JPS6021484B2 - アンプ - Google Patents

アンプ

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Publication number
JPS6021484B2
JPS6021484B2 JP53111972A JP11197278A JPS6021484B2 JP S6021484 B2 JPS6021484 B2 JP S6021484B2 JP 53111972 A JP53111972 A JP 53111972A JP 11197278 A JP11197278 A JP 11197278A JP S6021484 B2 JPS6021484 B2 JP S6021484B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
amplifier
base
emitter
distortion
Prior art date
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Expired
Application number
JP53111972A
Other languages
English (en)
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JPS5538769A (en
Inventor
俊帥 西村
成介 山中
俊之 島田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Publication of JPS5538769A publication Critical patent/JPS5538769A/ja
Publication of JPS6021484B2 publication Critical patent/JPS6021484B2/ja
Expired legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/34Negative-feedback-circuit arrangements with or without positive feedback

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Picture Signal Circuits (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、例えばテレビカメラのビデオ出力用のアン
プとして好適なアンプに関する。
出力アンプとしてトーテムポールアンプと呼ばれている
ものがある。
これは、第1図に示すように構成されているもので、す
なわち、電源端子Lと接地との間に、トランジスタQ2
のコレクタ・エミツタ間と、ダイオードD,と、トラン
ジスタQ,のコレクタ・ェミッタ間とが直列接続され、
トランジスタQ2のベースが抵抗器R,を通じてトラン
ジスタQ,のコレクタに接続される。また、入力端子T
,がトランジスタQ,のベースに暖緩され、トランジス
タQ2のェミッタが、コンデンサC,を通じて負荷RL
に接続される。従って、入力信号の正の半サイクル期間
には、トランジスタQ,のコレクタ電流が大きくなるの
で、電流1,が大きくなり、従って、抵抗器R,におけ
る電圧降下が大きくなるので、トランジスタQ2はオフ
となる。
従って、コンデンサC,から実線で示すように信号電流
ILが負荷RLに流れる。また、入力信号の負の半サイ
クル期間には、トランジスタQ,のコレクタ電流が小さ
くなるので、電流1,も小さくなり、従って、抵抗器R
.における電圧降下が小さくなるので、トランジスタQ
2はオンとなる。そして、トランジスタQ,のコレクタ
電流が小さくなることによってダイオード○,を流れる
電流も小さく、これはオフとなっているので、破線で示
す電流ILが負荷RLに流れる。従って、トランジスタ
Q,,Q2は互いに半サイクル期間づつ負荷Rしに信号
電流Lを供給し、このアンプはB級として働いているこ
とになる。
そして、このアンプは、直結接続であると共に、NPN
トランジスタだけで構成できるもので、IC化が容易で
ある。ところが、このアンプは、きわめて歪みを発生し
やすいという欠点がある。
第3図はその歪み特性の測定例を示すもので、曲線12
はこのアンプの第2次高調波歪み、曲線13は第3次高
調波歪みの特性を示し、この測定例からも明らかなよう
にきわめて歪みが多く、しかも、入力レベルが小さくな
るほど歪みが多くなる額向にある。このため、このアン
プはIC化が容易であるにもかかわらず敬遠され、実用
化されていない現状にある。この発明は、このような点
にかんがみ、トーテムポールアンプにおける歪みの発生
を抑えようとするものである。このため、本発明者が、
この歪みについて究明したところ、これはトランジスタ
Q2のバイアスが不適当なことによって発生することが
半験した。
すなわち、トランジスタQ2のベース・エミツタ間と、
ダイオードD,との直列回路には、2VBE(VB8は
トランジスタQ2のベース・エミツタ間電圧及びダイオ
ードD2の端子電圧)の電圧を供給する必要があるが、
この直列回路にはダイオードD2が並列接続されている
ので、ダイオードD2の端子電圧VBEしか供給されず
、従って、トランジスタQ2はバイアス不足となるので
、信号が一方の半サイクルから他方の半サイクルへ変わ
るときにスイッチング歪みを発生し、これが出力に含ま
れてしまうことが判明した。そこで、この発明において
は、例えば第2図に示すように、ダイオードD2にバイ
アス用素子として別のダイオードD3を直列接続する。
また、端子T,とトランジスタQ.との間にアンプA,
を設け、出力の一部を抵抗器R2及びコンデンサC2を
通じてアンプA,に帰還して負帰還をかける。このよう
な構成によれば、トランジスタQ2のベース・ェミッタ
間とダイオードD,との直列回路には、ダイオードD2
,D3によって2VB8の電圧が供給されるので、トラ
ンジスタQのバイアス電圧は適正な大きさとなり、従っ
て、スイッチング歪みが減少する。また、トーテムポー
