JPH0358529B2 - - Google Patents
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- JPH0358529B2 JPH0358529B2 JP59075843A JP7584384A JPH0358529B2 JP H0358529 B2 JPH0358529 B2 JP H0358529B2 JP 59075843 A JP59075843 A JP 59075843A JP 7584384 A JP7584384 A JP 7584384A JP H0358529 B2 JPH0358529 B2 JP H0358529B2
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- light
- mirror
- light receiving
- wafer
- mask
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、整合用マークを光電検出することに
よりマスクとウエハの位置合わせを行なう位置合
せ装置に関する。
よりマスクとウエハの位置合わせを行なう位置合
せ装置に関する。
第1図は、従来のマクス及びウエハの位置合わ
せ装置で使用される、マスク及びウエハの観察用
光学系の一例である。同図で、マスク1とウエハ
2を位置合わせしようとする場合には、レーザ光
源11から出たレーザビームLを、スキヤン用ポ
リゴンミラー10、ハーフミラー9、対物レンズ
8、ミラー5を介してマスク1に入射する。この
光は投影レンズ3を経てウエハ2上で反射され、
再びミラー5、対物レンズ8、ハーフミラー9、
ストツパー17(第5図に示す)を経て光源検出
器16に入射する。ウエハ2及びマスク1上のレ
ーザビームの光路上には第3図に示すような整合
用のマークM,M′がある。このマークM,M′か
らの信号を光電検出器16で検出し、プリアンプ
15で増幅し、演算装置14でウエハ1とマスク
2のずれ量を求める。該ずれ量に基づき、ドライ
バー13を介して移動ステージ12を動かし、マ
スク1とウエハ2を整合させるわけである。この
ようにしてウエハ1及びマスク2の位置が合つた
ならば、次に露光用照明装置4のシヤツター(不
図示)を開き、露光するのである。
せ装置で使用される、マスク及びウエハの観察用
光学系の一例である。同図で、マスク1とウエハ
2を位置合わせしようとする場合には、レーザ光
源11から出たレーザビームLを、スキヤン用ポ
リゴンミラー10、ハーフミラー9、対物レンズ
8、ミラー5を介してマスク1に入射する。この
光は投影レンズ3を経てウエハ2上で反射され、
再びミラー5、対物レンズ8、ハーフミラー9、
ストツパー17(第5図に示す)を経て光源検出
器16に入射する。ウエハ2及びマスク1上のレ
ーザビームの光路上には第3図に示すような整合
用のマークM,M′がある。このマークM,M′か
らの信号を光電検出器16で検出し、プリアンプ
15で増幅し、演算装置14でウエハ1とマスク
2のずれ量を求める。該ずれ量に基づき、ドライ
バー13を介して移動ステージ12を動かし、マ
スク1とウエハ2を整合させるわけである。この
ようにしてウエハ1及びマスク2の位置が合つた
ならば、次に露光用照明装置4のシヤツター(不
図示)を開き、露光するのである。
この時、ミラー5が位置aにあると、ミラー5
の影がマスク1上に出来、マスク1上に焼付けら
れない部分又は照度むらが発生する。このため、
露光に先だつて、ミラー5を焼付光の当らない位
置bへ移動する必要がある。そして、焼付が終つ
たなら、再び次の焼付のための位置合わせを行な
うべく、ミラー5を位置aへもどす。この位置a
の再現性は重要で、ミラー5のわずかの傾きの狂
いによつてもレーザビームの入射経路が変わり、
マスク1とウエハ2のずれ量の測定に誤差を与え
る。
の影がマスク1上に出来、マスク1上に焼付けら
れない部分又は照度むらが発生する。このため、
露光に先だつて、ミラー5を焼付光の当らない位
置bへ移動する必要がある。そして、焼付が終つ
たなら、再び次の焼付のための位置合わせを行な
うべく、ミラー5を位置aへもどす。この位置a
の再現性は重要で、ミラー5のわずかの傾きの狂
