JPS6021381A - 光ｃｖｄ装置の薄膜生成反応炉 - Google Patents
光ｃｖｄ装置の薄膜生成反応炉Info
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- JPS6021381A JPS6021381A JP12556383A JP12556383A JPS6021381A JP S6021381 A JPS6021381 A JP S6021381A JP 12556383 A JP12556383 A JP 12556383A JP 12556383 A JP12556383 A JP 12556383A JP S6021381 A JPS6021381 A JP S6021381A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/488—Protection of windows for introduction of radiation into the coating chamber
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
半導体のデバイスプロセス技術は、常に進歩しているが
特に薄＋＋Ｖ生成の技術は生成温度の低温化を指向して
いる。低温化の手段としてプラズマＣＶＤ（化学的気相
成長）膜生成技術がすでに知られているが、最近うｑＯ
ｖＤｐの生成技術が注目されている。本発明は光ＣＶＤ
装置の薄膜生成反応炉の改良に関するものである。
特に薄＋＋Ｖ生成の技術は生成温度の低温化を指向して
いる。低温化の手段としてプラズマＣＶＤ（化学的気相
成長）膜生成技術がすでに知られているが、最近うｑＯ
ｖＤｐの生成技術が注目されている。本発明は光ＣＶＤ
装置の薄膜生成反応炉の改良に関するものである。
まず光ＣＶＤ法について説明する。光ＣＶＤ法は反応ガ
スが光エネルギで反応し、生成温度を低温化できるのみ
ならず、プラズマＣＶＤ法におけるイオンや電子などの
高いエネルギ粒子がＲ在しないので、生長膜へのイオン
などによイ損傷が少なく、また光の照射強度を均一にす
ることが容易なため、生長膜の膜厚の均一化が容易で、
がっ大口径クエへの処理が容易という特長があり、ステ
ップカパリージも良いこと、（基板」二の薄膜のパター
ンに生ずる段差のくぼみが少ないこと）から、今後のＣ
ＶＤ膜生成技術の重要な部門として期待されている。
スが光エネルギで反応し、生成温度を低温化できるのみ
ならず、プラズマＣＶＤ法におけるイオンや電子などの
高いエネルギ粒子がＲ在しないので、生長膜へのイオン
などによイ損傷が少なく、また光の照射強度を均一にす
ることが容易なため、生長膜の膜厚の均一化が容易で、
がっ大口径クエへの処理が容易という特長があり、ステ
ップカパリージも良いこと、（基板」二の薄膜のパター
ンに生ずる段差のくぼみが少ないこと）から、今後のＣ
ＶＤ膜生成技術の重要な部門として期待されている。
）１′、ＣＶ’ Ｄ法の反応式は次式で表わされる。
１〕シー１−Ｈ，９は光エイ・ルギとして水銀ランプに
よる紫外線のエネルギを利用し、かつ触媒的にｐ（ｙ（
ガス）を使用することを意味し、１００−２００℃はウ
ェハ＋の薄膜の生成温度を表わしている。上記いずれの
反応においても、目下は第１図に示される発光スペクト
ラムを有する低圧水銀灯を光源としているものが多い。
よる紫外線のエネルギを利用し、かつ触媒的にｐ（ｙ（
ガス）を使用することを意味し、１００−２００℃はウ
ェハ＋の薄膜の生成温度を表わしている。上記いずれの
反応においても、目下は第１図に示される発光スペクト
ラムを有する低圧水銀灯を光源としているものが多い。
第２図は従来の光（ｊ Ｖ Ｉ）反応炉の代表的な一例
の＋ｌ１１１Ｉ造桐、要因である。図中の１は紫外線を
よく通ずための石英窓板で、これより十部が光源室、こ
