JPS60220348A - 位置合せ装置 - Google Patents
位置合せ装置Info
- Publication number
- JPS60220348A JPS60220348A JP59075843A JP7584384A JPS60220348A JP S60220348 A JPS60220348 A JP S60220348A JP 59075843 A JP59075843 A JP 59075843A JP 7584384 A JP7584384 A JP 7584384A JP S60220348 A JPS60220348 A JP S60220348A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- mask
- detecting
- detection device
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、マスクとウェハの相対的な位置合わせ装置に
使用される整合用マークの検出用または観察用の光学素
子の位置を検出するための装置に関する。
使用される整合用マークの検出用または観察用の光学素
子の位置を検出するための装置に関する。
第1図は、従来のマスク及びウェハの位置合わせ装置で
使用される、マスク及びウェハの観察用光学系の一例で
ある。同図で、マスクlとウエノ12を位置合わせしよ
うとする場合には、レーザ光源11から出たレーザビー
ムLを、スキャン用ポリゴンミラー10.ハーフミラ−
9,対物レンズ8、ミラー5を介してマスクlに入射す
る。この光は投影レンズ3を経てウニ/% j2上で反
射され、再びミラー5.対物レンズ8.ノへ−フミラー
9゜ストッパー17(第5図に示す)を経て光電検出器
16に入射する。ウェハ2及びマスクl上のレーザビー
ムの光路上には第3図に示すような整合用のマークM、
FWがある。このマークM 、 M’からの信号を光電
検出器16で検出し、プリアンプ15で増幅し、演算装
置14でウエノz lとマスク2のずれ量をめる。該ず
れ量に基づき、ドライツク−18を介して移動ステージ
■2を動かし、マスクlとウェハ2を整合させるわけで
ある。このようにしてウェハ1及びマスク2の位置が合
ったならば、次に露光用照明装置4のシャッター(不図
示)を開き、露光するのである。
使用される、マスク及びウェハの観察用光学系の一例で
ある。同図で、マスクlとウエノ12を位置合わせしよ
うとする場合には、レーザ光源11から出たレーザビー
ムLを、スキャン用ポリゴンミラー10.ハーフミラ−
9,対物レンズ8、ミラー5を介してマスクlに入射す
る。この光は投影レンズ3を経てウニ/% j2上で反
射され、再びミラー5.対物レンズ8.ノへ−フミラー
9゜ストッパー17(第5図に示す)を経て光電検出器
16に入射する。ウェハ2及びマスクl上のレーザビー
ムの光路上には第3図に示すような整合用のマークM、
FWがある。このマークM 、 M’からの信号を光電
検出器16で検出し、プリアンプ15で増幅し、演算装
置14でウエノz lとマスク2のずれ量をめる。該ず
れ量に基づき、ドライツク−18を介して移動ステージ
■2を動かし、マスクlとウェハ2を整合させるわけで
ある。このようにしてウェハ1及びマスク2の位置が合
ったならば、次に露光用照明装置4のシャッター(不図
示)を開き、露光するのである。
この時、ミラー5が位置aにあると、ミラー5の影がマ
スク1上に出来、マスク1上に焼付られない部分又は照
度むらが発生する。このため、露光に先だって、ミラー
5を焼付光の当らない位置すへ移動する必要がある。そ
して、焼付が終ったなら、再び次の焼付のための位置合
わせな行なうべく、ミラー5を位置aへもどす。この位
置aの再現性は重要で、ミラー5のわずかの傾きの狂い
によってもレーザビームの入射経路が変わり、マスクl
とウェハ2のずれ量の測定に誤差を与える。
スク1上に出来、マスク1上に焼付られない部分又は照
度むらが発生する。このため、露光に先だって、ミラー
5を焼付光の当らない位置すへ移動する必要がある。そ
して、焼付が終ったなら、再び次の焼付のための位置合
わせな行なうべく、ミラー5を位置aへもどす。この位
置aの再現性は重要で、ミラー5のわずかの傾きの狂い
によってもレーザビームの入射経路が変わり、マスクl
とウェハ2のずれ量の測定に誤差を与える。
従来このようなミラー5等の光学素子の駆動は、フォト
スイッチ(不図示)による位置検出、又はパルスモータ
7等によるオープンループの制御によって行なわれてい
た。
スイッチ(不図示)による位置検出、又はパルスモータ
7等によるオープンループの制御によって行なわれてい
た。
しかし、このような制御では、振動、ガタ等に対する機
