JPS6021855A - 低温焼結磁器の製造方法 - Google Patents
低温焼結磁器の製造方法Info
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- JPS6021855A JPS6021855A JP12643183A JP12643183A JPS6021855A JP S6021855 A JPS6021855 A JP S6021855A JP 12643183 A JP12643183 A JP 12643183A JP 12643183 A JP12643183 A JP 12643183A JP S6021855 A JPS6021855 A JP S6021855A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
- H05K3/4673—Application methods or materials of intermediate insulating layers not specially adapted to any one of the previous methods of adding a circuit layer
- H05K3/4676—Single layer compositions
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明はフォルステライトを主成分とした低温焼結が
可能な磁器組成物に関するものである。
可能な磁器組成物に関するものである。
たとえばＩＣ基板にはセラミクスが用いられ・Ｃきたが
、小型化に伴つ゛〔多層基板による高密度化や低廉化が
要求され′Ｃいる。
、小型化に伴つ゛〔多層基板による高密度化や低廉化が
要求され′Ｃいる。
従来、工Ｃ多層基板用のセラミクスとし°Ｃはアルミナ
、結晶化ガラス−無機物系などが用いられ“〔いた。こ
のうちアルミナ多層基板は次のようにし′Ｃ製造され゛
〔いた。つまシ、アルミノ−９２〜９７重ｉｓ、Ｃｉｏ
−ＭｇＯ−８１０，系などのガラス残部からなる混合粉
末に有機バインダ、溶剤などを加え°〔泥漿とし、ドク
ターブレード法などによってセラミックグリーンシート
に成形し、このシート上にタングステン、モリプデＸあ
るいはモリブデン−マンガンなどのペーストで所望の回
路導体）（ター／を形成し、次いでシートを積み重ねて
熱圧着し、これを加湿水素−窒素混合ガス、あるいはア
ンモニア分解ガスの雰囲気中におい°（１６００〜１７
００℃で焼成し°Ｃいた。
、結晶化ガラス−無機物系などが用いられ“〔いた。こ
のうちアルミナ多層基板は次のようにし′Ｃ製造され゛
〔いた。つまシ、アルミノ−９２〜９７重ｉｓ、Ｃｉｏ
−ＭｇＯ−８１０，系などのガラス残部からなる混合粉
末に有機バインダ、溶剤などを加え°〔泥漿とし、ドク
ターブレード法などによってセラミックグリーンシート
に成形し、このシート上にタングステン、モリプデＸあ
るいはモリブデン−マンガンなどのペーストで所望の回
路導体）（ター／を形成し、次いでシートを積み重ねて
熱圧着し、これを加湿水素−窒素混合ガス、あるいはア
ンモニア分解ガスの雰囲気中におい°（１６００〜１７
００℃で焼成し°Ｃいた。
このようにアルミナ多層基板はアルミナを主成分とする
ため高温焼成が必要であり、また内部の回路導体パター
ンの材料とし′Ｃ１融点の高いタングステン、モリブデ
ンなどを用いＣいる。このため、焼成コストが高くなる
こと、アルミナの誘電率が１０程度あるだめ信号伝播遅
延や雑音が発生すること、タングステン、モリブデンな
どは導体抵抗が高く、抵抗を下げるには導体幅を広くし
なければならないが、これは高密度化と逆行し高速度化
を制限すること、などの問題を有しＣいる。
ため高温焼成が必要であり、また内部の回路導体パター
ンの材料とし′Ｃ１融点の高いタングステン、モリブデ
ンなどを用いＣいる。このため、焼成コストが高くなる
こと、アルミナの誘電率が１０程度あるだめ信号伝播遅
延や雑音が発生すること、タングステン、モリブデンな
どは導体抵抗が高く、抵抗を下げるには導体幅を広くし
なければならないが、これは高密度化と逆行し高速度化
を制限すること、などの問題を有しＣいる。
また、結晶化ガラス−無機物系の多層基板は、結晶化ガ
ラスとし′Ｃはたとえばホウケイ酸鉛系が用いられ、無
機物系とし・〔はアルミナが用いられ、これら各原料を
含むセラミックグリーンシート上にＡｕ、 ＡＱ、 Ａ
ｇ−Ｐ（１，Ｐｔなどノペーストテ所ｆｉ１７）回路導
体パターンを形成し、これを積み重ね゛Ｃ熱圧着し、こ
れを大気中８００〜９００Ｃで焼成しＣいた。
ラスとし′Ｃはたとえばホウケイ酸鉛系が用いられ、無
機物系とし・〔はアルミナが用いられ、これら各原料を
含むセラミックグリーンシート上にＡｕ、 ＡＱ、 Ａ
ｇ−Ｐ（１，Ｐｔなどノペーストテ所ｆｉ１７）回路導
体パターンを形成し、これを積み重ね゛Ｃ熱圧着し、こ
れを大気中８００〜９００Ｃで焼成しＣいた。
仁の種の多層基板は大気中８００〜９００ｔで焼成でき
るため、焼成コストを押えることができるが、素原料の
結晶化ガラスが全体の約５０重ｔ％を占め、しかも材料
そのもののコストが高いため高価なものとな、す、誘電
