JPS60219787A - 光アイソレ−タ付半導体レ−ザ装置 - Google Patents
光アイソレ−タ付半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS60219787A JPS60219787A JP59076056A JP7605684A JPS60219787A JP S60219787 A JPS60219787 A JP S60219787A JP 59076056 A JP59076056 A JP 59076056A JP 7605684 A JP7605684 A JP 7605684A JP S60219787 A JPS60219787 A JP S60219787A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- optical isolator
- laser element
- optical
- laser device
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4207—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback
- G02B6/4208—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback using non-reciprocal elements or birefringent plates, i.e. quasi-isolators
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
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- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02257—Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S5/0064—Anti-reflection components, e.g. optical isolators
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光通信、光計測、光記録等の光源として利用
する光アイソレータ付半導体レーザ装置に関する。
する光アイソレータ付半導体レーザ装置に関する。
従来例の構成とその問題点
従来例の光アインレータ付半導体レーザ装置は第１図に
示す様に、半導体レーザ素子１と同一マウント２上に磁
気光学結晶３、永久磁石４及び偏光子６よりなる光アイ
ソレータ部１ｏを形成し、さらに同一マウント２上に固
定したレンズ６によって、半導体レーザ素子１からの出
射光を光ファイバ７に結合していた。そのため、劣化や
破損等によって、半導体レーザ素子１もしくけ光アイソ
レータ部１０のいずれか一方が使用不可能になった場合
は、使用可能である他方の部品も使用できなくなった。
示す様に、半導体レーザ素子１と同一マウント２上に磁
気光学結晶３、永久磁石４及び偏光子６よりなる光アイ
ソレータ部１ｏを形成し、さらに同一マウント２上に固
定したレンズ６によって、半導体レーザ素子１からの出
射光を光ファイバ７に結合していた。そのため、劣化や
破損等によって、半導体レーザ素子１もしくけ光アイソ
レータ部１０のいずれか一方が使用不可能になった場合
は、使用可能である他方の部品も使用できなくなった。
発明の目的
本発明は光アイソレータ付半導体レーザ装置において、
半導体レーザ素子部と光アイルレータ部に互換性を持た
すことを目的とする。
半導体レーザ素子部と光アイルレータ部に互換性を持た
すことを目的とする。
発明の構成
本発明による光アイソレータ付半導体レーザ装置は、半
導体レーザ素子部と光アイソレータ部とからなり、上記
光アイソレータ部は、磁気光学結晶、偏光子及び磁気光
学結晶を磁化するための永久磁石より構成され、上記半
導体レーザ素子部と光アイソレータ部が、どちらＫもネ
ジを切ること等によって着脱可能な方法で接続されてい
る構成をとる。
導体レーザ素子部と光アイソレータ部とからなり、上記
光アイソレータ部は、磁気光学結晶、偏光子及び磁気光
学結晶を磁化するための永久磁石より構成され、上記半
導体レーザ素子部と光アイソレータ部が、どちらＫもネ
ジを切ること等によって着脱可能な方法で接続されてい
る構成をとる。
実施例の説明
本発明の実施例を第２図に示す。半導体レーザ素子部１
１と光アインレータ部１０よりなり、半導体レーザ素子
部１１は、上部に向けて光を出射する半導体レーザ素子
１、サブマウント３ｏ、マウント３１、円筒状で上底の
内側の角を落しだ形をなす磁気光学結晶支持台３２．及
びネジ部３３−ａで構成され、光アイソレータ部１０は
一方の底面が球面の一部である円筒状をしたＹＩＧ３４
゜ＹＩＧ３４の他方の平らな底面にほどこしだ偏光分離
機能を有する膜３６、ＹＩＧ３４と接着した永久磁石４
及びネジ部３３−ｂで構成される。ネジ部同志３３−ａ
、ｂを合わせて締めることによって、ＹＩＧ３４の球面
の一部をなす底面と支持台３２が接し、半導体レーザ素
子１とビーム集光機能を持たせたＹＩＧ３４の球面の一
部をなす底面との距離を適当な距離に保って、半導体レ
ーザ素子部１１と光アイソレータ部１０を固定すること
ができ、また簡単にはずすこともできる。
１と光アインレータ部１０よりなり、半導体レーザ素子
部１１は、上部に向けて光を出射する半導体レーザ素子
１、サブマウント３ｏ、マウント３１、円筒状で上底の
内側の角を落しだ形をなす磁気光学結晶支持台３２．及
びネジ部３３−ａで構成され、光アイソレータ部１０は
一方の底面が球面の一部である円筒状をしたＹＩＧ３４
゜ＹＩＧ３４の他方の平らな底面にほどこしだ偏光分離
機能を有する膜３６、ＹＩＧ３４と接着した永久磁石４
及びネジ部３３−ｂで構成される。ネジ部同志３３−ａ
、ｂを合わせて締めることによって、ＹＩＧ３４の球面
の一部をなす底面と支持台３２が接し、半導体レーザ素
子１とビーム集光機能を持たせたＹＩＧ３４の球面の一
部をなす底面との距離を適当な距離に保って、半導体レ
ーザ素子部１１と光アイソレータ部１０を固定すること
ができ、また簡単にはずすこともできる。
さらに、本実施例の光アイソレータ付半導体レーザ装置
は、半導体レーザ素子１とＹＩＧ３４の球面の一部をな
す底面との距離、および、ＹＩＧ３４の底面の曲率半径
を選ぶことによって、半導体レーザ素子１からの出射光
