ層。 ５１・・・Ｓドープのｎ型ＩｎＰ基板、５２・・・スト
ライプ状の溝、５３・・・連にはさまれた部分、５４・
・・ＩｎＰに格子整合するバンドギャップ１．０８ｅＶ
のＳドープｎ型ＩｎＧａＡｓＰ 、 ５５・・・ＬｎＰ
に格子整合するバンドギャップ０．９７ ｅＶのノンド
ープ１ｎＧａＡｓＰ、 ５６−・−Ｚｎドープのｐ型ｉ
ｎＰ、５７・・・電極。 オ １ 図 １、−；ｌ（２図 オ ３図 ５Ｑ ３１ ３４
Claims (1)
- １）多層へテロ構造を備え、互いに平行でかつ相互に光
学的に結合した複数のストライプ状の発振領域を有する
半導体レーザにおいて、各発振領域間にはさまれている
部分の実効的な屈折率が、発振領域の実効的な屈折率よ
りも低く、かつ、複数の発振領域の外側の領域の実効的
な屈折率よりも高い事を特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6849284A JPS60211993A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6849284A JPS60211993A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60211993A true JPS60211993A (ja) | 1985-10-24 |
Family
ID=13375236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6849284A Pending JPS60211993A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60211993A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6425591A (en) * | 1987-07-22 | 1989-01-27 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Semiconductor laser |
| US6649938B1 (en) * | 1998-03-12 | 2003-11-18 | D-Led Corporation | Semiconductor optical amplifier |
| US6748002B2 (en) | 1998-08-10 | 2004-06-08 | D-Led Corporation | Injection laser |
-
1984
- 1984-04-06 JP JP6849284A patent/JPS60211993A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6425591A (en) * | 1987-07-22 | 1989-01-27 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Semiconductor laser |
| US6649938B1 (en) * | 1998-03-12 | 2003-11-18 | D-Led Corporation | Semiconductor optical amplifier |
| US6748002B2 (en) | 1998-08-10 | 2004-06-08 | D-Led Corporation | Injection laser |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4860298A (en) | Phased-locked array of semiconductor lasers using closely spaced antiguides | |
| US9859683B2 (en) | Distributed feedback semiconductor laser element | |
| JPS59205787A (ja) | 単一軸モ−ド半導体レ−ザ | |
| JP4445292B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| US20060166386A1 (en) | Optical semiconductor device and its manufacturing method | |
| JP3742317B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP3354106B2 (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JP2006086228A (ja) | 半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子アレイ | |
| JPS60211993A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPH04167484A (ja) | 光半導体装置 | |
| JPH03268379A (ja) | 半導体レーザ・チップおよびその製造方法 | |
| JPH0431195B2 (ja) | ||
| US20020080835A1 (en) | Semiconductor laser and method of production thereof | |
| JPH07231138A (ja) | 面発光半導体レーザ | |
| JPH03257888A (ja) | 面発光半導体レーザ | |
| US5027368A (en) | Semiconductor laser device | |
| RU2230410C1 (ru) | Инжекционный лазер и лазерная диодная линейка | |
| JPS6257275A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置 | |
| JPS63150981A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JP4984514B2 (ja) | 半導体発光素子および該半導体発光素子の製造方法 | |
| JPH0474876B2 (ja) | ||
| US20010048704A1 (en) | Distributed feedback laser diode | |
| JPS5980984A (ja) | 面発光分布帰還形半導体レ−ザ素子 | |
| JPS6175585A (ja) | 埋め込み形半導体レ−ザ | |
| JPH04372185A (ja) | 半導体レーザ |