JPS60217122A - フローモールディング装置 - Google Patents
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は全般的にフロラモールディング方法およびその
装置に関する。更に詳細には、本発明は高周波加熱を使
用して熱可塑性部品を成形するととに関する。本発明の
概念は厚さの不均一な部品を成形するのに特に適してい
る。
装置に関する。更に詳細には、本発明は高周波加熱を使
用して熱可塑性部品を成形するととに関する。本発明の
概念は厚さの不均一な部品を成形するのに特に適してい
る。
高周波加熱を利用したプラスチック部品の製造において
、そのパワー７アクタ（力率）に基づいてプラスチック
材料およびダイヤ７２ムを選ぶことが普通である。この
よ５に、従来技術の一例において、α０９のオーダのパ
ワーファクターを有する熱可塑性ポリ塩化ビニルが使用
されている。
、そのパワー７アクタ（力率）に基づいてプラスチック
材料およびダイヤ７２ムを選ぶことが普通である。この
よ５に、従来技術の一例において、α０９のオーダのパ
ワーファクターを有する熱可塑性ポリ塩化ビニルが使用
されている。
ダイヤフラムはα０１のオーダのパワーファクターを有
するシリコン：／公である。パワーファクターにおける
この９：１の差は、ダイヤフラムにおけるよりもプラス
チックにおいてかなり多くの熱が消費されることを意味
し、このことは好ましい。
するシリコン：／公である。パワーファクターにおける
この９：１の差は、ダイヤフラムにおけるよりもプラス
チックにおいてかなり多くの熱が消費されることを意味
し、このことは好ましい。
しかしながらつ（られるプラスチックの厚さに差がある
とき、プラスチック内の熱の不均一な分布が生じ、％に
プラスチックの厚い部分において焼けた区域が発生する
という問題がある。
とき、プラスチック内の熱の不均一な分布が生じ、％に
プラスチックの厚い部分において焼けた区域が発生する
という問題がある。
従って、本発明の目的はプラスチック部品および特にあ
らゆる部分でプラスチック部品に均一な熱が加えられる
全体が不均一な厚さのプラスチック部品を成形する改良
された方法を提供することにある。
らゆる部分でプラスチック部品に均一な熱が加えられる
全体が不均一な厚さのプラスチック部品を成形する改良
された方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、特に厚い区域において部品の焼け
を発生することなく不均一な厚さのプラスチック部品を
成形するための方法を提供することである。薄い部分に
おける熱可塑性材料が適切に流れるように十分に加熱さ
れていない間に厚い部分に焼けが発生するのは普通では
ない。
を発生することなく不均一な厚さのプラスチック部品を
成形するための方法を提供することである。薄い部分に
おける熱可塑性材料が適切に流れるように十分に加熱さ
れていない間に厚い部分に焼けが発生するのは普通では
ない。
前述のおよび他の目的を達成するために、本発明は、粉
又はシート状のプラスチックでもよ（且つ最終的に仕上
げられた部品に成形される材料を受けるための空洞を有
するモールドを備えた７目ウモールド装置を提供する。
又はシート状のプラスチックでもよ（且つ最終的に仕上
げられた部品に成形される材料を受けるための空洞を有
するモールドを備えた７目ウモールド装置を提供する。
この装置および関連する方法は、特に、厚さの異なる部
分を有するプラスチック部品を成形するためのものであ
りかつ各部分全体にわたって部品のモールデング時に均
一な加熱を与える。モールドは、互いに隔てられかつ少
なくとも部分的に部品のためのモールドな形成する第１
および第２の電極によって限定されている。電極を横切
って電磁用熱湯を形成するだめの装置が設けられている
。プラスチック部品の少なくとも一つの表面を成形する
ための、好ましくはダイヤフラムのモールド材料（モー
ルド構造）が少なくとも一つの電極の上にある。プラス
チック材料、モールド材料および電極の間隔は厚さの異
なる部分全体にわたって電極の間で均一な容量を与える
ように選択される。一つの変形によれば容量は電極の対
向面をほぼ等しく隔て、かつプラスチック材料の誘電率
をモールド材料の誘電率にほぼ等しくすることＫよって
保たれている。一つの例によれば、モールド材料すなわ
ちダイヤプラムはシリコンツムで良く且つ数パーセント
の高い誘電率の添加物が加えられてこのようにしてモー
ルド材料の全体の誘電率を等しくしかつこの誘電率をプ
ラスチック材料の誘電率に一致させてもよい。この本発
明によれば添加物はチタン酸カルシウム又は二酸化チタ
ンでよい。本発明の他の特徴によると、容量は電極の間
隔を変えて少な（とも一つの電極に適切な段部な与えて
部分間の容量に一致させることにより、保たれる。本発
明の更に別の特徴によれば、容量は例えば空気のような
第３の材料を含むことによって異なる部分全体にわたっ
て均一に保たれ、そこにおいて、電極は、電極に段部な
付けることなく且つプラスチック材料又はモールド材料
の誘電率を変えることなく、平行に保たれ得る。
分を有するプラスチック部品を成形するためのものであ
りかつ各部分全体にわたって部品のモールデング時に均
一な加熱を与える。モールドは、互いに隔てられかつ少
なくとも部分的に部品のためのモールドな形成する第１
および第２の電極によって限定されている。電極を横切
って電磁用熱湯を形成するだめの装置が設けられている
。プラスチック部品の少なくとも一つの表面を成形する
ための、好ましくはダイヤフラムのモールド材料（モー
ルド構造）が少なくとも一つの電極の上にある。プラス
チック材料、モールド材料および電極の間隔は厚さの異
なる部分全体にわたって電極の間で均一な容量を与える
ように選択される。一つの変形によれば容量は電極の対
向面をほぼ等しく隔て、かつプラスチック材料の誘電率
をモールド材料の誘電率にほぼ等しくすることＫよって
保たれている。一つの例によれば、モールド材料すなわ
ちダイヤプラムはシリコンツムで良く且つ数パーセント
の高い誘電率の添加物が加えられてこのようにしてモー
ルド材料の全体の誘電率を等しくしかつこの誘電率をプ
ラスチック材料の誘電率に一致させてもよい。この本発
明によれば添加物はチタン酸カルシウム又は二酸化チタ
ンでよい。本発明の他の特徴によると、容量は電極の間
隔を変えて少な（とも一つの電極に適切な段部な与えて
部分間の容量に一致させることにより、保たれる。本発
明の更に別の特徴によれば、容量は例えば空気のような
第３の材料を含むことによって異なる部分全体にわたっ
て均一に保たれ、そこにおいて、電極は、電極に段部な
付けることなく且つプラスチック材料又はモールド材料
の誘電率を変えることなく、平行に保たれ得る。
本発明は、プラスチック二次元部品の厚みが不均一であ
っても、それを均熱で二次元部品をモールドする技術に
関するものである。例えば、ここに記載する技術は、異
なる厚みを有する靴底を形成する際に用いられることも
できる。
っても、それを均熱で二次元部品をモールドする技術に
関するものである。例えば、ここに記載する技術は、異
なる厚みを有する靴底を形成する際に用いられることも
できる。
一般に用いられている装置は、頂部および底部電極と、
代表的にはシリコン・ラバからなるマスク・モールドと
、電極ＫＲＦ加熱磁界を加える機器とからできている。
代表的にはシリコン・ラバからなるマスク・モールドと
、電極ＫＲＦ加熱磁界を加える機器とからできている。
第１図は、本発明の原理を図示するために用いられる最
初の図面である。すなわち、プラスチックとモールド材
料との間で誘電率を実質的に等しくシ、プラスチック部
品の厚みに関係なくプラスチック部品を均等に加熱する
。
初の図面である。すなわち、プラスチックとモールド材
料との間で誘電率を実質的に等しくシ、プラスチック部
品の厚みに関係なくプラスチック部品を均等に加熱する
。
両材料に実質的に等しい誘電率を与えることによって、
プラスチック部品に消費された電力がその厚みの関数に
なる。例えば、部品の一区分が第１区分の厚みの２倍で
あるならば、第２区分は同様に２倍の電力を有し、厚み
の両領域においてプラスチック部品に等しい温度を生じ
させる。
プラスチック部品に消費された電力がその厚みの関数に
なる。例えば、部品の一区分が第１区分の厚みの２倍で
あるならば、第２区分は同様に２倍の電力を有し、厚み
の両領域においてプラスチック部品に等しい温度を生じ
させる。