れより下部が反応室をそれぞれ形成している。２は紫外
線用水銀ランプユニ、ト、３は反則板、４はウェハ（基
板）群でサセプタ５」−に載せである。
の＋ｌ１１１Ｉ造桐、要因である。図中の１は紫外線を
よく通ずための石英窓板で、これより十部が光源室、こ
れより下部が反応室をそれぞれ形成している。２は紫外
線用水銀ランプユニ、ト、３は反則板、４はウェハ（基
板）群でサセプタ５」−に載せである。
６は赤外線ランプユニット、７は熱電対、８は補助ヒー
タ、９は反応室内へのガス人口、］０は真空ポンプへの
排気１］である。この反応炉では基板４を赤外線ランプ
ユニット６にて加熱する（補助ヒータ８は基板に直接赤
外光が照射されることを防ぎ、基板の温度分布を良好に
する補助板である）と共に、基板」−に生成する薄膜に
よって定まる材料の反応ガスをガス入］］９から反応炉
内に流通させ、他方水銀ランプユニット２より石英窓板
１を透過して来る紫外線のエネルギをとり入れて、基板
上に低温にて薄膜を生成させるものである。
タ、９は反応室内へのガス人口、］０は真空ポンプへの
排気１］である。この反応炉では基板４を赤外線ランプ
ユニット６にて加熱する（補助ヒータ８は基板に直接赤
外光が照射されることを防ぎ、基板の温度分布を良好に
する補助板である）と共に、基板」−に生成する薄膜に
よって定まる材料の反応ガスをガス入］］９から反応炉
内に流通させ、他方水銀ランプユニット２より石英窓板
１を透過して来る紫外線のエネルギをとり入れて、基板
上に低温にて薄膜を生成させるものである。
しかしこのような構造の炉では石英板１の入射窓面（反
応室側の面、図では下面）に生成膜が次第に付着し、照
射光量が減少するという欠点がある。
応室側の面、図では下面）に生成膜が次第に付着し、照
射光量が減少するという欠点がある。
この現象はボ９ （Ｐｏｌｙ） シリコン膜の場合、生
成膜が３００λ以上になると極端に生成速度が低下する
という報告があるが、現状ではこの問題を解決する装置
は未だ見出されない。本発明はこの問題を解決するため
に行ったもので、以下詳細に説明する。
成膜が３００λ以上になると極端に生成速度が低下する
という報告があるが、現状ではこの問題を解決する装置
は未だ見出されない。本発明はこの問題を解決するため
に行ったもので、以下詳細に説明する。
第３図は本発明を実施した光ＣＶＤ反応：ｌ；ｉ’ｉの
＋Ｗｒ造例Ｊｌ！！ｌ； ：５１″図である３７図中の
記吟１．２．４．５． ６しｊ弔）図にＪｌ、通である
が、〃１の構造、従って自己１市番ま異／、’Ｈ７−、
＞ている。すなわちｌは無水石％ｏｖ：ｔ（Ｊ反）で、
紫外線などの光エイ・ルギな反応室コ２内（二；＝、
ｌ、）透過イ（て）４過させる。反応室上部レオこの、
石英窓ｌと０リンクにｊニリ外気と遮断されてＥＴ−）
＞：シールさ、ｌｔ。
＋Ｗｒ造例Ｊｌ！！ｌ； ：５１″図である３７図中の
記吟１．２．４．５． ６しｊ弔）図にＪｌ、通である
が、〃１の構造、従って自己１市番ま異／、’Ｈ７−、
＞ている。すなわちｌは無水石％ｏｖ：ｔ（Ｊ反）で、
紫外線などの光エイ・ルギな反応室コ２内（二；＝、
ｌ、）透過イ（て）４過させる。反応室上部レオこの、
石英窓ｌと０リンクにｊニリ外気と遮断されてＥＴ−）
＞：シールさ、ｌｔ。
ている。石英窓ｊには紫外線の透過率力１１憂、ｌｔた
フ１！（水の（ＩＯ′！ＡＡを使用する。２はウエノ・
４のジ乏１ｒ１１近１帝に紫外線の光エネルギを供給す
る水銀ランプユニ・Ｉ・、４はウニ）Ｘ（基板）でこの
表面（二ｆｉ４１’ＩＩ反１．Ｌ：（二よるＡ！ｆ：
ＩＩ’；：が形成される。５はフェノ・（主にシリコン
）を間接加熱するサセプタで、ＳＩＯを勿ν覆したカー
ボン＋４が１口いられる。６はサー【イブタ５を力１１
熱する赤外線ランプユニットで、ランク（二番Ｊ）・ロ
ゲンランブが通常用いられ、またランプ〕覧をｉｉｊ
