JPS60218882A - 光発電素子 - Google Patents
光発電素子Info
- Publication number
- JPS60218882A JPS60218882A JP59075331A JP7533184A JPS60218882A JP S60218882 A JPS60218882 A JP S60218882A JP 59075331 A JP59075331 A JP 59075331A JP 7533184 A JP7533184 A JP 7533184A JP S60218882 A JPS60218882 A JP S60218882A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amorphous silicon
- protection diode
- solar cell
- lower electrode
- electrode
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/50—Integrated devices comprising at least one photovoltaic cell and other types of semiconductor or solid-state components
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、光発電素子に関し、特に電力用アモルファ
スシリコン太陽電池の実用化に関するものである。
スシリコン太陽電池の実用化に関するものである。
一般に一アモルファスシリコン太陽電池番よ逆方向の耐
圧が小さいためミ何枚かの素子を１つのモジュールに組
み込んだ場合、一部分が影になると、この影になった素
子に対して他の素子の起電力が逆方向にかかってしまい
、影になった素子が破壊されてしまう、そのために保護
ダイオードが必要であるが、従来は、この保護ダイオー
ドを基板の外部に取り付けていた。
圧が小さいためミ何枚かの素子を１つのモジュールに組
み込んだ場合、一部分が影になると、この影になった素
子に対して他の素子の起電力が逆方向にかかってしまい
、影になった素子が破壊されてしまう、そのために保護
ダイオードが必要であるが、従来は、この保護ダイオー
ドを基板の外部に取り付けていた。
従来のこの種の装置を第１図に示す。この第１図に示し
たモジュール１０では、１枚の素子（アモルファスシリ
コン太陽電池）２０に対して１個の保護ダイオード３０
が、その極性を逆にして素子２０からリード線によりモ
ジュール１０の裏側に取り付けられており、これにより
第２図に示すようなＩ−Ｖ特性が得られる。従って素子
２０に逆方向に電圧がかかった場合でも、保護ダイオー
ド３０を通して電流が流れ、これにより逆方向耐圧の問
題−は解決されていた。なお、第２図中、Ｄは保護ダイ
オードの順方向特性、Ｓは太陽電池の暗時性を示してい
る。
たモジュール１０では、１枚の素子（アモルファスシリ
コン太陽電池）２０に対して１個の保護ダイオード３０
が、その極性を逆にして素子２０からリード線によりモ
ジュール１０の裏側に取り付けられており、これにより
第２図に示すようなＩ−Ｖ特性が得られる。従って素子
２０に逆方向に電圧がかかった場合でも、保護ダイオー
ド３０を通して電流が流れ、これにより逆方向耐圧の問
題−は解決されていた。なお、第２図中、Ｄは保護ダイ
オードの順方向特性、Ｓは太陽電池の暗時性を示してい
る。
しかしながら、この従来装置のように、素子からリード
線を伸ばし、モジュールの裏側に保護ダイオードを取り
付番シるのには非常に手間がかかり、このためモジュー
ルを組み立てる際にその作業性が悪いという欠点があっ
た。
線を伸ばし、モジュールの裏側に保護ダイオードを取り
付番シるのには非常に手間がかかり、このためモジュー
ルを組み立てる際にその作業性が悪いという欠点があっ
た。
この発明は、上記のような従来のものの欠点を除去する
ためになされたもので、素子と同一基板上にアモルファ
スシリコンを用いて保護ダイオードを形成することによ
り、モジュールの組み立てを容易にすることができる光
発電素子を提供することを目的としている。。
ためになされたもので、素子と同一基板上にアモルファ
スシリコンを用いて保護ダイオードを形成することによ
り、モジュールの組み立てを容易にすることができる光
発電素子を提供することを目的としている。。
以下、本発明の実施例を図について説明する。
本発明は従来の外付は保護ダイオードのかわりに、素子
（アモルファスシリコン太陽電池）と同一基板上にアモ
ルファスシリコンにより保護ダイオードを形成するもの
であり、第３図（ａ）はその第１の実施例を示したもの
である。この第３図（ａｌは基板が絶縁体の場合を示し