いによつてもレーザビームの入射経路が変わり、
マスク1とウエハ2のずれ量の測定に誤差を与え
る。
従来このようなミラー5等の光学素子の駆動
は、フオトスイツチ(不図示)による位置検出、
又はパルスモータ7等によるオープンループの制
御によつて行なわれていた。
は、フオトスイツチ(不図示)による位置検出、
又はパルスモータ7等によるオープンループの制
御によつて行なわれていた。
しかし、このような制御では、振動、ガタ等に
対する機械的及び経済的な安定性に乏しいこと精
度の高いフオトスイツチを得るのが困難なこと、
更には装置の組立て時に非常に精密な調整を必要
とすること等の問題点があつた。
対する機械的及び経済的な安定性に乏しいこと精
度の高いフオトスイツチを得るのが困難なこと、
更には装置の組立て時に非常に精密な調整を必要
とすること等の問題点があつた。
本発明の目的は、上述の問題点を解消し、マス
クとウエハの位置合せ精度を向上させることので
きる位置合せ装置を提供することにある。
クとウエハの位置合せ精度を向上させることので
きる位置合せ装置を提供することにある。
上述の目的を達成するために、本発明は、整合
用マークを光電検出することによりマスクとウエ
ハの位置合わせを行なう位置合せ装置において、
前記整合用マークが設けられているマーク部分を
証明するための光ビームを発生する光源(レーザ
ー光源11)と、前記マーク部分と前記光源の間
の光路に関連するように配置され、前記光源から
の光ビームと前記マーク部分からの反射光のそれ
ぞれを偏向させるように反射するミラー5と、前
記ミラーを移動させるための駆動源(パルスモー
タ7)と、第1及び第2受光部を異なる位置に有
し、前記光路内から取出された前記マーク部分か
らの反射光の一部を前記第1受光部(受光面2
8)で光電検出することにより前記マスクと前記
ウエハの位置関係に応じた第1信号を発生し、前
記光路内から取出された前記マーク部分からの反
射光の他の一部によつて形成された光スポツトを
前記第2受光部(受光面29,30)で光電検出
することにより前記光スポツトの前記第2受光部
上での位置に応じた第2信号を発生する光電検出
器19と、前記光電検出器からの第1信号に基づ
いて前記マスクと前記ウエハの位置関係を調整す
るためのステージ(移動ステージ12)と、前記
ミラーで反射された前記光ビームが前記マーク部
分に所定の関係で照射されるように前記光電検出
器からの第2信号に基づいて前記駆動源による前
記ミラー位置調整を制御する制御回路(演算回路
14)を有している。
用マークを光電検出することによりマスクとウエ
ハの位置合わせを行なう位置合せ装置において、
前記整合用マークが設けられているマーク部分を
証明するための光ビームを発生する光源(レーザ
ー光源11)と、前記マーク部分と前記光源の間
の光路に関連するように配置され、前記光源から
の光ビームと前記マーク部分からの反射光のそれ
ぞれを偏向させるように反射するミラー5と、前
記ミラーを移動させるための駆動源(パルスモー
タ7)と、第1及び第2受光部を異なる位置に有
し、前記光路内から取出された前記マーク部分か
らの反射光の一部を前記第1受光部(受光面2
8)で光電検出することにより前記マスクと前記
ウエハの位置関係に応じた第1信号を発生し、前
記光路内から取出された前記マーク部分からの反
射光の他の一部によつて形成された光スポツトを
前記第2受光部(受光面29,30)で光電検出
することにより前記光スポツトの前記第2受光部
上での位置に応じた第2信号を発生する光電検出
器19と、前記光電検出器からの第1信号に基づ
いて前記マスクと前記ウエハの位置関係を調整す
るためのステージ(移動ステージ12)と、前記
ミラーで反射された前記光ビームが前記マーク部
分に所定の関係で照射されるように前記光電検出
器からの第2信号に基づいて前記駆動源による前
記ミラー位置調整を制御する制御回路(演算回路
14)を有している。
また、より好ましくは、前記ミラーと前記光電
検出器の間には周辺部に第1開口を有すると共に
中心部に第2開口を有するストツパー17が配置
され、前記第1受光部には前記第1開口を通過し
た前記反射光の一部が入射し、前記第2受光部に
は前記第2開口を通過した前記反射光の他の一部
