JPS61260671A - 密着形イメ−ジセンサ - Google Patents
密着形イメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPS61260671A JPS61260671A JP60101266A JP10126685A JPS61260671A JP S61260671 A JPS61260671 A JP S61260671A JP 60101266 A JP60101266 A JP 60101266A JP 10126685 A JP10126685 A JP 10126685A JP S61260671 A JPS61260671 A JP S61260671A
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- JP
- Japan
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- substrate
- image sensor
- scanning direction
- pattern
- photoelectric conversion
- Prior art date
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- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は密着形イメージセンサに係り、特に小形のセン
サ基板を構成するに好適な端子の引出し法を用いた密着
形イメージセンサに関する。
サ基板を構成するに好適な端子の引出し法を用いた密着
形イメージセンサに関する。
従来の密着形イメージセンサの電極端子の引出し方法に
ついては、例えば特開昭５９−４０５６８号公報や特開
昭５９−４５５６９号公報などに記載のように、センサ
基板のパターン配置が例示されているが、基板の両側へ
の引出し方法が一般であって片側への引出し方法につい
ては考慮されていない。このため両側への引出し方法に
よるセンナ基板が大形になるなどの問題点がある。
ついては、例えば特開昭５９−４０５６８号公報や特開
昭５９−４５５６９号公報などに記載のように、センサ
基板のパターン配置が例示されているが、基板の両側へ
の引出し方法が一般であって片側への引出し方法につい
ては考慮されていない。このため両側への引出し方法に
よるセンナ基板が大形になるなどの問題点がある。
本発明はセンサ基板の小形化などに好適な電極端子を基
板の片側へ取り出すパターン構成の密着形イメージセン
サを提供するにある。
板の片側へ取り出すパターン構成の密着形イメージセン
サを提供するにある。
本発明は、基板上に駆動用回路素子を搭載した密着形イ
メージセンサにおいて、光電変換素子をなすａ−８ｔ（
アモルファスシリコン）膜等を基板の一方の側に主走査
方向に帯状に配置し、その一方の側に共通線パターンを
配置できるが、その共通端子を取り出す方法として上記
ａ−８ｉ膜等の上に帯状に主走査方向に配置した透明導
電膜の１個所以上を駆動回路素子側の副走査方向に突出
して延在させ、この突出部より副走査方向に上記駆動回
路素子の駆動線パターンと同一方向に上記共通線パター
ンの共通端子を基板の他方の側まで取り出すようにして
、駆動用端子および共通端子を基板の片側に配置してな
る密着形イメージセンサである。
メージセンサにおいて、光電変換素子をなすａ−８ｔ（
アモルファスシリコン）膜等を基板の一方の側に主走査
方向に帯状に配置し、その一方の側に共通線パターンを
配置できるが、その共通端子を取り出す方法として上記
ａ−８ｉ膜等の上に帯状に主走査方向に配置した透明導
電膜の１個所以上を駆動回路素子側の副走査方向に突出
して延在させ、この突出部より副走査方向に上記駆動回
路素子の駆動線パターンと同一方向に上記共通線パター
ンの共通端子を基板の他方の側まで取り出すようにして
、駆動用端子および共通端子を基板の片側に配置してな
る密着形イメージセンサである。
以下に本発明の一実施例を図面により説明する０