ルアンプでは、一方の負荷電流IL(実線図示)と、他
方の負荷電流IL(破線図示)とが、原理的にアンバラ
ンスであり、従って、これによっても歪みを生じている
が、素子R2,C2によって負帰還をかけているので、
歪みが減少する。第3図の曲線22,23はこの発明に
よるトーテムポールアンプ(第2図)の歪み特性の測定
例を示すもので、曲線22は第2次高調波歪み、曲線2
3は第3次高調波歪みの特性を示す。
そして、この特性からも明らかなように、この発明のア
ンプでは、従釆のアンプ(第1図)に比べ、歪みがズか
風こ減少している(曲線12,13は第1図のアンプに
負帰還をかけている場合であり、負婦遼をかけていない
場合には、さらに歪みが多くなつている)。こうして、
この発明によれば、歪みが少なく、しかもIC化が容易
で、その効果の大きいアンプを得ることができ、例えば
テレビカメラのビデオ出力アンプとして好適である。
第4図の例においては、トランジスタQ,,Q2にトラ
ンジスタQ,.,Q,2がダーリントン接続され、ダイ
オードD,〜D3がダイオード接続のトランジスタQ2
,〜Q23とされると共に、トランジスタQ2,Q,2
のダーリントン接続に対応してトランジスタQ22にト
ランジスタQ24がダーリントン接続される。
また、トランジスタQ7,Q8によりカレントミラー回
路が構成され、そのトランジスタQ8を定電流源として
トランジスタQ3,Q4により差動ア0ンプが構成され
ると共に、入力端子T,がトランジスタQ3のベースに
接続され、素子R2,C2がトランジスタQ4のベース
に接続される。
そして、トランジスタQ,Q6によってカレントミラー
回路が構成され、トランジスタQ4のコレクタが、タダ
ィオード接続されたトランジスタQ9を通じてトランジ
スタQに接続され、トランジスタQ3のコレクタがトラ
ンジスタ仏に接続されると共に、トランジスタQ,.の
ベースに接続される。なお、抵抗器R3は利得調整用、
トランジスタOQは、トランジスタQ,.,Q,のVB
8の温度補償用である。そして、このアンプにおいても
、IVp‐pの出力時に歪みが0.5%以下であった。
なお、第2図のアンプにおいて、素子R2,C2夕をト
ランジスタQ2のエミツタと、トランジスタD,のベー
スとの間に接続してもよく、また、第3図のアンプにお
いて、素子R2,C2をトランジスタQ23のコレクタ
とトランジスタQ4のベースとの間に接続してもよい。
さらに、ダイオードOD2,D3の代わりにトランジス
タのコレクタ・ェミツタ間としてもよい。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例の接続図、第2図及び第4図はこの発明
の一例の接続図、第3図はその特性図である。 Lは入力端子、RLは負荷である。 第1図 第2図 第3図 第4図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 第1のトランジスタQ_2のコレクタ・エミツタ間
    と、ダイオードD_1と、第2のトランジスタQ_1の
    コレクタ・エミツタ間とが電源に対して直列に接続され
    、上記第1のトランジスタQ_2のベースにはバイアス
    用の抵抗器R_1が接続され、上記第1のトランジスタ
    Q_2のベース・エミツタ間と上記ダイオードD_1と
    の直列回路には、この直列回路の端子電圧に相当するバ
    イアス電圧を供給するバイアス素子が並列に接続され、
    上記第2のトランジスタQ_1のベースに前段アンプA
    _1から入力信号が供給されて上記第1のトランジスタ
    Q_2のエミツタから出力が取り出されると共に、上記
    前段アンプA_1に対して負帰還がかけられているアン
    プ。
JP53111972A 1978-09-12 1978-09-12 アンプ Expired JPS6021484B2 (ja)

Priority Applications (1)

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JP53111972A JPS6021484B2 (ja) 1978-09-12 1978-09-12 アンプ

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JP53111972A JPS6021484B2 (ja) 1978-09-12 1978-09-12 アンプ

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Publication Number Publication Date
JPS5538769A JPS5538769A (en) 1980-03-18
JPS6021484B2 true JPS6021484B2 (ja) 1985-05-28

Family

ID=14574738

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JP53111972A Expired JPS6021484B2 (ja) 1978-09-12 1978-09-12 アンプ

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JP (1) JPS6021484B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH024680A (ja) * 1988-06-15 1990-01-09 Hideo Shibahara 薬品容器

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH024680A (ja) * 1988-06-15 1990-01-09 Hideo Shibahara 薬品容器

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JPS5538769A (en) 1980-03-18

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