JPS6021509A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS6021509A JPS6021509A JP58128719A JP12871983A JPS6021509A JP S6021509 A JPS6021509 A JP S6021509A JP 58128719 A JP58128719 A JP 58128719A JP 12871983 A JP12871983 A JP 12871983A JP S6021509 A JPS6021509 A JP S6021509A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- thin film
- magnetic material
- material thin
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/672—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having different compositions in a plurality of magnetic layers, e.g. layer compositions having differing elemental components or differing proportions of elements
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は繊成記録に’ｄ体に係り、特に垂直磁気記録が
できる磁懺を記録媒体に関するものである。
できる磁懺を記録媒体に関するものである。
近年、磁気ｉｌ＋！録媒体の記録密度を高めるため。
垂直磁気記録方式が検問されている。この記録方式に用
いられる磁うｔ ｌ！＋！録蝉体は、基材と、その基材
の表面に形成された第１の磁（’ｌ・材ｇ膜と、その第
１の磁性材薄膜の表面に形成された第２の磁性材薄膜と
から構成されている。そしてこの第２の磁性＋Ａ薄１１
ｇの膜厚方向、すなわち垂直方向に磁化されることによ
り、所望のデータが記録されるようになっている。
いられる磁うｔ ｌ！＋！録蝉体は、基材と、その基材
の表面に形成された第１の磁（’ｌ・材ｇ膜と、その第
１の磁性材薄膜の表面に形成された第２の磁性材薄膜と
から構成されている。そしてこの第２の磁性＋Ａ薄１１
ｇの膜厚方向、すなわち垂直方向に磁化されることによ
り、所望のデータが記録されるようになっている。
前記第１の磁性材ｇ１＋＊け第２の磁性材薄膜を磁化す
るときに磁路の一部を形成する役割を有しており、保磁
力が低く、しかも透磁率ならびに飽和磁束重度がともに
高いことが要求される。一方、第２の磁性材薄膜どり、
ては、特に垂直方向に異方性を有することが要求され、
この要求に応えるものとして、コバ用１−−クロｔ１の
２成分系合金あるいはこれにロシウｌ−ｘ ｌ’、どの
第３金属を添加した３ｊ戊分系今金などのコバルト−ク
ロム系合金薄膜がある。
るときに磁路の一部を形成する役割を有しており、保磁
力が低く、しかも透磁率ならびに飽和磁束重度がともに
高いことが要求される。一方、第２の磁性材薄膜どり、
ては、特に垂直方向に異方性を有することが要求され、
この要求に応えるものとして、コバ用１−−クロｔ１の
２成分系合金あるいはこれにロシウｌ−ｘ ｌ’、どの
第３金属を添加した３ｊ戊分系今金などのコバルト−ク