械的及び経時的な安定性に乏しいこと精度の高いフォト
スイッチを得るのが困難なこと、更には装置の組立て時
に非常に精密な調整を必要とすること等の問題点があっ
た。
械的及び経時的な安定性に乏しいこと精度の高いフォト
スイッチを得るのが困難なこと、更には装置の組立て時
に非常に精密な調整を必要とすること等の問題点があっ
た。
本発明の目的は、上記問題点を解消し、前記光学素子の
安定した位置再現性を得ることができ、マスクとウニへ
の位置合わせ精度を向上する゛ことを可能とする、前記
光学素子の位置検出装置を提供することにある。
安定した位置再現性を得ることができ、マスクとウニへ
の位置合わせ精度を向上する゛ことを可能とする、前記
光学素子の位置検出装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明に係る位置検出装置
は、マスクとウェハの相対的な位置合わせを行なうため
に使用される整合用マークを検出または観察するための
光学系に使用されているミラー等の光学素子の位置を検
出する検出装置であって、前記整合用マークからの光信
号を検出するための光路中に配設されたことを特徴とす
るものであり、ひとつの検出装置で前記整合用マーク及
び前記光学素子の双方の位置検出を行なえるようにした
ものである。
は、マスクとウェハの相対的な位置合わせを行なうため
に使用される整合用マークを検出または観察するための
光学系に使用されているミラー等の光学素子の位置を検
出する検出装置であって、前記整合用マークからの光信
号を検出するための光路中に配設されたことを特徴とす
るものであり、ひとつの検出装置で前記整合用マーク及
び前記光学素子の双方の位置検出を行なえるようにした
ものである。
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第2図は、本発明の一実施例を適用したマスク及びウェ
ハの位置合わせ装置の概略構成図である。
ハの位置合わせ装置の概略構成図である。
ここでは、第1図の光電検出器16の代わりに、本実施
例に係る光電検出器19を取付けである。
例に係る光電検出器19を取付けである。
すなわち、マスクl及びウェハ2上の整合用マークから
の反射光を検出するための光路P中に、光電検出器19
を配設したものである。
の反射光を検出するための光路P中に、光電検出器19
を配設したものである。
光電検出器19は、第7図に示すように、中央部に2つ
の受光面29,80を有し、その周辺部に円状の受光面
28を有している。受光面28゜29.80は各々独立
した構成とする。更に光電検出器19は、受光面28.
29.30の各々の受光量に対応した電気信号を独立に
取出すための電極81.32.33と、バイアス用の電
極34とを有する。
の受光面29,80を有し、その周辺部に円状の受光面
28を有している。受光面28゜29.80は各々独立
した構成とする。更に光電検出器19は、受光面28.
29.30の各々の受光量に対応した電気信号を独立に
取出すための電極81.32.33と、バイアス用の電
極34とを有する。
また第2図では、第5図に示したストッパー17の代わ
りに、第8図に示すようなストッパー20を用いている
。ストッパー20は、中央部にひとつの開口20aを有
し、周辺部に複数の開口20bを有する。
りに、第8図に示すようなストッパー20を用いている
。ストッパー20は、中央部にひとつの開口20aを有
し、周辺部に複数の開口20bを有する。
上記光電検出器19の各電極31.32.33はプリア
ンプ18に接続される。プリアンプ18は、光電検出器
19の各受光面28.29.30の光電流を各々独立に
電流電圧変換し、受光面28゜29.30の受光量に対
応した電気信号8617゜38を、演算回路39に伝え
る。
ンプ18に接続される。プリアンプ18は、光電検出器
19の各受光面28.29.30の光電流を各々独立に
電流電圧変換し、受光面28゜29.30の受光量に対
応した電気信号8617゜38を、演算回路39に伝え
る。
ここで、ミラー5の位置決め幾行なうための信号検出系
について説明する。第8図に示したように、ストッパー
20の中央部には開口20aが形成されている。従って
、ミラー5が正規の位置にある場合には、ウェハ2で直
接反射した光りは開口20aを通過し、第9図に示すよ
うに光電検出器19の中央の2つの受光面29.30に
均等に入射する。この状態では、光電検出器19の電極
32.33には、等しい光電流が発生している。
について説明する。第8図に示したように、ストッパー
20の中央部には開口20aが形成されている。従って
、ミラー5が正規の位置にある場合には、ウェハ2で直
接反射した光りは開口20aを通過し、第9図に示すよ
うに光電検出器19の中央の2つの受光面29.30に