ｉＴｉ＋；二照射させるためリフレクタがイー１属し−
Ｃ１，＝る。このランプユニットは反応室外に設けてラ
ンプの交換を容易（二すると共に、上下左右の移動機構
カ一般けである。１１は赤外線の光エネルギを気相反応
が行われる反応室１２内のサセプタ５に透過させる第２
の石英窓（板）で、反応室下部はこの石英窓とＯリング
によって外気と遮断されている。コ３はＰＦＡフィルム
で、反応生成物および反応カスを石英窓１に付着させな
いように、反応室］２内を石英窓１側と反応室］２側に
空間性νＩｔする役目を持っている。ＰＦＡフィルン、
は後にさらに説明するが、耐熱性があり紫外線の１フク
過率の良いフィルムである。］４はＰＦＡフィルムのロ
ーニル、］、５はロール１４に回乾運動をＪＸｉえるた
めのフィルレノ・ローラ、］６は補助ローラで、Ｐ Ｆ
’ Ａフィルｌ・］３の巻取りおよび供給を円１１′１
に１ｊうためのものである。１７はフィルム供給室２０
ａおよびフィルム収納室２０ｂのチャンバ、］８はカス
パーンボーＩ・て、反応生成物および反応ガスが石英窓
１に１１ｊ目つりこむのを防止する。この部分は第４図
のパージノ７ヌおよび反応ガスのａしれ図に詳細に示し
である。第４図中に示した１９ａは士ｉＪイド、１９ｂ
は下ノコイド２２は反応ガス、２３はパージガス、２４
は排気である。第３図にＪノサって２０ａはフィルム供
給室°で補助ローラ１６、フィルムローラ１５、ＰＦＡ
フィルン＼（１−ル１４を収納する。２０ｂはフィル７
・１反納室で補助ローラ１６、フィルムローラ１５Ｊ”
ｌ’ｌ” ’Ａ フィルムロール］４を収納する。２
１は水／／ｌ″ｉジャケットで、反応室コ２内のＣ〕シ
リング過熱防止、フィルムおよびフィルム伊給室２０ａ
１ フィルム収納室２０ｂの過熱防止を行う。
フ１！（水の（ＩＯ′！ＡＡを使用する。２はウエノ・
４のジ乏１ｒ１１近１帝に紫外線の光エネルギを供給す
る水銀ランプユニ・Ｉ・、４はウニ）Ｘ（基板）でこの
表面（二ｆｉ４１’ＩＩ反１．Ｌ：（二よるＡ！ｆ：
ＩＩ’；：が形成される。５はフェノ・（主にシリコン
）を間接加熱するサセプタで、ＳＩＯを勿ν覆したカー
ボン＋４が１口いられる。６はサー【イブタ５を力１１
熱する赤外線ランプユニットで、ランク（二番Ｊ）・ロ
ゲンランブが通常用いられ、またランプ〕覧をｉｉｊ
ｉＴｉ＋；二照射させるためリフレクタがイー１属し−
Ｃ１，＝る。このランプユニットは反応室外に設けてラ
ンプの交換を容易（二すると共に、上下左右の移動機構
カ一般けである。１１は赤外線の光エネルギを気相反応
が行われる反応室１２内のサセプタ５に透過させる第２
の石英窓（板）で、反応室下部はこの石英窓とＯリング
によって外気と遮断されている。コ３はＰＦＡフィルム
で、反応生成物および反応カスを石英窓１に付着させな
いように、反応室］２内を石英窓１側と反応室］２側に
空間性νＩｔする役目を持っている。ＰＦＡフィルン、
は後にさらに説明するが、耐熱性があり紫外線の１フク
過率の良いフィルムである。］４はＰＦＡフィルムのロ
ーニル、］、５はロール１４に回乾運動をＪＸｉえるた
めのフィルレノ・ローラ、］６は補助ローラで、Ｐ Ｆ
’ Ａフィルｌ・］３の巻取りおよび供給を円１１′１
に１ｊうためのものである。１７はフィルム供給室２０
ａおよびフィルム収納室２０ｂのチャンバ、］８はカス
パーンボーＩ・て、反応生成物および反応ガスが石英窓
１に１１ｊ目つりこむのを防止する。この部分は第４図
のパージノ７ヌおよび反応ガスのａしれ図に詳細に示し
である。第４図中に示した１９ａは士ｉＪイド、１９ｂ
は下ノコイド２２は反応ガス、２３はパージガス、２４
は排気である。第３図にＪノサって２０ａはフィルム供
給室°で補助ローラ１６、フィルムローラ１５、ＰＦＡ
フィルン＼（１−ル１４を収納する。２０ｂはフィル７
・１反納室で補助ローラ１６、フィルムローラ１５Ｊ”
