JPS6021856A - 低温焼結磁器の製造方法 - Google Patents
低温焼結磁器の製造方法Info
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- JPS6021856A JPS6021856A JP12643283A JP12643283A JPS6021856A JP S6021856 A JPS6021856 A JP S6021856A JP 12643283 A JP12643283 A JP 12643283A JP 12643283 A JP12643283 A JP 12643283A JP S6021856 A JPS6021856 A JP S6021856A
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- low temperature
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- temperature sintering
- sintering ceramic
- alumina
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title description 4
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 title description 2
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052882 wollastonite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010456 wollastonite Substances 0.000 claims description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCEXQRKSUSSDFT-UHFFFAOYSA-N [Mn].[Mo] Chemical compound [Mn].[Mo] PCEXQRKSUSSDFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
- H05K3/4673—Application methods or materials of intermediate insulating layers not specially adapted to any one of the previous methods of adding a circuit layer
- H05K3/4676—Single layer compositions
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はワラストナイトを主成分とした低温焼結が可
能な磁器組成、ｆｋＪＩ／ｃ関するものである。
能な磁器組成、ｆｋＪＩ／ｃ関するものである。
たとえばＸＣ基板にはセラミクスが用いられＣきたが、
小型化に伴って多層基板による高密度化や低廉化が要求
され°〔いる。
小型化に伴って多層基板による高密度化や低廉化が要求
され°〔いる。
従来、ＩＣ多層基板用のセラミクスとしＣはアルミナ、
結晶化プラス−無機物系などが用いられ′〔いた。この
うちアルミナ多層基板は次のようＫし′〔製造され′Ｃ
いた。つまり、アルミナ９２〜９７Ｍ量チ、Ｃａｏ−Ｍ
ｇＯ−８ｉｎ、系などｃＤ カラス残部からなる混合粉
末に有機バインダ、溶剤などを加え′〔泥漿とし、ドク
ターブレード法などにょっ゛Ｃセラミックグリーンシー
トに成形し、このシート上にタングステン、モリプデ／
、あるいはモリブデン−マンガンなどのペーストで所望
の回路導体パターンを形成し、次いでシートを積み重ね
て熱圧着し、これを加湿水素−窒素混合ガス、あるいは
アンモニア分解ガスの雰囲気中において１６００〜１７
００υで焼成し′Ｃいた。
結晶化プラス−無機物系などが用いられ′〔いた。この
うちアルミナ多層基板は次のようＫし′〔製造され′Ｃ
いた。つまり、アルミナ９２〜９７Ｍ量チ、Ｃａｏ−Ｍ
ｇＯ−８ｉｎ、系などｃＤ カラス残部からなる混合粉
末に有機バインダ、溶剤などを加え′〔泥漿とし、ドク
ターブレード法などにょっ゛Ｃセラミックグリーンシー
トに成形し、このシート上にタングステン、モリプデ／
、あるいはモリブデン−マンガンなどのペーストで所望
の回路導体パターンを形成し、次いでシートを積み重ね
て熱圧着し、これを加湿水素−窒素混合ガス、あるいは
アンモニア分解ガスの雰囲気中において１６００〜１７
００υで焼成し′Ｃいた。
このようにアルミナ多層基板はアルミナを主成分とする
ため高温焼成が必要であシ、また内部の回路導体パター
ンの材料とし′〔、融点の高いタングステン、モリブデ
ンなどを用い°〔いる。このため、焼成コストが高くな
ること、アルミナの誘電率が１０程度あるため信号伝播
遅延や雑音が発生すること、タングステン、モリブデン
などは導体抵抗が高く、抵抗を下げるには導体幅を広く
しなければならないが、これは高密度化と逆行し高速度
化を制限すること、などの問題を有し−Ｃいる。
ため高温焼成が必要であシ、また内部の回路導体パター
ンの材料とし′〔、融点の高いタングステン、モリブデ