ており、以下製造工程に従ってその構成を説明する。
（アモルファスシリコン太陽電池）と同一基板上にアモ
ルファスシリコンにより保護ダイオードを形成するもの
であり、第３図（ａ）はその第１の実施例を示したもの
である。この第３図（ａｌは基板が絶縁体の場合を示し
ており、以下製造工程に従ってその構成を説明する。
まず、素子用の下部電極１と保護ダイオード用の下部電
極２とを絶縁基板６上に分離しで形成する。次に素子用
、保護ダイオード用の、光入射面にＰ形ドーピング層を
配したアモルファスシリコンルミｎ素子、又はその逆に
構成されたｎｉｐ素子３を形成する。そして素子用のｐ
ｉｎ素子３ａの上に反射防止膜７を形成した後、素子用
の上部電極４を、その一部が保護ダイオード用の下部電
極２に接続されるよう形成し、また保護ダイオード用の
上部電極５を、その一部が素子用の下部電極１に接続さ
れるよう形成すれば、保護ダイオード付のアモルファス
シリコン太陽電池が形成される。
極２とを絶縁基板６上に分離しで形成する。次に素子用
、保護ダイオード用の、光入射面にＰ形ドーピング層を
配したアモルファスシリコンルミｎ素子、又はその逆に
構成されたｎｉｐ素子３を形成する。そして素子用のｐ
ｉｎ素子３ａの上に反射防止膜７を形成した後、素子用
の上部電極４を、その一部が保護ダイオード用の下部電
極２に接続されるよう形成し、また保護ダイオード用の
上部電極５を、その一部が素子用の下部電極１に接続さ
れるよう形成すれば、保護ダイオード付のアモルファス
シリコン太陽電池が形成される。
第３図中）は本発明の第２の実施例を示し、これは基板
が導体の場合で、この場合は、まず基板６゛の一部領域
に絶縁膜２゛を形成し、次いでこの絶縁膜２゛上の一部
領域に保護ダイオード用の下部電極４を形成する。この
ようにして保護ダイオード用の下部電極２と素子用の下
部電極となる基板軒とを絶縁する。次に素子用及び保護
ダイオー−ド用のアモルファ□スシリコンｐｉｎ素子、
又はｎｉｐ素子゛３を上記素子及び保護ダイオード用の
雨下部電極６゛、２にわたって形成する。そしてさ′
らに、素子用の上部電極４と保護ダイオード用の上部電
極５とを、第３図（ａ）の実施例と同様にそれぞれの一
部が保護ダイオード用の下部電極２．素子用の下部電極
（基板６゛）に接続されるよう形成すれば、保護ダイオ
ード付のアモルファスシリコン太陽電池が形成される。
が導体の場合で、この場合は、まず基板６゛の一部領域
に絶縁膜２゛を形成し、次いでこの絶縁膜２゛上の一部
領域に保護ダイオード用の下部電極４を形成する。この
ようにして保護ダイオード用の下部電極２と素子用の下
部電極となる基板軒とを絶縁する。次に素子用及び保護
ダイオー−ド用のアモルファ□スシリコンｐｉｎ素子、
又はｎｉｐ素子゛３を上記素子及び保護ダイオード用の
雨下部電極６゛、２にわたって形成する。そしてさ′
らに、素子用の上部電極４と保護ダイオード用の上部電
極５とを、第３図（ａ）の実施例と同様にそれぞれの一
部が保護ダイオード用の下部電極２．素子用の下部電極
（基板６゛）に接続されるよう形成すれば、保護ダイオ
ード付のアモルファスシリコン太陽電池が形成される。
なお、第３図（０）は同図（ａ） （ｂ）の等価回路図
である。
である。
このような第３図（ａｌ （ｂ）に示した実施例では、
アモルファスシリコン太陽電池（素子）に逆電圧が加わ
りた場合にも、これと極性を逆にして接続された保護ダ
イオードを通して電流が流れるので、アモルファスシリ
コン太陽電池が破壊されることはない。この場合のＩ−
Ｖ特性としては、従来の外付ダイオードの場合と同様に
第２図で示したようになる。 ゛ また、アモルファスシリコン太陽電池と保護ダイオード
とは、ともにｐｉｎ素子又はｎｉｐ素子を有するので、
同一基板上に同一製造工程で作成でき、その製造工程が
増加することはない。このように、従来の保護ダイオー
ドを外付けする場合に比べて、その組立作業は大幅に簡
略化され、かつ低コスト化が図れる。
アモルファスシリコン太陽電池（素子）に逆電圧が加わ
りた場合にも、これと極性を逆にして接続された保護ダ
イオードを通して電流が流れるので、アモルファスシリ
コン太陽電池が破壊されることはない。この場合のＩ−
Ｖ特性としては、従来の外付ダイオードの場合と同様に
第２図で示したようになる。 ゛ また、アモルファスシリコン太陽電池と保護ダイオード
とは、ともにｐｉｎ素子又はｎｉｐ素子を有するので、
同一基板上に同一製造工程で作成でき、その製造工程が
増加することはない。このように、従来の保護ダイオー
ドを外付けする場合に比べて、その組立作業は大幅に簡
略化され、かつ低コスト化が図れる。
第４図は本発明の第３の実施例を示したもので、これは
、下部電極を素子と保護ダイオードとで分離しない場合
の実施例である。この場合は、素子と保護ダイオードと