第１図において、電極１および２は、プラスチック部品
を成形しかつ所定の誘電率を有する材料をそれらの間に
有している。第１図は、構成の一般的形体に関連した式
を展開する説明の目的で示されている。実際には、電気
的アナログの形体の第１図の構成は、コンデンサの電極
板を表す電極１および２と、成形されるべきプラスチッ
ク部品を表す材料Ｍとを有するコンデンサである。実際
に、ここで記載されているように、誘電率の整合は、第
２図に示す２つの別個の区分でコンデンサの整合と本質
的に等しくなる。
を成形しかつ所定の誘電率を有する材料をそれらの間に
有している。第１図は、構成の一般的形体に関連した式
を展開する説明の目的で示されている。実際には、電気
的アナログの形体の第１図の構成は、コンデンサの電極
板を表す電極１および２と、成形されるべきプラスチッ
ク部品を表す材料Ｍとを有するコンデンサである。実際
に、ここで記載されているように、誘電率の整合は、第
２図に示す２つの別個の区分でコンデンサの整合と本質
的に等しくなる。
第１図において、下記のパラメータが定義される。
εγ＝比誘電率
Ｐ、Ｆ、＝約４ Ｑ ＭＨ２における力率（または消費
係数） Ｕ＝２つの電極間にボルトの単位で加えられるＲ−Ｆ、
電圧 Ｘｃ ” 材料Ｍ （１）キャノぞシタンス（オーム）
■＝材料Ｍを流れる電流（アン被ア） Ｆ ＝ Ｒ，Ｆ、エネルギ源の周波数（Ｒ２）ａ＝２つ
の電極間の距離（インチ） Ｃ＝材料Ｍの容ｆ（７アラツド） Ｓ＝電極面積（平方インチ） 電極１と２とにまたがって加えられるＲ、Ｆエネルギ源
による第１図の材料Ｍによって消費される熱は、下記の
式によって与えられる。
係数） Ｕ＝２つの電極間にボルトの単位で加えられるＲ−Ｆ、
電圧 Ｘｃ ” 材料Ｍ （１）キャノぞシタンス（オーム）
■＝材料Ｍを流れる電流（アン被ア） Ｆ ＝ Ｒ，Ｆ、エネルギ源の周波数（Ｒ２）ａ＝２つ
の電極間の距離（インチ） Ｃ＝材料Ｍの容ｆ（７アラツド） Ｓ＝電極面積（平方インチ） 電極１と２とにまたがって加えられるＲ、Ｆエネルギ源
による第１図の材料Ｍによって消費される熱は、下記の
式によって与えられる。
Ｐ＝ＲＩ２ （１）
オームの法則から
ここで、Ｒ＝ Ｐ、 Ｆ、 ｘＸｏ（３）なされうる１
つの仮定は、２つの電極の間にある第１図の材料Ｍが小
さいパワーファクタ（力率）を有しているということで
ある。例えば、材料がｐｖｃ（熱可塑性）である場合に
は、パワーファクターは０，０９になる。シリコン・シ
バについては、パワーファクターは０．０１かそれ以下
である。材料Ｍについてのそのパワーファクターおよび
式（３）から、インピーダンスの実数部分は虚数部分に
くらべて無視できることがわかる。すなわち、換言すれ
ば Ｒ２はＸ。よりもはるかに小さい。従って、式（２
）は下記のように書き直され５る。
つの仮定は、２つの電極の間にある第１図の材料Ｍが小
さいパワーファクタ（力率）を有しているということで
ある。例えば、材料がｐｖｃ（熱可塑性）である場合に
は、パワーファクターは０，０９になる。シリコン・シ
バについては、パワーファクターは０．０１かそれ以下
である。材料Ｍについてのそのパワーファクターおよび
式（３）から、インピーダンスの実数部分は虚数部分に
くらべて無視できることがわかる。すなわち、換言すれ
ば Ｒ２はＸ。よりもはるかに小さい。従って、式（２
）は下記のように書き直され５る。
■＝ −または
Ｘ。
ＵＸＰ、 Ｆ。
■＝□ または、
（１）式および（４）式から次式が成立する。
（３）式および（５）式から次式が成立する。
ｘｏの大きさは次式で与えられる。
次式が知られている。
ω＝２πｆ（８）
（７）式および（８）式を組み合わせて次式が得られる
。
。
第１図の２つの電極間の材料Ｖの静電容量、すなわちキ
ャパシタンスＣは次式で示される。
ャパシタンスＣは次式で示される。
（９）式および０１式を組合わせて次式が得られる。
２．５４ Ｘ １０−” （１１）
（６）式および０１）式から次式が成立する。
消費された電力したがつ″′ｃ１平方インチ当りの材料
によって受容された熱量は次式によって与えられる。
によって受容された熱量は次式によって与えられる。
従って、１平方インチ当りかつ１インチの厚み当りの材
料によって受容された電力は次式によって与えられる。
料によって受容された電力は次式によって与えられる。
第１図を参照していくつかの基本的な等式を確立したの
で、第１図と同様に間に材料ＡおよびＢを配している電
極１および２を示す第２図を次に参照する。材料Ａはポ
リ塩化ビニール（ｐｖａ）とすることができ、また材料
Ｂはシリコンぜムとすることができる。材料Ａあるいは
Ｂは本発明の教示するところに従って変えられて以下に
詳細に説明するように誘電率を均等にする基本的な構成
を有することができる。第２図はまた異ったサンドイッ
チ型断面に関連する２つの異った領域αおよびβを示し
ている。領域αにおいては材料Ａは材料Ｂよりも厚く、
一方領域βにおいては材料Ｂは材料Ａよりも厚い。材料
におけるこの違いは形成されている材料Ａによって示さ
れるプラスチック部品の厚みにおける違いを示す。以下
の誘導の目的は、厚みは変化するが、両方の領域におい
ては立方インチ当り等しい電力消費が存在することを確
証することである。この等しい電力消費は、以下に好ま
しい実施例に従って説明するように１材料Ａおよび材料
Ｂの間の誘電率を均等にすることによって提供される。
で、第１図と同様に間に材料ＡおよびＢを配している電
極１および２を示す第２図を次に参照する。材料Ａはポ
リ塩化ビニール（ｐｖａ）とすることができ、また材料
Ｂはシリコンぜムとすることができる。材料Ａあるいは
Ｂは本発明の教示するところに従って変えられて以下に
詳細に説明するように誘電率を均等にする基本的な構成
を有することができる。第２図はまた異ったサンドイッ
チ型断面に関連する２つの異った領域αおよびβを示し
ている。領域αにおいては材料Ａは材料Ｂよりも厚く、
一方領域βにおいては材料Ｂは材料Ａよりも厚い。材料
におけるこの違いは形成されている材料Ａによって示さ
れるプラスチック部品の厚みにおける違いを示す。以下
の誘導の目的は、厚みは変化するが、両方の領域におい
ては立方インチ当り等しい電力消費が存在することを確
証することである。この等しい電力消費は、以下に好ま
しい実施例に従って説明するように１材料Ａおよび材料
Ｂの間の誘電率を均等にすることによって提供される。
第２図には両方の領域における好適な寸法が示されてい
る。領域αにおいては材料Ａの厚みはｄＡであり、一方
材料Ｂの厚みはｄＢである。領域βに関しては、材料Ａ
の厚みはｄＡ／であり、一方材料Ｂの厚みはｄｓ／であ
る。サンドイッチ領域αに関しては、両方の材料を通過
する電流は等しく従つて 工Ａ”ＩＢ”工αである。
る。領域αにおいては材料Ａの厚みはｄＡであり、一方
材料Ｂの厚みはｄＢである。領域βに関しては、材料Ａ
の厚みはｄＡ／であり、一方材料Ｂの厚みはｄｓ／であ
る。サンドイッチ領域αに関しては、両方の材料を通過
する電流は等しく従つて 工Ａ”ＩＢ”工αである。
したがって、
ＰＡ＝ＲＡＸ（Ｉα）２ （＋３
となる。
ここにおいて、ＲＡは材料Ａの抵抗である。この抵抗は
また次式で表すことができる。
また次式で表すことができる。
領域αにおゆる電流工αは次式で表わされる。
００式に関して、全電気容量Ｏαの値は材料Ａおよび材
料Ｂの電気容量の直列接続によって示される。
料Ｂの電気容量の直列接続によって示される。
従って００式は周知の式である。また、各々の区域にお
ける電極面積Ｓは、両方の材料ＡおよびＢＫ対して等し
いものと仮定することができる。
ける電極面積Ｓは、両方の材料ＡおよびＢＫ対して等し
いものと仮定することができる。
０〔式から電気容量ＯＡおよびＣＢＫ対して次式を誘導
することができる。
することができる。
（１７Ａ）式および（１７Ｂ）式をＱｆＤ式に代入する
ことによって次式が得られる。
ことによって次式が得られる。
餞式を（１５）式に代入することによって工αに関して
の次式が得られる。
の次式が得られる。
（１７Ａ）式からのＯＡ値を０４式に代入して次式が得
られる。
られる。
ここで、式０１及び式（イ）をもとの式α騰へ代入すれ
ば次式を得る。
ば次式を得る。
従って、この式Ｃ２０は、区域αについての材料Ａに関
する電力、すなわちパワーの項を示す。ａＡをａ’Ａと
し、ａＢをａＢとし、εｒＡ、”ε’ｒＡ、εｒＢ＝ε
’ｒＢであることを知れば、挾まれた区域βに対しても
ほぼ同様な式が得られ、次式のようになる。