ンなどを用い°〔いる。このため、焼成コストが高くな
ること、アルミナの誘電率が１０程度あるため信号伝播
遅延や雑音が発生すること、タングステン、モリブデン
などは導体抵抗が高く、抵抗を下げるには導体幅を広く
しなければならないが、これは高密度化と逆行し高速度
化を制限すること、などの問題を有し−Ｃいる。
また、結晶化ガラス−無機物系の多層基板は、結晶化ガ
ラスとしＣはたとえばホウケイ酸鉛系が用いられ、無機
物系とし”Ｃはアルミナが用いられ、これら各原料をぎ
むセラミックグリーンシート上にＡｕ、 Ａ９． Ａ９
−Ｐ（１，Ｐｔなどのペーストで所望の回路導体パター
ンを形成し、これを積み重ね′Ｃ熱圧着し、これを大気
中８００〜９００でで焼成し”Ｃいた。
ラスとしＣはたとえばホウケイ酸鉛系が用いられ、無機
物系とし”Ｃはアルミナが用いられ、これら各原料をぎ
むセラミックグリーンシート上にＡｕ、 Ａ９． Ａ９
−Ｐ（１，Ｐｔなどのペーストで所望の回路導体パター
ンを形成し、これを積み重ね′Ｃ熱圧着し、これを大気
中８００〜９００でで焼成し”Ｃいた。
この種の多層基板は大気中８００〜９００ｔ’で焼成で
きるため、焼成コストを押えることができるが、素原料
の結晶化ガラスが全体の約５０重所チを占め、しかも材
料そのもののコストが高いため高価なものとなシ、誘電
損失が０．５チと大きい値を示すという問題を有しＣい
る。
きるため、焼成コストを押えることができるが、素原料
の結晶化ガラスが全体の約５０重所チを占め、しかも材
料そのもののコストが高いため高価なものとなシ、誘電
損失が０．５チと大きい値を示すという問題を有しＣい
る。
したかつ”〔、この発明は低温焼結が可能で、多層化、
低廉化が実現できる磁器組成物を提供することを目的と
する。
低廉化が実現できる磁器組成物を提供することを目的と
する。
すなわち、この発明の要旨とするところは、ワラストナ
イト（Ｃａｂ−８ｉｎ、）を主成分とし、これに酸化ホ
ウ素が０．５〜２．５重量％添加含有され”〔なる低温
焼結磁器組成物である。
イト（Ｃａｂ−８ｉｎ、）を主成分とし、これに酸化ホ
ウ素が０．５〜２．５重量％添加含有され”〔なる低温
焼結磁器組成物である。
この発明にかかる磁器組成物によれば１２００を以下で
の焼結が可能となり、内部の回路導体パターンの材料と
し′ＣたとえばＡ９−ｐＨが使用でき、材料コスト、製
造コストの低廉化実現が可能になるとともに、もちろん
多層化が行えることになる０この発明においＣ１ワラス
トナイト（Ｃａ Ｏ−８１０２）に酸化ホウ素を２．０
〜６．０重ｔチ添加含有させＣいるが、酸化ホウ素の添
加範囲を限定したのは次のような理由による。′）ｔシ
、２．０重量ヂ未満では、１２００℃以下の温度で焼結
が不可能である。
の焼結が可能となり、内部の回路導体パターンの材料と
し′ＣたとえばＡ９−ｐＨが使用でき、材料コスト、製
造コストの低廉化実現が可能になるとともに、もちろん
多層化が行えることになる０この発明においＣ１ワラス
トナイト（Ｃａ Ｏ−８１０２）に酸化ホウ素を２．０
〜６．０重ｔチ添加含有させＣいるが、酸化ホウ素の添
加範囲を限定したのは次のような理由による。′）ｔシ
、２．０重量ヂ未満では、１２００℃以下の温度で焼結
が不可能である。
また６、０重歳係を越えると、焼成温度は低くなるが、
焼成可能な温度１陥が狭くなり工業的生産に不適当であ
る。
焼成可能な温度１陥が狭くなり工業的生産に不適当であ
る。
以下、この発明を実施例にもとづい・〔詳細に説明する
。
。
素原料としＵ％ Ｃａｂ−８ｉｎ、、Ｂ、Ｃを準備し、
これを第１表に示す組成比率の磁器が得られるように調
合し、ポットミルで２４時時間式混合した。
これを第１表に示す組成比率の磁器が得られるように調
合し、ポットミルで２４時時間式混合した。
脱水乾燥後、８００で、９５０υの各温度でそれぞれ２
時間仮焼したものを作成した。次いで仮焼物を粉砕し、
酢酸ビニルエマルジョンを約５重量％加え”Ｃボットミ
ルで２４時間混合した。混合したのち造粒し、約１００
０１１ｆ／ｄの圧力で加圧成形し異なる仮焼温度で処理
された成形物を第１表（Ｃ示す焼成温度で２時間焼結し
た。
時間仮焼したものを作成した。次いで仮焼物を粉砕し、
酢酸ビニルエマルジョンを約５重量％加え”Ｃボットミ
ルで２４時間混合した。混合したのち造粒し、約１００
０１１ｆ／ｄの圧力で加圧成形し異なる仮焼温度で処理
された成形物を第１表（Ｃ示す焼成温度で２時間焼結し
た。
帰られた暁結体は直径１４１ψ、１ｒ！、み１ ｙｓで
あり、両面に電極を形成し°にれを試料とした。そし゛
Ｃ各試料につき、誘電率（ε）、誘電損失（ｔａｎδ）
および比抵抗ｔＰ）を測定し、その拮果を第１表に合わ
ｔ′〔示した。ε、 ｔａｎδはｌ ＭＨ！、で測定し
た。
あり、両面に電極を形成し°にれを試料とした。そし゛
Ｃ各試料につき、誘電率（ε）、誘電損失（ｔａｎδ）
および比抵抗ｔＰ）を測定し、その拮果を第１表に合わ
ｔ′〔示した。ε、 ｔａｎδはｌ ＭＨ！、で測定し
た。
なお、氏中奈印はこの発明［ＩＪｆｉ／Ｌであり、それ
以外は発明範囲内である０ 第１表から明らかなように、この発明にかかるものは１
１５０を以下の低温焼結が可能であシ、εはアルミナ系
のものよシ小さく、ｔａｎδは０．１０％以下、ρも〉
１０ のものが得られ′Ｃいる。しだ力１つ°〔、回路
導体パターンの材料とし’［Ａ９−Ｐｄ系が使用でき、
上記した実施例から多層基板の製造が可能であることが