ｌ’ｌ” ’Ａ フィルムロール］４を収納する。２
１は水／／ｌ″ｉジャケットで、反応室コ２内のＣ〕シ
リング過熱防止、フィルムおよびフィルム伊給室２０ａ
１ フィルム収納室２０ｂの過熱防止を行う。
さて第３図の本発明の反応炉の特長は、前記従来の問題
点を解決するため水銀ランプの光を透過する石英窓］の
直下に設けた使用酬熱ハ、（度が高くかつ紫外線の透過
率の良いＰＦＡブイルｔ・を介して反応室Ｊ２と石英窓
コの間にガスバージ室（ガスパーｔ７ポートコ８を含む
中間排気がｉ、ｉＪ能となっている）を設けて、第４図
に示すようにガスの出入を行い、石英窓１に反応生成物
が伺７１シないように４１−１成して、反応生成物はｐ
ｘ；’Δフィルムにのみ付着するようにし、反応生成
物が（４着したフィルムは任意時間に自動的に巻取って
、常に新しいフィルムを反応室内に供給し、ランプユニ
ット２上りの入射光用の低下を防いでいること（二ある
。
点を解決するため水銀ランプの光を透過する石英窓］の
直下に設けた使用酬熱ハ、（度が高くかつ紫外線の透過
率の良いＰＦＡブイルｔ・を介して反応室Ｊ２と石英窓
コの間にガスバージ室（ガスパーｔ７ポートコ８を含む
中間排気がｉ、ｉＪ能となっている）を設けて、第４図
に示すようにガスの出入を行い、石英窓１に反応生成物
が伺７１シないように４１−１成して、反応生成物はｐ
ｘ；’Δフィルムにのみ付着するようにし、反応生成
物が（４着したフィルムは任意時間に自動的に巻取って
、常に新しいフィルムを反応室内に供給し、ランプユニ
ット２上りの入射光用の低下を防いでいること（二ある
。
第５図は無水石英板の光の波長に対する透過率特性を厚
さ１．５＊ｍ、１． Ｑ ＩＩ＋１＋１．３０ ｍｍの
石英板（二ついて示したもので、厚さによる相違は小さ
し）。第６図はＰＦＡフィルムの光の波長に対する透過
率特性で、フィルムの厚さはＡが７０７１．Ｂカー９０
μの場合である。ＰＦＡフィルムは４フツ化エチレンと
パーフロロアルコキンエチレンとの共重合体からなるフ
ッ素フィルムで、従来からあるＰ ’Ｉ”ＦＥ（通亦テ
フロン）を特に熱１ｊＪ塑性を強化したものと考えられ
る。わが国においてｔｊ市［υ！品としてトヨフロンＰ
ＦＡフィルム（商品名）など力１９る。このフィルムは
高温時の機械的強度はフッ素フィルム中最高、化学的に
も安定でほとんどすべての化学蘂品や溶剤、油脂に侵さ
れない。またその性質は次表のようである。←弊什Φ脅
→÷一般にＰＦＡフィルムのような合成樹脂性のフィル
ムでは、紫外線を照射した場合フィルム自身が発熱固化
する性質があるが、本発明構造の反応炉ではこのような
性質は致命的な欠陥をもたらすのて、ＰＩｉ” Ａフィ
ルム（二ｌ）いて紫外線照射テストをｉ」つ人−６、番
＜／！ｕＶでのテストの＆ｌｉ 、！４！、フィルｌ、
のンへλ）長は４０°Ｃ以１ミ゛であって固化は全く見
ら］ｔず、実用に十分耐えることが実証された。
さ１．５＊ｍ、１． Ｑ ＩＩ＋１＋１．３０ ｍｍの
石英板（二ついて示したもので、厚さによる相違は小さ
し）。第６図はＰＦＡフィルムの光の波長に対する透過
率特性で、フィルムの厚さはＡが７０７１．Ｂカー９０
μの場合である。ＰＦＡフィルムは４フツ化エチレンと
パーフロロアルコキンエチレンとの共重合体からなるフ
ッ素フィルムで、従来からあるＰ ’Ｉ”ＦＥ（通亦テ
フロン）を特に熱１ｊＪ塑性を強化したものと考えられ
る。わが国においてｔｊ市［υ！品としてトヨフロンＰ
ＦＡフィルム（商品名）など力１９る。このフィルムは
高温時の機械的強度はフッ素フィルム中最高、化学的に
も安定でほとんどすべての化学蘂品や溶剤、油脂に侵さ
れない。またその性質は次表のようである。←弊什Φ脅
→÷一般にＰＦＡフィルムのような合成樹脂性のフィル
ムでは、紫外線を照射した場合フィルム自身が発熱固化
する性質があるが、本発明構造の反応炉ではこのような