まず、第２図（ａ）は本発明による密着形イメージセン
サの一実施例の対象とする密着形イメージセンサの回路
構成を例示するブロック図である。第２図（ａ）におい
て、１はセンサ基板、２は光電変換素子（群）をなすア
モルファスシリコンａ−８ｉダイオード（群）、３は駆
動用回路素子（群）、４は接続線パターン、５は共通端
子、６は回路駆動用端子（群）である。センサ基板１上
に光電変換素子をなすａ−８ｉダイオード２が主走査方
向に配列され、そのａ−８ｉダイオード２を駆動してａ
・Ｓｉダイオード２からの信号を接続線パターン４を介
し出力電圧として取り出す駆動用回路素子３が搭載され
る。このセンサ基板１からの接続線の引出し端子は共通
電極の共通端子５および回路の駆動用端子（群）６から
なる。これらの各素子が主走査方向に連続的に配置され
る。
サの一実施例の対象とする密着形イメージセンサの回路
構成を例示するブロック図である。第２図（ａ）におい
て、１はセンサ基板、２は光電変換素子（群）をなすア
モルファスシリコンａ−８ｉダイオード（群）、３は駆
動用回路素子（群）、４は接続線パターン、５は共通端
子、６は回路駆動用端子（群）である。センサ基板１上
に光電変換素子をなすａ−８ｉダイオード２が主走査方
向に配列され、そのａ−８ｉダイオード２を駆動してａ
・Ｓｉダイオード２からの信号を接続線パターン４を介
し出力電圧として取り出す駆動用回路素子３が搭載され
る。このセンサ基板１からの接続線の引出し端子は共通
電極の共通端子５および回路の駆動用端子（群）６から
なる。これらの各素子が主走査方向に連続的に配置され
る。
第２図（ｂ） 、 （ｃ）は第２図（ａ）の回路構成を
実際のセンサ基板上にレイアウトして光電変換素子のａ
−８ｔダイオード２および接続線パターン４を形成し駆
動用回路素子５を組み立てた状態を例示する従来の密着
形イメージセンサのパターン構成断面図、およびパター
ン配置平面図である。
実際のセンサ基板上にレイアウトして光電変換素子のａ
−８ｔダイオード２および接続線パターン４を形成し駆
動用回路素子５を組み立てた状態を例示する従来の密着
形イメージセンサのパターン構成断面図、およびパター
ン配置平面図である。
第２図（ｂ）、（ｃ）において、第２図（ａ）ほか各図
面を通じて同一符号は同一または相当部分を示すものと
し、２１は光電変換素子のａ−８ｉダイオード２のａ・
Ｓｉ膜、２２Ｖｉａ−８ｉダイオード２の上部電極をな
すＩＴＯ等の透明導電膜、４１けａ・Ｓｉダイオード２
の下部電極および接続線パターン４をなす下層の第１の
金属膜（パターン）、４２は接続線パターン４をなす下
層の第２の金属膜・ ５ ・ （パターン）、７は保護膜である。この密着形イメージ
センサは例えば次のプロセスで製造できる。まず、ガラ
ス基板１上ｌこａ・Ｓｉダイオード２の下部電極および
接続線パターン４をなすクロム等の下層の第１の金属膜
（パターン）４１と端子５，６および駆動用回路素子５
の接続線パターン４をなす金等の下層の第２の金属膜（
パターン）４２を形成する。次に光電変換材料であるａ
・Ｓｔ膜２１を形成し、次いで光電変換素子のａ−８ｉ
ダイオード２の上部電極をなすＩＴＯ等の透明導電膜２
２を形成し、さらにａ−８１膜を保護する保護膜７を形
成する。最後に駆動用回路素子３を搭載し、ワイヤボン
ディング等により接続線パターン４をなす下層の第２の
金属膜（パターン）４２に接続してセンサ基板が完成す
る０ 第２図（ｂ）、（ｃ）の従来のセンサにおいては、共通
電極の共通端子５は回路駆動用端子（群）６が形成され
る基板１の一方の側とは反対側に存在する状態で外部に
引き出されている。このよう、 ４ 。
面を通じて同一符号は同一または相当部分を示すものと
し、２１は光電変換素子のａ−８ｉダイオード２のａ・
Ｓｉ膜、２２Ｖｉａ−８ｉダイオード２の上部電極をな
すＩＴＯ等の透明導電膜、４１けａ・Ｓｉダイオード２
の下部電極および接続線パターン４をなす下層の第１の
金属膜（パターン）、４２は接続線パターン４をなす下
層の第２の金属膜・ ５ ・ （パターン）、７は保護膜である。この密着形イメージ
センサは例えば次のプロセスで製造できる。まず、ガラ