する電力、すなわちパワーの項を示す。ａＡをａ’Ａと
し、ａＢをａＢとし、εｒＡ、”ε’ｒＡ、εｒＢ＝ε
’ｒＢであることを知れば、挾まれた区域βに対しても
ほぼ同様な式が得られ、次式のようになる。
導かれたこれらの式（２Ｄ、（２）から、第２図に示す
両区域において材料Ａが受けるパワー間の比較を行なう
ことができる。区域αに関しては次式を適用そして、区
域βに関しては次式を適用する。
両区域において材料Ａが受けるパワー間の比較を行なう
ことができる。区域αに関しては次式を適用そして、区
域βに関しては次式を適用する。
これらの２つの式の比は次のようになる。
例えば、−例として、材料Ａを誘電率６を有するｐｖｃ
（ポリビニルクロライド）とすることができ、材料Ｂを
誘電率３のシリコンゴムとすることができる。更に、距
離ａＡ、ａＩＢｔｆ％インチ（１ｎｃｈ ）とし、距離
ｃｌ’Ａ、 ａＢを％ １ｎｃｈとすることができる。
（ポリビニルクロライド）とすることができ、材料Ｂを
誘電率３のシリコンゴムとすることができる。更に、距
離ａＡ、ａＩＢｔｆ％インチ（１ｎｃｈ ）とし、距離
ｃｌ’Ａ、 ａＢを％ １ｎｃｈとすることができる。
ＰｖＣのための力率、すなわちパワーファクター（Ｐ、
Ｆ、 ）は０．０９であり、シリコンゴムのためのノ署
ワーフアクタ−は０．０１でよい。そこで、これらの値
を式（ハ）に代入して計算すると次式を得る。
Ｆ、 ）は０．０９であり、シリコンゴムのためのノ署
ワーフアクタ−は０．０１でよい。そこで、これらの値
を式（ハ）に代入して計算すると次式を得る。
従って、主として、誘電率の異なる材料を使用している
ため、材料Ａの厚さの値における差値を式（イ）に代入
することにより、区域αにおける厚い断面の平方インチ
（１ｎｃｈ ）当りで消費するパワーは区域βにおける
薄い断面で消費するパワーの２倍以上であることが判ろ
う。
ため、材料Ａの厚さの値における差値を式（イ）に代入
することにより、区域αにおける厚い断面の平方インチ
（１ｎｃｈ ）当りで消費するパワーは区域βにおける
薄い断面で消費するパワーの２倍以上であることが判ろ
う。
実際、式（ハ）から、比は厚さ及び誘電率の関数として
変化するのが判る。しかし、２つの材料Ａ、Ｂが同じ誘
電率を有する場合にはεｒＡ”εｒＢ＝ε１となり、式
（ハ）を次式のように書き直すことができる。
変化するのが判る。しかし、２つの材料Ａ、Ｂが同じ誘
電率を有する場合にはεｒＡ”εｒＢ＝ε１となり、式
（ハ）を次式のように書き直すことができる。
第２図に示すような２つの電極は平坦で平行だからｄＡ
十ｄＢ：ｄ’Ａ＋ｄ’Ｂであり、それ放火式の関係とな
る。
十ｄＢ：ｄ’Ａ＋ｄ’Ｂであり、それ放火式の関係とな
る。
従って、材料Ａの厚さ１ｉｎｃｈ当りにおける区域αが
消費するパワーの比は、材料Ｂの厚さｌ １ｎｃｈ当り
における区域βが消費するノ（ワーに等しい。
消費するパワーの比は、材料Ｂの厚さｌ １ｎｃｈ当り
における区域βが消費するノ（ワーに等しい。
それ故、１方の区域から他方の区域への材料の厚さの変
化があっても、材料Ａの熱効果、即ち材料Ａに発生する
温度は同じである。換言すれば、区域αにおいて材料Ａ
が消費するパワーは寸法ｄＡに比例し、区域βにおいて
材料Ａが消費するパワーは寸法ｄ’Ａに比例する。それ
故、モールド材料Ｂと材料Ａとが同じ誘電率を有する限
り、材料Ａの厚さに関係なく材料Ａの温度は均一となる
。同様に、厚さの異なる部分があっても材料Ｂもその全
体に亘って均一な温度となる。しかし、材料Ｂが受ける
パワーと同様、材料Ａが受けるパワーはその）ぞワーフ
アクタ−に比例する。それ故、一方の材料において消費
量が一様であっても、材料Ａ。
化があっても、材料Ａの熱効果、即ち材料Ａに発生する
温度は同じである。換言すれば、区域αにおいて材料Ａ
が消費するパワーは寸法ｄＡに比例し、区域βにおいて
材料Ａが消費するパワーは寸法ｄ’Ａに比例する。それ
故、モールド材料Ｂと材料Ａとが同じ誘電率を有する限
り、材料Ａの厚さに関係なく材料Ａの温度は均一となる
。同様に、厚さの異なる部分があっても材料Ｂもその全
体に亘って均一な温度となる。しかし、材料Ｂが受ける
パワーと同様、材料Ａが受けるパワーはその）ぞワーフ
アクタ−に比例する。それ故、一方の材料において消費
量が一様であっても、材料Ａ。
Ｂの温度は実質上同じにならない。
式（５）、＠を参照し、式（１）に関して説明した第２
図の例を考察すると、距離ａＡ、 ａ’Ａにおける差は
５ないし１の比内にあることが判る。与えられる合計の
−ぞワーも同じ比内にあり、従って正味の熱効果は何れ
かの区域α又はβにおいて同じである。
図の例を考察すると、距離ａＡ、 ａ’Ａにおける差は
５ないし１の比内にあることが判る。与えられる合計の
−ぞワーも同じ比内にあり、従って正味の熱効果は何れ
かの区域α又はβにおいて同じである。
弐Ｑｌについては、工αの説明のために先に述べたが、
貴重βについてもこれと同じ式を作ることができる。こ
れら２つの式の比は次のようになる。
貴重βについてもこれと同じ式を作ることができる。こ
れら２つの式の比は次のようになる。
材料Ａ、 Ｂに対してεｒＡ＝εｒＢ＝εｒであれば、
この比は−（ｕｎｉｔｙ）に等しくなる。従って、同じ
誘電率の材料を使った場合、材料Ａ、Ｂの厚さが異なっ
ても区域α又はβにおいて流れる電流は同じＫなる。同
様に、抵抗ＲＡ及びＲ／Ａはこれらの区域の何れか一方
において同じであることが判る。
この比は−（ｕｎｉｔｙ）に等しくなる。従って、同じ
誘電率の材料を使った場合、材料Ａ、Ｂの厚さが異なっ
ても区域α又はβにおいて流れる電流は同じＫなる。同
様に、抵抗ＲＡ及びＲ／Ａはこれらの区域の何れか一方
において同じであることが判る。
従って、区域α又はβにおいて温度は同じになる。
要約すれば、材料Ａ又は材料Ｂにおいて消費される材料
１ｉｎｃｈ厚さ当りのパワーは、材料の厚さが変っても
同じである。次に、材料Ａ、Ｂにおいて消費される材料
１１ｎｃｈ厚さ当りのパワーは、これらの材料Ａ、Ｂ間
では、パワーファクターの比だけ異なる。しかし、これ
らの材料の１つにおける消費量が同じである限り、パワ
ーファクターは制御用ノリｌ−夕ではなく、誘電率、特
に材料Ａ、Ｂの誘電率の同等価が制御要素となる。
１ｉｎｃｈ厚さ当りのパワーは、材料の厚さが変っても
同じである。次に、材料Ａ、Ｂにおいて消費される材料
１１ｎｃｈ厚さ当りのパワーは、これらの材料Ａ、Ｂ間
では、パワーファクターの比だけ異なる。しかし、これ
らの材料の１つにおける消費量が同じである限り、パワ
ーファクターは制御用ノリｌ−夕ではなく、誘電率、特
に材料Ａ、Ｂの誘電率の同等価が制御要素となる。
材料ＡおよびＢの誘電率は多くのいろいろな方法で釣合
わせることができる。熱プラスチツク材料は種々の誘電
率を有することが知られており、また、例えばプラスチ
ゾルを使用した場合、溶媒を用いることなどによって誘
電率を変化させることができる。モールドを作る材料に
関する限り、多くの種々な材料の中から適当なものを選
択することができる。典型的なモールディング材料であ
るところのシリコンツムもまた、異なる誘電率を有する
様々なタイプのものがある。更に、例えばエポキシ樹脂
のような他の材料をフィシ−（ｆｉｌｌｅｒ’。
わせることができる。熱プラスチツク材料は種々の誘電
率を有することが知られており、また、例えばプラスチ
ゾルを使用した場合、溶媒を用いることなどによって誘
電率を変化させることができる。モールドを作る材料に
関する限り、多くの種々な材料の中から適当なものを選
択することができる。典型的なモールディング材料であ
るところのシリコンツムもまた、異なる誘電率を有する
様々なタイプのものがある。更に、例えばエポキシ樹脂
のような他の材料をフィシ−（ｆｉｌｌｅｒ’。
やポリウレタンとともに使用することもできる。
モールドおよび部品にされるプラスチックを利用する公
知のすべての技術においては、両者の誘電率を同じにす
るということをしていない。
知のすべての技術においては、両者の誘電率を同じにす
るということをしていない。
とられるべき望ましい技法は、異なるコンパウンドまた
は物質を混合して、部品となる熱プラスチツク材料と同
じ誘電率となるようにモールディング材料を変えること
である。例えば誘電率が２．８ないし４．１のシリコン
ゴムから始めて（プラスチックは４．５ないし６．０の
誘電率であるとする）、適当な割合の、例えばチタン酸
カルシウム（３ａＴｉ Ｏ３や二酸化チタンＴｌＯ２の
ように高い誘電率を有する他の材料をシリコンゴムに混