を別々に形成し、そのとき保護ダイオードが素子の極性
と逆になるよう形成すればよい。
、下部電極を素子と保護ダイオードとで分離しない場合
の実施例である。この場合は、素子と保護ダイオードと
を別々に形成し、そのとき保護ダイオードが素子の極性
と逆になるよう形成すればよい。
即ち、まず素子と保護ダイオードの共通の下部電極とし
て導電性の基板６゛を用い、この基板６”上に太陽電池
としてｎｉｐ素子３ａ’及び反射防止膜４を形成し、ま
た上記太陽電池の形成領域とは別領域に保護ダイオード
としてｐｉｎ素子３ｂ’を形成し、その後共通の上部電
極８を形成すれば良い、なお、太陽電池としてｐｉｎ素
子を用いる場合は保護ダイオードには逆にｎｉｐ素子を
用いる。
て導電性の基板６゛を用い、この基板６”上に太陽電池
としてｎｉｐ素子３ａ’及び反射防止膜４を形成し、ま
た上記太陽電池の形成領域とは別領域に保護ダイオード
としてｐｉｎ素子３ｂ’を形成し、その後共通の上部電
極８を形成すれば良い、なお、太陽電池としてｐｉｎ素
子を用いる場合は保護ダイオードには逆にｎｉｐ素子を
用いる。
このような実施例では、アモルファスシリコン太陽電池
と保護ダイオードの製造工程は異なるプロセスとなるが
、従来のように保護ダイオードを外付けする必要はなく
なるので、やはり上記実施例と同様に組立て作業を大幅
に簡略化でき、低コスト化も図れる。
と保護ダイオードの製造工程は異なるプロセスとなるが
、従来のように保護ダイオードを外付けする必要はなく
なるので、やはり上記実施例と同様に組立て作業を大幅
に簡略化でき、低コスト化も図れる。
また、上記第３図（ａ） （ｂｌ及び第４図に示したす
べての実）ｆ＋ 例において、アモルファスシリコン太
陽電池として多層構造アモルファスシリコン太陽電池を
用いることもできる。すなわち、第３図（ａ） （ｂ）
のアモルファスシリコン太陽電池の部分と、第４図のア
モルファスシリコン太陽電池の部分に、ｉ層主励起キャ
リア発生領域のバンドギャップエネルギーが光入射方向
から順次小さくなるようにｎｉｐ素子（ｐｉｎ素子）を
積層した多層構造アモルファスシリコン太陽電池を用い
れば良い。
べての実）ｆ＋ 例において、アモルファスシリコン太
陽電池として多層構造アモルファスシリコン太陽電池を
用いることもできる。すなわち、第３図（ａ） （ｂ）
のアモルファスシリコン太陽電池の部分と、第４図のア
モルファスシリコン太陽電池の部分に、ｉ層主励起キャ
リア発生領域のバンドギャップエネルギーが光入射方向
から順次小さくなるようにｎｉｐ素子（ｐｉｎ素子）を
積層した多層構造アモルファスシリコン太陽電池を用い
れば良い。
例として３層構造太陽電池の場合、第３図（ａ）の実施
例では素子の下部電極１と保護ダイオードの下部電極２
とを分離して形成し、太陽電池３ａの部分にｐｉｎ／ｐ
ｉｎ／ｐｉｎ （ｎｉｐ／ｎｉｐ／ｎ ｉ ｐ）の順に
アモルファスシリコンを成長し、保護ダイオード３ｂの
部分にはｐｉｎ（ｎｉｐ）を成長すれば良い。
例では素子の下部電極１と保護ダイオードの下部電極２
とを分離して形成し、太陽電池３ａの部分にｐｉｎ／ｐ
ｉｎ／ｐｉｎ （ｎｉｐ／ｎｉｐ／ｎ ｉ ｐ）の順に
アモルファスシリコンを成長し、保護ダイオード３ｂの
部分にはｐｉｎ（ｎｉｐ）を成長すれば良い。
また、第３図（ｂ）の場合は、素子の下部電極を兼ねた
導電性基板６′に絶縁膜２”、保護ダイオードの下部電
極２を形成するのは同様であるが、アモルファスシリコ
ンルミｎ素子３の部分は、太陽電池と保護ダイオードと
で分離して形成する。この様子を第５図に示す。まず太
陽電池としてｐｉｎ／ｐｉｎ／ｐｉｎ （ｎｉｐ／ｎｉ
ｐ／ｎ１ｐ）の順にアモルファスシリコン３ａを成長し
、保護ダイオードの部分にｐ ｉ ｎ （ｎ ｉ ｐ）
３ ｂを成長すれば良い。
導電性基板６′に絶縁膜２”、保護ダイオードの下部電
極２を形成するのは同様であるが、アモルファスシリコ
ンルミｎ素子３の部分は、太陽電池と保護ダイオードと
で分離して形成する。この様子を第５図に示す。まず太
陽電池としてｐｉｎ／ｐｉｎ／ｐｉｎ （ｎｉｐ／ｎｉ
ｐ／ｎ１ｐ）の順にアモルファスシリコン３ａを成長し
、保護ダイオードの部分にｐ ｉ ｎ （ｎ ｉ ｐ）
３ ｂを成長すれば良い。
第４図の場合は、太陽電池３ａ”の部分にｐｉｎ／ｐ
ｉ ｎ／ｐ ｉｎ （ｎ ｉ ｐ／ｎ ｉ ｐ／ｎ ｉ
ｐ）の順にアモルファスシリコンを成長し、保護ダイ
オード３ｂ’ の部分にｎ１ｐ（ｐｉｎ）を成長すれば
良い。
ｉ ｎ／ｐ ｉｎ （ｎ ｉ ｐ／ｎ ｉ ｐ／ｎ ｉ
ｐ）の順にアモルファスシリコンを成長し、保護ダイ
オード３ｂ’ の部分にｎ１ｐ（ｐｉｎ）を成長すれば
良い。
このように、本発明は多層構造太陽電池にも適用でき、
上記実施例と同様に組立作業の簡略化及び低コスト化が
図れる。
上記実施例と同様に組立作業の簡略化及び低コスト化が
図れる。
