JPS6021507A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS6021507A JPS6021507A JP58128717A JP12871783A JPS6021507A JP S6021507 A JPS6021507 A JP S6021507A JP 58128717 A JP58128717 A JP 58128717A JP 12871783 A JP12871783 A JP 12871783A JP S6021507 A JPS6021507 A JP S6021507A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- thin film
- magnetic material
- material thin
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/672—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having different compositions in a plurality of magnetic layers, e.g. layer compositions having differing elemental components or differing proportions of elements
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁・邊（、記録媒体に係り、特に垂直磁気記録
ができるＭ Ｋ ｌ！Ｌ！ 峰、楳１トに関する十）の
である。
ができるＭ Ｋ ｌ！Ｌ！ 峰、楳１トに関する十）の
である。
近年、ｊｌｋｌ配気媒体の記録密度を高めるため、垂直
磁気記録１１式が倹ｉｔ・１されている。この記録方式
に用いられる磁気記録媒体は、基ｔ（と、その基材の表
面に形成さｈｌ−第１の磁性材薄膜と、ぞの第１１７１
磁性Ｈ’ＡＩ膜の表面に形成された第２の磁性材薄膜と
から構成されている。ｔしてこの第２の磁性材薄膜の膜
厚方向、すなわち垂直方向に磁化されることにより、所
望のデータが記録されるようになっている。
磁気記録１１式が倹ｉｔ・１されている。この記録方式
に用いられる磁気記録媒体は、基ｔ（と、その基材の表
面に形成さｈｌ−第１の磁性材薄膜と、ぞの第１１７１
磁性Ｈ’ＡＩ膜の表面に形成された第２の磁性材薄膜と
から構成されている。ｔしてこの第２の磁性材薄膜の膜
厚方向、すなわち垂直方向に磁化されることにより、所
望のデータが記録されるようになっている。
前記第１の磁性材薄膜は第２の磁性材薄膜を磁化するど
きに磁路の一部を形成する役割を有しており、保磁力が
低く、しかも透磁率ならびしコ飽和磁束密度がどもに高
いことが要求される。一方、第２の磁性ｆ１薄膜どして
は、特に垂直方向に異方性を有することが要求され、こ
の要求に応えるものとして、コバルト−り［１ムの２成
分系合金あるいけこれに「■ジウムなどの第３合属を添
加した３−２・ 成づ）系合金などのコバルト−クロム系合金薄膜がある
。
きに磁路の一部を形成する役割を有しており、保磁力が
低く、しかも透磁率ならびしコ飽和磁束密度がどもに高
いことが要求される。一方、第２の磁性ｆ１薄膜どして
は、特に垂直方向に異方性を有することが要求され、こ
の要求に応えるものとして、コバルト−り［１ムの２成
分系合金あるいけこれに「■ジウムなどの第３合属を添
加した３−２・ 成づ）系合金などのコバルト−クロム系合金薄膜がある
。