合させることにより、所望の誘電率を得るようにしても
よい。モールド材料よりプラスチックの方の熱放散が大
きいことか望ましいので、シリコンゴムに添加する物質
としては低いパワーファクター、すなわち力率を有する
ものがよい。シリコンゴムに２０９ｇの割合でチタン酸
カルシウムを加えることＫより、熱プラスチックの誘電
率と同じオーダーを得るのが好ましいことがわかった。
は物質を混合して、部品となる熱プラスチツク材料と同
じ誘電率となるようにモールディング材料を変えること
である。例えば誘電率が２．８ないし４．１のシリコン
ゴムから始めて（プラスチックは４．５ないし６．０の
誘電率であるとする）、適当な割合の、例えばチタン酸
カルシウム（３ａＴｉ Ｏ３や二酸化チタンＴｌＯ２の
ように高い誘電率を有する他の材料をシリコンゴムに混
合させることにより、所望の誘電率を得るようにしても
よい。モールド材料よりプラスチックの方の熱放散が大
きいことか望ましいので、シリコンゴムに添加する物質
としては低いパワーファクター、すなわち力率を有する
ものがよい。シリコンゴムに２０９ｇの割合でチタン酸
カルシウムを加えることＫより、熱プラスチックの誘電
率と同じオーダーを得るのが好ましいことがわかった。
誘電率が熱プラスチックと等しくなるようにシリコンゴ
ムを変質させる場合の具体例について以下に述べる。
ムを変質させる場合の具体例について以下に述べる。
誘電率を等しくさせるためのもう一つの技法は、厚さの
異なるセクションに第３の材料を用いることである。各
セクションにおける誘電率を等しくさせるために、セク
ション毎に異なる材料を使用してもよい。これはすなわ
ち、材料の各セクションにおけるキャパシタンスを等し
くさせることによりプラスチック部品を通しての加熱状
態を等しくさせたい場合である。この技法の有利な点は
、モールド材料を変質させる必要がないことにあるが、
その反面、モール「とともに第６の材料を使用する必要
がある。
異なるセクションに第３の材料を用いることである。各
セクションにおける誘電率を等しくさせるために、セク
ション毎に異なる材料を使用してもよい。これはすなわ
ち、材料の各セクションにおけるキャパシタンスを等し
くさせることによりプラスチック部品を通しての加熱状
態を等しくさせたい場合である。この技法の有利な点は
、モールド材料を変質させる必要がないことにあるが、
その反面、モール「とともに第６の材料を使用する必要
がある。
第３図は本発明のもう一つの実施例を示す。ここでは各
セクションαおよびβにおけるキャパシタンスを本質的
に等しくさせて加熱を均一化するために、電極の構成を
変えである。第２図に示した第１の実施例において２つ
のセクションの誘電率を等しくすることにより、これら
のセクションにおけるキャパシタンスを等しくする。例
えば式（１７Ａ）かられかるように、キャパシタンスは
誘電率に比例し且つ距離ｄＶｃ反比例する。第２図に示
した第１の実施例において、電極間隔、すなわち距離ｄ
は各セクションで同一であり、誘電率を均合わせたこと
によりキャパシタンスは等しくされた。第３図に示す構
成では、誘電率は変えないままとし、少なくとも一つの
セクションにおいて電極間隔を変えることによりキャパ
シタンスを等しくさせている。
セクションαおよびβにおけるキャパシタンスを本質的
に等しくさせて加熱を均一化するために、電極の構成を
変えである。第２図に示した第１の実施例において２つ
のセクションの誘電率を等しくすることにより、これら
のセクションにおけるキャパシタンスを等しくする。例
えば式（１７Ａ）かられかるように、キャパシタンスは
誘電率に比例し且つ距離ｄＶｃ反比例する。第２図に示
した第１の実施例において、電極間隔、すなわち距離ｄ
は各セクションで同一であり、誘電率を均合わせたこと
によりキャパシタンスは等しくされた。第３図に示す構
成では、誘電率は変えないままとし、少なくとも一つの
セクションにおいて電極間隔を変えることによりキャパ
シタンスを等しくさせている。
第３図の実施例においては、各セクションαおよびβに
同じ値の電流を流すことにより、形成されるプラスチッ
ク材料であるところの材料Ａを通しての加熱が均一とさ
れる。電極１および２に同じ値の電圧が加えられ、低い
力率の材料が使用されたとすると、式（２）は次のよう
に書き換えることができる。
同じ値の電流を流すことにより、形成されるプラスチッ
ク材料であるところの材料Ａを通しての加熱が均一とさ
れる。電極１および２に同じ値の電圧が加えられ、低い
力率の材料が使用されたとすると、式（２）は次のよう
に書き換えることができる。
Ｉ＝−（至）
ｃ
式（至）かられかるように、加熱を均一にするためには
、セクションαおよびβのそれぞれにおいて同じキャパ
シタンスＸｃでなければならない（Ｃα＝Ｃβ）。
、セクションαおよびβのそれぞれにおいて同じキャパ
シタンスＸｃでなければならない（Ｃα＝Ｃβ）。
第３図においてプラスチック材料Ａの厚さは、第２図に
距離ｄＡおよびｄＡで示した値と同じである。セクショ
ンαにおいてモールディング材料Ｂの寸法はｄＢであり
、セクションβにおいてモールディング材料の厚さは変
数Ｘで示される。変数Ｘは材料ＡおよびＢの誘電率なら
びに第３図に示した寸法値を基礎にして計算することが
できる。
距離ｄＡおよびｄＡで示した値と同じである。セクショ
ンαにおいてモールディング材料Ｂの寸法はｄＢであり
、セクションβにおいてモールディング材料の厚さは変
数Ｘで示される。変数Ｘは材料ＡおよびＢの誘電率なら
びに第３図に示した寸法値を基礎にして計算することが
できる。
式（ＩＳは次のように書き換えられる。
同様にしてＣβは次のように導びかれる。
０α＝Ｃβとおくと式Ｇυおよび０邊から次の関係が導
びかれる。
びかれる。
εＡｄＢ＋εＢｄＡ＝εＡＸ＋εＢａｉ ａｃ式０濁か
られかるように１．２つの材料ＡおよびＢの誘電率は定
められた公知の値として考えることができる。同様に、
ある部分によっては寸法ｄＡおよびａ’を公知と考える
こともできる。そこで値ｄＢを定数として式αやを解（
と、変数Ｘすなわち厚さがめられる。Ｘをめる式は次の
通りである。
られかるように１．２つの材料ＡおよびＢの誘電率は定
められた公知の値として考えることができる。同様に、
ある部分によっては寸法ｄＡおよびａ’を公知と考える
こともできる。そこで値ｄＢを定数として式αやを解（
と、変数Ｘすなわち厚さがめられる。Ｘをめる式は次の
通りである。
ｃＡｄＢ＋ＥＢ（ｄＡ−ｄ′Ａ）
Ｘ＝ 、＜（社）
ｄＡ
第３図および式（ロ）かられかるように、電極２は、次
の式によりめられる寸法Ｙの段を有している。
の式によりめられる寸法Ｙの段を有している。
Ｙ ＝ ｄＡ ＋ ｄＢ −（Ｌ’Ａ −Ｘ （ト）第
２図および第３図に示した各実施例のうち、第２図に示
した第１の実施例の方が好ましい。なぜならば、第２図
におけるように誘電率を変える方が、第３図におけるよ
うに特殊な構成の電極を用いるよりも容易だからである
。特殊な構成の電極は、形成すべき部品が複雑な外形を
有している場合、その外形に適応するように様裏な寸法
の部分を備えていなければならないことになる。
２図および第３図に示した各実施例のうち、第２図に示
した第１の実施例の方が好ましい。なぜならば、第２図
におけるように誘電率を変える方が、第３図におけるよ
うに特殊な構成の電極を用いるよりも容易だからである
。特殊な構成の電極は、形成すべき部品が複雑な外形を
有している場合、その外形に適応するように様裏な寸法
の部分を備えていなければならないことになる。
第３図の実施例について注目されるべきことは、ピース
の寸法および誘電率に基いて厚さＸが算定されて内側よ
りも外側に段を有する電極２を形成することである。こ
の方程式は十分に大きい厚さＸを与える。更に、電極１
を電極２０代りに変えるか、又は更に他の実施例では両
方の電極を変えることができる。これらの電極を変える
即ち第２図の実施例における誘電率を均等化する目的は
構造の各セクション、すなわち各部分において同じ容量
を維持することにある。もし、図示のように２つの部分
よりも大きい部分があると、全ての部分で容量の均等化
が行われる。
の寸法および誘電率に基いて厚さＸが算定されて内側よ
りも外側に段を有する電極２を形成することである。こ
の方程式は十分に大きい厚さＸを与える。更に、電極１
を電極２０代りに変えるか、又は更に他の実施例では両
方の電極を変えることができる。これらの電極を変える
即ち第２図の実施例における誘電率を均等化する目的は
構造の各セクション、すなわち各部分において同じ容量