損失が０．５チと大きい値を示すという間頌を有しＣい
るっ したがつ“Ｃ１この発明は低温焼結が可能で、多層化、
低廉化が実現できる磁器組成物を提供することを目的と
するう すなわち、この発明の要旨とするところは、７オルステ
ライ） （２Ｍ９０・ｓｉｏ、）を主成分とし、これに
酸化ホウ素が１１．５〜７．０重醍チ添加含有され゛〔
なる低温焼結磁器組成物である。
るため、焼成コストを押えることができるが、素原料の
結晶化ガラスが全体の約５０重ｔ％を占め、しかも材料
そのもののコストが高いため高価なものとな、す、誘電
損失が０．５チと大きい値を示すという間頌を有しＣい
るっ したがつ“Ｃ１この発明は低温焼結が可能で、多層化、
低廉化が実現できる磁器組成物を提供することを目的と
するう すなわち、この発明の要旨とするところは、７オルステ
ライ） （２Ｍ９０・ｓｉｏ、）を主成分とし、これに
酸化ホウ素が１１．５〜７．０重醍チ添加含有され゛〔
なる低温焼結磁器組成物である。
この発明にかかる磁器組成物によれば１２００ｔ’以下
での焼結が可能となり、内部の回路導体パターンの材料
とし°〔たとえばＡｑ−Ｐｄが使用でき、材料コスト、
製造コストの低廉化実現が可能になるとともに、もちろ
ん多層化が行えることになる。
での焼結が可能となり、内部の回路導体パターンの材料
とし°〔たとえばＡｑ−Ｐｄが使用でき、材料コスト、
製造コストの低廉化実現が可能になるとともに、もちろ
ん多層化が行えることになる。
この発明におＬ＊’Ｃ、フォルスプライト（２ｉＡ９０
・Ｓｉｎ、）に酸化ホウ素を１．５〜１０重歇チ添加含
有させ゛〔いるが、１化ホウ素の添加範囲を限定したの
は次のような理由による。つまり、１．５重量係未満で
ヅよフォルステライトの焼結温度である１＋００ｔを′
こなシ、回路導体パターンにＡ（１−Ｐａなどの低融点
のものが使えなくなる。またＺＯ重シチを越えると、低
温焼結はｄＴ能であるが、誘電損失が０．１０％以上と
悪くなる。
・Ｓｉｎ、）に酸化ホウ素を１．５〜１０重歇チ添加含
有させ゛〔いるが、１化ホウ素の添加範囲を限定したの
は次のような理由による。つまり、１．５重量係未満で
ヅよフォルステライトの焼結温度である１＋００ｔを′
こなシ、回路導体パターンにＡ（１−Ｐａなどの低融点
のものが使えなくなる。またＺＯ重シチを越えると、低
温焼結はｄＴ能であるが、誘電損失が０．１０％以上と
悪くなる。
以下、この発明を実施例にもとづい”Ｃ詳、刑に説明す
る。
る。
素原料とし′乙 ２Ｍｇ０．ｆ９ｉ０．、Ｂ、Ｃを準１
稍し、これを第１表に示す組成比率の磁器が得られるよ
うに調合し、ボットミルで２４時時間式混合した脱水乾
燥硯、８００ｔ４．９５０Ｃ７）各温度で２時間仮焼し
た。仮焼物を粉砕し、酢酸ビニルエマルジョンを約５１
敬チ加え゛Ｃボットミルで２４時間混合した。混合した
のち造粒し、約１０００ｊＬｙ／ｄの圧力で加圧成形し
、異なる仮焼温度で処理された成形物を第１表に示す焼
成温度で２時間焼結した。
稍し、これを第１表に示す組成比率の磁器が得られるよ
うに調合し、ボットミルで２４時時間式混合した脱水乾
燥硯、８００ｔ４．９５０Ｃ７）各温度で２時間仮焼し
た。仮焼物を粉砕し、酢酸ビニルエマルジョンを約５１
敬チ加え゛Ｃボットミルで２４時間混合した。混合した
のち造粒し、約１０００ｊＬｙ／ｄの圧力で加圧成形し
、異なる仮焼温度で処理された成形物を第１表に示す焼
成温度で２時間焼結した。
得られた焼結体は直径１４１ψ、厚不１明であシ、両面
に１極を形成し′にれを試料とした。そし′Ｃ各試料に
つき、誘電率（ε）、誘電損失（ｔａｎδ）および比抵
抗ψ）を測定し、その結果を第１表に合りセ°Ｃ示ＬＩ
ｃ、 ε、 ｔａｎδは１ＭＨｚで、ｌｉ定した。
に１極を形成し′にれを試料とした。そし′Ｃ各試料に
つき、誘電率（ε）、誘電損失（ｔａｎδ）および比抵
抗ψ）を測定し、その結果を第１表に合りセ°Ｃ示ＬＩ
ｃ、 ε、 ｔａｎδは１ＭＨｚで、ｌｉ定した。
なお、表中金印は仁の発明範囲外であり、それ以外は発
明範囲内である。
明範囲内である。
第１表から明らかなように、この発明にかかるものは１
２００１：以丁の低温焼帖が可能であり、εはアルミナ
系のものより小さく、ｔａｎδは０．０９％以下、ρも
〉１０のものが得られ“〔いる。したがつ゛Ｃ１回路導
体パターンの材料としＣ１ｇ−ｐａ系が使用でき、上記
した実施例から多層基板の製造が可能であることが明ら
かである。
２００１：以丁の低温焼帖が可能であり、εはアルミナ
系のものより小さく、ｔａｎδは０．０９％以下、ρも
〉１０のものが得られ“〔いる。したがつ゛Ｃ１回路導
体パターンの材料としＣ１ｇ−ｐａ系が使用でき、上記
した実施例から多層基板の製造が可能であることが明ら
かである。
また上記した実施例において、添加物とし“ＣＢａＣを
使用したがこれは次のような理由による。
使用したがこれは次のような理由による。
つまシ、Ｂ４Ｃそのものは水分を吸収せず、水に対し゛
Ｃ安定であるため、主成分のフォルステライトと湿式混
合し゛〔も添加物量のバラツキが発生せ尤調合どうりの
磁器が得られるからである。この６４ｃは仮焼段階の６
００１：付近でＢ！Ｏ−に変化し、最終生成物中にはＢ