以上のように、本発明によれば、アモルファスシリコン
太陽電池と保護ダイオードとを同一基板上に形成するよ
うにしたので、太陽電池モジュールを組み立てる際に作
業の大幅な簡略化が図れ、かつ低コスト化が図れる効果
がある。
太陽電池と保護ダイオードとを同一基板上に形成するよ
うにしたので、太陽電池モジュールを組み立てる際に作
業の大幅な簡略化が図れ、かつ低コスト化が図れる効果
がある。
第１図は従来の太陽電池モジュールの平面図、第２図は
太陽電池に保護ダイオードを付けたときのＩ−Ｖ特性図
、第３図（ａ） （ｂｌはこの発明の第１゜第２の実施
例による光発電素子の平面図で、第３図（ａｌは絶縁性
基板を用いた場合の構成図、第３図（ｂｌは導電性基板
を用いた場合の構成図、第３図（Ｃ１は第３図（ａ）
（ｂ）に示す光発電素子の等価回路図、第４図はこの発
明の第３の実施例を示す図、第５図は第３図中）におけ
る光発電素子の太陽電池として多層構造太陽電池を用い
た場合の構成図である。 ３ａ、３ａ’・・・アモルファスシリコンｐｉｎ （ｎ
ｉ−ｐ）素子（太陽電池） 、３ｂ、３ｂ’ −・・ア
モルファスシリコンｐｉｎ（ｎｉｐ）ｉ子（保護タイオ
ード）、６・・・絶縁性基板、６′・・・導電性基板。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 弁理士 早 瀬 憲 − 第１図 第２図 ■ ９１１１１５１つノ１１″ｎ−１１す 第４図 第５図 手続補正書（自発） 昭和５９年 ８月２２日 特許庁長官殿 １、事件の表示 冨酢 特願昭５９−７５３３１号 ２、発明の名称 光発電素子 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名 称
（６０１）三菱電機株式会社 代表者片由仁八部 ４、代理人 住 所 大阪市淀用区宮原４丁目１番４５号５、補正の
対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１） 明細書第６頁第１５〜１６行の「反射防止１１
！ｉ４ Ｊを「反射防止膜７」に訂正する。 以 上 手続補正書（自発） 昭和５９年１２月７ 日 ２、発明の名称 光発電素子 ３、補正をする者 代表者 片由仁へ部 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄、及び図面（第３図中）
） ６、補正の内容 （１） 明細書第５頁第４行の「形成する。」を「形成
し、さらに素子用の反射防止１１１７を形成する。」に
訂正する。 （２） 第３図伽）を別紙の通り訂正する。 以 上
太陽電池に保護ダイオードを付けたときのＩ−Ｖ特性図
、第３図（ａ） （ｂｌはこの発明の第１゜第２の実施
例による光発電素子の平面図で、第３図（ａｌは絶縁性
基板を用いた場合の構成図、第３図（ｂｌは導電性基板
を用いた場合の構成図、第３図（Ｃ１は第３図（ａ）
（ｂ）に示す光発電素子の等価回路図、第４図はこの発
明の第３の実施例を示す図、第５図は第３図中）におけ
る光発電素子の太陽電池として多層構造太陽電池を用い
た場合の構成図である。 ３ａ、３ａ’・・・アモルファスシリコンｐｉｎ （ｎ
ｉ−ｐ）素子（太陽電池） 、３ｂ、３ｂ’ −・・ア
モルファスシリコンｐｉｎ（ｎｉｐ）ｉ子（保護タイオ
ード）、６・・・絶縁性基板、６′・・・導電性基板。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 弁理士 早 瀬 憲 − 第１図 第２図 ■ ９１１１１５１つノ１１″ｎ−１１す 第４図 第５図 手続補正書（自発） 昭和５９年 ８月２２日 特許庁長官殿 １、事件の表示 冨酢 特願昭５９−７５３３１号 ２、発明の名称 光発電素子 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名 称
（６０１）三菱電機株式会社 代表者片由仁八部 ４、代理人 住 所 大阪市淀用区宮原４丁目１番４５号５、補正の
対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１） 明細書第６頁第１５〜１６行の「反射防止１１
！ｉ４ Ｊを「反射防止膜７」に訂正する。 以 上 手続補正書（自発） 昭和５９年１２月７ 日 ２、発明の名称 光発電素子 ３、補正をする者 代表者 片由仁へ部 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄、及び図面（第３図中）
） ６、補正の内容 （１） 明細書第５頁第４行の「形成する。」を「形成
し、さらに素子用の反射防止１１１７を形成する。」に
訂正する。 （２） 第３図伽）を別紙の通り訂正する。 以 上
Claims (2)
- （１） アモルファスシリコン太陽電池と、アモルファ
スシリコンで作成され上記アモルファスシリコン太陽電