を維持することにある。もし、図示のように２つの部分
よりも大きい部分があると、全ての部分で容量の均等化
が行われる。
プラスチック部品は、例えば製品「インダソルＥＶ−５
０−１としてインダストリアル・ツルベンツＩｎｃによ
って販売されている「ゾラスチソル」の如き液体ビニー
ルから作られている。これは、特に厚さが異なるときに
キャビティを充分に充填できるように液体の形態にある
のが好ましい。
０−１としてインダストリアル・ツルベンツＩｎｃによ
って販売されている「ゾラスチソル」の如き液体ビニー
ルから作られている。これは、特に厚さが異なるときに
キャビティを充分に充填できるように液体の形態にある
のが好ましい。
好ましくは選択されたペースモールド材料はゼネラルエ
レクトリック社によって作られたシリコンゴムのＲＴＶ
−４５である。このシリコンゴムはモールド工程に用い
られる高温度に充分耐えることができる。又、このシリ
コンゴムはマスターダイから２ツクアツゾすることがで
き且つプラスチック上で極めて細かい実質的に完全なイ
ンプリントを再生することができる。又、このシリコン
ゴムは０．０１のオーダである極めて低いパワーファク
ター、すなわち力率を有し、このため高周波加熱の下で
きわめて大きな熱損失がない。又、シリコンツムは充分
な柔軟性を有し、プラスチック部品が逆角度を有すると
きでもシリコンゴムモールドから容易に取外すことがで
きる。
レクトリック社によって作られたシリコンゴムのＲＴＶ
−４５である。このシリコンゴムはモールド工程に用い
られる高温度に充分耐えることができる。又、このシリ
コンゴムはマスターダイから２ツクアツゾすることがで
き且つプラスチック上で極めて細かい実質的に完全なイ
ンプリントを再生することができる。又、このシリコン
ゴムは０．０１のオーダである極めて低いパワーファク
ター、すなわち力率を有し、このため高周波加熱の下で
きわめて大きな熱損失がない。又、シリコンツムは充分
な柔軟性を有し、プラスチック部品が逆角度を有すると
きでもシリコンゴムモールドから容易に取外すことがで
きる。
シリコンゴムに加えられるべき好ましい付加材料は純度
９９５％のチタン酸カルシウムＣａＴｉ Ｏ３である。
９９５％のチタン酸カルシウムＣａＴｉ Ｏ３である。
これは２ミクロン寸法のきわめて細かいパウダー形態で
得ることができる。チタン酸カルシウムは、特に、モー
ルド材料をマスターダイに容易に注入するようにシリコ
ンゴムの粘度を充分に大きくすることがないので用いら
れてきた。更に、チタン酸カルシウムは極めて高い誘電
率を有している。この熱プラスチックはシリコンゴムよ
り高い誘電率を有しているが通常大幅には高くないので
比較的低いノぞ−センテージのチタン酸カルシウムがシ
リコンゴムの誘電率を上げるため必要とされる。又、こ
の付加材料はシリコンゴムの力率より低い力率を有し、
この結果結合されたモールド材料はシリコンゴムが単独
で用いられたときほど加熱しない。
得ることができる。チタン酸カルシウムは、特に、モー
ルド材料をマスターダイに容易に注入するようにシリコ
ンゴムの粘度を充分に大きくすることがないので用いら
れてきた。更に、チタン酸カルシウムは極めて高い誘電
率を有している。この熱プラスチックはシリコンゴムよ
り高い誘電率を有しているが通常大幅には高くないので
比較的低いノぞ−センテージのチタン酸カルシウムがシ
リコンゴムの誘電率を上げるため必要とされる。又、こ
の付加材料はシリコンゴムの力率より低い力率を有し、
この結果結合されたモールド材料はシリコンゴムが単独
で用いられたときほど加熱しない。
誘電率および力率の値は周波数および温度により変わる
。下記の表は誘電率の値とＲＦエネルギー源の周波数で
ある４０ＭＨｚの周波数の力率の値を示す。これらのパ
ラメータは周囲温度の７０Ｆから３７５Ｆの硬化温度に
プラスチックを加熱中の平均温度で示されている。
。下記の表は誘電率の値とＲＦエネルギー源の周波数で
ある４０ＭＨｚの周波数の力率の値を示す。これらのパ
ラメータは周囲温度の７０Ｆから３７５Ｆの硬化温度に
プラスチックを加熱中の平均温度で示されている。
材 料 誘電率 力率
シリコンゴムＲＴＶ−４５４，０４０，０１チタン酸カ
ルシウム １６７５ ０．０００３２Ｑａ Ｔ １０３ プラスチック ４．８ ０．０９ 今、この作業はチタン酸カルシウムのパーセンテージＸ
を決定することであり、このチタン酸カルシウムはシリ
コンゴムに混合されてプラスチックＫＶ −５Ｑの誘電
率である４、８に等しい誘電率を有する混合物を得るよ
うにする。これについては第４図の図表を参照されたい
。この第４図では寸法ｘがシリコンゴムのパーセンテー
ジを示し、寸法ｘ−１がチタン酸カルシウムの量を示し
でいる。
ルシウム １６７５ ０．０００３２Ｑａ Ｔ １０３ プラスチック ４．８ ０．０９ 今、この作業はチタン酸カルシウムのパーセンテージＸ
を決定することであり、このチタン酸カルシウムはシリ
コンゴムに混合されてプラスチックＫＶ −５Ｑの誘電
率である４、８に等しい誘電率を有する混合物を得るよ
うにする。これについては第４図の図表を参照されたい
。この第４図では寸法ｘがシリコンゴムのパーセンテー
ジを示し、寸法ｘ−１がチタン酸カルシウムの量を示し
でいる。
式ａ〔から１平方インチ当りの容量が次の如く得られる
。
。
モールドの全体の等しい容量はパラメータＣ１によって
次の如く得られる。
次の如く得られる。
この式は又次の如く表わすことができる。
プラスチックの１インチ厚み部分の容量は次の式によっ
て表わすことができる。
て表わすことができる。
０１＝０２とすることによって次式が得られる。
上式顛から未知数Ｘを解いてＸ＝０．８３８゜１−ｘ−
ｏ、１６２として与えられた例題を算定することができ
る。
ｏ、１６２として与えられた例題を算定することができ
る。
従って、モールド材料は、形成されるべきゾ２スチツク
部品の誘電率に等しい誘電率４．８を有するように体積
において８３．８％のシリコンゴムと１６．２％のチタ
ン酸カルシウムとから作られることが必要である。
部品の誘電率に等しい誘電率４．８を有するように体積
において８３．８％のシリコンゴムと１６．２％のチタ
ン酸カルシウムとから作られることが必要である。
上記誘導は体積に基いてなされたが同様の誘導を重量の
パーセンテージに基いても得ることができ、これは体積
を比較するより作業が容易である次式は体積パーセンチ
−２から重量パーセンテージに変更する際に有効である
。
パーセンテージに基いても得ることができ、これは体積
を比較するより作業が容易である次式は体積パーセンチ
−２から重量パーセンテージに変更する際に有効である
。
（ＣａＴ１０３）（４＋）
式（４１）によりおよびシリコンラバーの比重が１４８
でかつチタン酸カルシウムの比重が１．６８であること
から式（４１）を解き、１８重量％オーダのチタン酸カ
ルシウムが全混合体に追加され、混合体の残りが８２重
量％のシリコンラバーであることがめられる。この観点
から第５図のグラフを参照すると追加されたチタン酸カ
ルシウムのパーセントおよび対応する誘電率を示す実験
に基づ（カーブが示されている。このカーブから１８チ
オーダのパーセントにて誘電率が４．８チオーダである
ことがわかる。かくして理論的計算は第５図のグラフに
より例証された実験にもとづく計算と非常に正確に対応
する。
でかつチタン酸カルシウムの比重が１．６８であること
から式（４１）を解き、１８重量％オーダのチタン酸カ
ルシウムが全混合体に追加され、混合体の残りが８２重
量％のシリコンラバーであることがめられる。この観点
から第５図のグラフを参照すると追加されたチタン酸カ
ルシウムのパーセントおよび対応する誘電率を示す実験
に基づ（カーブが示されている。このカーブから１８チ
オーダのパーセントにて誘電率が４．８チオーダである
ことがわかる。かくして理論的計算は第５図のグラフに
より例証された実験にもとづく計算と非常に正確に対応
する。
第６図は先に第２図にて述べたと同様な説明を示す。第
６図はシューソール２０、高周波加熱装置で使用される
一対の電極およびモールディング材料２２を示す。モー
ルディング材料２２はチタン酸カルシウム約１８％およ
び８２％シリコンラバ＋、ＲＴＶ４５の混合体から作ら
れている。第６図はまた２つのセクションαおよびβを
示している。この例においては単純化のため、セクショ
ンαにおいてはプラスチック部分が９６ｆｌ（％インチ
）の厚さを有し、セクションβの厚さは３．２■第（３
）および（９）式から と表示することができる。