、Ｏｓとし゛〔存在することになる。またＢＮも添加物
とし”Ｃ使用できる。
Ｃ安定であるため、主成分のフォルステライトと湿式混
合し゛〔も添加物量のバラツキが発生せ尤調合どうりの
磁器が得られるからである。この６４ｃは仮焼段階の６
００１：付近でＢ！Ｏ−に変化し、最終生成物中にはＢ
、Ｏｓとし゛〔存在することになる。またＢＮも添加物
とし”Ｃ使用できる。
なお、添加物の原料とし゛ＣＢ雪Ｏｓを用いたとき、Ｂ
、 Ｏｓがもともと水溶性であるため、水を使わない処
理工程を設定させなければならず、たとえば湿式混合し
たのち蒸発乾燥するなど特別な処理が必要となることを
付記しＣおく。
、 Ｏｓがもともと水溶性であるため、水を使わない処
理工程を設定させなければならず、たとえば湿式混合し
たのち蒸発乾燥するなど特別な処理が必要となることを
付記しＣおく。
特許出願人
株式会社 村田製作所
Claims (1)
- ７オルステライ） （２ＭｆＯ・ＳｉＯ，）を主成分と
し、これに酸化ホウ素が１．５〜７．０Ｊｔｔ％添加含
有されＣなる低温焼結磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12643183A JPS6021855A (ja) | 1983-07-11 | 1983-07-11 | 低温焼結磁器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12643183A JPS6021855A (ja) | 1983-07-11 | 1983-07-11 | 低温焼結磁器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6021855A true JPS6021855A (ja) | 1985-02-04 |
| JPH0372593B2 JPH0372593B2 (ja) | 1991-11-19 |
Family
ID=14935019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12643183A Granted JPS6021855A (ja) | 1983-07-11 | 1983-07-11 | 低温焼結磁器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6021855A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61242950A (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-29 | 旭硝子株式会社 | セラミツク基板用組成物 |
| CN114685152A (zh) * | 2020-12-28 | 2022-07-01 | 山东国瓷功能材料股份有限公司 | 一种毫米波天线模组用低温共烧陶瓷材料及其制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57160953A (en) * | 1981-03-25 | 1982-10-04 | Nippon Electric Co | High dielectric constant ceramic composition |
| JPS5860666A (ja) * | 1981-10-06 | 1983-04-11 | 旭硝子株式会社 | 緻密質の溶融石英ガラス焼結体の製造方法 |
-
1983
- 1983-07-11 JP JP12643183A patent/JPS6021855A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57160953A (en) * | 1981-03-25 | 1982-10-04 | Nippon Electric Co | High dielectric constant ceramic composition |
| JPS5860666A (ja) * | 1981-10-06 | 1983-04-11 | 旭硝子株式会社 | 緻密質の溶融石英ガラス焼結体の製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61242950A (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-29 | 旭硝子株式会社 | セラミツク基板用組成物 |
| CN114685152A (zh) * | 2020-12-28 | 2022-07-01 | 山东国瓷功能材料股份有限公司 | 一种毫米波天线模组用低温共烧陶瓷材料及其制备方法 |
| CN114685152B (zh) * | 2020-12-28 | 2022-11-04 | 山东国瓷功能材料股份有限公司 | 一种毫米波天线模组用低温共烧陶瓷材料及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0372593B2 (ja) | 1991-11-19 |
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