性質は致命的な欠陥をもたらすのて、ＰＩｉ” Ａフィ
ルム（二ｌ）いて紫外線照射テストをｉ」つ人−６、番
＜／！ｕＶでのテストの＆ｌｉ 、！４！、フィルｌ、
のンへλ）長は４０°Ｃ以１ミ゛であって固化は全く見
ら］ｔず、実用に十分耐えることが実証された。
次に第４図によって本発明反応炉の一部の構造について
更に説明を加える。石英窓工の下１Ｔｉｉｉ二反応生成
物が付着することをできるだけ少なくするため、反応室
部１２と石英窓１の間は紫外線の入射路以外はＰ 、Ｆ
Ａフィルムカイト１９ａ、］、９ｂ翰４４図の斜線を
施した部分）で仕切られてＵ）る。さらに石英窓ｌには
反応ガスが回りこまなｌ、Ａよう（二石英窓ｌ側のフラ
ンジには内周、外周（１１個ずつの溝が設けてあり、こ
の溝の内周側からｉＪスノク−ジ１８をし、外周側より
排気２４をすること（二よって、反応ガスが石英窓］に
流れこむのを防ｌＪ： １−るようになっている。しか
も石英窓］側の圧力を反応室１２の圧力より少しでも高
くしＣ−Ｔ６＋す＋ｉ、このガスバルジ方式の反応ガス
ノく−ジ効果番よよ（）高くなるので、反応ガスが石英
窓１（：到達する確率は極めて小さい。従って石英窓］
の面への反１．コ；生成物の付着はほとんど起らない。
更に説明を加える。石英窓工の下１Ｔｉｉｉ二反応生成
物が付着することをできるだけ少なくするため、反応室
部１２と石英窓１の間は紫外線の入射路以外はＰ 、Ｆ
Ａフィルムカイト１９ａ、］、９ｂ翰４４図の斜線を
施した部分）で仕切られてＵ）る。さらに石英窓ｌには
反応ガスが回りこまなｌ、Ａよう（二石英窓ｌ側のフラ
ンジには内周、外周（１１個ずつの溝が設けてあり、こ
の溝の内周側からｉＪスノク−ジ１８をし、外周側より
排気２４をすること（二よって、反応ガスが石英窓］に
流れこむのを防ｌＪ： １−るようになっている。しか
も石英窓］側の圧力を反応室１２の圧力より少しでも高
くしＣ−Ｔ６＋す＋ｉ、このガスバルジ方式の反応ガス
ノく−ジ効果番よよ（）高くなるので、反応ガスが石英
窓１（：到達する確率は極めて小さい。従って石英窓］
の面への反１．コ；生成物の付着はほとんど起らない。
またＣｖＤ膜生成中にはＰＦＡフイルム：二反ルこ二生
成物が付着し、紫外線の照ｎ、１光量力１少し４１モ１
戊ｊＳし川の低トが見られるが、フィルム−１−に一定
膜厚の反応生１ノシ物が付イ′１した１侍には、フィル
ム１３を；’、ｉ！ ｔ、’１図右端のフィル７・収納
室２０ｂのロール１４に７ち取り、フィルム供給室２０
ａのロールから新しいフィルムを供給ずれば、］Ｉｊひ
紫外線の照射光ｈ）が長ノ活し生成速度が増大する。そ
してこのような動作を繰返すことにより、所望の１１７
１！７４ （通常５．０００Å・〜１０．ｏｏｏ７、
）のＣＶＤ膜を得ることができる。
成物が付着し、紫外線の照ｎ、１光量力１少し４１モ１
戊ｊＳし川の低トが見られるが、フィルム−１−に一定
膜厚の反応生１ノシ物が付イ′１した１侍には、フィル
ム１３を；’、ｉ！ ｔ、’１図右端のフィル７・収納
室２０ｂのロール１４に７ち取り、フィルム供給室２０
ａのロールから新しいフィルムを供給ずれば、］Ｉｊひ
紫外線の照射光ｈ）が長ノ活し生成速度が増大する。そ
してこのような動作を繰返すことにより、所望の１１７
１！７４ （通常５．０００Å・〜１０．ｏｏｏ７、
）のＣＶＤ膜を得ることができる。
次にフィルムの交換を容易にする構造が望ましいことは
ＩＬうまでもない。そのためＰ ＩＩ’ Ａフィル７・
カイト（第４図斜線部分）は１９ ａ、」９１〕の」二
。
ＩＬうまでもない。そのためＰ ＩＩ’ Ａフィル７・
カイト（第４図斜線部分）は１９ ａ、」９１〕の」二
。
１−゛ガイドに分離できる構造とし、フィルムを交換す
るには士ガイド］、 ９ ａが固定されているフランジ
および各ロール室］７の＋フランジを開けば筒中に１ｊ
われるようになっている。