従来のこの種の磁気記録媒体では第１の磁性材薄１僕と
して、鉄−ニッケル合金からなるパーマロイか用いられ
ている。ところがこのものは透磁率ならびに飽和磁束密
度が十分に高くなく、しかも前記コバルト−クロム系合
金からなる第２の磁性上４薄膜との磁気特性」二の所謂
相性が良くない。すなわら、結晶構造が面心立方晶系の
パーマロイからろ゛る第１の磁性材薄膜の上に、コバル
ト−クロム系合金の第２の磁性材薄膜を形成した場合、
それの丁層にあたるパーマロイ薄膜の影響を受けて（特
に第２の磁性材薄膜が薄いことも関係して）、その＝】
パル１−一クロム系合金薄膜の結晶構造が正規の六方晶
系になり輩い。そのためクロム−コバ用１〜系合金の特
長である優れた垂直異方性が十分に発■ＩＶされない。
して、鉄−ニッケル合金からなるパーマロイか用いられ
ている。ところがこのものは透磁率ならびに飽和磁束密
度が十分に高くなく、しかも前記コバルト−クロム系合
金からなる第２の磁性上４薄膜との磁気特性」二の所謂
相性が良くない。すなわら、結晶構造が面心立方晶系の
パーマロイからろ゛る第１の磁性材薄膜の上に、コバル
ト−クロム系合金の第２の磁性材薄膜を形成した場合、
それの丁層にあたるパーマロイ薄膜の影響を受けて（特
に第２の磁性材薄膜が薄いことも関係して）、その＝】
パル１−一クロム系合金薄膜の結晶構造が正規の六方晶
系になり輩い。そのためクロム−コバ用１〜系合金の特
長である優れた垂直異方性が十分に発■ＩＶされない。
このようにパーマロイはコバ用１−−クロム系合金との
磁気特性上の相性が良くないことと、前述のように透磁
率ならびに飽和磁束密度が十分に高くないことが原因で
、折角、磁気特性の優、ＩｌｌたＩバルト−り［１ム系
６合がＩＥ昌・る第２ （７） ［（’ｌ・材ａＩｌｉ
５ ｅ＝用イ゛ｃ ＋ｉ、ソノ特１’ｌ カー１分１：
’Ｑ揮で古ｌｊ・い欠点／バあ−）だ。
磁気特性上の相性が良くないことと、前述のように透磁
率ならびに飽和磁束密度が十分に高くないことが原因で
、折角、磁気特性の優、ＩｌｌたＩバルト−り［１ム系
６合がＩＥ昌・る第２ （７） ［（’ｌ・材ａＩｌｉ
５ ｅ＝用イ゛ｃ ＋ｉ、ソノ特１’ｌ カー１分１：
’Ｑ揮で古ｌｊ・い欠点／バあ−）だ。
本発明σ月１的（４２，こ（ｆｌ Ｊ、うな従来技術の
欠点７ｉＭ／１ｆｆ１７． （Ｊｊ Ｓ＜、特１’ｌ
ｒｌＩ ｆ、ｌｌれ／ｈ ｉ：ｌＡ磁気記録媒体Ｉｌ＾
（ＩＬ するにあう。
欠点７ｉＭ／１ｆｆ１７． （Ｊｊ Ｓ＜、特１’ｌ
ｒｌＩ ｆ、ｌｌれ／ｈ ｉ：ｌＡ磁気記録媒体Ｉｌ＾
（ＩＬ するにあう。
本発明跨ら（Ｊ、スパッタリン）ｆなどによ〜）で得ら
れろアモルノ）′ス合ｆＬ薄＋１’Ｊに−）い−ｒｆｆ
ｆｌ々研究しノ：結東、：」バルト（（、”、 ｏ ）
を１ミ成分どし、少■のハ７二１°ツム白１［）とニー
４ブ（Ｎｂ）＆添加したＣ ｏ−１１ｆ−Ｎ ｌ百ノ）
′（成≦）系“ｙモルファス合余が、この種の１ｉｌｌ
鼠記録４１１体の第１の磁性材薄膜どして優れた特性
を有１． ｒいろ４ことをり１出（，７た、１」大板に
結晶１１；ガラスも用い、コバルトデーｒス）Ｊ（的、
１″￥１０１．６１１１１１１１１’ｆさ５ｍ＋ｎ）、
１−にハフニウムのべＬ／ツ）・と−オブのべ１ツバノ
ド ｌ ｒｌ ＋ｎｍ 、横１０ｍｍ−厚さＩ＋，１ｔｎ）
を中心Ｊ：り放射状に交１ｆに配置？？＋，９−ゲット
にのべ１４ノソ１への数を調整する二どにｋ ＩＪ斤６
７〃旧Ｉ＼ｔが変えられるにうにする。ｔしでう′ルゴ
ンによ装置１ｍ前の真空度がＪ＝３− Ｘｌ１１−’Ｔｏｒｒ以下の高真空にし、アルゴンの雰
囲気中で、高周波電力２Ｗ／ｃｍ２でスパッタリングを
行ない、基板−ににコバルトを主成分とするＧｏ ）Ｉ