ロム系合金薄膜がある。
従来のこの種の磁気記録媒体では第１の磁性４Ａ薄暎と
して、鉄−ニッケル合金からなるパーマロイが用いられ
でいる。どころかこのものは透磁率ならびに飽和磁束密
度が十分に高くなく、しかも前記コバルト−クロム系合
金からなる第２の磁性材薄膜との磁気特性上の所謂相性
が良くない。すなわぢ、結晶構造か面心立方晶系のバー
マロ、イからなる第１の磁性材薄膜の上に、コバ用１−
−クロム系合金の第２の磁性材薄膜を形成した場合、ぞ
れの下層にあたるパーマロイ薄膜の影響を受けて（特に
第２の磁性＋４薄膜が薄いことも関係して）、その」パ
ルトークロム系合金薄膜の結晶ｆｉ造が正規の六方晶系
になり薩い。そのためクロム−コバ用１−系合金の特長
である優れた垂直異方性が十分に発ＩＩｇされない。こ
のようにパーマロイはコバルト−クロム系合金との磁気
特性上の相性が良くないことと、前述のように透磁率な
らびに飽和磁束密度が十分に高くないことが原因で、折
角、磁気特性の優れた１、Ｊパル１〜−り「ｌム系合金
からなる第２の磁性）４薄膜を用いでも、その特性が十
分に発揮できない欠点がｉｆ！’ｌ−、）た。
して、鉄−ニッケル合金からなるパーマロイが用いられ
でいる。どころかこのものは透磁率ならびに飽和磁束密
度が十分に高くなく、しかも前記コバルト−クロム系合
金からなる第２の磁性材薄膜との磁気特性上の所謂相性
が良くない。すなわぢ、結晶構造か面心立方晶系のバー
マロ、イからなる第１の磁性材薄膜の上に、コバ用１−
−クロム系合金の第２の磁性材薄膜を形成した場合、ぞ
れの下層にあたるパーマロイ薄膜の影響を受けて（特に
第２の磁性＋４薄膜が薄いことも関係して）、その」パ
ルトークロム系合金薄膜の結晶ｆｉ造が正規の六方晶系
になり薩い。そのためクロム−コバ用１−系合金の特長
である優れた垂直異方性が十分に発ＩＩｇされない。こ
のようにパーマロイはコバルト−クロム系合金との磁気
特性上の相性が良くないことと、前述のように透磁率な
らびに飽和磁束密度が十分に高くないことが原因で、折
角、磁気特性の優れた１、Ｊパル１〜−り「ｌム系合金
からなる第２の磁性）４薄膜を用いでも、その特性が十
分に発揮できない欠点がｉｆ！’ｌ−、）た。
本発明ｔｌ＋ｌＩ的は、このような従来技術の欠点配解
消し、磁気特性（／Ｉ Ｉ、１．ｌＬ／−、磁気記録媒
体を提倶”揉るにある。
消し、磁気特性（／Ｉ Ｉ、１．ｌＬ／−、磁気記録媒
体を提倶”揉るにある。
本発明Ｈ６１よ、スパッタリングなどによって得られる
アモルノアス合ｆＸ、薄膜に″）いて種々研究した結果
、コバルト（Ｃ，ｏ ）を」ミ成分とし、少量のハフニ
ウム（月ｆ）とタンタ゛ステンＣＷ）を電力）１した（
：ｏ −）１ ｆ −Ｗ ｃ７１ ：３成分系アモルフ
ァス合金が、この種の磁気Ｒ＋４ｔｔＪｒ媒体の第１の
磁性材薄膜としＣ優れた特性をイ１１．．ていること＆
１色出しム。
アモルノアス合ｆＸ、薄膜に″）いて種々研究した結果
、コバルト（Ｃ，ｏ ）を」ミ成分とし、少量のハフニ
ウム（月ｆ）とタンタ゛ステンＣＷ）を電力）１した（
：ｏ −）１ ｆ −Ｗ ｃ７１ ：３成分系アモルフ
ァス合金が、この種の磁気Ｒ＋４ｔｔＪｒ媒体の第１の
磁性材薄膜としＣ優れた特性をイ１１．．ていること＆
１色出しム。
基板に結晶化ガラスに用い、」バ月用へディスク（直径
１１１１．ｆｉｍｍ、 ＪＷ ａ ！−＋ｎｕＩＩ）
ｌ−ＩＣハフ １− ラム（ｈへＬ／ツ］−とタングス
テンのべ１ノツ１−（いＶれのペレソ１−も縦１０１ｎ
