JPS60220355A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、ｒ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザー光
なでの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に関す
る。

〔従来技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変鯛したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。中
でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザーと
しては小屋で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは半導体
レーザー（通常は６５０〜８２０　ｎ　ｍの発光波長を
有する）で像記祿を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点で
、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開昭５６−
８３７４６号公報に開示されているシリコン原子を含む
非晶質材料（以後「Ａ−８ｉＪ　と略記する）から成る
光受容部材が注目されている。

百年ら、光受容層を単層構成のＡ　−Ｓ　ｉ　層とする
と、その高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求
される１０１２Ωぼ　以上の暗抵抗を確保するには、水
素原子やハロゲン原子或いはこれ等に加えてボロン原子
とを付定の虚範囲で層中に制御された形で構造的ζこ含
有させる必要性がめる為に、層形成のコントロールを敵
密に行う必要がある等、光受容部材の設計に於ける許容
度に町成りの制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その尚光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開Ｎ５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特性
の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容
層内部に空乏ｌ−を形成したり、或いは特開昭５７〜５
２１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８
１５９号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報に
記載されである様に支持体と光受容）−の間、又は／及
び光受容ノーの上ｍ表面に障壁層を設けた多層構造とし
たりして、見損は上の暗抵抗を尚めた光受容部材が提案
されている。

この様な提案によって、Ａ−８ｉ　系光覚谷部材はその
商品化設計上の許容度に於いて、或いは製造上の管理の
容易性及び生産性に於いて飛隋的に進展し、商品化ζこ
向けての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層のノー厚に斑がある為に、レ
ーザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレ
ーザー元照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び
支持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び
層界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射
して来る反射光の夫々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間６周の画像を形成する場合には、画
像の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ光受容層に於ける該レーザー光の吸収が減
少してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光■。と上部界面１０２で反射した反射光几□　
、下部界面１０１で反射した反射光Ｒ３を示している。

層の平均層厚をｄ１屈折軍をｎ１尤の波長をＡとして、
ある層の層厚がなだらかに。−ｎ以上の層厚差で不均一
であると、反射光几Ｉ　Ｒ２が２ｎｄ−ｍλ（ｍは整数
、反射光は強め合う）と２ｎｄ−（ｍ＋−！−）Ｊ　（
ｍは整数、反射光は弱め合う）の条件のどちらに合うか
によって、ある層の吸収光量および透過光量に変化を生
じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる　その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
１象に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不部会を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±゛５００＾〜±１００００ｉの凹
凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開１１５
８−１６２９７５号公報）アルミニウム支持体表面を黒
色アルマイト処理したり、或いは、樹脂中にカーボン、
着色顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法
（例えば特開昭５７−１６５８４５号公報）、アルミニ
ウム支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サン
ドブラストにより砂目状の微細凹凸を設けたりして、支
持体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば特開
昭５７−１６５５４号公＠）等が提案されている。

百年ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が残存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生じ
、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はＡ−８４層を形成
する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される光受
容層の層品質が者しく低下すること、樹脂層がＡ−８ｉ
／−形成の除のプラズマによってダメージを受けて、本
来の吸収機能を低減させると共ζこ、表面状態の悪化に
よるその後のＡ−８ｔ層の形成をこ悪影響を与えること
等の不都合さを有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に、例えば入射光Ｉ０は、光受容層３０２の表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ□となり、残りは、
光受容層３０２の内部に進入して透過光Ｉ□となる。透
過光量、は、支持体３０２の表面に於いて、その一部は
、光散乱されて拡散光に１　、に、、に、・・となり、
残りが正反射されて反射光几２となり、その一部が出射
光Ｒ３となって外部に出て行く。従って、反射光Ｒ１と
干渉する成分である出射光几、が残留する為、依然とし
て干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーシ田ンを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則的に荒しても、第１
層４０２での底面での反射光Ｒ２第２層での反射光Ｒ０
，支持体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して、
光受容部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる。

従って、多層構成の光受容部材においては、支持体４０
１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全ｌこ防止
することは不可能であった。

又、サンドブ２スト等の方法によって支持体狭面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度ζこ不均一
があって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較的
大きな突起がランダム暑こ形成される機会が多く、斯か
る大きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因
となっていた。

又、単に支持体狭面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平
行になる。

したがって、その部分では入射光は２　ｎ　ｄ　１−ｍ
Ｊまたは２ｎｄ　□−（ｍ＋１／２）Ｊが成立ち夫々明
部または暗部となる。また、光受容層全体では光受容層
の層厚ｄ１．ｄ、、ｃ＋３１ｄ４の夫々の差の中の最大
が２ｎ以上である様な層厚の不均一性があるため明暗の
縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体狭面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画家形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つの目的は、機械的耐久性、特に耐摩耗
性、光受容特性に優れた光受容部材を提供することでも
ある。

〔発明の概要〕

本発明の光受容部材は、シリコン原子とゲルマニウム原
子とを含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコ
ン原子を含む非晶質材料で構成され、光導電性を示す第
２の層と、シリコン原子と炭素原子とを含む非晶質材料
からなる次面層とが支持体側より順に設けられた多層構
成の光受容層を有する光受容部材に於いて、前記第１の
層中に於けるゲルマニウム原子の分布状態が層厚方向に
不均一であると共に前記光受容層が７．−）レンジ内に
１対以上の非平行な界面を有し、該非平行な界面が、層
厚方向と垂直な面内の少なくとも一方向ζこ多数配列し
ている事を特徴とする。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本ＪＪＫ埋を説明するための説明
図である。

本発明は装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状を有す
る支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿って多
層構成の光受容層を有し、該光受容層は第６図の一部に
拡大して示されるように、第２層６０２の層厚がｄ、か
らｄ６と連続的に変化している為に、界面６０３と界面
６０４とは互いに傾向きを有している。従って、この微
小部分（ショートレンジ）Ｚに入射した可干渉性光は、
該微小部分ｌに於て干渉を起し、微小な干渉縞模様を生
ずる。

又、１Ｍ７図１こ示す様ｌこ第１層７０１と第２層７０
２の界面７０３と第２ノー７０２の自由茨面７０４とが
非平行であると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光Ｉ。

に対する反射光几□と出射光Ｒ３とはその進行方向が互
いに異る為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７
歯のｒ（Ｂ）Ｊ）に較べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（０）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（ｒ（Ｂ）Ｊ　）よりも非平行な場合
（ｒ（Ａ）Ｊ、）は干渉しても干渉縞模様の明暗の差が
無視し得る程度に小さくなる。

その結果、微小部分の入射光量は平均化される。

このことは、第６図に示す様に第２ノー６０２の層厚が
マクロ的にも不均一（ｄ、＋ｄ８）でも同様に伝える為
、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６図のｒ（
Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於いて照射側か
ら第２　＋＊まで可干渉性光が透過した場合に就いて本
発明の効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光量。

に対して、反射光Ｒ１，Ｒ２，Ｒ８Ｒ，、ＴＬ、が存在
する。その為各々の層で第７図を似りて前記に説明した
ことが生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分（ハ）に於て生ずる干渉縞は、微小部分の
大きさが照射光スポットｉより小さい為、即ち、解潅度
１投界より小さい為、画１砿に現われることはない。又
、仮にｍ＋象に現われているとしても眼の分解能以下な
ので実質的には同等支障を生じない。

本発明に於いて、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実
に揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に逸した微小部分の大きさｌ（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、ｌ≦Ｌであ
る。

又本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部分
ｌに於ける層厚の差（ｄ５−ｄ６）は、照射光の波長を
Ａとすると、 ｄ　ｓ　ｄ　ａ　ａ　２　、（ｎ　２第２層６０２の屈
折率）であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部分ｌのＪ
−厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくと
もいずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層
の層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件を
満足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界面
が平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於ける層厚の差が −（ｎ：層の屈折率） 　ｎ 以下である様に全領域に於て均一１−厚に形成され面層
には、機械的耐久性に対する保護層としての働き、およ
び光学的には反射防止層としての働きを主に荷わせるこ
とが出来る。