６図はシューソール２０、高周波加熱装置で使用される
一対の電極およびモールディング材料２２を示す。モー
ルディング材料２２はチタン酸カルシウム約１８％およ
び８２％シリコンラバ＋、ＲＴＶ４５の混合体から作ら
れている。第６図はまた２つのセクションαおよびβを
示している。この例においては単純化のため、セクショ
ンαにおいてはプラスチック部分が９６ｆｌ（％インチ
）の厚さを有し、セクションβの厚さは３．２■第（３
）および（９）式から と表示することができる。
９、６ ｍ （９Ａインチ）プラスティゾルに関し式（
４３を解いて抵抗Ｒ＝１２４．５５オームをめることが
できる。
４３を解いて抵抗Ｒ＝１２４．５５オームをめることが
できる。
６．４目（ｙインチ）モールディング材の抵抗をめる前
にノ臂ワーフアクタ−をめねばならない。
にノ臂ワーフアクタ−をめねばならない。
以下のことがわかっている。
ここでテーブルエよりεＲＴｖ＝４．０４および
ここでテープ／Ｉ／Ｉよりε０ａＴｉ０３ ＝ １６７
５式（４１よりＸ＝０．８３８をめることができ、かく
して上記の置換により以下がまる。
５式（４１よりＸ＝０．８３８をめることができ、かく
して上記の置換により以下がまる。
ＣＲＴｖＡンチ”＝ｔ０８３ｘ１０−”ファラッドそし
てＣａＴｉｏｓ ／４ンチ”＝２３２．２１Ｘ１０−１
２フアラツド。
てＣａＴｉｏｓ ／４ンチ”＝２３２．２１Ｘ１０−１
２フアラツド。
また次のことがまる：
弐【りから異なった材料に対する抵抗が次のようにまる
： − Ｒｒｎｏ１ａＡンチ２（６４０ＭＨ２）：ＲＲＴｖ′イ
′チ２＋ＲＯａＴｉ０３か（してモールドのパワーファ
クタをめることができ、その値は０．００９９５であっ
て、これはＲＴＶ自身の）ぞワーフアクタより大幅に低
い。４０ＭＨｇにおゆるにモールディング材の抵抗は式
６３から９１８８オームと計算することができる。
： − Ｒｒｎｏ１ａＡンチ２（６４０ＭＨ２）：ＲＲＴｖ′イ
′チ２＋ＲＯａＴｉ０３か（してモールドのパワーファ
クタをめることができ、その値は０．００９９５であっ
て、これはＲＴＶ自身の）ぞワーフアクタより大幅に低
い。４０ＭＨｇにおゆるにモールディング材の抵抗は式
６３から９１８８オームと計算することができる。
この時点で以下をめることができる。
Ｒｐｌａ８ｔ１８０１ ＋ Ｒｍｏｌｄ ＝ ” ”７
４オーム （ハ）組合わせでのキャパシタンスは次の式
によって与えられる： 組合わせでのパワー７アクタは次の式によって与えられ
る： 組合わせのＰ、Ｆ、＝ＲＸ２７ｒｘｆｘｃ＝０．０５８
（ｔ’９組合わせでのりアクタンスは式（９）から導
かれた次式により与えられる： 組合わせのＸｃ ＝ ２３０６．６ ｐｈｍｓ （４Ｇ
４ Ｑ ＭＨｚにて３，０００ボルトのＲＦ電圧が電極
間に加えられたと仮定するとモールドを通過する電流の
アンイア値は次式で与えられる： 式（４ηから、平方根内の第２項が実質的に第１項より
小さいことがわかり、従って下記の式を得ることができ
る。
４オーム （ハ）組合わせでのキャパシタンスは次の式
によって与えられる： 組合わせでのパワー７アクタは次の式によって与えられ
る： 組合わせのＰ、Ｆ、＝ＲＸ２７ｒｘｆｘｃ＝０．０５８
（ｔ’９組合わせでのりアクタンスは式（９）から導
かれた次式により与えられる： 組合わせのＸｃ ＝ ２３０６．６ ｐｈｍｓ （４Ｇ
４ Ｑ ＭＨｚにて３，０００ボルトのＲＦ電圧が電極
間に加えられたと仮定するとモールドを通過する電流の
アンイア値は次式で与えられる： 式（４ηから、平方根内の第２項が実質的に第１項より
小さいことがわかり、従って下記の式を得ることができ
る。
Ｉ＝Ｕ／Ｘｃ＝３，０００／２３０６．６＝１．３００
６Ａ （４１これらの両式（４ｎ、 （４１Ｇから両電
流値間の差は無視でき、よって式（僧の結果を使用する
ことに実質的誤差は発生しない。
６Ａ （４１これらの両式（４ｎ、 （４１Ｇから両電
流値間の差は無視でき、よって式（僧の結果を使用する
ことに実質的誤差は発生しない。
断面部分すなわちセクションα内の％可塑物が受入れる
電力Ｐは下式で与えられる。
電力Ｐは下式で与えられる。
Ｐ＝ＲＩ”＝１２４．５５Ｘ１．６９＝２１０．４９ワ
ツト、４１ 器また断面部分すなわちセクションβで計
算すれば該部分β内の％耐可塑物が受入れる動力Ｐは下
式Ｐ＝ＲＩ２＝４１．５２Ｘ１．６９＝７０゜１７ワツ
ト名ｉｓ＋（第２表参照）このことから断面部分α内の
Ｘ吋厚可塑物が受入れる電力は断面部分β内のに吋厚可
塑物が受入れる電力の３倍であることが証明される。両
断面部分内に同一の比熱が提供されるとすれば断面部分
の内の可塑物の温度は断面部分β内の可塑物の温度と同
一となる。また断面部分αにおいてこの装置により伝達
される電力の大部分２２６ワツトは可塑物に対しその電
力の僅か７％だけ成形材料へ伝達されるようになること
がわかる。よってこの方法は非常に効率的な成形工程を
提供するものである。
ツト、４１ 器また断面部分すなわちセクションβで計
算すれば該部分β内の％耐可塑物が受入れる動力Ｐは下
式Ｐ＝ＲＩ２＝４１．５２Ｘ１．６９＝７０゜１７ワツ
ト名ｉｓ＋（第２表参照）このことから断面部分α内の
Ｘ吋厚可塑物が受入れる電力は断面部分β内のに吋厚可
塑物が受入れる電力の３倍であることが証明される。両
断面部分内に同一の比熱が提供されるとすれば断面部分
の内の可塑物の温度は断面部分β内の可塑物の温度と同
一となる。また断面部分αにおいてこの装置により伝達
される電力の大部分２２６ワツトは可塑物に対しその電
力の僅か７％だけ成形材料へ伝達されるようになること
がわかる。よってこの方法は非常に効率的な成形工程を
提供するものである。
第７図は、前述の第３図に示した本発明についての別の
技術を示す図である。この図では基部２０、電極及び成
形材料２２も同様に示している。
技術を示す図である。この図では基部２０、電極及び成
形材料２２も同様に示している。
この場合成形材料は添加剤を含まないシリコンダムＲＴ
Ｖ−４５が好ましい。第７図において７ｘ：＝ａ＋ｂで
ある。寸法Ｘに沿ったｙの寸法は計算できる。ここで再
び２つの断面部分α、βにおける容量の等式を検討する
。断面部分αについてみると、式（ＩＩからに対成形材
料の容量は３．６３ｐＦであると決定できる。％耐可塑
物の容量は２．８７５ ｐＦであり、式ａｅからこれら
両者の組合わせから容量Ｃα＝ １．６０４ ｐＦが得
られる。断面部分βの容量は寸法Ｘ又はｙの関数である
。断面部分βの容量は下記式で表わせる。
Ｖ−４５が好ましい。第７図において７ｘ：＝ａ＋ｂで
ある。寸法Ｘに沿ったｙの寸法は計算できる。ここで再
び２つの断面部分α、βにおける容量の等式を検討する
。断面部分αについてみると、式（ＩＩからに対成形材
料の容量は３．６３ｐＦであると決定できる。％耐可塑
物の容量は２．８７５ ｐＦであり、式ａｅからこれら
両者の組合わせから容量Ｃα＝ １．６０４ ｐＦが得
られる。断面部分βの容量は寸法Ｘ又はｙの関数である
。断面部分βの容量は下記式で表わせる。
Ｃβ＝７．８２５５／（８，６２５ｒ＋０．９０７３）
（４９Ａ）ＣａとＣａとを等しいとすると、この例に
おいてみられるＸがｘ＝０．４６吋となることがわかる
。断面部分αにおいて、この電極間隔は、０．６２５吋
である。断面部分βにおいて、電極間隔は０．１２５吋
Ｋｘを加えた値に等しくとのＸは０．５８５に等しい。
（４９Ａ）ＣａとＣａとを等しいとすると、この例に
おいてみられるＸがｘ＝０．４６吋となることがわかる
。断面部分αにおいて、この電極間隔は、０．６２５吋
である。断面部分βにおいて、電極間隔は０．１２５吋
Ｋｘを加えた値に等しくとのＸは０．５８５に等しい。
よって電極寸法ｙは、この例では０．０４０吋と算出さ
れこれにより両断面部分α、βにおい、て均一な加熱効
果が得られる。
れこれにより両断面部分α、βにおい、て均一な加熱効
果が得られる。
本発明の別の特徴によれば、電極間隔を変更するとと即
ち、可塑性材料又は成形材料の片方の合成を変えること
よりも、第３の材料をこの第３の材料の誘電率に依存す
る断面部分の一方へ含ませることができる。本発明のこ
の別の実施例を第８図に示す。この図では例えば第６図
において言及し図示した部品と同様の構成をなす部品を
示している。第８図において、第３の材料は参照符号Ｃ
で示す空気である。成形材料は符号Ａ、 Ａ’で示して
あり、可塑性物質はＢ、Ｂ／で示している。素材Ａ′と
Ｂ′とは断面部分βにおいてみられるのでそのように示
している。第８図から、電極の間隔は該電極の何れか一