が入射されている。
検出器の間には周辺部に第1開口を有すると共に
中心部に第2開口を有するストツパー17が配置
され、前記第1受光部には前記第1開口を通過し
た前記反射光の一部が入射し、前記第2受光部に
は前記第2開口を通過した前記反射光の他の一部
が入射されている。
本発明によれば、一つの光電検出器で整合用マ
ーク及びミラーの位置検出が可能となる。
ーク及びミラーの位置検出が可能となる。
以下、本発明の実施例について、図面を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
第2図は、本発明の一実施例を適用したマスク
及びウエハの位置合わせ装置の概略構成図であ
る。ここでは、第1図の光電検出器16の代わり
に、本実施例に係る光電検出器19を取付けてあ
る。すなわち、マスク1及びウエハ2上の整合用
マークからの反射光を検出するための光路P中
に、光電検出器19を配設したものである。
及びウエハの位置合わせ装置の概略構成図であ
る。ここでは、第1図の光電検出器16の代わり
に、本実施例に係る光電検出器19を取付けてあ
る。すなわち、マスク1及びウエハ2上の整合用
マークからの反射光を検出するための光路P中
に、光電検出器19を配設したものである。
光電検出器19は、第7図に示すように、中央
部に2つの受光面29,30を有し、その周辺部
に円状の受光面28を有している。受光面28,
29,30は各々独立した構成とする。更に光電
検出器19は、受光面28,29,30の各々の
受光量に対応した電気信号を独立に取出すための
電極31,32,33と、バイアス用の電極34
とを有する。
部に2つの受光面29,30を有し、その周辺部
に円状の受光面28を有している。受光面28,
29,30は各々独立した構成とする。更に光電
検出器19は、受光面28,29,30の各々の
受光量に対応した電気信号を独立に取出すための
電極31,32,33と、バイアス用の電極34
とを有する。
また第2図では、第5図に示したストツパー1
7の代わりに、第8図に示すようなストツパー2
0を用いている。ストツパー20は、中央部にひ
とつの開口20aを有し、周辺部に複数の開口2
0bを有する。
7の代わりに、第8図に示すようなストツパー2
0を用いている。ストツパー20は、中央部にひ
とつの開口20aを有し、周辺部に複数の開口2
0bを有する。
上記光電検出器19の各電極31,32,33
はプリアンプ18に接続される。プリアンプ18
は、光電検出器19の各受光面28,29,30
の光電流を各々独立に電流電圧変換し、受光面2
8,29,30の受光量に対応した電気信号3
6,37,38を、演算回路39に伝える。
はプリアンプ18に接続される。プリアンプ18
は、光電検出器19の各受光面28,29,30
の光電流を各々独立に電流電圧変換し、受光面2
8,29,30の受光量に対応した電気信号3
6,37,38を、演算回路39に伝える。
ここで、ミラー5の位置決めを行なうための信
号検出系について説明する。第8図に示したよう
に、ストツパー20の中央部には開口20aが形
成されている。従つて、ミラー5が正規の位置に
ある場合には、ウエハ2で直接反射した光hは開
口20aを通過し、第9図に示すように光電検出
器19の中央に2つの受光面29,30に均等に
入射する。この状態では、光電検出器19の電極
32,33には、等しい光電流が発生している。
従つてプリアンプ18の出力37,38(第7図
の受光面29,30に対応)も等しい値となる。
この場合には、演算回路39はドライバー40に
対して何の指示も与えないため、ミラー5は適正
な位置を維持する。
号検出系について説明する。第8図に示したよう
に、ストツパー20の中央部には開口20aが形
成されている。従つて、ミラー5が正規の位置に
ある場合には、ウエハ2で直接反射した光hは開
口20aを通過し、第9図に示すように光電検出
器19の中央に2つの受光面29,30に均等に
入射する。この状態では、光電検出器19の電極
32,33には、等しい光電流が発生している。
従つてプリアンプ18の出力37,38(第7図
の受光面29,30に対応)も等しい値となる。
この場合には、演算回路39はドライバー40に