表面層は、次の条件を満たす時、反射防止層としての機
能を果すのｌこ適している。

即ち、表面層の屈折率をｎ１層厚をｄ、入射光の波長を
Ａとすると、 とした場合、狭面１−の屈折率ｎが −Ｖ１− を満し、且つ表面層の層厚ｄが、ｄ−４−ｎｌ又はる場
合、ａ−８ｉ：Ｈの屈折率は、約３．３であるので、表
面層としては、屈折率１．８２の材料が適している。ａ
−８１０ｓＨは、０の量を調整することにより、このよ
うな値の屈折率とすることが出来、かつ機械的耐久性１
層間の密着性及び電気的特性も十分に満足させることが
出来るので、表面層の材料としては最適なものである。

また表面層を反射防止層としての役割に重点を置く場合
には、表面層の層厚としては０．０５〜２μｍとされる
のがより望ましい。

光受容層を構成する第１の層、第２の層各層の形成には
本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為ｌこ、
層厚を光学的レベル、で正確に制御できることからプラ
ズマ気相法（ＰＯＶＤ法）、光ＯＶＤ法、熱ＯＶＤ法、
スパッタリング法が採用される。

支持体表面に設けられる凹凸は、７字形状の切刃を有す
るバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械の所定位
置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に従って設
計されたプログラムに従って回転させながら規則的に所
定方向に移動させることにより、支持体表面を正確に切
削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深さで形成
される。

この様な切削加工法によって形成される凹凸が作り出す
逆Ｖ字形線状突起部は、円筒状支持体の中心軸を中心に
した綿線構造″を有する。逆Ｖ字形突起部の綿線構造は
、二重、三重の多重綿線構造、又は交叉綿線構造とされ
ても差支えない。

或いは、綿線構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

支持体表面に設けられる凹凸の凸部の縦断面形状は形成
される各層の微小カラム内に於ける層厚の管理された不
均一化と、支持体と該支持体上に直接設けられる層との
間の良好な密着性や所望の電気的接触性を確保する為に
逆Ｖ字形とされるが、好ましくは第９図に示される様ζ
こ実質的に二等辺三角形、直角三角形成いは不等辺三角
形とされるのが望ましい。これ等の形状の中殊に二等辺
三角形、直角三角形が望ましい。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面ζこ設け
られる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した
上で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定され
る。

即ち、第１は光受容層を構成するＡ−８ｉ層は、層形成
される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応じ
て層品質は大きく変化する。

従って、Ａ−８ｉ光受容層の層品質の低下を招来しない
様に支持体表面に設けられる凹凸のディメンシロンを設
定する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成陵のクリーニングに於てクリーニングを完全ｌこ
行なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

上記したノー堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上
の問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果
、支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは５００μｍ
〜０．３ρｍ、より好ましくは２００μｍ〜１μｍ、最
適には５０μｍ〜５μｍであるのが望ましい。

又凹部の最大の深さは、好ましくは０．１μｍ〜５μｍ
、より好ましくは０．３μｍ〜３μｍ。

最適には０．６μｍ〜２μｍとされるのが望ましい。支
持体表面の凹部のピッチと最大深さが上記の範囲にある
場合、四部（又は線上突起部）の傾斜面の傾きは、好ま
しくは１度〜２０度、より好ましくは３度〜１５度、最
適には４贋〜１０度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
性に基く層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０
．１μｍ〜２μｍ、より好ましくは０．１μｍ〜１．５
μｍ、最適には０．２μｍ〜１μｍとされるのが望まし
い。

さらに本発明の光受容部材における光受容ノーはシリコ
ン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成さ
れた第１の層とシリコン原子を含む非晶質材料で構成さ
れ、光導電性を示す第２の層とが支持体側より順に設け
られた多層構成となっており、前記第１の層中に於ける
ゲルマニウム原子の分布状態が層厚方向に不均一となっ
ているため、極めて優れた電気的、光学的、光導電的特
性電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合ｔこ
は、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気
的特性が安定しており尚感度で、尚ＳＮ比を有するもの
であって、耐光疲労、繰返し“使用特性に長け、濃度が
高く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、
高品質の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザとマツチングに優れ、且つ光応
答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光受容部材に就で詳細に
説明する。

第１０図は、本発明の実施態様例の光受容部材の層構成
を説明するために模式的に示した模式的構成図である。

第１０図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体１００１の上に、光受容層１０００を有し
、該光受容Ｉｎ　１０００は自由狭面１００５を一方の
端面ｉご有している。

光受容層１０００は支持体１００１側よりゲルマニウム
原子を含有するａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）（以後「ａ　−Ｓ　
ｉ　Ｇ　ｅ　（Ｈ、Ｘ　）　Ｊと略−己する）で構成さ
れた第１の盾（Ｇ）ｔｏｏ２とＢ−８ｉ（ＨＸ）で構成
され、光導′成性を有する第２の層（Ｓ）１００３と表
面層１００６とが順に積層された層構造を有する。・ 第１の層（Ｇ）１００２中に含有されるゲルマニウム原
子は、該第１の層（Ｇ）１００２の層厚方向には連続的
であって且つ前記支持体１００１の設けられである側と
は反対の側（光受容層１００１の表面１００５側）の方
に対して前記支持体１００１側の方に多く分布した状態
となる様に前記第１の層（Ｇ）１００２中に官有される
。

本発明の光受容部材においては、第１の層（Ｇ）中に含
有されるゲルマニウム原子の分布状態は、層厚方向にお
いては、前記の様な分布状態を取り、支持体の表面と平
行な面内方向には均一な分布状態とされるのが望才しい
ものである。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）上に設けられる第２
の）＊　（Ｓ　）中には、ゲルマニウム原子は含有され
ておらず、この様な層構造に光受容層を形成することに
よって、可視光領域を含む、比較的短波長から比較的短
波長迄の全領域の波長の光に対して光感度が優れている
光受容部材として得るものである。

又、第１の層（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分布
状態は全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布し、
ゲルマニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが支持体側よ
り第２の層（Ｓ）に向って減少する変化が与えられてい
るので、第１の層（Ｇ）と第２の１ｍ　（Ｓ　）　（！
：の間に於ける親和性に優れ、且つ後述する様に、支持
体側端部に於いてゲルマニウム原子の分布濃度Ｏを極端
に大きくすることにより、半導体レーザ等を使用した場
合の第２の層（Ｓ）では殆ど吸収しきれない長波長側の
光を第１の層ＣＧ）に於いて、実質的に完全に吸収する
ことが出来、支持体面からの反射による干渉を防止する
ことが出来る。

又、本発明の光受容部材に於いては、第１の層（Ｇ）と
第２の層（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々がシリコ
ン原子という共通の構成要素を有しているので積層界面
に於いて化学的な安定性の確保が充分成されている。

第１１図乃至第１９図には、本発明における光受容部材
の第１のｔｔ４　（Ｇ　）中に含有されるゲルマニウム
原子の層厚方向の分布状態の典型的例が示される。

第１１図乃至第１９図において、横軸はゲルマニウム原
子の分布濃度０を、縦軸は、第１の層（Ｇ）の層厚を示
し、ｔＢは支持体側の第１の層（Ｇ）の端面の位置を、
ｔＴは支持体側とは反対側の層（Ｇ）の端面の位置を示
す。即ち、ゲルマニウム原子の含有される第１の層（Ｇ
）はｔＢ側よりｔＴ側に向って層形成がなされる。

第１１図には、第１の層（Ｇ）に含有されるゲルマニウ
ム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される
。

第１１図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有さ
れる第１の層（Ｇ）が形成される表面と該第１の層（Ｇ
）の狭面とが接する界面位置ｔＢよりｔＩの位置までは
、ゲルマニウム原子の分布濃度０がＣｉなる一定の値を
取り乍らゲルマニウム原子が形成される第１の層（Ｇ）
に含有され、位置ｔ■よりは濃度０□より界面位置ｔＴ
に至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位置ｔ
Ｔにおいてはゲルマニウム原子の分布濃度０は０□とさ
れる。

第１２図に示される例においては、含有されるゲルマニ
ウム原子の分布濃度０は位置ｔＢより位置ｔＴに至るま
で濃度０４から徐々に連続的の減少して位置ｔＴにおい
て濃度０．となる様な分布状態を形成している。