ス基板１上ｌこａ・Ｓｉダイオード２の下部電極および
接続線パターン４をなすクロム等の下層の第１の金属膜
（パターン）４１と端子５，６および駆動用回路素子５
の接続線パターン４をなす金等の下層の第２の金属膜（
パターン）４２を形成する。次に光電変換材料であるａ
・Ｓｔ膜２１を形成し、次いで光電変換素子のａ−８ｉ
ダイオード２の上部電極をなすＩＴＯ等の透明導電膜２
２を形成し、さらにａ−８１膜を保護する保護膜７を形
成する。最後に駆動用回路素子３を搭載し、ワイヤボン
ディング等により接続線パターン４をなす下層の第２の
金属膜（パターン）４２に接続してセンサ基板が完成す
る０ 第２図（ｂ）、（ｃ）の従来のセンサにおいては、共通
電極の共通端子５は回路駆動用端子（群）６が形成され
る基板１の一方の側とは反対側に存在する状態で外部に
引き出されている。このよう、 ４ 。
な状態で共通端子５を引き出すために図示のように第２
の金ｊｊｉ 膜４２の配置により基板寸法が大きくなり
、また最終的な組立てにおいて基板１の２辺から端子（
群）を取り出す必要がある。特に例えばＡ−Ａ線で切断
して基板を複数個接続することにより高歩留りのセンサ
基板１を得ようとする場合には、各々の基板から共進電
極の共通端子５を取り出す必要が生じて実装構成が複雑
になる。さらに第２図（ｂ）、（ｃ）のパターンを構成
するためには共通端子５の材質によりａ−８ｉ腺２１の
特性を劣化させる恐れがあり、両者の距離を十分能して
配置する必要があるため、基板１の寸法をさらに増大さ
せて製造価格も増大させる問題点がある。本発明はこの
問題点を解決するために電極端子を基板の片側へ取り出
すパターン構成のセンサを提供する。
の金ｊｊｉ 膜４２の配置により基板寸法が大きくなり
、また最終的な組立てにおいて基板１の２辺から端子（
群）を取り出す必要がある。特に例えばＡ−Ａ線で切断
して基板を複数個接続することにより高歩留りのセンサ
基板１を得ようとする場合には、各々の基板から共進電
極の共通端子５を取り出す必要が生じて実装構成が複雑
になる。さらに第２図（ｂ）、（ｃ）のパターンを構成
するためには共通端子５の材質によりａ−８ｉ腺２１の
特性を劣化させる恐れがあり、両者の距離を十分能して
配置する必要があるため、基板１の寸法をさらに増大さ
せて製造価格も増大させる問題点がある。本発明はこの
問題点を解決するために電極端子を基板の片側へ取り出
すパターン構成のセンサを提供する。
つぎに第１図は本発明による密着形イメージセンサの一
実施例を示すパターン配置平面図である。第１図におい
て、第２図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ）と同一符号
は同一または相当部分を示し、８は本発明による透明導
電膜２２の突出部である。このセンサの製造プロセスは
従来の第２図（ｂ） 、 （ｅ）の上記プロセスと同様
である。第１図において、基板１上に複数個の光電変換
素子のａ−８ｉダイオード２を主走査方向に配列し、そ
のａ−８ｉダイオード２からの電気信号を取り出す駆動
用回路素子３を搭載した密着形イメージセンサにあって
、光電変換素子のａ・Ｓｉダイオード２をなすａ−８ｉ
膜２１を基板１の一方の側に帯状に配置し、その一方の
端部に下層の第１の金属膜（パターン）４１ａからなる
共通電極を配置する。一方のａ−８ｉダイオード２の下
部電極をなす下層の第１の金属膜４１ｂと駆動用回路素
子６の接続線パターンおよび駆動用回路素子６から回路
駆動用端子６への接続線パターン４をなす下ノーの第１
の金属膜４１ｂおよび第２の金属膜（パターン）４２ｂ
とは副走査方向に並行して基板１の他方の側まで延びて
いる。さらにａ−８ｉ膜２２上にはａ−８ｉダイオード
２の上部電極をなす透明導電膜２２を主走査方向の一端
から他端まで帯状に形成して、共通電極をなす第１の金
属膜４１ａと電気的に接続する。またこの帯状の透明溝
１！膜２２は１箇所以上で副走査方向に駆動用回路素子
３の配置側へ延在させて透明導電膜２２の突出部８を形
成し、この突出部８と電気的に接続した下層の第１の金
属膜および第２の金属膜４２ａからなる共通電極４１ａ