ＩＩ、横’１０ｍｍ、厚さ１ｍｍ’）を中心より放射状
に交ｈ°に配置ｚシ、ターゲソ１−」二のペレツ１−の
数に調整１”ることにより合金組成が変えられるように
する。そして−アルゴンにＪ：るＩＮ換前の真空３一 度が］、Ｘ］Ｏ”−６Ｔｏｒｒ以下の高真空にし、アル
コンの雰囲気中で、高周波電力２Ｗ／ｃＩｎ２でスパッ
タリングを１７ない、基板上にコバルトを主成分どする
Ｇ ｏ −１（ｆ −Ｗの３成分系アモルファスＱ−、
ｆ、１（ｖＩ膜を作成する。このようにして作成された
各種組成の合金試料が後述の各特性試験に使用される。
１１１１．ｆｉｍｍ、 ＪＷ ａ ！−＋ｎｕＩＩ）
ｌ−ＩＣハフ １− ラム（ｈへＬ／ツ］−とタングス
テンのべ１ノツ１−（いＶれのペレソ１−も縦１０１ｎ
ＩＩ、横’１０ｍｍ、厚さ１ｍｍ’）を中心より放射状
に交ｈ°に配置ｚシ、ターゲソ１−」二のペレツ１−の
数に調整１”ることにより合金組成が変えられるように
する。そして−アルゴンにＪ：るＩＮ換前の真空３一 度が］、Ｘ］Ｏ”−６Ｔｏｒｒ以下の高真空にし、アル
コンの雰囲気中で、高周波電力２Ｗ／ｃＩｎ２でスパッ
タリングを１７ない、基板上にコバルトを主成分どする
Ｇ ｏ −１（ｆ −Ｗの３成分系アモルファスＱ−、
ｆ、１（ｖＩ膜を作成する。このようにして作成された
各種組成の合金試料が後述の各特性試験に使用される。
第１図は、後記の合金組成表において合金中のＷ含有率
Ｙが常に７．０原子％になるようにして、ｔ（ｆ含有率
Ｘを種々変えた場合の磁気特性図である。
Ｙが常に７．０原子％になるようにして、ｔ（ｆ含有率
Ｘを種々変えた場合の磁気特性図である。
ろ゛お図中において曲線Ｒｓは飽和磁束密度９曲線μｅ
は周波数ＩＭＨｚにおける困難軸方向の透磁率９曲線Ｈ
ｃは困難軸方向の保磁力である。この図から明らかなよ
うに、Ｈｆ含有率が０原子％４− のＣｏ −Ｗ ２ ＋ｒＱ ６）系合金は、Ｔ３ ｓは
高いが、 ＨＣが高過ぎ、μ（Ｉが低い。これにＨｆを
少量添加するとＨｃが極端に下がり、／Ｚ ６は逆に高
くなる。
は周波数ＩＭＨｚにおける困難軸方向の透磁率９曲線Ｈ
ｃは困難軸方向の保磁力である。この図から明らかなよ
うに、Ｈｆ含有率が０原子％４− のＣｏ −Ｗ ２ ＋ｒＱ ６）系合金は、Ｔ３ ｓは
高いが、 ＨＣが高過ぎ、μ（Ｉが低い。これにＨｆを
少量添加するとＨｃが極端に下がり、／Ｚ ６は逆に高
くなる。
なお、Ｌｌ 、ｆの含有率がある程度以」二になると。
μθは低くなる。一方、Ｆ３ ｇは極端ではないがＨｆ
の含有率の増大どともに低下する傾向にある。
の含有率の増大どともに低下する傾向にある。
このような特性傾向のなかで、Ｂｓを高く保ち、］（ｃ
を下げ、高μｅにするためには、 Ｉ−（ｆの含有率Ｘ
を１原子％以Ｉ：でかっ５原子％未満の範囲、好ましく
目］、５□−３原子％の範囲に規制する必要がある。こ
のことはＷ＃有率Ｙを若干変化させても同様である。。
を下げ、高μｅにするためには、 Ｉ−（ｆの含有率Ｘ
を１原子％以Ｉ：でかっ５原子％未満の範囲、好ましく
目］、５□−３原子％の範囲に規制する必要がある。こ
のことはＷ＃有率Ｙを若干変化させても同様である。。
第２図は、前記合金組成表において合金中のＨｆ含有率
Ｘが常に２，２Ｈ子％になるようにして、Ｗ含有率ｙを
種々変えた場合の磁気特性図である。
Ｘが常に２，２Ｈ子％になるようにして、Ｗ含有率ｙを
種々変えた場合の磁気特性図である。
この図から明らかなように、Ｗ含有率が０原子％のＣｏ
−Ｈｆ ２成分系合金も前述と同様に、ＢＳは高いが