第１３図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ２までは、ゲ
ルマニウム原子の分布濃度０は濃度０６と一定値とされ
、位置ｔ２と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的の
減少され、位置ｔＴにおいて、分布濃度０は実質的に零
とされている（ここで実質的に零とは検出限界瀘未滴の
場合である）。

第１４図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位置１Ｂより位置ｔＴに至るまで、濃度０８より連続的
に徐々に減少され、位置ｔＴにおいて実質的に零とされ
ている。

第１５図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の分布濃
度０は、位置ｔＢと位ｔｉ１３間においては、濃度０．
と一定値であり、位１ｉ　ｔ　Ｔに於ては濃度Ｃ０゜と
される。位置ｔ３と位置ｔＴとの間では、分布濃度０は
一次関数的に位置ｔ、より位置１Ｔに至るまで減少され
ている。

第１６図に示される例においては、分布濃度０は位置ｔ
Ｂより位置ｔ４までは濃度０１、の一定値を取り、位置
ｔ４より位置ｔＴまでは練度０．２より濃度０１３まで
一次関数的に減少する分布状態とされている。

第１７図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔＴに
至る才で、ゲルマニウム原子の分布濃度０は濃度０１４
より実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第１８図においては、位置ｔＢより位ｔｉｊｊｔ　ｔ　
ｓに至まではゲルマニウム原子の分布濃度０は、濃度０
０．より濃度０．６まで一次関数的に減少され、位置ｔ
５と位置ｔＴとの間においては、濃度０□６の一定値と
された例が示されている。

第１９図に示される例において、ゲルマニウム原子の分
布濃度０は、位置１Ｂにおいて濃度０．７であり、位置
１６に至るまではこの濃度Ｃ１７より初めはゆっくりと
減少され、ｔ６の位置付近においては、急激に減少され
て位置ｔ６では濃度０１８とされる。

位置ｔ６と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ７
で濃度０１９となり、位ｗｔ、と位置ｔ８との間では、
極めてゆっくりと徐々に減少されて位置ｔ８において、
濃度Ｃ２ｏに至る。位置ｔ８と位置ｔＴとの間において
は濃度ｃ２ｏより実質的に零になる様に図に示す如き形
状の曲線に従って減少されている。

以上、第１１図乃至第１９図により、第１の層（Ｇ）中
に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の
典型例の幾つかを説明した様に、本発明においては、支
持体側において、ゲルマニウム原子の分布濃度０の高い
部分を有し、界面ｔ、側においては、前記分布濃度０は
支持体側に比べて可成り低くされた部分を有するゲルマ
ニウム原子の分布状態が第１の層（Ｇ）に設けられてい
る。

本発明における光受容部材を構成する光受容層を構成す
る第１の層（Ｇ）は好ましくは上記した様に支持体側の
方にゲルマニウム原子が比較的高濃度で含有されている
局在領域（Ａ）を有するのが望ましい。

本発明においては局在領域（Ａ）は、ｆＪ　１１図乃至
第１９図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢ
より５μ以内に設けられるのが望ましいものである。

本９６明に於ては、上記局在領域（Ａ）は、界面位ｒＩ
ｔｔＢより５μ厚までの全層領域（ＬＴ）とされる場合
もあるし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もあ
る。

局在領域（Ａ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜決められる。

局在領域（Ａ）はその中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布濃
度の最大値ＯｍａＸがシリコン原子に対して、好ましく
は１０００ａｔ１０００ａｔｏ以上、より好適には５０
００ａｔｏｍｉｃｐｐｍ以上、最適にはｌＸｌ０’　ａ
ｔｏｍｉｃｐｐｍ以上とされる様な分布状態となり得る
様に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
る第１の層は、支持体側からの層厚で５μ以内（ｔＢか
ら５μＩ−の層領域に分布濃度の最大値Ｏｍ　ａ　ｘが
存在する様に形成されるのが好ましいものである。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２の
１１　（Ｓ　）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又は
ハロゲン原子（Ｘ）の瀘または水素原子とハロゲン原子
の菫の相（Ｈ十Ｘ　）は、好ましくは１〜４０ａｔｏｍ
ｊｃ％、より好適には５〜３０ａｔｏｍｉｃ％、最適ｌ
こは５〜２　Ｓ　ａｔｏｍｉｃチとされるのが望ましい
。

本発明において、第１のＩｌｉ中に含有されるゲルマニ
ウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に達
成される様に所望に従って適宜決められるが、好ましく
は１〜９−５Ｘ１０　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ、より好まし
くは１００〜８Ｘ１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、最適に
は５００〜７×１０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされるの
が望ましいものである。

本発明に於いて第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との層
厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な因
子の１つであるので形成される光受容部材に所望の特性
が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に充分な
る注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢは、好まし
くは３０λ〜５０μ、よりダましくは、４０λ〜４０μ
、最適には、５０ｉ〜３０μとされるのが望ましい。

又、第２の層（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５〜９
０μ、より好ましくは１〜８０μ、最適には２〜５０μ
とされるのが望ましい。

第１のノー（Ｇ）の層厚ＴＢと第２のＩｆｊＪ　（Ｓ　
）の層厚Ｔの和（ＴＢ十Ｔ）としては、両層領域に要求
される特性と光受容層全体に要求される特性との相互間
の有機的関連性に基いて、光受容部材の層設針の際に所
望に従って、適宜決定される。

本発明の光受容部材ｌこ於いては、上記の（ＴＢ十Ｔ）
の数値範囲としては、好ましくは１〜１００ｐ１より好
適には１〜Ｂθμ、最適には２〜５０μとされるのが望
ましい。

本発明のより好ましい実癩態様例に於いては、上記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴＢ／Ｔ≦１な
る関係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な数値が
選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚ＴｃＪ）数値の選
択に於いて、より好ましくは、ＴＢ／Ｔ≦０．９最適に
はＴＢ／Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層厚ＴＢ
及び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいものである。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）中に含有される゛ゲル
マニウム原子の含有量がＩ　Ｘ　１０　’ａｔｏｍｉｃ
ｐｐｍ以上の場合には、第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢとし
ては、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３０
μ以下、より好ましくは２５μ以下、最適には２０μ以
下とされるのが望ましいものである。

本発明において、必要に応じて光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）及び第２の層（Ｓ）中に含有されるハロゲン
原子ＣＸ”）としては、具体的にはフッ素、塩素、臭素
、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なものと
して鰺げることが出来る。

本発明において、ａ　−Ｓ　ｉ　Ｇ　ｅ　（Ｈ、Ｘ　）
で構成される第１の層（Ｇ）を形成するには例えばグロ
ー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成さ
れる。例えば、グロー放電法によって、ａ−８ｉｃｅ　
（Ｈ，Ｘ）で構成される第１の層（Ｇ）を形成するには
、基本的には、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ
供給用の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し
得るＧｅ供給用の原料ガスと必要に応じて水素原子（Ｈ
）導入用の原料ガス又は／及びノ・ロゲン原子（Ｘ）導
入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望
のガス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生
起させ、予め所定位置に設置されである所定の支持体表
面上に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度を所望の
変化率曲線に従って制御し乍らａ　−Ｓ　ｉ　Ｇ　ｅ　
（Ｈ、Ｘ　）から成る層を又はこれ等のガスをベースと
したｔｍ＆ガスの〆囲気中でＳｉで構成されたターゲッ
トとＧｅで構成されたターゲットの二枚を使用して、又
はＳｉとＧｅの混合されたターゲットを使用してスパッ
タリングする除、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用
の堆積室に導入してやれば艮い。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、Ｓ　ｉ　Ｈ４、Ｓｉ２Ｈ６゜８３３
Ｈ８，５ｔ４Ｈ１ｏ等のガス状態の又ガス化し得る水素
化硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げ
られ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供給効率
の良さ等の点で８　ｊ　Ｈ４゜Ｓ１□Ｈ６、が好ましい
ものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
，、Ｇｅ２Ｈ６，Ｇｅ３Ｈ８，Ｑｅ４Ｈｔｏ、Ｇｅ５Ｈ
１□。