対して何の指示も与えないため、ミラー5は適正
な位置を維持する。
一方ミラー5が、第2図の正規の位置aからわ
ずかに矢印iで示す方向にずれたとする。すると
光電検出器19の受光面29,30に当る先h
は、第10図に示す様にずれる。この時、光電検
出器19の受光面29及び30で検出される光量
は不均等となり、光電検出器19の電極32,3
3に現われる光電流も該光量に対応して不均等と
なる。従つて、プリアンプ18で出力される電気
信号37,38も不均等となる。演算回路14は
プリアンプの電気信号37,38の大小を比較す
ることにより、ミラー5のずれている方向を知
る。そして電気信号37,38が等しくなるま
で、ドライバー40を介してパルスモータ7を回
転し、ミラー5の位置を修正する。
ずかに矢印iで示す方向にずれたとする。すると
光電検出器19の受光面29,30に当る先h
は、第10図に示す様にずれる。この時、光電検
出器19の受光面29及び30で検出される光量
は不均等となり、光電検出器19の電極32,3
3に現われる光電流も該光量に対応して不均等と
なる。従つて、プリアンプ18で出力される電気
信号37,38も不均等となる。演算回路14は
プリアンプの電気信号37,38の大小を比較す
ることにより、ミラー5のずれている方向を知
る。そして電気信号37,38が等しくなるま
で、ドライバー40を介してパルスモータ7を回
転し、ミラー5の位置を修正する。
次に、上記ミラー5の位置決めが終了後、マス
ク1とウエハ2と位置合わせを行なうための信号
検出系について説明する。第2図の装置におい
て、ウエハ2上には第3図に示す様なハの字形
のパターン21,22,23,24より成る整合
用マークMが形成されている。また、マスク2上
には第3図の様なハの字形のパターン25,2
6より成る整合用マークM′が形成されている。
レーザビームでこれらのマーク(M,M′)の上
を、スキヤン軸CにそつてスキヤンL、上記マー
クM,M′が第3図のような位置関係となるよ
うに移動ステージ12を動かし、マスク1とウエ
ハ2の整合をとるわけである。ここで、マスク1
又はウエハ2上の各々のマークM,M′に当つた
レーザビームは、第4図に示すように散乱され、
散乱光d〜gとなる。この散乱光d〜gは、スト
ツパー20の周辺部の開口20bを通過して、第
9図に示すように、光電検出器16の受光面28
で暗視野検出される。(該暗視野検出に関しては、
第1図の従来の装置においても同様に行なわれ、
散乱光d〜gはストツパー17を介して、第6図
に示すように光電検出器16の受光面16aで暗
視野検出される。)検出された散乱光d〜gはプ
リアンプ18で増幅され、電気信号36として演
算回路39に導かれる。演山回路39は、電気回
路36から、マスク1とウエハ2とのずれ量を求
める。ドライバー13が該ずれ量に基づき移動ス
テージ12を動かし、マスク1とウエハ2とを整
合させる。
ク1とウエハ2と位置合わせを行なうための信号
検出系について説明する。第2図の装置におい
て、ウエハ2上には第3図に示す様なハの字形
のパターン21,22,23,24より成る整合
用マークMが形成されている。また、マスク2上
には第3図の様なハの字形のパターン25,2
6より成る整合用マークM′が形成されている。
レーザビームでこれらのマーク(M,M′)の上
を、スキヤン軸CにそつてスキヤンL、上記マー
クM,M′が第3図のような位置関係となるよ
うに移動ステージ12を動かし、マスク1とウエ
ハ2の整合をとるわけである。ここで、マスク1
又はウエハ2上の各々のマークM,M′に当つた
レーザビームは、第4図に示すように散乱され、
散乱光d〜gとなる。この散乱光d〜gは、スト
ツパー20の周辺部の開口20bを通過して、第
9図に示すように、光電検出器16の受光面28
で暗視野検出される。(該暗視野検出に関しては、
第1図の従来の装置においても同様に行なわれ、
散乱光d〜gはストツパー17を介して、第6図
に示すように光電検出器16の受光面16aで暗
視野検出される。)検出された散乱光d〜gはプ
リアンプ18で増幅され、電気信号36として演
算回路39に導かれる。演山回路39は、電気回
路36から、マスク1とウエハ2とのずれ量を求
める。ドライバー13が該ずれ量に基づき移動ス