池をこれに印加される逆方向電圧から保護する保護ダイ
オードとを同一基板上に形成してなることを特徴とする
光発電素子。 - （２） 上記アモルファスシリコン太陽電池及び保護ダ
イオードは、ともにアモルファスシリコンｐｉｎ又はｎ
ｉｐ素子を有するよう、同一製造工程で製造されたもの
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光
発電素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59075331A JPS60218882A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 光発電素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59075331A JPS60218882A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 光発電素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60218882A true JPS60218882A (ja) | 1985-11-01 |
Family
ID=13573166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59075331A Pending JPS60218882A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 光発電素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60218882A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5155565A (en) * | 1988-02-05 | 1992-10-13 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method for manufacturing an amorphous silicon thin film solar cell and Schottky diode on a common substrate |
| EP1079441A2 (en) * | 1999-08-25 | 2001-02-28 | Kaneka Corporation | Thin film photoelectric conversion module and method of manufacturing the same |
| WO2007121955A1 (de) * | 2006-04-21 | 2007-11-01 | Wieland Electric Gmbh | Verfahren zur herstellung einer solarzelle mit funktionalen strukturen sowie mit diesem verfahren hergestellte solarzelle |
-
1984
- 1984-04-13 JP JP59075331A patent/JPS60218882A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5155565A (en) * | 1988-02-05 | 1992-10-13 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method for manufacturing an amorphous silicon thin film solar cell and Schottky diode on a common substrate |
| EP1079441A2 (en) * | 1999-08-25 | 2001-02-28 | Kaneka Corporation | Thin film photoelectric conversion module and method of manufacturing the same |
| WO2007121955A1 (de) * | 2006-04-21 | 2007-11-01 | Wieland Electric Gmbh | Verfahren zur herstellung einer solarzelle mit funktionalen strukturen sowie mit diesem verfahren hergestellte solarzelle |
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