ｆ Ｎｂの３成分系アモルファス合金薄膜を作成する。
れろアモルノ）′ス合ｆＬ薄＋１’Ｊに−）い−ｒｆｆ
ｆｌ々研究しノ：結東、：」バルト（（、”、 ｏ ）
を１ミ成分どし、少■のハ７二１°ツム白１［）とニー
４ブ（Ｎｂ）＆添加したＣ ｏ−１１ｆ−Ｎ ｌ百ノ）
′（成≦）系“ｙモルファス合余が、この種の１ｉｌｌ
鼠記録４１１体の第１の磁性材薄膜どして優れた特性
を有１． ｒいろ４ことをり１出（，７た、１」大板に
結晶１１；ガラスも用い、コバルトデーｒス）Ｊ（的、
１″￥１０１．６１１１１１１１１’ｆさ５ｍ＋ｎ）、
１−にハフニウムのべＬ／ツ）・と−オブのべ１ツバノ
ド ｌ ｒｌ ＋ｎｍ 、横１０ｍｍ−厚さＩ＋，１ｔｎ）
を中心Ｊ：り放射状に交１ｆに配置？？＋，９−ゲット
にのべ１４ノソ１への数を調整する二どにｋ ＩＪ斤６
７〃旧Ｉ＼ｔが変えられるにうにする。ｔしでう′ルゴ
ンによ装置１ｍ前の真空度がＪ＝３− Ｘｌ１１−’Ｔｏｒｒ以下の高真空にし、アルゴンの雰
囲気中で、高周波電力２Ｗ／ｃｍ２でスパッタリングを
行ない、基板−ににコバルトを主成分とするＧｏ ）Ｉ
ｆ Ｎｂの３成分系アモルファス合金薄膜を作成する。
このようにして作成された各種組成の合金試料が後述の
各特性試験に使用される。
各特性試験に使用される。
第１図は、後記の合金組成表において合金中のＮｂ含有
率Ｙが常に６．７原子％になるようにして、Ｉ（ ｆ含
有率Ｘを種々変えた場合の磁気特性図Ｃある。
率Ｙが常に６．７原子％になるようにして、Ｉ（ ｆ含
有率Ｘを種々変えた場合の磁気特性図Ｃある。
合金組成表
なお図中において曲線Ｂｓは飽和磁束密度，曲線μｅは
周波数５１１０ＫＨｚにおける困難軸方向の透磁率，曲
線ｆ−Ｔ ｃは困難軸方向の保磁力である。
周波数５１１０ＫＨｚにおける困難軸方向の透磁率，曲
線ｆ−Ｔ ｃは困難軸方向の保磁力である。
この図から明らかなように、Ｉ−１ ｆ含有率が０原子
％のＣＯＮ＋）２成分系合金は、Ｂｓは高いが、・Ｉ Ｈ ｃ／Ｊ’高過ぎ、μｅが低い。これにＩゴｆをり量
添加するとＨｃが極端に下がり、μｅは連に高くなる。
％のＣＯＮ＋）２成分系合金は、Ｂｓは高いが、・Ｉ Ｈ ｃ／Ｊ’高過ぎ、μｅが低い。これにＩゴｆをり量
添加するとＨｃが極端に下がり、μｅは連に高くなる。
なお、■（Ｆの含有率がある程度以上になると。
Ｈａは高くな；）、μθは低くなる。一方、Ｂ９は極端
ではないがｉ（ ｆの含有率の増大とともに低下する傾
向にある。
ではないがｉ（ ｆの含有率の増大とともに低下する傾
向にある。
このような特性傾向のなかで、Ｂｓを高・（保ら、Ｈｅ
を下げ、扁μｅ＆こするためには、Ｈｆの含有率Ｘを１
原子％以上でかつ５原子％未満の範囲、好ましくは１．
５・〜，３Ｍ子％の範回に規制する必要がある。このこ
とはＮｂ含有率Ｙを若干変ｆヒさせても同様ｅある。
を下げ、扁μｅ＆こするためには、Ｈｆの含有率Ｘを１
原子％以上でかつ５原子％未満の範囲、好ましくは１．
５・〜，３Ｍ子％の範回に規制する必要がある。このこ
とはＮｂ含有率Ｙを若干変ｆヒさせても同様ｅある。
第２図は、前記合金組成表において合金中のＨｆ含有率
Ｘが常に２．２原子％になるようにして．Ｎｂ含有率Ｙ
を種々変えた場合の磁気特性図である。
Ｘが常に２．２原子％になるようにして．Ｎｂ含有率Ｙ
を種々変えた場合の磁気特性図である。
この図から明らかなように、）Ｊｂ含有率が０原子・糸
のＧ ｏ − Ｈ ｆ ２成分系合金も前述と同様に。
のＧ ｏ − Ｈ ｆ ２成分系合金も前述と同様に。
Ｂｓは高いが、Ｈｅが高過ぎ，μｅが低い。これにＮｂ
を少量添加することによりＨｅが極端に下がり、μ０が