テージ12を動かし、マスク1とウエハ2とを整
合させる。
上述したようにして、ミラー5の位置決めなら
びにマクク1とウエハ2との位置合わせが完了し
た後、ミラー5を位置aから位置bに戻して、露
光用照明装置4のシヤツター(不図示)を開き、
露光を開始することになる。
びにマクク1とウエハ2との位置合わせが完了し
た後、ミラー5を位置aから位置bに戻して、露
光用照明装置4のシヤツター(不図示)を開き、
露光を開始することになる。
なお前記実施例で、光露検出器19の中央の受
光面29,30は2分割に限つたことではない。
第11図に他の実施例を示す。これは、受光面を
更に2分割して4つの受光面50,51,52,
53を形成したものである。このようにすれば、
更にもう一軸方向について、ミラー5のずれ量を
測定出来る。更に、受光面29,30等はフオト
ダイオードの様な光電検出素子のみでなく、光電
型のポジシヨンセンサーのような、少なくとも1
次元方向の光の入射位置を検出する素子であつて
もかまわない。
光面29,30は2分割に限つたことではない。
第11図に他の実施例を示す。これは、受光面を
更に2分割して4つの受光面50,51,52,
53を形成したものである。このようにすれば、
更にもう一軸方向について、ミラー5のずれ量を
測定出来る。更に、受光面29,30等はフオト
ダイオードの様な光電検出素子のみでなく、光電
型のポジシヨンセンサーのような、少なくとも1
次元方向の光の入射位置を検出する素子であつて
もかまわない。
第12図に更に他の実施例を示す。これは、中
央部に直接反射光を検知するための受光部を特に
設けていない。その代わりに、前述したような整
合用マークからの散乱光を暗視野検出するための
受光面を4分割して、4つの受光面60,61,
62,63を形成したものである。各受光面6
0,63の受光面に対応した信号が独立に取出せ
るように不図示の電極が設けてある。またここで
は、第5図に示したような、周辺部にのみ開口を
持つストツパーを使用する。従つて本実施例で
は、各受光面60,63の光量バランスを求める
ことによつて、前記実施例と同様にして、第2図
のミラー5の位置検出を行なうことができる。た
だしこの場合、受光面60,63に入射する光は
全て整合用マークからの散乱光であるので、ミラ
ー5の位置を制御しようとする時に、この散乱光
が受光面内に完全に入つていること、すなわち第
2図の対物レンズ8の視野内に上記整合用マーク
が入つている状態であることが必要である。
央部に直接反射光を検知するための受光部を特に
設けていない。その代わりに、前述したような整
合用マークからの散乱光を暗視野検出するための
受光面を4分割して、4つの受光面60,61,
62,63を形成したものである。各受光面6
0,63の受光面に対応した信号が独立に取出せ
るように不図示の電極が設けてある。またここで
は、第5図に示したような、周辺部にのみ開口を
持つストツパーを使用する。従つて本実施例で
は、各受光面60,63の光量バランスを求める
ことによつて、前記実施例と同様にして、第2図
のミラー5の位置検出を行なうことができる。た
だしこの場合、受光面60,63に入射する光は
全て整合用マークからの散乱光であるので、ミラ
ー5の位置を制御しようとする時に、この散乱光
が受光面内に完全に入つていること、すなわち第
2図の対物レンズ8の視野内に上記整合用マーク
が入つている状態であることが必要である。
この点、前記第9〜11図に示した実施例では
整合用マークからの散乱光とウエハ又はマスクか
らの直接反射光とを同一光軸上で検出出来る様に
した光電検出器を用いているので、ミラー5の位
置を検出するにあたり、対物レンズの視野内に前
記整合用のマークが入つている必要はなくなり、
ウエハ又はマスク面上からの直接反射光さえ検出
出来れば、任意の時に前記ミラー5の精密位置制
御が出来る。
整合用マークからの散乱光とウエハ又はマスクか
らの直接反射光とを同一光軸上で検出出来る様に
した光電検出器を用いているので、ミラー5の位
置を検出するにあたり、対物レンズの視野内に前
記整合用のマークが入つている必要はなくなり、
ウエハ又はマスク面上からの直接反射光さえ検出
出来れば、任意の時に前記ミラー5の精密位置制