均等に入射する。この状態では、光電検出器19の電極
32.33には、等しい光電流が発生している。
従ってプリアンプ18の出力37.88(第7図の受光
面29.80に対応)も等しい値となる。
面29.80に対応)も等しい値となる。
この場合には、演算回路89はドライバー40に対して
何の指示も与えないため、ミラー5は適正な位置を維持
する。
何の指示も与えないため、ミラー5は適正な位置を維持
する。
一方ミラー5が、第2図の正規の位置aかられずかに矢
印iで示す方向にずれたとする。すると光電検出器19
の受光面29.80に当る先りは、第10図に示す様に
ずれる。この時、光電検出器19の受光面29及び80
で検出される光量は不均等となり、光電検出器19の電
極32.38に現われる光電流も該光量に対応して不均
等となる。
印iで示す方向にずれたとする。すると光電検出器19
の受光面29.80に当る先りは、第10図に示す様に
ずれる。この時、光電検出器19の受光面29及び80
で検出される光量は不均等となり、光電検出器19の電
極32.38に現われる光電流も該光量に対応して不均
等となる。
従って、プリアンプ18で出力される電気信号37゜・
38も不均等となる。演算回路14はプリアンプの電気
信号3’7.38の大小を比較することにより、ミラー
5のずれている方向を知る。そして電気信号37.38
が等しくなるまで、ドライバー40を介してパルスモー
タ7を回転し、ミラー5の位置を修正する。
38も不均等となる。演算回路14はプリアンプの電気
信号3’7.38の大小を比較することにより、ミラー
5のずれている方向を知る。そして電気信号37.38
が等しくなるまで、ドライバー40を介してパルスモー
タ7を回転し、ミラー5の位置を修正する。
次に、上記ミラー5の位置決めが終了後、マスクlとウ
ェハ2との位置合わせを行なうための信号検出系につい
て説明する。第2図の装置において、ウェハ2上には第
3図(1)に示す様なハの字形のパターン21.22.
28.24より成る整合用マークMが形成されている。
ェハ2との位置合わせを行なうための信号検出系につい
て説明する。第2図の装置において、ウェハ2上には第
3図(1)に示す様なハの字形のパターン21.22.
28.24より成る整合用マークMが形成されている。
また、マスク2上には第8図(11)の様なハの字形の
パターン25.26より成る整合用マークM′が形成さ
れている。レーザビームでこれらのマーク(M、M’)
の」二を、スキャン軸Cにそってスキャンし1上記マ一
クM。
パターン25.26より成る整合用マークM′が形成さ
れている。レーザビームでこれらのマーク(M、M’)
の」二を、スキャン軸Cにそってスキャンし1上記マ一
クM。
M′が第8図曲)のような位置関係となるように移動ス
テージ12を動かし、マスクlとウエノh2の整合をと
るわけである。ここで、マスクl又はウェハ2上の各々
のマークM 、 M’に当ったレーザビームは、第4図
に示すように散乱され、散乱光d〜gとなる。この散乱
光d−gは、ストッパー20の周辺部の開口20bを通
過して、第9図に示すように、光電検出器16の受光面
28で暗視野検出される。(該暗視野検出に関しては、
第1図の従来の装置においても同様に行なわれ、散乱光
d〜gはストッパー17を介して、第6図に示すように
光電検出器16の受光面16aで暗視野検出される。)
検出された散乱光d−gはプリアンプ18で増幅され、
電気信号36として演算回路89に導かれる。演算回路
89は、電気信号86から、マスクlとウエノX2との
ずれ量をめる。ドライバー13が該ずれ量に基づき移動
ステージ12を動かし、マスクlとウエノ12とを整合
させる。
テージ12を動かし、マスクlとウエノh2の整合をと
るわけである。ここで、マスクl又はウェハ2上の各々
のマークM 、 M’に当ったレーザビームは、第4図
に示すように散乱され、散乱光d〜gとなる。この散乱
光d−gは、ストッパー20の周辺部の開口20bを通
過して、第9図に示すように、光電検出器16の受光面
28で暗視野検出される。(該暗視野検出に関しては、
第1図の従来の装置においても同様に行なわれ、散乱光
d〜gはストッパー17を介して、第6図に示すように
光電検出器16の受光面16aで暗視野検出される。)
検出された散乱光d−gはプリアンプ18で増幅され、
電気信号36として演算回路89に導かれる。演算回路
89は、電気信号86から、マスクlとウエノX2との
ずれ量をめる。ドライバー13が該ずれ量に基づき移動
ステージ12を動かし、マスクlとウエノ12とを整合
させる。
上述したようにして、ミラー5の位置決めならびにマス
クlとウェハ2との位置合わせが完了した後、ミラー5
を位置aから位置bK戻して、露光用照明装置4のシャ