逆に高くなる。なお、Ｎｂの含有率がある程度以上にな
ると、Ｈｅは高くなり、Ｈｅは低くなる。一方、Ｂｓは
極端ではないがＮｂの含有率の増大とともに低下する傾
向がある。
を少量添加することによりＨｅが極端に下がり、μ０が
逆に高くなる。なお、Ｎｂの含有率がある程度以上にな
ると、Ｈｅは高くなり、Ｈｅは低くなる。一方、Ｂｓは
極端ではないがＮｂの含有率の増大とともに低下する傾
向がある。
このような特性傾向のなかで、Ｂｓを高く保ち、）−１
ｃ：を下げ、高μ０にするためには、Ｎｂの含有率Ｙを
４〜８原子％、好ましくは４〜６原子％の範囲に規制す
る必要がある。このことはＨｆ含有率Ｘを若干変化させ
ても同様である。
ｃ：を下げ、高μ０にするためには、Ｎｂの含有率Ｙを
４〜８原子％、好ましくは４〜６原子％の範囲に規制す
る必要がある。このことはＨｆ含有率Ｘを若干変化させ
ても同様である。
第３図は１本発明の実施例に係る磁気記録媒体を説明す
るための図である。ポリエステル、ポリイミドヒＪ〕ど
の合成樹脂あるいは陽極酸化したアルミニウム板などか
らなる基材１の表面に、Ｃｏ含有率が９１．１原子％、
１１ ｆ含有率が２．２原子％、Ｎｂ＃有率が６．７Ｊ
Ｊｉｌ子％であるＣｏ−ＨｆＮ ｌ＋の３成分系アモル
ファス合金薄膜をスパッタリングによって形成して、第
１の磁性材薄膜２とする。次にこの第１の磁性材薄膜２
の表面に、コバル１−を主成分とし、これに少量のクロ
ムを添加したに ＯＣｒの２成分系合金薄膜をスパッタ
リングによっ゛Ｃ形成して、第２の磁性材薄［３どする
。この磁性材薄膜２，３の膜厚は、両者とも約０．３１
口ηｃＪうる。これら基材１と第１の磁性材ａ１１１２
ど第２の磁性１４＃膜３とがらテープ状あるいはデ、イ
ス！）状の磁気記録媒体が構成される。
るための図である。ポリエステル、ポリイミドヒＪ〕ど
の合成樹脂あるいは陽極酸化したアルミニウム板などか
らなる基材１の表面に、Ｃｏ含有率が９１．１原子％、
１１ ｆ含有率が２．２原子％、Ｎｂ＃有率が６．７Ｊ
Ｊｉｌ子％であるＣｏ−ＨｆＮ ｌ＋の３成分系アモル
ファス合金薄膜をスパッタリングによって形成して、第
１の磁性材薄膜２とする。次にこの第１の磁性材薄膜２
の表面に、コバル１−を主成分とし、これに少量のクロ
ムを添加したに ＯＣｒの２成分系合金薄膜をスパッタ
リングによっ゛Ｃ形成して、第２の磁性材薄［３どする
。この磁性材薄膜２，３の膜厚は、両者とも約０．３１
口ηｃＪうる。これら基材１と第１の磁性材ａ１１１２
ど第２の磁性１４＃膜３とがらテープ状あるいはデ、イ
ス！）状の磁気記録媒体が構成される。
］）ム記磁姓（（薄膜２．３は基材１の両面に設ける町
今もある。
今もある。
この磁気記録媒体を間に挟むようにして、主磁極５と補
助磁極〔；どが配置されている。主磁極５は厚さが約１
７ｚ程度の）−のｅ、ガラスやポリーｒミドＭｔ４ Ｉ
］１ｊなどからなる非磁性材の基板ノ】」二にスパッタ
リングによで）（Ｊｌ？成される。補助磁極６には、コ
イル７が所定ターン数だけａ′ＪＡされている。このコ
イル７に記録されるべき信号電流を流し゛Ｃ主磁極５を
補助磁（、輯（ｊ側がら励磁すると、主磁極５の先端付
近に強い曲直磁界が発生釘る。これによって主磁極！３
の先端近傍にある磁性材薄膜２，３が厚さｉｊ向に磁化
され、第２の磁性材薄膜３にデータが記録さ、＃【、る
。第１の磁性材薄ＩＩＩ ２は第２磁性材薄膜３にデー
、ぐＩ！Ｌ：ｌｉ１気記録する際、磁路の一７一 部を構成するのに役立つ。
助磁極〔；どが配置されている。主磁極５は厚さが約１
７ｚ程度の）−のｅ、ガラスやポリーｒミドＭｔ４ Ｉ
］１ｊなどからなる非磁性材の基板ノ】」二にスパッタ