Ｇｅ　６Ｈ１４，Ｇｅ　７Ｈ，、、Ｇｅ　８Ｈ，８，Ｇ
ｅ　、Ｈ２ｏ　等のガス状態の又はガス化し得る水素化
ゲルマニウムが有効に使用されるものとして挙げられ、
殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ
等の点で、ＧｅＨ４＋Ｇｅ　２Ｈ，、Ｇｅ、Ｈ８が好ま
しいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るー・ロゲン化合物とし
ては、具体的には、フッ素、塩素、臭素。

ヨウ素のハｊｆｆゲ／ガス、ＢｒＦ　、０１ｊＦ、０１
！Ｆ３゜ＢｒＦ　、ＢｒＦ　、ＩＰ　、ＩＦ　、ＩＯｌ
。

５　ｓ　３　７ ＩＢｒ等のハロゲン間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、新開、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
　ＩＦ　ｔ　Ｓ　ｒ　ｇ　Ｆｅ　＋　Ｓ　ｓ　Ｏ１４＋
Ｓ　Ｉ　Ｂ　ｒ　４等のハロゲン化硅素が好ましいもの
としで挙げる事が出来る。

この様ハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロー
放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成する
場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共に８４を供給し得
る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも、
所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−８ｉＧｅから
成る第１の１−（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層（
Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳｉ供給用の
原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガス
となる水素化ゲルマニウムとＡｒ　、Ｈ２、Ｈｅ等のガ
ス等を所定の混合比とガス流量になる様にして第１の層
（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起し
てこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによっ
て、所望の支持体上に第１の層（Ｇ）を形成し得るもの
であるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる
様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原子
を含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成しても
良い。

又、各ガスは単３ｇ！種のみでなく所定の混合比で複数
種混合して使用しても差支えないものである。

反応性スパッタリング法或いはイオングレーティング法
に依ってａ　−Ｓ　ｉ　Ｇ　ｅ　（Ｈ、Ｘ　）から成る
第１の層（Ｇ）を形成するには、例えばスパッタリング
法の場合にはＳｉから成るターゲットとＧｅから成るタ
ーゲットの二枚を、或いはＳｔとＧｅから成るターゲッ
トを使用して、これを所望のガスプラズマ雰囲気中でス
パッタリングし、イオンブレーティング法の場合には、
例えば、多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲ
ルマニラム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源とし
て蒸着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或い
はエレクトロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発
させ飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰吐気中を通過さ
せる事で行う事が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子
を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスの
プラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｆ２、或いは前記したシラン頑又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを宮む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＰ、ＨＯｌ。

ＨＢｒ、ＨＩ等のハロゲン化合物、５ｉＨ２Ｆ。

ＳｉＨＩ　、ＳｉＨＯｌ　、５（Ｈｏ１３゜２　２　２
　２ Ｓ　ＩＨ，Ｂｒ　２．Ｓ　１ＨＢｒ　３等のハロゲン置
換水素化硅素、及びＧ　ｅ　ＨＦ　、　、　Ｇ　ｅ　Ｈ
２Ｆ　、　。

ＧｅＨ３Ｆ、ＧｅＨＯ６，、Ｇｅ）（□ＯＡ２゜Ｇ　ｅ
　ＨＯ７２Ｇ　ｅ　ＨＢ　ｒ　ｔ　Ｇ　ｅ　Ｈ２Ｂ　ｒ
　２　＋３ ＧｅＨＢｒ、ＧｅＨＩ　、ＧｅＦ２Ｉ２．Ｇｅ３ Ｈ，Ｉ等の水素化ハロゲン化ゲルマニウム等の水素原子
を構成要素の１つとするハロゲン化物、ＧｅＦ４．Ｇｅ
０Ａ！４．ＧｅＢｒ、、ＧｅＩ、。

ＧｅＦ２．ＧｅＯ１２，ＧｅＢｒ２．ＧｅＩ２等のハロ
ゲン化ゲルマニウム、等々のガス状態の或いはガス化し
得る物質も有効な第１の層（Ｇ）形成用の出発物質とし
て挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
１の層（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同
時に電気的或いは光域的特性の制御ｌこ極めて有効な水
素原子も導入されるので、本発明においては好適なハロ
ゲン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層（Ｇ）中に構造的に導入する１こは
、上記の他にＦ２、或いはＳｉＨ４，８４２Ｈ、、Ｓ　
ｒ　、　Ｈ８，Ｓ　ｉ　４Ｈ１ｏ　等の水素化硅素をＧ
ｅを供給する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物
と、或いは、ＧｅＨ４＋　Ｇｅ　２Ｈ６゜Ｇｅ　、Ｈ，
、Ｇｅ　、Ｈｌ。、　Ｇｅ　、Ｈ１２，Ｇｅ　６Ｈ，４
Ｇｅ　、Ｈｌ、、Ｇｅ　８Ｈ１８，Ｇｅ　、Ｈ，０等の
水素化ゲルマニウムと８１を供給する為のシリコン又は
シリコン化合物と、を堆積室中に共存させて放電を生起
させる事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）の
蓋又はハロゲン原子（Ｘ）の童又は水素原子とハロゲン
原子の量の和（Ｈ十Ｘ　）は好ましくは０．０１〜４０
　ａ　ｔ　ｏｍ　ｔ　ｃ％、より好適には０．０５〜３
０ａｔｏｍｉｃ％、最適には０．１〜２５ａｉｏｍｉｃ
％とされるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持
体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子
（Ｘ）を含有させる為に使用される出先物質の堆積装置
系内へ導入する童、放電々力等を制御してやれば良い。

本発明に於いて、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第２
の層（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層領域（Ｇ
）形成用の出先物質（Ｉ）の甲より、Ｇｅ供給用の原料
ガスとなる出先物質を除いた出先物質〔第２の層（８）
形成用の出先物質（■）〕を使用して、第１の層（Ｇ）
を形成する場合と、同様の方法と条件に従って行うこと
が出来る。

即ち、本発明において、ａ　−Ｓ　Ｌ　（Ｈ、Ｘ　）で
構成される第２の層（Ｓ）を形成するには例えばグロー
放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティン
グ法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成され
る。例えば、グロー放電法によってａ−８１（Ｈ，Ｘ）
で構成される第２の層（Ｓ）を形成するには、基本的に
は前記したシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳ１供給
用の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入
用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを
、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内
にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されであ
る所定の支持体表面上にａ　−８４（Ｈ、Ｘ）からなる
層を形成させれば良い。又、スパッタリング法で形成す
る場合には、例えばＡ　ｒ　、　Ｈｅ等の不活性ガス又
はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳ
ｉで構成されたターゲットをスパッタリングする際、水
素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガ
スをスパッタリング用の堆積室に導入しておけば良い。

第１０図に示される光受容部材１００４において、第２
の層１００３上に形成される入面ノー的耐久性、光受容
特性において本発明の目的を達成する為に設けられる。

本発明に於ける表面層１００６は、シリコン原子（Ｓｔ
）と炭素原子（０）と、必要に応じて水素原子（Ｈ）又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）とを含む非晶質材料（以後
、ｒａ−（ＳｉｘＯ８ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）　Ｊと記す。但
し、Ｏ＜　ｘ　ｓ　）’　＜　１　）　−ｙ で構成される。

ａ−（Ｓｉ　Ｏ）　（Ｈ，Ｘ）　で構成されＸ　１−Ｘ
　）ｒ　１−ｙ る表面層１００６の形成はグロー放電法のようなプラズ
マ気相法（ＰＯ’ＶＤ法）、あるいは光ＯＶＤ法、熱Ｏ
ＶＤ法、スパッタリング法、エレクトロンビーム法等に
よって成される。これ等の製造法は、製造条件、設備貿
本投下の負荷程度、製造規模、作製される光受容部材に
所望される特性等の要因によって適宜選択されて採用さ
れるが、所望する特性を有する光受容部材を製造するた
めの作製条件の制御が比較的容易である、シリコン原子
と共に炭素原子及びハロゲン原子を、作製する表面層１
００６中に導入するのが容易に行える等の利点からグロ
ー放電法或はスパッターリング法が好適に採用される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを同一装置系内で併用して表面層１００６を形
成してもよい。