るには士ガイド］、 ９ ａが固定されているフランジ
および各ロール室］７の＋フランジを開けば筒中に１ｊ
われるようになっている。
またロール室１′７は反応室１２との間で中間排気され
ているため、反応カスのｌ／ｌＥ人はほとんどない。従
って反応ガスによる汚れの問題は生じない。
ているため、反応カスのｌ／ｌＥ人はほとんどない。従
って反応ガスによる汚れの問題は生じない。
他方このロール室には駆動部があるため微量の微粉未発
生の危険性は多少あるが、排気２４で中間排気が？ｊわ
れているため、この微粉末が反応室１２に入りこむこと
はほとんどない。
生の危険性は多少あるが、排気２４で中間排気が？ｊわ
れているため、この微粉末が反応室１２に入りこむこと
はほとんどない。
最後にＰＦＡフィルムの冷却に°ついて説明する。
ＰＦＡフィルムは１１１記の表に示したように、使用限
界温度は高温側２６０“Ｃであって、できるだけ低ｉ’
７１Ａとすることが望ましい。このため反応室側面およ
びＦガイド１９ ｂの下面は水冷されている。
界温度は高温側２６０“Ｃであって、できるだけ低ｉ’
７１Ａとすることが望ましい。このため反応室側面およ
びＦガイド１９ ｂの下面は水冷されている。
なおＰＦＡフィルムはたとえは厚さ２．５，５０゜７５
．１００，１２５（各μｒｎ ）の５種類、幅５００．
１０００（各ｍｍ ）の２種類、フィルム長５０ｍのも
のが市販されている。ｊ９さ］２５μｍのＰＦＡフィル
ムの平方メートル当りの単価は現在５６００円程である
。試３１１によれは４インチのウェハに６０００大のポ
リシリコン膜を生成した場合のウェハ１枚当りのフィル
１１イい；ｌ： ］、 ０２０１＋］となるが、ＰＦＡ
フィルムは洗浄が６丁能である。
．１００，１２５（各μｒｎ ）の５種類、幅５００．
１０００（各ｍｍ ）の２種類、フィルム長５０ｍのも
のが市販されている。ｊ９さ］２５μｍのＰＦＡフィル
ムの平方メートル当りの単価は現在５６００円程である
。試３１１によれは４インチのウェハに６０００大のポ
リシリコン膜を生成した場合のウェハ１枚当りのフィル
１１イい；ｌ： ］、 ０２０１＋］となるが、ＰＦＡ
フィルムは洗浄が６丁能である。
なおフィルム］３はＰＦＡフィルムに限定されることは
なく、耐熱温度が高く紫外線透過率の高いＰ’ Ｆ Ａ
相当フィルムならば使用できることは言うまでもない。
なく、耐熱温度が高く紫外線透過率の高いＰ’ Ｆ Ａ
相当フィルムならば使用できることは言うまでもない。
す、十詳細に説明したように、本発明の光ＣＶＤ装置反
応炉は、表面に薄＋＋Ｖ・を生成する基板にその４″方
から石英窓を通じて紫外線を！ノえるようにした場合に
、反応室内の反応生成物が石英窓に付着し、反応室内に
入射する光エイ・ルギを減少させることを防止するため
に、Ｐ Ｆ’ Ａフィルトを石英窓の的−１、反応室の
」二部に張りめぐらせたもので、薄＋＋ｙ・の生成速度
の向上および薄１１つ１の品１１′１向上に著しい効果
があり、また従来は石偉窓に細管する反応生成物の除去
にかなりの労力が必“皮であったのに対し、本発明では
フィルムの巻取り更新のみでよいので、労力はほとんど
不要（将来は自動巻取りとすることも可能）で経済的で
あるなど実用」二の効！１ろは大きい。
応炉は、表面に薄＋＋Ｖ・を生成する基板にその４″方
から石英窓を通じて紫外線を！ノえるようにした場合に
、反応室内の反応生成物が石英窓に付着し、反応室内に
入射する光エイ・ルギを減少させることを防止するため
に、Ｐ Ｆ’ Ａフィルトを石英窓の的−１、反応室の
」二部に張りめぐらせたもので、薄＋＋ｙ・の生成速度
の向上および薄１１つ１の品１１′１向上に著しい効果
があり、また従来は石偉窓に細管する反応生成物の除去
にかなりの労力が必“皮であったのに対し、本発明では
フィルムの巻取り更新のみでよいので、労力はほとんど