、 Ｈｅが高過ぎ、μｅが低い。これにＷを少量添加す
ることによ番目−１ｃが極端に下がり、１１〜 ／ｌ ｅが；ψに高くなる。なお、Ｗの含有率がある程
度以−ヒになると、μｅは低くなる。一方、Ｂｓは極端
ではないがＷの含有率の増大とともに低下する傾向があ
る。
−Ｈｆ ２成分系合金も前述と同様に、ＢＳは高いが
、 Ｈｅが高過ぎ、μｅが低い。これにＷを少量添加す
ることによ番目−１ｃが極端に下がり、１１〜 ／ｌ ｅが；ψに高くなる。なお、Ｗの含有率がある程
度以−ヒになると、μｅは低くなる。一方、Ｂｓは極端
ではないがＷの含有率の増大とともに低下する傾向があ
る。
このような特性傾向のなかで、Ｂｓを高く保ち、Ｈｅを
下げ、高μｅにするためには、Ｗの含有率Ｙを５〜１２
原子％、好ましくは６〜８原子％の範囲に規制する必要
がある。このことは１−１ｆ含有率Ｘを若干変化させて
も同様である。
下げ、高μｅにするためには、Ｗの含有率Ｙを５〜１２
原子％、好ましくは６〜８原子％の範囲に規制する必要
がある。このことは１−１ｆ含有率Ｘを若干変化させて
も同様である。
第３図は、本発明の実施例に係る磁気記録媒体＆ ｄｌ
ａ明するための図である。ポリエステル、ポリ、イミド
などの合成樹脂あるいは陽極酸化したアルミニウム板な
どからなる基材１の表面に、Ｃｏ含有率が９０．８原子
％、Ｈｆ含有率が２．２原子％、Ｗ含有率が７．０原子
％であるＣ ｏ −Ｈｆ −Ｗの３成分系アモルファス
合金薄膜をスパッタリングによって形成して、第１の磁
性材薄膜２とする。次にこの第１の磁性材薄膜２の表面
に、コバルトを主成分と【ハこれに少量のクロムを添加
したＧ ｏ −Ｃｒの２成分系合金薄膜をスパッタリン
グによ−）で形ハｖして、第２の磁性材薄膜３とする。
ａ明するための図である。ポリエステル、ポリ、イミド
などの合成樹脂あるいは陽極酸化したアルミニウム板な
どからなる基材１の表面に、Ｃｏ含有率が９０．８原子
％、Ｈｆ含有率が２．２原子％、Ｗ含有率が７．０原子
％であるＣ ｏ −Ｈｆ −Ｗの３成分系アモルファス
合金薄膜をスパッタリングによって形成して、第１の磁
性材薄膜２とする。次にこの第１の磁性材薄膜２の表面
に、コバルトを主成分と【ハこれに少量のクロムを添加
したＧ ｏ −Ｃｒの２成分系合金薄膜をスパッタリン
グによ−）で形ハｖして、第２の磁性材薄膜３とする。
この磁性１１．１ケＩＦＪ ；シ ３ （／１１ｆｆ／
ｉ厚は、両者ども約０゜３μ川ｒ４７Ｎ＋ 、、 、−
Ｊｌ、 ｊ’、１基４（１ど第１の磁性材薄膜２ど第２
の磁性１才薄膜３とからテープ状あるいはディス／７汰
の磁気記録媒体が構成される。前記磁性ｔ（１脇２ 、
３１：ｔ Ｍ 、１−ｔ １の両面にｄυＪろ嚇合もあ
る。
ｉ厚は、両者ども約０゜３μ川ｒ４７Ｎ＋ 、、 、−
Ｊｌ、 ｊ’、１基４（１ど第１の磁性材薄膜２ど第２
の磁性１才薄膜３とからテープ状あるいはディス／７汰
の磁気記録媒体が構成される。前記磁性ｔ（１脇２ 、
３１：ｔ Ｍ 、１−ｔ １の両面にｄυＪろ嚇合もあ
る。
、二の磁％Ｔ、 Ｋ１１！録媒付、を聞に１央むよ）に
しで、主磁極５と補助磁１ｉｔｊ ｒ；とが配置ｉ’ｒ
さお、−ｃいる。主磁極５は厚さが約１ツノ稈７１１″
の１＋のＣ、ガラス、やポリイミド樹脂ｔｃどからろ・
う非磁性＃１の基板４」二にスパッタリングによって形
成９！！、扛る。補助磁極６には、コ、イル７が所定タ
ーン数だ１プ巻装、ゴれＣいる。この：１−（ルアに記
録されるべき信号Ｉ４１流を流して主磁極５を補助磁極
６側から励磁すると、主磁極５の先端付近に強いｉｌｉ