ッター(不図示)を開き、露光を開始することになる。
クlとウェハ2との位置合わせが完了した後、ミラー5
を位置aから位置bK戻して、露光用照明装置4のシャ
ッター(不図示)を開き、露光を開始することになる。
なお前記実施例で、光電検出器19の中央の受光面29
.30は2分割に限ったことではない。
.30は2分割に限ったことではない。
第11図に他の実施例を示す。これは、受光面を更に2
分割して4つの受光面50.51.52゜53を形成し
たものである。このようにすれば、更にも5−軸方向に
ついて、ミラー5のずれ量を測定出来る。更に、受光面
29.80等はフォトダイオードの様な光電検出素子の
みでなく、光電型のポジションセンサーのような、少な
くとも1次元方向の光の入射位置を検出する素子であっ
てもかまわない。
分割して4つの受光面50.51.52゜53を形成し
たものである。このようにすれば、更にも5−軸方向に
ついて、ミラー5のずれ量を測定出来る。更に、受光面
29.80等はフォトダイオードの様な光電検出素子の
みでなく、光電型のポジションセンサーのような、少な
くとも1次元方向の光の入射位置を検出する素子であっ
てもかまわない。
第12図に更に他の実施例を示す。これは、中央部に直
接反射光を検知するための受光面を特に設けていない。
接反射光を検知するための受光面を特に設けていない。
その代わりに、前述したような整合用マークからの散乱
光を暗視野検出するための受光面を4分割して、4つの
受光面60.61゜62.63を形成したものである。
光を暗視野検出するための受光面を4分割して、4つの
受光面60.61゜62.63を形成したものである。
各受光面60〜63の受光量に対応した信号が独立に取
出せるように不図示の電極が設けてあ、る。またここで
は、第5図に示したような、周辺部にのみ開口を持つス
トッパーを使用する。従って本実施例では、各受光面6
0〜63の光量バランスをめることによって、前記実施
例と同様にして、第2図のミラー5の位置検出を行なう
ことかできる。ただしこの場合、受光面60〜68に入
射する光は全て整合用マークからの散乱光であるので、
ミラー5の位置を制御しようとする時に、この散乱光が
受光面内に完全に入っていること、すなわち第2図の対
物レンズ8の視野内に上記整合用マークが入っている状
態であることが必要である。
出せるように不図示の電極が設けてあ、る。またここで
は、第5図に示したような、周辺部にのみ開口を持つス
トッパーを使用する。従って本実施例では、各受光面6
0〜63の光量バランスをめることによって、前記実施
例と同様にして、第2図のミラー5の位置検出を行なう
ことかできる。ただしこの場合、受光面60〜68に入
射する光は全て整合用マークからの散乱光であるので、
ミラー5の位置を制御しようとする時に、この散乱光が
受光面内に完全に入っていること、すなわち第2図の対
物レンズ8の視野内に上記整合用マークが入っている状
態であることが必要である。
この点、前記第9〜第11図に示した実施例では整合用
マークからの散乱光とウェハ又はマスクからの直接反射
光とを同一光軸上で検出出来る様にした光電検出器を用
いているので、ミラー5の位置を検出するにあたり、対
物レンズの視野内に前記整合用のマークが入っている必
要はなくなりウェハ又はマスク面上からの直接反射光さ
え検出出来れば、任意の時に前記ミラー5の精密位置制
御が出来る。
マークからの散乱光とウェハ又はマスクからの直接反射
光とを同一光軸上で検出出来る様にした光電検出器を用
いているので、ミラー5の位置を検出するにあたり、対
物レンズの視野内に前記整合用のマークが入っている必
要はなくなりウェハ又はマスク面上からの直接反射光さ
え検出出来れば、任意の時に前記ミラー5の精密位置制
御が出来る。
なお、前述した各実施例では、位置検出すべき光学素子
として特にミラーを挙げたが、これに限定されることは
なく、レンズ等の位置検出にも本発明を適用し得るもの
である。
として特にミラーを挙げたが、これに限定されることは
なく、レンズ等の位置検出にも本発明を適用し得るもの
である。
以上説明したように、本発明に係る位置検出装置は、整
合用マークからの光信号を検出するための光路上に配設
されることにより、該光軸上で光学素子のずれ量を検知
することを可能としたものである。そのため、光学素子
の位置を検出するための光路と、該位置検出に基づいた
上記光学素子の位置決め後に、実際に整合用マークを検
知するための光路との間に、全く誤差が生じない。従っ
て、上記光学素子の非常に安定した位置再現性を得るこ
とができると同時に、マスクとウェハの位置合わせ精度
を非常に高めることができる。更には、位置合わせ装置
の組立て調整あるいは保守等においても、従来要求され
たような極めて精密な調整は不要となり、また上記光学