不要（将来は自動巻取りとすることも可能）で経済的で
あるなど実用」二の効！１ろは大きい。
第１図は低圧水銀灯の発光スペクトラムの一例図、第２
図は従来の光ＣＶ’Ｄ装置の反応炉の代表的昂ｌｉ造側
、要因、第３図は本発明による光ＣＶｐ装置の反応炉の
構造概要図、第４図は第３図中の一部の詳細図で、パー
ジガスと反応ガスの流れを示す。第５図は無水石英板の
光透過特性図、第６図はＰＦＡフィルムの光透過特性図
である。 １・・・・石英窓（板）、 ２・・・・紫外線ランプユニット、３・・・・反射板、
４・・・・基板（ウェハ）、 ５・・・・サセプタ、６
・・・・赤外線ランプユニット、７・・・・熱電対、８
・・・・補助ヒータ、９・・・・ガス入１」、１０・・
・・真空ポンプ入口、 １１・・・・第２の石英窓（板）、 １２・・・・反応
室、１３１１・・―ＰＦＡフィルム、 １−４＠・Φ・フィルムロール、 １５・・・・フィルムローラ、１６・・・・補助ローラ
、１７００フイルムチヤンバ（フィルム室２０ａ、 ２
０ｂを含む）、 １８・・・・ガスパーンポート、１９・・・・ガイド、
２０ａ・・・・フィルム供給室、 ２０ｂ・・・・フィルム収納室、 ２１・・・・水冷ジャケット、２２・・・・反応ガス流
、２３・・・・反応ガスへカ、 ２４・・・・ｊｋ気。 特許出願人 国際電気株式会社
図は従来の光ＣＶ’Ｄ装置の反応炉の代表的昂ｌｉ造側
、要因、第３図は本発明による光ＣＶｐ装置の反応炉の
構造概要図、第４図は第３図中の一部の詳細図で、パー
ジガスと反応ガスの流れを示す。第５図は無水石英板の
光透過特性図、第６図はＰＦＡフィルムの光透過特性図
である。 １・・・・石英窓（板）、 ２・・・・紫外線ランプユニット、３・・・・反射板、
４・・・・基板（ウェハ）、 ５・・・・サセプタ、６
・・・・赤外線ランプユニット、７・・・・熱電対、８
・・・・補助ヒータ、９・・・・ガス入１」、１０・・
・・真空ポンプ入口、 １１・・・・第２の石英窓（板）、 １２・・・・反応
室、１３１１・・―ＰＦＡフィルム、 １−４＠・Φ・フィルムロール、 １５・・・・フィルムローラ、１６・・・・補助ローラ
、１７００フイルムチヤンバ（フィルム室２０ａ、 ２
０ｂを含む）、 １８・・・・ガスパーンポート、１９・・・・ガイド、
２０ａ・・・・フィルム供給室、 ２０ｂ・・・・フィルム収納室、 ２１・・・・水冷ジャケット、２２・・・・反応ガス流
、２３・・・・反応ガスへカ、 ２４・・・・ｊｋ気。 特許出願人 国際電気株式会社
Claims (1)
- １°ドの透明石英窓板と側壁によって刺止され、ザセブ
タとその十に並べた基板（ウェハ）群を収めた反応室と
、」二記七方の石英窓板な通じて反応室内に紫外線を照
射する光源ユニットと、」二記丁方の石英窓板とザセブ
タを通じて基板群を加熱する熱源ユニットと、上記上方
の石英窓の直下にあって反応室内を一方向に移動可能で
、移動後は反応室外に巻取られる耐熱性が高く紫外線透
過率の良ＩＩｆなフィルムとその巻込み、為取りを行う
フィルムローラ装置と、フィルムの反応室への人出口に
それぞれフィルムに沿った上下のガイドの途中に設けら
れた反応ガス導入溝と、パージガス排出溝とを具備して
基板面りに光ＣＶＤによる一様な薄膜を生成するように
したことを特徴とする、光ＣＶＤ装置の薄膜生成反応炉
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12556383A JPS6021381A (ja) | 1983-07-12 | 1983-07-12 | 光ｃｖｄ装置の薄膜生成反応炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12556383A JPS6021381A (ja) | 1983-07-12 | 1983-07-12 | 光ｃｖｄ装置の薄膜生成反応炉 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6021381A true JPS6021381A (ja) | 1985-02-02 |