御が出来る。
以上説明したように、本発明によれば、整合マ
ークを光電検出することによりマスクとウエハの
位置合わせを行なう位置合せ装置において、前記
整合用マークが設けられているマーク部分を照明
するための光ビームを発生する光源と前記マーク
部分の間の光路に関連するように配置され、前記
光源さらの光ビームと前記マーク部分からの反射
光のそれぞれを偏向させるように反射するミラー
の位置を検出するための光路と、このミラーの位
置検出に基づいた該ミラーの位置決め後に、実際
に整合用マークを検知するための光路との間に、
全く誤差が生じない。
ークを光電検出することによりマスクとウエハの
位置合わせを行なう位置合せ装置において、前記
整合用マークが設けられているマーク部分を照明
するための光ビームを発生する光源と前記マーク
部分の間の光路に関連するように配置され、前記
光源さらの光ビームと前記マーク部分からの反射
光のそれぞれを偏向させるように反射するミラー
の位置を検出するための光路と、このミラーの位
置検出に基づいた該ミラーの位置決め後に、実際
に整合用マークを検知するための光路との間に、
全く誤差が生じない。
従つて、該ミラーの非常に安定した位置再現性
を得ることができると同時に、マスクとウエハの
位置合せ精度を非常に高めることができる。更に
は、位置合せ装置の組立あるいは保守等において
も、従来要求されていたような極めて精密な調整
を不要にできる。また、該ミラーの位置検出のた
めに新たな光学素子等を設ける必要がなく、構成
が簡単で安定した位置合せ装置を実現できるとい
う非常に優れた効果を有する。
を得ることができると同時に、マスクとウエハの
位置合せ精度を非常に高めることができる。更に
は、位置合せ装置の組立あるいは保守等において
も、従来要求されていたような極めて精密な調整
を不要にできる。また、該ミラーの位置検出のた
めに新たな光学素子等を設ける必要がなく、構成
が簡単で安定した位置合せ装置を実現できるとい
う非常に優れた効果を有する。
第1図はマスクとウエハの従来の位置合わせ装
置を示す概略構成図、第2図は本発明の一実施例
を適用した位置合わせ装置を示す概略構成図、第
3図〜はウエハ及びマスク上の整合用マーク
の模式図、第4図は整合用マークによるレーザ光
の散乱を示す説明図、第5図は従来のストツパー
の平面図、第6図は従来の光電検出器に散乱光が
当つた状態を示す模式図、第7図は本発明に係る
光電検出器の一実施例を示す斜視図、第8図は本
発明に係るストツパーの一実施例を示す平面図、
第9図及び第10図は第7図の光電検出器に散乱
光及び直接反射光が当つた状態を示し、第9図は
光学素子が適正な位置にある場合の模式図、第1
0図は光学素子がずれた位置にある場合の模式
図、第11図及び第12図は光電検出器の他の実
施例に散乱光及び直接反射光が当つた状態を示す
模式図である。 1……マスク、2……ウエハ、5……ミラー、
7……パルスモータ、19……光電検出器、20
……ストツパー、20a,20b……開口、2
8,29,30……受光面、31,32,33,
34……電極、50,51,52,53……受光
面、60,61,62,63……受光面、M,
M′……整合用マーク。
置を示す概略構成図、第2図は本発明の一実施例
を適用した位置合わせ装置を示す概略構成図、第
3図〜はウエハ及びマスク上の整合用マーク
の模式図、第4図は整合用マークによるレーザ光
の散乱を示す説明図、第5図は従来のストツパー
の平面図、第6図は従来の光電検出器に散乱光が
当つた状態を示す模式図、第7図は本発明に係る
光電検出器の一実施例を示す斜視図、第8図は本
発明に係るストツパーの一実施例を示す平面図、
第9図及び第10図は第7図の光電検出器に散乱
光及び直接反射光が当つた状態を示し、第9図は
光学素子が適正な位置にある場合の模式図、第1
0図は光学素子がずれた位置にある場合の模式
図、第11図及び第12図は光電検出器の他の実
施例に散乱光及び直接反射光が当つた状態を示す
模式図である。 1……マスク、2……ウエハ、5……ミラー、
7……パルスモータ、19……光電検出器、20
……ストツパー、20a,20b……開口、2
8,29,30……受光面、31,32,33,
34……電極、50,51,52,53……受光