グロー放電法によって表面層１００６を形成するにはａ
　（Ｓｉ）（Ｊ−ｘ）ｙ（Ｈ＋Ｘ）ｔ−ｙ形成用の原料
ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混合
して、支持体の設置しである真空堆積室に導入し、導入
されたガスを、グロー放電を生起させることでガスプラ
ズマ化して、前記支持体上に既に形成されである第１の
層、第２の１−上にａ　（Ｓ　Ｉ　ｘｏｌ　−Ｘ）ｙ　
（Ｈ＋Ｘ）　１−ｙ　を堆積させれば良い。

本発明に於いて、ａ　（８１）（０１−ｘ）ｙ（Ｈ＋Ｘ
）ｓ−ｙ形成用の原料ガスとしては、シリコン原子（Ｓ
ｉ）、炭素原子（０）、水素原子（Ｈ）、ハロゲン原子
（Ｘ）の中の少なくとも一つを構成原子とするガス状の
物質又はガス化し得る物質をガス化したものの中の大概
のものが使用され得る。

８１．０．Ｈ，Ｘの中の一つとしてＳｉを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばＳｌを構成原子と
する原料ガスと、０を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じてＨを構成原子とする原料ガス又は／及びＸを構
成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用
するか、又はＳｉを構成原子とする原料ガスと、０及び
Ｈを構成原子とする原料ガス又は／及び０及びＸを構成
原子とする原料ガスとを、これも父、所望の混合比で混
合するか、或いは、Ｓｉを構成原子とする原料ガスと、
Ｓｉ、Ｏ及びＨの３つを構成原子とする原料ガス又は、
Ｓｔ、Ｏ及びＸの３つを構成原子とする原料ガスとを混
合して使用することができる。

又、別には、ＳｔとＨとを構成原子とする原料ガスにＣ
を構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良いし
、８ＩとＸとを構成原子とする原料ガスにＣを構成原子
とする原料ガスを混合して使用しても良い。

本発明に於いて、表面層１００６中に含有されるハロゲ
ン原子（Ｘ）として好適なのはＦ、Ｏｌ。

Ｂｒ、Ｉであり、殊にＦ、Ｏｌが望ましいものである。

本発明に於いて、表面層１００６を形成するのに有効に
使用される原料ガスと成り得るものとしては、常温常圧
に於いてガス状態のもの又は容易にガス化し得る物質を
挙げることができる。

本発明に於いて、表面層１００６形成用の原料ガスとし
て有効に使用されるのは、ＳＩとＨとを構成原子とする
Ｓ　ｉＨ４，Ｓ　ｉ　２Ｈ６，Ｓｉ、Ｈ。

Ｓ　ｉ　４Ｈ１ｏ　等のシラｙ（Ｓｉｌａｎｅ）類等の
水素化硅素ガス、０とＨとを構成原子とする、例えば炭
素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系
炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素、ハロ
ゲン単体、ノ・ロゲン化水素、ノ・ロゲン間化合物、ハ
ロゲン化硅素、ハロゲン置換水素化硅素、水素化硅素等
を挙げる事ができる。

具体的には、飽和炭化水素としてはメタン（ＯＨ４）、
エタン（０，Ｈ６）、プロパン（０３Ｈ８）、ｎ−ブタ
ン（ｎ−０４Ｈ１ｏ）、ペンタン（０５Ｈ，、）、エチ
レン系炭化水素としては、エチレン（０２Ｈ４）、プロ
ピレン（Ｏｓ　Ｈａ　）、　ブテン−１（０４Ｈ８）、
ブテン−２（０４Ｈ８）、　インブチレン（０４Ｈ１ｌ
）、ペンテン（Ｏｓｆ４１ｏ）、アセチレン系炭化水素
としては、アセチレン（０□Ｈ２）、　メチルアセチレ
ン（０３Ｈ４）、ブチン（０４Ｈ６）、ハロゲン単体と
しては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、
ハロゲン化水素としては、Ｆ’Ｈ，ＨＩ。

ＨＯｌ、ＨＢｒ、ハロゲン間化合物としては、ＢｒＦ＋
ＯＩＦ、０１Ｆ、、ＯＩＦ、、ＢｒＦ、、ＢｒＦ、。

ＩＰ、、ＩＰ、、ＩＯｌ、ＩＢｒ、ハロゲン化硅素とし
てはＳｉＦ４．８（、Ｆ６，５ｉＯ１３Ｂｒ、５ｉＯ１
，Ｂｒ、。

８　ｉ　０　ｌ　Ｈｒ　３　、　Ｓ　ｉ　Ｏｌ　ｚ　Ｉ
　ＨＳ　ｉ　Ｂ　ｒ　４　、　ハロゲン置換水素化硅素
としては、ＳｉＨ，Ｆ２，５ｉＨ２０１，。

５ｉＨＯ／３，８ｉＨ３０１，５ｉＨ３Ｂｒ、５ｉＨ２
Ｂｒ！。

５ｉＨＢｒ３、水素化硅素としては、ＳｉＨ４，８４゜
ＨＢ、Ｓｉ３Ｈ８，Ｓｉ４Ｈ１ｇ等のシフｙ（ｌｌｌＮ
ｌａｎｅ）類、等々を挙げることができる。

、これ等の他にＯＦ　４　ｅ　ＯＯｌ　４１０　Ｂ　ｒ
　４　ｔ　ＯＨＦ　Ｂ　＋ＯＨ，Ｆ、、ＯＨ，Ｆ、０Ｈ
３０１，０Ｈ３Ｂｒ、ＯＨ，Ｉ。

０２Ｈ，Ｏｌ等のハロゲン置換パラフィン系炭化水素、
８Ｆ、、ＳＦ６　等のフッ素化硫黄化合物、５ｉ（ＯＨ
４）、、５ｉ（０□Ｈｓ）い　等のケイ化アルキルや８
ｉ０１（ＯＨ３）３．５１０Ｊ２（ＯＨａ）２−８ｉＯ
／、ＯＨ１等のハロゲン含有ケイ化アルキル等のシラン
誘導体も有効なものとして挙げることができる。

これ等の表面層１００６形成物質は、形成される表面層
１００６中に、所定の組成比でシリコン原子、炭素原子
及びハロゲン原子と必要に応じて水素原子とが含有され
る様に表面層１００６の形成の際に所望に従って選択さ
れて使用される。

例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子との含有が
容易に成し得て且つ所望の特性の層が形成され得る５ｉ
（ＯＨ３）４と、ハロゲン原子を含有させるものとして
の５ｊＨｏ／　３，５ｉＨ２ｏｚ２゜８４０１１４、或
いは８４に−１３０１等を所定の混合比にしてガス状態
で表面層１００６形成用の装置内に導入してグロー放電
を生起させることによってａ（ＳｉＸＯｔ−ｘ）ｙ（Ｏ
Ａ！＋Ｈ）ｘ−ｙから成る表面層１００６を形成するこ
とができる。

スパッターリング法によって表面層１００６を形成する
には、単結晶又は多結晶のＳｉウェーハー又はＣウェー
ハー又はＳｉとＣが混合されて含有されているウェーハ
ーをターゲットとして、これらを必要に応じてハロゲン
原子又は／及び水素原子を連成要素として含む種々のガ
ス雰囲気中でスパッターリングすることによって行えば
艮い。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして１史用すれ
ば、０とＨ又は／及びＸを導入するための原料ガスを、
必要に応じて稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入
し、これらのガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウ
ェーハーをスパッターリングすれば良い。

又、別には、Ｓｔと０とは別々のターゲットとして、又
はＳｉとＣの混合した一枚のターゲットを使用すること
によって、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を含有するガス雰囲気中でスパッターリングすること
によって成される。

０、Ｈ及びＸの導入用の原料ガスとなる物質としては先
述したグロー放電の例で示した表面層１゜０６形成用の
物質がスパッターリング法の場合にも有効な物質として
１吏用され得る。

本発明に於いて、表面層１００６をグロー放電法又はス
パッターリング法で形成する際に使用される稀釈ガスと
しては、所謂・希ガス、例えばＨｅ　、　Ｎ　ｅ　、　
Ａ　ｒ等が好適なものとして挙げることができる。