の接続線パターンを駆動用回路素子５の第２の金属膜４
２ｂの接続線（駆動線）パターンと同一の副走査方向に
基板１の他方側の端部まで導くことにより、共通電極の
共通端子５を回路駆動用端子（群）６と基板１の同一方
向に取り出すことができる。
実施例を示すパターン配置平面図である。第１図におい
て、第２図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ）と同一符号
は同一または相当部分を示し、８は本発明による透明導
電膜２２の突出部である。このセンサの製造プロセスは
従来の第２図（ｂ） 、 （ｅ）の上記プロセスと同様
である。第１図において、基板１上に複数個の光電変換
素子のａ−８ｉダイオード２を主走査方向に配列し、そ
のａ−８ｉダイオード２からの電気信号を取り出す駆動
用回路素子３を搭載した密着形イメージセンサにあって
、光電変換素子のａ・Ｓｉダイオード２をなすａ−８ｉ
膜２１を基板１の一方の側に帯状に配置し、その一方の
端部に下層の第１の金属膜（パターン）４１ａからなる
共通電極を配置する。一方のａ−８ｉダイオード２の下
部電極をなす下層の第１の金属膜４１ｂと駆動用回路素
子６の接続線パターンおよび駆動用回路素子６から回路
駆動用端子６への接続線パターン４をなす下ノーの第１
の金属膜４１ｂおよび第２の金属膜（パターン）４２ｂ
とは副走査方向に並行して基板１の他方の側まで延びて
いる。さらにａ−８ｉ膜２２上にはａ−８ｉダイオード
２の上部電極をなす透明導電膜２２を主走査方向の一端
から他端まで帯状に形成して、共通電極をなす第１の金
属膜４１ａと電気的に接続する。またこの帯状の透明溝
１！膜２２は１箇所以上で副走査方向に駆動用回路素子
３の配置側へ延在させて透明導電膜２２の突出部８を形
成し、この突出部８と電気的に接続した下層の第１の金
属膜および第２の金属膜４２ａからなる共通電極４１ａ
の接続線パターンを駆動用回路素子５の第２の金属膜４
２ｂの接続線（駆動線）パターンと同一の副走査方向に
基板１の他方側の端部まで導くことにより、共通電極の
共通端子５を回路駆動用端子（群）６と基板１の同一方
向に取り出すことができる。
このようなパターン構成により、従来の第２図（ｂ）、
（ｅ）に存在した共通電極の第２の金属膜４２は不必要
となるので、基板１の寸法が大幅に減少する。さらに第
１図のＡ−Ａ線で基板１を切断して、そのセンサ基板を
複数個接続してセンサを構成する場合にも、各々の基板
から共通端子５を別に取り出す必要がなく、回路駆動用
端子（群）６とともに外部回路に接続できる。また・
Ｉ ・ 透明導電膜２２の突出部８は１箇所に限らず複数個所に
形成して端子を取り出すことが可能であり、特性に与え
る影響はない。また突出部８を配置するためには、第１
の金属膜４１ｂの配置をわずかにずらすだけで広い面積
で第１の金属膜４１ｂと電気的に接続できる。さらに光
電変換素子のａ−８ｔ膜２１を保護する保護膜７が共通
電極をなす第１の金属膜４１ａを覆うように形成できる
ため生産性の向上が期待できる。
（ｅ）に存在した共通電極の第２の金属膜４２は不必要
となるので、基板１の寸法が大幅に減少する。さらに第
１図のＡ−Ａ線で基板１を切断して、そのセンサ基板を
複数個接続してセンサを構成する場合にも、各々の基板
から共通端子５を別に取り出す必要がなく、回路駆動用
端子（群）６とともに外部回路に接続できる。また・
Ｉ ・ 透明導電膜２２の突出部８は１箇所に限らず複数個所に
形成して端子を取り出すことが可能であり、特性に与え
る影響はない。また突出部８を配置するためには、第１
の金属膜４１ｂの配置をわずかにずらすだけで広い面積
で第１の金属膜４１ｂと電気的に接続できる。さらに光
電変換素子のａ−８ｔ膜２１を保護する保護膜７が共通
電極をなす第１の金属膜４１ａを覆うように形成できる
ため生産性の向上が期待できる。
以上のように本発明の密着形イメージセンサによれば、
端子を基板の一辺に配置できるので基板の小形化および
その組立て性が向上して廉価なセンサ基板が構成できる
。
端子を基板の一辺に配置できるので基板の小形化および