面、60,61,62,63……受光面、M,
M′……整合用マーク。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 整合用マークを光電検出することによりマス
クとウエハの位置合わせを行なう位置合せ装置に
おいて、前記整合用マークが設けられているマー
ク部分を照明するための光ビームを発生する光源
と、前記マーク部分と前記光源の間の光路に関連
するように配置され、前記光源からの光ビームと
前記マーク部分からの反射光のそれぞれを偏向さ
せるように反射するミラーと、前記ミラーを移動
させるための駆動源と、第1及び第2受光部を異
なる位置に有し、前記光路内から取出された前記
マーク部分からの反射光の一部を前記第1受光部
で光電検出することにより前記マスクと前記ウエ
ハの位置関係に応じた第1信号を発生し、前記光
路内から取出された前記マーク部分からの反射光
の他の一部によつて形成された光スポツトを前記
第2受光部で光電検出することにより前記光スポ
ツトの前記第2受光部上での位置に応じた第2信
号を発生する光電検出器と、前記光電検出器から
の第1信号に基づいて前記マスクと前記ウエハの
位置関係を調整するためのステージと、前記ミラ
ーで反射された前記光ビームが前記マーク部分に
所定の関係で照射されるように前記光電検出器か
らの第2信号に基づいて前記駆動源による前記ミ
ラーの位置調整を制御する制御回路を有すること
を特徴とする位置合せ装置。 2 前記ミラーと前記光電検出器の間には周辺部
に第1開口を有すると共に中心部に第2開口を有
するストツパーが配置され、前記第1受光部には
前記第1開口を通過した前記反射光の一部が入射
し、前記第2受光部には前記第2開口を通過した
前記反射光の他の一部が入射することを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の位置合せ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59075843A JPS60220348A (ja) | 1984-04-17 | 1984-04-17 | 位置合せ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59075843A JPS60220348A (ja) | 1984-04-17 | 1984-04-17 | 位置合せ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60220348A JPS60220348A (ja) | 1985-11-05 |
| JPH0358529B2 true JPH0358529B2 (ja) | 1991-09-05 |
Family
ID=13587887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59075843A Granted JPS60220348A (ja) | 1984-04-17 | 1984-04-17 | 位置合せ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60220348A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS636840A (ja) * | 1986-06-26 | 1988-01-12 | Nikon Corp | アライメント装置 |
| US5477057A (en) * | 1994-08-17 | 1995-12-19 | Svg Lithography Systems, Inc. | Off axis alignment system for scanning photolithography |
-
1984
- 1984-04-17 JP JP59075843A patent/JPS60220348A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60220348A (ja) | 1985-11-05 |
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