をＹＩＧ３４通過後、はぼ平行光とすることができるの
で光アインレータ部１Ｑのネジ部３３−ｂを第３図に示
す様な形にすれば、集束性ロンドレンズ４０を用いて平
行光を光ファイバ端４１に集光する構造を持つ光フアイ
バ部１２と光フアイバ部１２のネジ部３３−Ｃで結合す
ることが可能である。
は、半導体レーザ素子１とＹＩＧ３４の球面の一部をな
す底面との距離、および、ＹＩＧ３４の底面の曲率半径
を選ぶことによって、半導体レーザ素子１からの出射光
をＹＩＧ３４通過後、はぼ平行光とすることができるの
で光アインレータ部１Ｑのネジ部３３−ｂを第３図に示
す様な形にすれば、集束性ロンドレンズ４０を用いて平
行光を光ファイバ端４１に集光する構造を持つ光フアイ
バ部１２と光フアイバ部１２のネジ部３３−Ｃで結合す
ることが可能である。
本発明の実施例では、光アイソレータ部１０のネジ部３
３−ｂと永久磁石４を接着させているが、分離していて
もよい。また、Ｙ ｌＧ３４の球面の一部をなす底面に
は反射防止膜をほどこした。
３−ｂと永久磁石４を接着させているが、分離していて
もよい。また、Ｙ ｌＧ３４の球面の一部をなす底面に
は反射防止膜をほどこした。
発明の効果
本発明によって半導体レーザ素子部と光アイソレータ部
が互換性を持つ光アインレータ付半導体レーザ装置が得
られ、いずれか一方の部品が使用不可能となっても、容
易に交換することが可能となった。
が互換性を持つ光アインレータ付半導体レーザ装置が得
られ、いずれか一方の部品が使用不可能となっても、容
易に交換することが可能となった。
第１図は従来の光アインレータ付半導体レーザ装置の概
略構成図、第２図は本発明の一実施例の光アイソレータ
付半導体レーザ装置の概略断面図、第３図は同地の実施
例の光ファイバを含む光学系との接続時の概略断面図で
ある。 １・・・・・・半導体レーザ素子、４・・・・・・永久
磁石、７・・・・・・光ファイバ、１ｏ・・・・・・光
アインレータ部、１１・・・・・・レーザ素子部、３２
・・・・・・磁気光学結晶支持台、３３−ａ、３３−ｂ
・・・・・・ネジ部、３４・・而ＹＩＧ、３５・・・・
・・偏光分離機能を有する膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１１
図 １０ Ｉ ？ 第２図 第３図
略構成図、第２図は本発明の一実施例の光アイソレータ
付半導体レーザ装置の概略断面図、第３図は同地の実施
例の光ファイバを含む光学系との接続時の概略断面図で
ある。 １・・・・・・半導体レーザ素子、４・・・・・・永久
磁石、７・・・・・・光ファイバ、１ｏ・・・・・・光
アインレータ部、１１・・・・・・レーザ素子部、３２
・・・・・・磁気光学結晶支持台、３３−ａ、３３−ｂ
・・・・・・ネジ部、３４・・而ＹＩＧ、３５・・・・
・・偏光分離機能を有する膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１１
図 １０ Ｉ ？ 第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）半導体レーザ素子部と光アイソレータ部とを有し
、上記光アイソレータ部は、磁気光学結晶。 偏光子及び上記磁気光学結晶を磁化するだめの永久磁石
よりなり、上記半導体レーザ素子部と光アイソレータ部
が着脱可能な方法で接続されてなることを％徴とする光
アイソレータ付半導体レーザ装置。 Ｑ）半導体レーザ素子部と光アイソレータ部にネジを切
ることによって接続されてなることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の光アインレータ付半導体レーザ装
置。 （３）磁気光学結晶の光入出射面のいずれか一方、又は
両方が集光作用を持つ形状を有する特許請求の範囲第１
項記載の光アイソレータ付半導体レーザ装置。 （４）光アイソレータ部が光ファイバ端を含む光学系と
着脱可能な方法で接続しうる構造を持つ特許請求の範囲
第１項記載の光アインレータ付半導体レーザ装置。 （５）光アイソレータ部が光ファイバ端を含む光学系と
ネジ式で接続しうる構造を持つ特許請求の範囲第１項記
載の光アイソレータ付半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59076056A JPS60219787A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 光アイソレ−タ付半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59076056A JPS60219787A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 光アイソレ−タ付半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60219787A true JPS60219787A (ja) | 1985-11-02 |
Family
ID=13594115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59076056A Pending JPS60219787A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 光アイソレ−タ付半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60219787A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6457666U (ja) * | 1987-09-30 | 1989-04-10 | ||
| JPH01175786A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光アイソレータ内蔵半導体レーザ装置 |
-
1984
- 1984-04-16 JP JP59076056A patent/JPS60219787A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6457666U (ja) * | 1987-09-30 | 1989-04-10 | ||
| JPH01175786A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光アイソレータ内蔵半導体レーザ装置 |
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