その組立て性が向上して廉価なセンサ基板が構成できる
。
第１図は本発明による密着形イメージセンサの一実施例
を示すパターン配置平面図、第２図（ａ） 、 （ｂ）
、 （ｃ）は従来の密着形イメージセンサを例示する
それぞれ回路構成ブロック図、そのパターン配置平面図
、およびパターン構成断面図で、 ８ 。 ある。 １・・・基板 ２１・・・光電変換素子のａ−８ｉ膜 ２２・・・透明導電膜 ６・・・駆動用回路素子４
１ａ・・・共通電極の第１の金属膜 ４１ｂ・・・第１の金属膜 ４２ａ・・・共通電極の共通端子接続線パターンの第２
の金属膜 ４２ｂ・・・駆動用回路素子の接続線パターンの第２の
金属膜 ８・・・透明導電膜の突出部
を示すパターン配置平面図、第２図（ａ） 、 （ｂ）
、 （ｃ）は従来の密着形イメージセンサを例示する
それぞれ回路構成ブロック図、そのパターン配置平面図
、およびパターン構成断面図で、 ８ 。 ある。 １・・・基板 ２１・・・光電変換素子のａ−８ｉ膜 ２２・・・透明導電膜 ６・・・駆動用回路素子４
１ａ・・・共通電極の第１の金属膜 ４１ｂ・・・第１の金属膜 ４２ａ・・・共通電極の共通端子接続線パターンの第２
の金属膜 ４２ｂ・・・駆動用回路素子の接続線パターンの第２の
金属膜 ８・・・透明導電膜の突出部
Claims (1)
- 基板上に複数個の光電変換素子を主走査方向に配列し、
上記基板上に上記光電変換素子からの電気信号を副走査
方向の駆動線パターンを介して取り出す駆動用回路素子
を配置した密着形イメージセンサにおいて、上記光電変
換素子上に主走査方向に帯状に形成した透明導電膜の１
個所以上を副走査方向に延在させて配置し、その延在部
分から上記駆動線パターンと同一方向に共通端子を取り
出してなる密着形イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60101266A JPH065724B2 (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | 密着形イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60101266A JPH065724B2 (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | 密着形イメ−ジセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61260671A true JPS61260671A (ja) | 1986-11-18 |
| JPH065724B2 JPH065724B2 (ja) | 1994-01-19 |
Family
ID=14296090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60101266A Expired - Lifetime JPH065724B2 (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | 密着形イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065724B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01143150U (ja) * | 1988-03-28 | 1989-10-02 |
-
1985
- 1985-05-15 JP JP60101266A patent/JPH065724B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01143150U (ja) * | 1988-03-28 | 1989-10-02 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH065724B2 (ja) | 1994-01-19 |
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