；ｉ！磁界が発生する。これによってよ磁彬５の先端ｒ
ｌＦ傍にある磁１１・材薄膜２．ｊ３が厚さｔ７向１．
亡（ｉ用０二ｉ、〕（，５第：２の磁性４４薄１模３に
データが記録される。第１の磁性材薄膜２は第２磁性材
薄膜３にデータを磁気記録する際、磁路の一部を構成す
るのに役立つ。
しで、主磁極５と補助磁１ｉｔｊ ｒ；とが配置ｉ’ｒ
さお、−ｃいる。主磁極５は厚さが約１ツノ稈７１１″
の１＋のＣ、ガラス、やポリイミド樹脂ｔｃどからろ・
う非磁性＃１の基板４」二にスパッタリングによって形
成９！！、扛る。補助磁極６には、コ、イル７が所定タ
ーン数だ１プ巻装、ゴれＣいる。この：１−（ルアに記
録されるべき信号Ｉ４１流を流して主磁極５を補助磁極
６側から励磁すると、主磁極５の先端付近に強いｉｌｉ
；ｉ！磁界が発生する。これによってよ磁彬５の先端ｒ
ｌＦ傍にある磁１１・材薄膜２．ｊ３が厚さｔ７向１．
亡（ｉ用０二ｉ、〕（，５第：２の磁性４４薄１模３に
データが記録される。第１の磁性材薄膜２は第２磁性材
薄膜３にデータを磁気記録する際、磁路の一部を構成す
るのに役立つ。
本発明は前述のように、基材と、その基材の表面に形成
された第１の磁性材薄膜と、その第１の磁性材薄膜の表
面に形成されて垂直異方性を有する第２の磁性材薄膜と
を備え、前記第２の磁性材薄膜が膜厚方向に磁化される
磁気記録媒体において、前記第１の磁性材薄膜が、コバ
ル；〜を主成分とし、それに少量のジルコニウムとニオ
ブを添加した３成分系のアモルファス合金から構成され
、その合金中におけるハフニウムの含有率を１原子％以
上でかつ５原子％未満、タングステンの含有率を５原子
％以］：、でかっ１２原子％以下の範囲に規制したごと
を特徴とするものである。
された第１の磁性材薄膜と、その第１の磁性材薄膜の表
面に形成されて垂直異方性を有する第２の磁性材薄膜と
を備え、前記第２の磁性材薄膜が膜厚方向に磁化される
磁気記録媒体において、前記第１の磁性材薄膜が、コバ
ル；〜を主成分とし、それに少量のジルコニウムとニオ
ブを添加した３成分系のアモルファス合金から構成され
、その合金中におけるハフニウムの含有率を１原子％以
上でかつ５原子％未満、タングステンの含有率を５原子
％以］：、でかっ１２原子％以下の範囲に規制したごと
を特徴とするものである。
前述のアモルファス合金は、保磁力が低く、透磁率なら
びに飽和磁束密度が高く、シかもコバ用１−−クロム系
合金との磁気特性がよく似通っており、コバルト−クロ
ム系合金の優れた磁気異方性がそのまま発揮できる。そ
のため優れた記録、再生特性を有し、また第２の磁性材
薄膜を可及的に薄くすることができる。
びに飽和磁束密度が高く、シかもコバ用１−−クロム系
合金との磁気特性がよく似通っており、コバルト−クロ
ム系合金の優れた磁気異方性がそのまま発揮できる。そ
のため優れた記録、再生特性を有し、また第２の磁性材
薄膜を可及的に薄くすることができる。
９−
一８・
第１図は本発明に係るＣ Ｑ −Ｈｆ −Ｗ系アモルフ
ァス合金中のＨｆ Ｎｆｆ申と各種磁気特性との関係を
示１持１／Ｉ：図、第２図は１１１ｊ記合金中のＷ含有
率と各種磁気時（１：との関係を示す特性図、第３図は
本発明の実施例に係る磁気記録媒体）ａ：説明するため
の説明図である。 １・・・基材、２・・・第１の磁性料薄膜、３・・・第
２の磁性材薄膜。 １０− 第１図 第２図
ァス合金中のＨｆ Ｎｆｆ申と各種磁気特性との関係を
示１持１／Ｉ：図、第２図は１１１ｊ記合金中のＷ含有