明らかである。
以外は発明範囲内である０ 第１表から明らかなように、この発明にかかるものは１
１５０を以下の低温焼結が可能であシ、εはアルミナ系
のものよシ小さく、ｔａｎδは０．１０％以下、ρも〉
１０ のものが得られ′Ｃいる。しだ力１つ°〔、回路
導体パターンの材料とし’［Ａ９−Ｐｄ系が使用でき、
上記した実施例から多層基板の製造が可能であることが
明らかである。
また上記した実施例におい゛Ｃ１添加物とし゛（Ｂ４Ｃ
を使用したがこれは次のような理由による。
を使用したがこれは次のような理由による。
と湿式混合し′〔も添加物量のバラツキが発生せず、調
合どうりの磁器が得られるからである。このＢ４Ｃは仮
焼段階の６００ ｔ：付近でＢ、０．に変化し、最終生
成物中にはＢ、 Ｏ，とし°Ｃ存在することになるっま
たＢＮも添加物とし”Ｃ使用できる。なお、添加物の原
料としＣＢ＊Ｏｓを用いたとき、Ｂ２０．がもともと水
溶性であるため、水を使わない処理工程を設定させなけ
ればならず、たとえば湿式混合したのち蒸発乾燥するな
ど特別な処理が必要となることを付記し゛〔おく。
合どうりの磁器が得られるからである。このＢ４Ｃは仮
焼段階の６００ ｔ：付近でＢ、０．に変化し、最終生
成物中にはＢ、 Ｏ，とし°Ｃ存在することになるっま
たＢＮも添加物とし”Ｃ使用できる。なお、添加物の原
料としＣＢ＊Ｏｓを用いたとき、Ｂ２０．がもともと水
溶性であるため、水を使わない処理工程を設定させなけ
ればならず、たとえば湿式混合したのち蒸発乾燥するな
ど特別な処理が必要となることを付記し゛〔おく。
特許出願人
株式会社村田製作所
−３１：
Claims (1)
- ワラストナイト（ＣａＯ・Ｓｉｎ、）を主成分とし、こ
れに酸化ホウ素が２．０−６．０重１％添加含有されＣ
なる低温焼結磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12643283A JPS6021856A (ja) | 1983-07-11 | 1983-07-11 | 低温焼結磁器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12643283A JPS6021856A (ja) | 1983-07-11 | 1983-07-11 | 低温焼結磁器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6021856A true JPS6021856A (ja) | 1985-02-04 |
| JPH0372594B2 JPH0372594B2 (ja) | 1991-11-19 |
Family
ID=14935044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12643283A Granted JPS6021856A (ja) | 1983-07-11 | 1983-07-11 | 低温焼結磁器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6021856A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016044084A (ja) * | 2014-08-21 | 2016-04-04 | 地方独立行政法人山口県産業技術センター | ウォラストナイト多孔体及びその製造方法並びに同多孔体の細孔径の制御方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57160953A (en) * | 1981-03-25 | 1982-10-04 | Nippon Electric Co | High dielectric constant ceramic composition |
| JPS5860666A (ja) * | 1981-10-06 | 1983-04-11 | 旭硝子株式会社 | 緻密質の溶融石英ガラス焼結体の製造方法 |
-
1983
- 1983-07-11 JP JP12643283A patent/JPS6021856A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57160953A (en) * | 1981-03-25 | 1982-10-04 | Nippon Electric Co | High dielectric constant ceramic composition |
| JPS5860666A (ja) * | 1981-10-06 | 1983-04-11 | 旭硝子株式会社 | 緻密質の溶融石英ガラス焼結体の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016044084A (ja) * | 2014-08-21 | 2016-04-04 | 地方独立行政法人山口県産業技術センター | ウォラストナイト多孔体及びその製造方法並びに同多孔体の細孔径の制御方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0372594B2 (ja) | 1991-11-19 |
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