リングによで）（Ｊｌ？成される。補助磁極６には、コ
イル７が所定ターン数だけａ′ＪＡされている。このコ
イル７に記録されるべき信号電流を流し゛Ｃ主磁極５を
補助磁（、輯（ｊ側がら励磁すると、主磁極５の先端付
近に強い曲直磁界が発生釘る。これによって主磁極！３
の先端近傍にある磁性材薄膜２，３が厚さｉｊ向に磁化
され、第２の磁性材薄膜３にデータが記録さ、＃【、る
。第１の磁性材薄ＩＩＩ ２は第２磁性材薄膜３にデー
、ぐＩ！Ｌ：ｌｉ１気記録する際、磁路の一７一 部を構成するのに役立つ。
本発明は前述のように、基材と、その基材の表面に形成
された第１の磁性材薄膜と、その第１の磁性材薄膜の表
面に形成されて垂直異方性を有する第２の磁性材薄膜と
を備え、前記第２の磁性材薄膜が膜厚方向に磁化される
磁気記録媒体において、前記第１の磁性材薄膜が、コバ
ルトを主成分とし、それに少量のジルコニウムとニオブ
を添加した３成分系のアモルファス合金から構成され、
その合金中におけるハフニウムの含有率をＩＭ子％以上
でかつ５原子％未満、ニオブの含有率を４原子％以上で
かつ８原子％以下の範囲に規制したことを特徴とするも
のである。
された第１の磁性材薄膜と、その第１の磁性材薄膜の表
面に形成されて垂直異方性を有する第２の磁性材薄膜と
を備え、前記第２の磁性材薄膜が膜厚方向に磁化される
磁気記録媒体において、前記第１の磁性材薄膜が、コバ
ルトを主成分とし、それに少量のジルコニウムとニオブ
を添加した３成分系のアモルファス合金から構成され、
その合金中におけるハフニウムの含有率をＩＭ子％以上
でかつ５原子％未満、ニオブの含有率を４原子％以上で
かつ８原子％以下の範囲に規制したことを特徴とするも
のである。
前述のアモルファス合金は、保磁力が低く、透磁率なら
びに飽和磁束密度が高く、しかもコバルト−クロム系合
金との磁気特性がよく似通っており、コバルト−クロム
系合金の優れた磁気異方性がそのまま発揮できる。その
ため優れた記録、再生特性を有し、また第２の磁性材薄
膜を可及的に薄くすることができる。
びに飽和磁束密度が高く、しかもコバルト−クロム系合
金との磁気特性がよく似通っており、コバルト−クロム
系合金の優れた磁気異方性がそのまま発揮できる。その
ため優れた記録、再生特性を有し、また第２の磁性材薄
膜を可及的に薄くすることができる。
９−
８−
第１図は本発明に係るＣ ｏ −Ｈｆ −Ｎ ｂ系アモ
ルファス合金中の）Ｉ ｆ含有率と各種磁気特性との関
係を示す特性図、第２図は前記合金中のＮｂ含有率と各
種磁気特性との関係を示す特性図、第３図は本発明の実
施例に係る磁気記録媒体を説明するための説明図である
。 し・・基材、２・・・第１の磁性材薄膜、３・・・第２
の磁性材薄膜。 第１図 第２図 Ｈｆ含を率（ａｔ％） Ｎｌ） ｇｑ千１０１−１０Ｊ
ルファス合金中の）Ｉ ｆ含有率と各種磁気特性との関
係を示す特性図、第２図は前記合金中のＮｂ含有率と各
種磁気特性との関係を示す特性図、第３図は本発明の実
施例に係る磁気記録媒体を説明するための説明図である
。 し・・基材、２・・・第１の磁性材薄膜、３・・・第２
の磁性材薄膜。 第１図 第２図 Ｈｆ含を率（ａｔ％） Ｎｌ） ｇｑ千１０１−１０Ｊ
Claims (1)
- （１）基＋Ａと、そのｌｌ１ｆ＋＋の表面に形成された
第１の磁性＋Ａ薄腸と、その第１の磁性材薄膜の表面に
形成されて垂直異方１’ｌを有する第２の磁性材薄膜と
を備え、前記第２の磁性材薄膜が膜厚方向に磁化される
硯気配録媒１ト「おいて、前記第１の磁性材簿膜が、コ
バ月何−を１成分とし、それに小社のハフニラ１５とニ
オブも添２＋１１１．た３成分系のアモルファス合金か