素子の位置検出のための新たな光路及び光学素子等を特
に設ける必要のない、構成が簡単で安定した位置合わせ
装置を実現できるという非常に優れた効果を奏するもの
である。
合用マークからの光信号を検出するための光路上に配設
されることにより、該光軸上で光学素子のずれ量を検知
することを可能としたものである。そのため、光学素子
の位置を検出するための光路と、該位置検出に基づいた
上記光学素子の位置決め後に、実際に整合用マークを検
知するための光路との間に、全く誤差が生じない。従っ
て、上記光学素子の非常に安定した位置再現性を得るこ
とができると同時に、マスクとウェハの位置合わせ精度
を非常に高めることができる。更には、位置合わせ装置
の組立て調整あるいは保守等においても、従来要求され
たような極めて精密な調整は不要となり、また上記光学
素子の位置検出のための新たな光路及び光学素子等を特
に設ける必要のない、構成が簡単で安定した位置合わせ
装置を実現できるという非常に優れた効果を奏するもの
である。
第1図はマスクとウェハの従来の位置合わせ装置を示す
概略構成図、第2図は本発明の一実施例を適用した位置
合わせ装置を示す概略構成図、第3図(1)〜(曲はウ
ェハ及びマスク上の整合用マークの模式図、第4図は整
合用マークによるレーザ光の散乱を示す説明図、第5図
は従来のストッパーの平面図、第6図は従来の光電検出
器に散乱光が当った状態を示す模式図、第7図は本発明
に係る光電検出器の一実施例を示す斜視図、第8図は本
発明に係るストッパーの一実施例を示す平面図。 第9図及び第10図は第7図の光電検出器に散乱光及び
直接反射光が当った状態を示し、第9図は光学素子が適
正な位置にある場合の模式図、第10図は光学素子がず
れた位置にある場合の模式図。 第11図及び第12図は光電検出器の他の実施例に散乱
光及び直接反射光が当った状態を示す模式%式% 9 M 、 M’・・・・・・・・・・・・・・・整合用マ
ーク。 特許出願人 キャノン株式会社
概略構成図、第2図は本発明の一実施例を適用した位置
合わせ装置を示す概略構成図、第3図(1)〜(曲はウ
ェハ及びマスク上の整合用マークの模式図、第4図は整
合用マークによるレーザ光の散乱を示す説明図、第5図
は従来のストッパーの平面図、第6図は従来の光電検出
器に散乱光が当った状態を示す模式図、第7図は本発明
に係る光電検出器の一実施例を示す斜視図、第8図は本
発明に係るストッパーの一実施例を示す平面図。 第9図及び第10図は第7図の光電検出器に散乱光及び
直接反射光が当った状態を示し、第9図は光学素子が適
正な位置にある場合の模式図、第10図は光学素子がず
れた位置にある場合の模式図。 第11図及び第12図は光電検出器の他の実施例に散乱
光及び直接反射光が当った状態を示す模式%式% 9 M 、 M’・・・・・・・・・・・・・・・整合用マ
ーク。 特許出願人 キャノン株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ill マスクとウェハの相対的な位置合わせを行うた
めに使用される整合用マークを検出または観察するため
の光学系に使用されている光学素子の位置を検出する検
出装置であって、前記整合用マークからの光信号を検出
するための光路上に配設されたことを特徴とする位置検
出装置。 (2) 前記位置検出装置は少なくとも一次元方向の光
の入射位置を読取れる特許請求の範囲第1項に記載の位
置検出装置。 (3) 前記位置検出装置は、中央部に少なくとも2つ
、及び周辺部に少なくとも1つの各々独立した受光面を
有し、該各々の受光面の光電流を各々独立に取出せるよ
うに構成されており、前記整合用マークからの散乱光の
暗視野検出には前記周辺部の受光面を用い、前記ウェハ
またはマスクからの直接反射光の検出には前記中央部の
受光面を用いることを特徴とする特許請求の範囲第1項
または第2項に記載の位置検出装置。 (4) 前記位置検出装置は、前記整合用マークからの
散乱光を通過させるための周辺部の開口と、前記ウェハ
またはマスクからの直接反射光を通過させるための中心
部の開口とを持つストッパーに有することを特徴とする
特許請求の範囲第3項に記載の位置検出装置。 (5)前記光学素子はミラーであることを特徴とする特
許請求の範囲第1項乃至第4項のいずれがひとつに記載
の位置検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59075843A JPS60220348A (ja) | 1984-04-17 | 1984-04-17 | 位置合せ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59075843A JPS60220348A (ja) | 1984-04-17 | 1984-04-17 | 位置合せ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60220348A true JPS60220348A (ja) | 1985-11-05 |