| JPS6152231B2 JPS6152231B2 (ja) | 1986-11-12 |
Family
ID=14913286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12556383A Granted JPS6021381A (ja) | 1983-07-12 | 1983-07-12 | 光ｃｖｄ装置の薄膜生成反応炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6021381A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61295373A (ja) * | 1985-06-25 | 1986-12-26 | Canon Inc | 光化学気相成長法による堆積膜の形成方法および装置 |
| JPS6274081A (ja) * | 1985-09-28 | 1987-04-04 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜製造方法とその装置 |
| JPH02230264A (ja) * | 1989-03-03 | 1990-09-12 | Fujitsu Ltd | 記録装置 |
| JPH03134171A (ja) * | 1989-10-19 | 1991-06-07 | Inco Ltd | 赤外線透明窓の曇りを防止する金属メッキ装置及びその方法 |
| JP2023503441A (ja) * | 2019-11-28 | 2023-01-30 | ピコサン オーワイ | 基板処理装置及び方法 |
-
1983
- 1983-07-12 JP JP12556383A patent/JPS6021381A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61295373A (ja) * | 1985-06-25 | 1986-12-26 | Canon Inc | 光化学気相成長法による堆積膜の形成方法および装置 |
| JPS6274081A (ja) * | 1985-09-28 | 1987-04-04 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜製造方法とその装置 |
| JPH02230264A (ja) * | 1989-03-03 | 1990-09-12 | Fujitsu Ltd | 記録装置 |
| JPH03134171A (ja) * | 1989-10-19 | 1991-06-07 | Inco Ltd | 赤外線透明窓の曇りを防止する金属メッキ装置及びその方法 |
| JP2023503441A (ja) * | 2019-11-28 | 2023-01-30 | ピコサン オーワイ | 基板処理装置及び方法 |
| US12325915B2 (en) | 2019-11-28 | 2025-06-10 | Picosun Oy | Substrate processing apparatus and method |
| TWI901612B (zh) * | 2019-11-28 | 2025-10-21 | 芬蘭商皮寇桑公司 | 基板加工設備及方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6152231B2 (ja) | 1986-11-12 |
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