本発明に於ける颯面層１００６は、その要求される特性
が所望通りに与えられる様に注意深く形成される。

郊ち、８ｉ、Ｏ，必要に応じてＨ又は／及びＸを構成原
子とする物質は、その作成条件Ｉこよって構造的には結
晶からアモルファスまでの形態を取り、電気物性的には
、４電性から半導体性、Ｐ３縁性までの間の性質を、又
光導電的性質から非光導電的性質を、各々示すので本発
明に於いては、目的に応じた所望の特性を有するａ　（
Ｓｉｘ”−ｘ）ｙ（Ｈ＋Ｘ）１−ｙが形成される様に、
所望に従ってそるにはａ　（ＳｉｘＯｔ−ｘ）ｙ（Ｈ＋
Ｘ）ｔ−ｙ　は使用環境に於いて電気絶縁性的挙動の顕
著な非晶質材料として作成される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として表面層１００６が設けられる場合には上記の
電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される光に
対しである程度の感度を有する非晶質材料としてａ　（
Ｓ　ｔｘ　Ｏ１−Ｘ　）　ｙ（Ｈ，Ｘ）！−ｙが作成さ
れる。

第２の層表面にａ−（ＳｉｘＯｌ−、）ｙ（Ｈ，Ｘ）　
１−ｙから成る表面層１００６を形成する際、層形成中
の支持体温度は、形成される層の構造及び％性を左右す
る重要な因子であって、本発明に於いては、目的とする
特性を有するａ−（Ｓ　ｉ　ＸＯｓ　−Ｘ　＞　ｙ　（
Ｈ＋Ｘ）ｔ−ｙが所望通りに作成され得る様に層作成時
の支持体温度が厳密に制御されるのが望ましい。

本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成されるため
の表面層１００６の形成法に併せて適宜最適範囲が選択
されて、表面層１００６の形成が実行されるが、好まし
くは、２０〜４００°０、より好適には５０〜３５０°
０、最適には１００〜３００°０とされるのが望ましい
ものである。表面層１００６の形成ｔこは、層を構成す
る原子の組成比の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に
較べて比較的容易である事等のために、グロー放電法や
スパッターリング法の採用が有利であるが、これ等の層
形成法で表面層１００６を形成する場合には、前記の支
持体温度と同様に層形成の際の放電パワーが作成される
ａ　（Ｓ　ｒ　ｘ　Ｏｔ　□）　ｙ　（Ｈｔ　Ｘ　）　
ｔ　−ｙの特性を左右する重要な因子の一つである。

本発明に於ける目的が達成されるための特性を有するａ
　（Ｓ　ｉ　ｘＯ１−ｘ　）　ｙ　（Ｈ＋　”　）　１
−　ｙが生産性良く効果的に作成されるための放電パワ
ー条件としては、好ましくは１０〜１００ＯＷ１より好
適には２０〜７５０Ｗ、最適には５０〜６５０Ｗとされ
るのが望ましいものである。

堆積室内のガス圧は好ましくは０．０１〜１Ｔｏｒｒ。

より好適には、０．１〜０．５Ｔｏｒｒ程度とされるの
が望ましい。

本発明に於いては表面層１００６を作成するための支持
体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記した
範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファクターは
、独立的に別々に決められるものではなく、所望特性の
ａ　（ＳＩＸＣｔ−ｘ）ｙ（ｎｔｘ）１−ｙ　から成る
表面層１００６が形成される様に相互的有機的関連性に
基づいて各層作成ファクターの最適値が決められるのが
望ましい。

本発明の光受容部材に於ける狭面１ｍ　１００６に含有
される炭素原子の量は、表面層１００６の作成条件と同
様、本発明の目的を達成する所望の特性が得られる表面
層１００６が形成される重要な因子である。

本発明に於ける表面層１００６に含有される炭素原子の
量は、表面層１００６を構成する非晶質材料の種類及び
その特性に応じて適宜所望に応じて決められるものであ
る。

即ち、前記一般式ａ　−（Ｓ　ｉ　ＸＯ１−Ｘ　）　ｙ
　（Ｈ＋Ｘ）　ｔ−ｙで示される非晶質材料は、大別す
ると、シリコン原子と炭素原子とで構成される非晶質材
料（以後、「ａ−８ｉａＯ１−贋　と記す。但し、０　
（ａ　〈１　）、シリコン原子と炭素原子と水素原子と
で構成される非晶質材料（以後、［ａ−（ｓｔｂｏ、　
−ｂ）Ｃ）（、−ｅ　Ｊと記す。但し、Ｏ＜ｂ％　ｃ＜
ｉ　）％シリコン原子と炭素原子とハロゲン原子と必要
に応じて水素原子とで構成される非晶質材料（以後、「
ａ−（ＳｉｄＯ，、）ｅ（Ｈ，Ｘ）１−ｅＪ　と記す。

但しＯ（ｄ。

ｅ〈１、に分類される。

本発明に於いて、表面層１００６がａ−８ｉａＣ１−ａ
で構成される場合、表面層１００６に含有される炭素原
子の菫は好才しくは、ｌＸｌ０−”〜９０　ａｔｏｍｉ
ｃ　％、より好適には１〜８０　ａｔｏｍｉｃチ、最適
には１０〜７５　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい
ものである。即ち、先のａ　Ｓ　Ｉ　ａ　Ｏ、−ａのａ
の表示で行えば、ａが好ましくは０１〜０．９９９９９
、より好適には０．２〜０．９９、最適には０．２５〜
０，９である。

本発明に於いて表面層１００６がａ　−（Ｓ　ｊ　ｂＯ
□−ｂ）。Ｈｌ、、ｃで構成される場合、表面層１００
６に含有される炭素原子の量は、好ましくは１×１０−
”　〜９０　ａｔｏｍｉｃ％とされ、より好ましくは１
〜９０ａｔｏｍｊｃ％、最適には１０〜８０ａｔｏｍｉ
ｃ％とされるのが望ましいものである。

水Ｓｉ子の含有量としては、好ましくは１〜４０ａｔｏ
ｍｒｃ％、より好ましくは２〜３５　ａｔｏｍｉｃチ、
最適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望まし
く、これ等の範囲に水素含有量がある場合に形成される
光受容部材は、実際面に於いて侵れたものとして充分適
用させ得る。

即ち、先のａ−（ＳＩｂＯ□−ｂ）。Ｈｌ、、、ｃ　の
弐示で行えばｂが好ましくは０．１〜０．９９９９９、
より好適には０．１〜０．９９、最適には０．１５〜０
．９、Ｃが好ましくは０．６〜０．９９、より好適には
０．６５〜０．９８、最適には０．７〜０．９５である
のが望ましい。

表面層１００６が、ａ　（ｓ＋ｄｏ１−ａ）ｅ（Ｈ。

Ｘ）ｘ−ｅで構成される場合には、表面層１００６中に
含有される炭素原子の含有量としては、好ましくは、Ｉ
　Ｘ　１０”３〜９０　ａｔｏｍｉｃ％、より好適には
１〜９０　ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜８０　ａｔ
ｏｍｉｃ％とされるのが望ましいものである。ハロゲン
原子の含有量としては、好ましくは、１〜２Ｑａｔｏｍ
ｉｃ％とされるのが望ましく、これ等の範囲にハロゲン
原子含有証がある場合に作成される光受容部材を実際面
に充分適用させ得るものである。必要に応じて含有され
る水素原子の含有量としては、好ましくは１９ａｔｏｍ
ｉｃ％以下、より好適には１３　ａｔｏｍｉｃ　％以下
とされるのが望ましいものである。

即ち、先のａ−（Ｓｔｄｏｌ−（１）６（Ｈ＋Ｘ）ｔ−
ｅのｄ、ｅの光示で行えばｄが好ましくは、０．１〜０
、９９９９９、より好適にはＯ１１〜０．９９、最適に
は０．１５〜０．９、ｅが好ましくは０．８〜０．９９
より好適には０．８２〜０．９９、最適には０．８５〜
０．９８であるのが望ましい。

本発明に於ける表面層１００６の層厚の数範囲は、本発
明の目的を効果的に達成するための重要な因子の一つで
ある。

本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目れる炭素
原子の量や第１から第２の層の層厚との関係に於いても
、各々の層に要求される特性に応じた有機的な関連性の
下に所望に従って適宜決定される必要がある。