方におけるいくらかの移動を生じることもなしで一定を
なしていることがわかる。
ち、可塑性材料又は成形材料の片方の合成を変えること
よりも、第３の材料をこの第３の材料の誘電率に依存す
る断面部分の一方へ含ませることができる。本発明のこ
の別の実施例を第８図に示す。この図では例えば第６図
において言及し図示した部品と同様の構成をなす部品を
示している。第８図において、第３の材料は参照符号Ｃ
で示す空気である。成形材料は符号Ａ、 Ａ’で示して
あり、可塑性物質はＢ、Ｂ／で示している。素材Ａ′と
Ｂ′とは断面部分βにおいてみられるのでそのように示
している。第８図から、電極の間隔は該電極の何れか一
方におけるいくらかの移動を生じることもなしで一定を
なしていることがわかる。
次に両断面部分における容量について、面部分の可塑物
を均一に加熱するよう分析及び比較する。
を均一に加熱するよう分析及び比較する。
この分析は、空気空間Ｃの厚みを示す第８図のＸの関連
の計算を含むものである。
の計算を含むものである。
等式（１（１から下記のよ５に一般式が導びかれる。
ここでｄは厚さく５０）を１ｎｃｈで示す。
下記の比誘電率もまた用いられる。
乾燥空気εｒ＝１．ｏｏ０６
ＲＴＶ−４５εｒ＝４．０５
ＥＶ−５０εｒ ＝ ４゜８
セクションαにおいては、等式を下記のように書き得る
。
。
セクションβにおいては、下記の二つの等式が適用され
る。
る。
１ｎｃｈ２０Ａｔ ＋ＯＢＩ
となる。
セクションα及びβの両者に均熱な供与するためｋは、
キャパシタンスは等しくされねばならず、従って、 従って 等式（ト）及び代入される数値から、Ｘに関して解答す
ることができ、ｘ＝＝ｏ、ｏ１３“となる。
キャパシタンスは等しくされねばならず、従って、 従って 等式（ト）及び代入される数値から、Ｘに関して解答す
ることができ、ｘ＝＝ｏ、ｏ１３“となる。
空気は成形材料よりも低い誘電率を有するので、空気通
路Ｃはより厚い合成樹脂の部分と結合するようＫされる
。しかしながら空気の代りに別の材料、例えばチタン酸
カルシウムのようなものが用いられるならば、その時は
セクションβと一緒に第三の材料が用いられるであろう
が、セクションαについてはそうではない。
路Ｃはより厚い合成樹脂の部分と結合するようＫされる
。しかしながら空気の代りに別の材料、例えばチタン酸
カルシウムのようなものが用いられるならば、その時は
セクションβと一緒に第三の材料が用いられるであろう
が、セクションαについてはそうではない。
第１図は、一対の電極であって公知の誘電率の材料をそ
の間に有しているものの図表である。 第２図は、ＲＦ源と連結され二つの材料を有する電極対
であり、一つの材料が成形材料を形成し他の材料がなる
べくは部片を形成する合成樹脂材料とされるような電極
対を示す。 第３図は、成形装置の住換的構造であって、同様に合成
樹脂部片に均一な熱を供与するものを示す。 第４図は、誘電率を等しくするためにシリ；ンゴムに添
加されるチタン酸カルシウムの計算を補助する図表であ
る。 第５図は、誘電率とシリコンビムＲＴＶ−４５の基底に
加えられるチタン酸カルシウムのパーセントとの比を示
す曲線である。 第６図は、第２図の図表と同様の図表であって、靴底構
造を用いるものを示す。 第７図は、靴底構造を示すもう一つの図表であって、第
３図に関して前に説明したものと同様の図表である。 第８図は、金型の異なる部分において均衡するキャパシ
タンスを有する第三の材料を用いる靴底のよ５な合成樹
脂構造を示すもう一つの図表である。 図百の浄書（内容に変更なし） ｅｉＫ合１ＦＣＣｔｒＴｉＯａｗＳｉＦｅ）幻ａナクン
Ｓガルシウム（ＣａＴｉＤａ）のΦ量Ｚムゆ８ 手続補正書く方式） 昭和４７年覇杵願第 ７０７に７ 号 し−ルド鉄−’ＩＰＬ、ｖ′方人 ３、補正をする者 事件との関係 出 願 人 住所 え栴 クリアＦ・イ／コーポレーデヅド４、代理人
の間に有しているものの図表である。 第２図は、ＲＦ源と連結され二つの材料を有する電極対
であり、一つの材料が成形材料を形成し他の材料がなる
べくは部片を形成する合成樹脂材料とされるような電極
対を示す。 第３図は、成形装置の住換的構造であって、同様に合成
樹脂部片に均一な熱を供与するものを示す。 第４図は、誘電率を等しくするためにシリ；ンゴムに添
加されるチタン酸カルシウムの計算を補助する図表であ
る。 第５図は、誘電率とシリコンビムＲＴＶ−４５の基底に
加えられるチタン酸カルシウムのパーセントとの比を示
す曲線である。 第６図は、第２図の図表と同様の図表であって、靴底構
造を用いるものを示す。 第７図は、靴底構造を示すもう一つの図表であって、第
３図に関して前に説明したものと同様の図表である。 第８図は、金型の異なる部分において均衡するキャパシ
タンスを有する第三の材料を用いる靴底のよ５な合成樹
脂構造を示すもう一つの図表である。 図百の浄書（内容に変更なし） ｅｉＫ合１ＦＣＣｔｒＴｉＯａｗＳｉＦｅ）幻ａナクン
Ｓガルシウム（ＣａＴｉＤａ）のΦ量Ｚムゆ８ 手続補正書く方式） 昭和４７年覇杵願第 ７０７に７ 号 し−ルド鉄−’ＩＰＬ、ｖ′方人 ３、補正をする者 事件との関係 出 願 人 住所 え栴 クリアＦ・イ／コーポレーデヅド４、代理人
Claims (9)
- （１） 厚さの異なる二以上のセクションを有スるプラ
スチック部品をモールドするに際し、各セクションの全
体にわたり均一な加熱を与えるプラスチック部品のモー
ルド装置であって、 相互に間隔をあけた第１及び第２の電極であって、少な
（ともその一部分に、プラスチック部品を形成するモー
ルドを画成する第１及び第２の電極： 上記電極を横断して電磁加熱湯を確立するための手段：
そして、 上記プラスチック部品の一つの表面を形成するため、上
記電極の少なくとも一方に隣接して配置されたモールド
材料； を備えて構成されてなり、上記プラスチック材料、モー
ルド材料及び電極間の距離が、上記厚さの異なるセクシ
ョンの全体にわたって上記電極の間のキャパシタンスが
一定となるように選択されてなるモールド装置。 - （２） ！許請求の範囲第１項に記載のモールド装置に
おいて、 上記キャノ（シタンスは、上記電極の向い合う表面の間
隔を一定にし、且つ上記プラスチック材料の誘電率を上
記モールド材料の誘電率とほぼ等しくすることにより、
一定に維持されてなるモールド装置。 - （３）特許請求の範囲第２項に記載のモールド装置にお
いて、 上記モールド材料は、シリコン２バーに高誘電率を有す
るあるパーセントの添加剤を加え、それにより、誘電率
を等しくしたシリコフラノζ−ダイアフラムを備えてな
るモールド装置。 - （４）特許請求の範囲第３項に記載のモールド装置にお
いて、 上記添加剤がチタン酸カルシウムであるようにされてな
るモールド装置。 - （５） 特許請求の範囲第３項に記載のモールド装置に
おいて、 上記添加剤が、二酸化チタンであるようにされてなるモ
ールド装置。 - （６）特許請求の範囲第１項に記載のモールド装置にお
いて、 キャパシタンスは、電極の間隔を変化させることによっ
て均一に維持されてなるモールド装置。 - （７）特許請求の範囲第６項に記載のモールド装置にお
いて、 式：εＡｄ′Ｂ＋εＢ”Ａ＝εＡＸ＋εＢ ”’Ａは、
電極の間隔の関係を表わし、各記号は、 εＡ＝セクションαの誘電率 εＢ＝セクションβの誘電率 旬＝セクションαのプラスチックの厚さｄＢ＝セクショ
ンαのモールドの厚さ ａｌＡ＝＝セクションβのプラスチックの厚さＸ＝セク
ションβのモールドの厚さ を示してなるモールド装置。 - （８）特許請求の範囲第１項に記載のモールド装置にお
いて、上記キャパシタンスは、上記セクションの少なく
とも１つと協働して第６の材料を用いることにより一定
に維持されてなるモールド装置。 - （９） 厚さの異なる二以上のセクションを有するプラ
スチック部品をモールドするに際し、各セクションの全
体にわたり均一な加熱を与えるプラスチック部品のモー
ルド方法であり【、 相互に間隔をあけた第１及び第２の電極であって、少な
くともその一部分に、プラスチック部品を形成するそ−
ルドを画成する第１及び第２の電極を提供する段階； 上記電極を横断して電磁加熱湯を確立する段階：そして
、 上記プラスチック部品の一つの表面を形成するため上記
電極の少なくとも一方に隣接してモールｒを提供する段
階； を備えて構成されてなり、上記プラスチック材料、モー
ルド材料及び電極間の距離が、上記厚さの異なるセクシ
ョンの全体にわたって上記電極の間のキャパシタンスが