| JPH0358529B2 JPH0358529B2 (ja) | 1991-09-05 |
Family
ID=13587887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59075843A Granted JPS60220348A (ja) | 1984-04-17 | 1984-04-17 | 位置合せ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60220348A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS636840A (ja) * | 1986-06-26 | 1988-01-12 | Nikon Corp | アライメント装置 |
| JP2007043199A (ja) * | 1994-08-17 | 2007-02-15 | Asml Us Inc | 走査形写真平版のためのオフ軸アライメント装置及び写真平版ツール |
-
1984
- 1984-04-17 JP JP59075843A patent/JPS60220348A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS636840A (ja) * | 1986-06-26 | 1988-01-12 | Nikon Corp | アライメント装置 |
| JP2007043199A (ja) * | 1994-08-17 | 2007-02-15 | Asml Us Inc | 走査形写真平版のためのオフ軸アライメント装置及び写真平版ツール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0358529B2 (ja) | 1991-09-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4477185A (en) | Optical imaging apparatus | |
| GB1519469A (en) | Position determination | |
| EP0871072A2 (en) | Multiple detector alignment system for photolithography | |
| US4801208A (en) | Projection type exposing apparatus | |
| US4710029A (en) | Projection type exposing apparatus | |
| JPS60220348A (ja) | 位置合せ装置 | |
| US4380395A (en) | Reduction projection aligner system | |
| JPS62140418A (ja) | 面位置検知装置 | |
| JPH056564A (ja) | 光デイスク読取り装置におけるトラツキング誤差検出方式 | |
| JPS6370110A (ja) | 距離測定装置 | |
| RU2840105C1 (ru) | Рефлектометр | |
| JPS60169706A (ja) | 表面形状測定装置 | |
| JPS61223604A (ja) | ギヤツプ測定装置 | |
| SU781891A1 (ru) | Звукосниматель | |
| JP3204726B2 (ja) | エッジセンサ | |
| JPS63206682A (ja) | 光電スイツチ | |
| RU1768967C (ru) | Устройство дл контрол шероховатости поверхности | |
| SU1404816A1 (ru) | Устройство дл измерени отклонени от пр молинейности | |
| JPS60181745A (ja) | 光学装置 | |
| JPH0412407Y2 (ja) | ||
| JPS6172214A (ja) | 焦点検出装置 | |
| JPH03123812A (ja) | 面ブレセンサ | |
| JPS62217125A (ja) | 赤外線検知装置 | |
| JPS59160371A (ja) | 画像走査記録装置における記録用投影光の調節方法 | |
| JPH02226034A (ja) | レンズ偏心測定装置 |