更ζこ加え得るに、生産性やｆ産性を加味した経済性の
点に於いても考慮されるのが望ましい。

本発明に於ける表面層１００６の層厚としては、好まし
くは０．００３〜３０＃、好適には０．００４〜２０ｐ
１最適には０．００５〜１０μとされるのが望ましいも
のである。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、Ｎｉ０ｒ　、ステンレス。

Ａｌ、Ｏｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ。

Ｐｔ、Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる０ 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。こ
れ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
方の我面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、Ｎｉ０ｒ。

Ａｌ、Ｏｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉ（、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ。

Ｔ　ｔ　ｔ　Ｐ　ｔ　、　Ｐ　ｄ　ｔ　Ｉｎ　２Ｊ　ｓ
　Ｓ　ｎ　０２　ｔ　Ｉ　Ｔ　Ｏ（Ｉ　ｎ　２０３　＋
Ｓ　ｎ　Ｏ□）等から成る薄膜を設けることによって導
電性が付与され、或いはポリエステルフィルム等の合成
樹脂フィルムであれば、Ｎｉ０ｒ。

Ａｌ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｏｒ。

Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ、’Ｉ’ａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ等の金属
の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等
でその表面に設け、又は前記金属でその表面をラミネー
ト処理して、その表向に導電性が付与される。支持体の
形状としては、円筒状、ベルト状、板状等任慧の形状と
し得、所望によって、その形状は決定されるが、例えば
、第１０図の光受容部材１００４を電子写真用光受容部
材として使用するのであれば連続高速複写の場合には、
無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持体の
厚さは、所望通りの光受容部材が形成される様に適宜決
定されるが、光受容部材として可撓性が要求される場合
には、支持体としての機能が充分発揮される範囲内であ
れば可能な限り薄くされる。百年ら、この様な場合支持
体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、好ま
しくは１０μ以上とされる。

次に本発明の光受容部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第２０図に光受容部材の製造装置の一例を示す。

図中２００２〜２００６，２０５１．２０５２のガスボ
ンベには、本発明の光受容部材を形成するための原料ガ
スが密封されており、その−例してたとえば２００２は
、Ｓ　ｉ　Ｈ４ガス（純度９９゜９９９％、以下８　ｉ
Ｈ４と略す）ボンベ、２００３はＧｅＨ４ガス（純Ｗ９
９．９９９％、以下Ｇ　ｅ　Ｈ４と略す）ホンへ、２０
０４はＳｉＦ　ガス（純度９９．９９％、以下ＳｉＦ４
と略す）ボンへ、２００５はＨｅガス（純度９９．９９
９％）ボンベ、２００６はＨ２ガス（純１ｆ９９．９９
９％）ボンベ、２０５１はＡｒガス（純度９９．９９９
％）ボンベ、２０５２はＯＨ４ガス（純度９９．９９９
チ）ボンベである。

これらのガスを反応室２００１に流入させるにはガスボ
ンベ２００２〜２００６，２０５１．２０５２のパルプ
２０２２〜２０２６，２０４５゜２０４６！Ｊ−クパル
プ２０３５が閉じられていることを確認し、又、流入パ
ルプ２０１２〜２０１６．２０４３．２０４４、流出パ
ルプ２０１７〜２０２１．２０４１．２０４２、補助パ
ルプ２゜３２．２０３３が開かれていることを確認して
、先ｆメインパルプ２０３４を開いて反応室２００１、
及び各ガス配管内を排気する。次に真空計２０３６の読
みが約５Ｘ１０−’ｔｏｒｒになった時点で補助パルプ
２０３２，２０３３、流出パルプ２０１７〜２０２１．
２０４１．２０４２を閉じる。

次にシリンダー状基体２０３７上に光受容層を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンベ２００２より５ｊＨ
４ガス、ガスボンベ２００３よりＧ　ｅ　Ｈ４ガス、２
００６よりＨ２ガスをパルプ２０２２．２０２３．２０
２６を開いて出口圧ゲージ２０２７，２０２８．２０３
１の圧を１ｋｇ／ｄに調整し、流入パルプ２０１２，２
０１３゜２０１６を徐々に開ケて、マス７０コントロー
ラ２００７．２００８．２０１１内に夫々流入させる。

引き続いて流出パルプ２０１７，２０１８゜２０２１、
補助パルプ２０３２．２０３３を徐々に開いて夫々のガ
スを反応室２００１に流入させる。このときのＳ　ｉ　
Ｈ４ガス流量、ＧｅＨ４ガス流量とＨ２ガス流量の比が
所望の値になるように流出パルプ２０１７，２０１８，
２０２１を調整し、また、反応室２００１内の圧力が所
望の値になるように真空計２０３６の読みを見ながらメ
インパルプ２０３４の開口を調整する。そして、基体２
０３７の温度が加熱ヒーター２０３８により５０〜４０
０°０の範囲の温度に設定されていることを確認された
後、電源２０４０を所望の電力に設定して反応室２０ｏ
１内にグロー放電を生起させ、同時にあらかじめ設計さ
れた変化率曲線に従ってＧ　ｅ　Ｈｊガスの流量を手動
あるいは外部駆動モータ等の方法によってパルプ２０１
８の開口を漸次変化させる操作を行って形成される層中
に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度を制御する。

上記の様にして所望時間グロー放電を維持して所望層厚
に、基体２０３７上に第１の層（Ｇ）を形成する。所望
層厚に第１の層（Ｇ）が形成された段階に於て、流出パ
ルプ２０１８を完全に閉じること及び必要に応じて放電
条件を変える以外は、同様な条件と手順に従って所望時
匿グロー放電を維持することで第１の層（Ｇ）上にゲル
マニウム原子の実質的に含有されない第２の層（Ｓ）を
形成することが出来る。

上記第２の層（Ｓ）を形成後、マス７０−コントローラ
２００７と２０４８を所定の流量に設定し、する以外は
、同様な条件と手順に従って所望時間グロー放電を維持
することで、第２の層（Ｓ）上にシリコン原子と炭素原
子から主に形成される表面層を形成することができる。

層形成を行っている間は層形成の均一化を計るため基体
２０３７はモーター２０３９により一定速度で回転させ
てやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例Ｉ Ａ！支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径Ｃｒ）８０朋）
を第２機に示す条件で、第２１図（Ｐ！ピッチ、Ｄ：深
さ）に示すように旋盤で加工した。

Ｃ４２０１〜２０４） 次に、第１表に示す条件で、第２０図の堆積装置で積々
の操作手順に従ってａ−８ｌ：Ｈの電子写真用光受容部
材を作製した。（試料４２０１〜２０４） なお、第１層のＢ−（Ｓｉ　；Ｇｅ）：Ｈ層は、Ｇ　ｅ
　Ｈ４およびＳ　ｉ　Ｈ４の流量を第２２図のようにな
るように、ＧｅＨ４およびＳ　ｉ　Ｈ４のマスフロコン
トローラー　１２３６オＪ：ヒｌ　２３２）ｆ−コンピ
ー−ター（ＨＰ９８４５Ｂ）ｊこより制御した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第２弐（試料／１６２０１〜
２０４）の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図Ｉこ
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポ
ット径８０μｍ）で画像露光を行ない、それを現隊、転
写して画像を得た。／１６２０１〜２０４いずれの画像
にも干渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであっ
た。

実施例２ Ａ、ｌｌ’支持体（長さくＬ）３５７ｉｙ＋、径（ｒ）
８０ｍｍ）を第３表に示す条件で、第２１図（Ｐ：ピッ
チｔ　Ｄ　：　Ｍさ）に示すように旋盤で刀ロエした（
試料／１６３０１〜３０４） 次に、第１表に示す条件で、第２０図の堆積装３０４） なお、第１層のａ　（Ｓ　ｓ　＊　Ｇ　ｅ　）　：　Ｈ
層は、ＧｅＨ４およびＳｉＨ４の流量を第２３図のよう
になるように、ＧｅＨ４およびＳ　ｉＨ４のマス７０コ
ントローラー１２３６および１２３２をコンピー−ター
（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御した。