率と各種磁気時（１：との関係を示す特性図、第３図は
本発明の実施例に係る磁気記録媒体）ａ：説明するため
の説明図である。 １・・・基材、２・・・第１の磁性料薄膜、３・・・第
２の磁性材薄膜。 １０− 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｒｌ）！ｌ１１１．Ｊど、そのＪ＋！ｉ ４（の表面に
形成された第１の１ｔｌＮ−目（イｉｌ［膜と、その第
１の磁性材薄１漠の表面に形成されＣ血直異Ｉｆ性ｋ
：１ｔ−４−る第２の磁性材薄膜どを備え、１ＩｉＩに
：３第２の磁性］Ｉ薄膜が膜厚方向に磁化される磁気記
録媒体においで、前記第１の磁性材薄膜が、二１バルト
を二）・成分どし、それに少鼠のハーフニラ１１と９ン
））ステンを添加した３成分系のアモルー） ７＋’ス
合ｉｊＦから構成され、その合金中におけるハフニラ７
１のａｆＴ率１１原子％以上でかつ５原子％未満、タン
ノス戸ンの含有率に５原子％以上テカー’） Ｉ ’；
！ノＩｒｌ Ｉ’−’）ｆ１以１；ノ範囲に規制されｒ
いることを特（蚊ど４゛イ）磁気記録媒体。 （２、特許請求の範囲口゛５（１）項記載におい゛Ｃ１
前記第２の磁性）（薄１藺が」バルトおよびクロｔｌ含
む：１パル１−−−クロノ、系合金薄膜から構成されて
いることを・特徴ど４″る磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58128719A JPS6021509A (ja) | 1983-07-16 | 1983-07-16 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58128719A JPS6021509A (ja) | 1983-07-16 | 1983-07-16 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6021509A true JPS6021509A (ja) | 1985-02-02 |
Family
ID=14991731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58128719A Pending JPS6021509A (ja) | 1983-07-16 | 1983-07-16 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6021509A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4622273A (en) * | 1983-11-05 | 1986-11-11 | Alps Electric Co., Ltd. | Recording medium for perpendicular magnetization |
-
1983
- 1983-07-16 JP JP58128719A patent/JPS6021509A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4622273A (en) * | 1983-11-05 | 1986-11-11 | Alps Electric Co., Ltd. | Recording medium for perpendicular magnetization |
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