ら構成さＪ（、その合金中におけるハフニラ１１の含有
率をＩ Ｊｌｉ（ｒγ、以１、でかつ５Ｊボ子％未満、
二Ａブの含イ１申佇４１７に子“に以」−でかつ８〃バ
子％以１：の範囲に規制さ４ビエニいることを特徴とす
る磁気記録媒体。 （２、特許請求の範囲第（１）項ｉ！＋３戟において、
前記第２の磁性＋４薄膜が」パルＩ・およびクロムを含
むコバル１−−り「１１３系今金薄膜から構成されてい
ることを特徴とする磁気記録媒体。 −１−へ−
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58128717A JPS6021507A (ja) | 1983-07-16 | 1983-07-16 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58128717A JPS6021507A (ja) | 1983-07-16 | 1983-07-16 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6021507A true JPS6021507A (ja) | 1985-02-02 |
Family
ID=14991682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58128717A Pending JPS6021507A (ja) | 1983-07-16 | 1983-07-16 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6021507A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5473506A (en) * | 1977-11-25 | 1979-06-12 | Fumiaki Nukada | Telephone transfer unit |
| US4622273A (en) * | 1983-11-05 | 1986-11-11 | Alps Electric Co., Ltd. | Recording medium for perpendicular magnetization |
| US4686151A (en) * | 1985-04-09 | 1987-08-11 | Dynamic Disk | Substrate material for magnetic recording media |
-
1983
- 1983-07-16 JP JP58128717A patent/JPS6021507A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5473506A (en) * | 1977-11-25 | 1979-06-12 | Fumiaki Nukada | Telephone transfer unit |
| US4622273A (en) * | 1983-11-05 | 1986-11-11 | Alps Electric Co., Ltd. | Recording medium for perpendicular magnetization |
| US4686151A (en) * | 1985-04-09 | 1987-08-11 | Dynamic Disk | Substrate material for magnetic recording media |
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