一定となるようにされてなるモールド方法。 ０窃 特許請求の範囲第９項に記載のモールド方法にお
いて、 上記キャノ（シタンスは、上記電極の向い合う表面の間
隔を一定にし、且つ上記プラスチック材料の誘電率を上
記モールド材料の誘電率とはば等しくすることにより、
一定に維持するようにしてなるモールド方法。 （１１特許請求の範囲第９項に記載のモールド方法にお
いて、 上記キャパシタンスは、上記電極の間隔を変化させるこ
とによって一定に維持されるようになされたモールド方
法。 ａ３ 特許請求の範囲第９項に記載のモールド方法にお
いて、 上記キャパシタンスは、上記セクションの少なくとも１
つと協働して第３の材料を用いることにより一定に維持
されてなるモールド方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP84103950A EP0159368A1 (en) | 1984-04-09 | 1984-04-09 | Flow molding |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60217122A true JPS60217122A (ja) | 1985-10-30 |
| JPH0239972B2 JPH0239972B2 (ja) | 1990-09-07 |
Family
ID=8191866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7016784A Expired - Lifetime JPH0239972B2 (ja) | 1984-04-09 | 1984-04-10 | Furoomoorudeingusochi |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0159368A1 (ja) |
| JP (1) | JPH0239972B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03109808U (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-12 | ||
| JPH03109809U (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-12 | ||
| JPH04272809A (ja) * | 1991-02-28 | 1992-09-29 | Kinugawa Rubber Ind Co Ltd | 高周波成形用成形型 |
| JP2022171619A (ja) * | 2021-04-28 | 2022-11-11 | アディダス アーゲー | 粒子フォーム部品を製作するための、特に靴底または靴底の一部を製作するための装置、方法、およびコンデンサ極板セット |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1257242B (it) * | 1992-07-01 | 1996-01-10 | Stampo per lo stampaggio di materie plastiche mediante l'applicazione di un campo elettromagnetico. | |
| GB9320985D0 (en) * | 1993-10-12 | 1993-12-01 | Ea Tech Ltd | Dielectric heating |
| US7232299B2 (en) * | 2004-10-08 | 2007-06-19 | Vertex, L.L.C. | Flow molding apparatus with multiple layers of molds and electrodes |
| DE102019215845B4 (de) | 2019-10-15 | 2023-05-11 | Adidas Ag | Verfahren zur Herstellung von geschäumten Partikelteilen, insbesondere für die Herstellung von Schuhsohlen |
| CN111409226A (zh) * | 2020-03-30 | 2020-07-14 | 库尔特机电设备（珠海）有限公司 | 采用无线射频制作泡沫塑料的模具组件及设备 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR955882A (ja) * | 1947-05-02 | 1950-01-20 | ||
| US2626428A (en) * | 1948-10-08 | 1953-01-27 | Firestone Tire & Rubber Co | Heat transfer corrector for electronic molds |
| DE828898C (de) * | 1949-12-28 | 1952-01-21 | Continental Gummi Werke Ag | Einrichtung zur Vulkanisation von Reifen o. dgl. aus Kautschuk oder kautschukaehnlichen Stoffen |
| DE844766C (de) * | 1949-12-28 | 1952-07-24 | Continental Gummi Werke Ag | Form zur Vulkanisation von Gummikoerpern mit einer plastisch gemusterten Oberflaecheim hochfrequenten elektrischen Wechselfeld |
| US2779847A (en) * | 1951-09-29 | 1957-01-29 | Firestone Tire & Rubber Co | Electronic vulcanization of rubber |
| US2922865A (en) * | 1958-05-26 | 1960-01-26 | Gen Motors Corp | Process and apparatus for dielectric heating |
| US3647741A (en) * | 1968-12-18 | 1972-03-07 | Stauffer Wacker Silicone Corp | Stabilized heat curable silicone elastomers |
-
1984
- 1984-04-09 EP EP84103950A patent/EP0159368A1/en not_active Withdrawn
- 1984-04-10 JP JP7016784A patent/JPH0239972B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03109808U (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-12 | ||
| JPH03109809U (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-12 | ||
| JPH04272809A (ja) * | 1991-02-28 | 1992-09-29 | Kinugawa Rubber Ind Co Ltd | 高周波成形用成形型 |
| JP2022171619A (ja) * | 2021-04-28 | 2022-11-11 | アディダス アーゲー | 粒子フォーム部品を製作するための、特に靴底または靴底の一部を製作するための装置、方法、およびコンデンサ極板セット |
| US12515383B2 (en) | 2021-04-28 | 2026-01-06 | Adidas Ag | Apparatus, method and capacitor plate for producing a particle foam part |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0159368A1 (en) | 1985-10-30 |
| JPH0239972B2 (ja) | 1990-09-07 |
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