このようにし°Ｃ作製した光受容部材の各層の層厚を電
子顕微鏡で測定したところ、第３表（試料／１６３０１
〜３０４）の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０　ｓ　ｍ　）で画像露光を行ない、それを現像
、転写して画像を得た。試料４３０１〜３０４いずれの
画像にも干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例３ Ａ！支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｉｎ
）を第５表に示す条件で、第２１図（Ｐ：ピッチ、Ｄ：
深さ）に示すように旋盤で加工した。

（試料／％５０１〜５０４） 次に、第４表に示す条件で、第２０図の堆積装置で種々
の操作手順に従ってａ−８ｉ：Ｈの電子写真用光受容部
材を作製した。（試料／１６５０１〜５０４） なお、第１層のａ−（Ｓｉ；Ｇｅ）：Ｈ層は、ＧｅＨ，
およびＳｉＨ４の流量を第２４図のようになるように、
ＧｅＨ４およびＳｉＨ４のマス７ロコントローラー１２
３６および１２３２をコンピー−ター（ＨＰ９８４５Ｂ
）により制御した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第５表（試料席５０１〜５０
４）の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０μｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。試料Ａ３０１〜５０４いずれの画像に
も干渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであった
。

実施例４ ＡＪ支持体（長さくＬ）３５７１ｉ？径（ｒ）８０麓罵
）を第６我に示す条件で、第２１図（Ｐ：ピッチ、Ｄ：
深さ）に示すように旋盤で力ｌ工した。

（試料魔６０１〜６０４） 次ｌこ、第４衣に示す条件で、第２０図の堆積装置で種
々の操作手順に従ってａ　Ｓ　ｉ　：　Ｈの電子写真用
光受容部材を作製した。（試料４６０１〜６０４） なお、第１層のａ−（Ｓ　ｉ　；Ｇｅ　）　：Ｈ層は、
Ｇ　ｅ　Ｈ４およびＳｉＨ４の流量を第２５図のように
なるように、ＧｅＨ４およびＳｉＨ４のマスフロコント
ロー２−１２３６および１２３２をコンピー−ター（Ｈ
Ｐ９８４５Ｂ）により制御した。

このようにして作製した光受容部材の谷層の１−厚を電
子顕微鏡で測定したところ、第６表（試料／１６６０１
〜６０４）の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０　ｐ　ｍ　）　Ｔ：ｍ像露光ヲ行ない、それを
現１象、転写して画１象を得た。試料４６０１〜６０４
いずれの画像にも干渉縞模様は観測されず、実用に十分
なものであった。

図の装置を用いスパッタリング法で第１の層、第２の層
９表面層からなる光受容層を次の様にして堆積は・　１ まず第２０図の装置において実施例と異なる点を説明す
る。本実施例では、第１の層堆積時にはカソード電極上
にＳｉとＧｅからなる厚さ５　ｔｔｒｍのスパッタリン
グ用ターゲットを、第２の層堆積時には、カソード電極
上に８ｉからなる厚さ５隨のスパッタリング用ターゲッ
トを一面に張り、狭面層堆積時には、ＳＬからなるスパ
ッタリング用ターゲットとグラファイトからなるスパッ
タリング用ターゲットをその面積比が第７表のようにな
るように一面に張った。

次に作製手順を説明する。実施例１と同様に堆積装置内
を１Ｏ−７Ｔｏｒｒまで減圧し、ＡＪ支持体の温度を２
５０°０で一定に保つ。その後Ａｒガスを２００ＳＯＯ
Ｍ、Ｈ，ガス１１００５ＯＯとし、堆積装置の内圧が５
Ｘ１０−”ＴｏＩｒｒになるように、メインパルプ２０
３４で調節した。そして高周波電源により、カソード電
極とＡＩ支持体間に高周波電力を３００Ｗ投入しグロー
放電を生じさせた。こうして第１の層を５μｍ堆積した
。

次にＳｉとＧｅからなるターゲットをＳｉからなるター
ゲットに取り替え、同様の条件で２０μｍ厚の第２の層
を堆積した。

その後、カソード電極上のＳｉからなるターゲットをは
ずし、Ｓｉからなるターゲットとグラファイトからなる
ターゲットに取りかえ、同様の条件で表面層を０．３μ
ｍ堆積した。表面層の表向は第２の層の表面に対してほ
ぼ平行であった。

表面層の作製時の条件を第７表のように変えて、光受容
部材を作製した。

こうして得られた′電子写真用光受容部材の夫々につい
て、実施例１と同様にレーザー光で画像露光し、作像、
現１家クリー二ング工程を約５万回繰り返した後面１象
評価を行ったところ第７表の如き結果を得た。

実施例６ 表面層の形成時、ＳｉＨ４ガスとＯＨ４ガスの流量比を
変えて、表面層に於けるシリコン原子と炭素原子の含有
量比を変化させる以外は実施例１の試料／１６２０１と
全く同様な方法によって電子写真用光受容部材の夫々を
作成した。こうして得られた電子写真用光受容部材の夫
々につき、実施例１と同様にレーザー画像露光し転写ま
での工程を約５万回繰り返した後、画像評価を行ったと
ころ、第８表の如き結果を得た。

実施例７ 表面層の形成時、Ｓ　ｉ　Ｈ４ガス、５ｊＦ４ガス。

ＯＨ４ガスの流量比を変えて、表面層に於けるシリコン
原子と炭素原子の官有量比を変化させる以外は、実施例
１の試料４２０１と全く同様な方法によって電子写真用
光受容部材の夫々を作成した。

こうして得られた電子写真用光受容部材の夫々につき実
施例１と同様に、レーザー光で画ｇｊ！露光し作像、現
１象、クリーニングの工程を約５万回繰り返した後、画
像評価を行ったところ第９衣の如き結果を得た。

実施例８ 表面層の層厚を変える以外は、実施例１の試料／１６２
０１と全く同様な方法によって電子写真用光受容部材の
夫々を作成した。こうして得られた電子写真用光受容部
材の夫々につき、実施列１と同様に、作像、現像、クリ
ーニングの工程を繰り返し第１０表の結果を得た。

実施例９ 表面層の作製時の放電電力を３００Ｗとし、平均層厚を
２μｍとする以外は、実施例１の試料腐２０１と全く同
様な方法によって、電子写真用光受容部材を作製した。

こうして得られた電子写真用光受容部材の表面層の平均
層厚差は、中央と両端で、０，５μｍであった。また、
微小部分での層厚差は、０．１μｍであった。このよう
な電子写真用光受容部材では、干渉縞は観察されず、ま
た、実施例１と同様な装置で作１象、現像、クリー二／
グの工程を繰り返し行ったが、実用に十分な耐久性を得
た。

〔発明の効果〕

以上、詳細に説明した様に本発明によれば、可干渉性単
色光を用いる画像形成１こ適し、製造管理が容易であり
、且つ画１象形成時に現出する干渉縞特に耐摩耗性、及
び光受容特性に優れた光受容部材を提供することができ
る。

第　１　人 第　２　表 第　３　表 第　４　弐 第　５　表 第　６　表 第　１０　表

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層の光受容部材“の場合の干渉縞の説明図
である。 第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。 第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。 第５図は、光受袢部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。 第６図は光受容部材の各層の界面が非平行な場合に干渉
縞が現われないことの説明図である。 第７図は、光受容部材の各層の界面が平行である場合と
非平行である場合の反射光強度の比較の説明図である。 第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。 第９図はそれぞれ代表的な支持体の表面状態の説明図で
ある。 第１０図は、光受容部材の層構成の説明図である。 第１１図から第１９図は、第１の層におけるゲルマニウ
ム原子の分布状態を説明する為の説明図である。 第２０図は実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明図
である。 第２１図は、実施例で用いたＡｌ支持体の表面状態の説
明図である。 第２２図から第２５図までは、実施例におけるガス流量
の変化を示す説明図である。 第２６図は、実施例で使用した画像露光装置の説明図で
ある。 １０００・・・・・・・・・・・町・・・・・・・・・
・照光受容層１００１・・・・・・・・・・・萌・・・
・・・・・・・・・・・・Ａ７支持体１００２・・・・
・曲・・・・・・曲・■同第１　ノ１ｍ１００３・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・曲曲第２の層１０
０４・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・開光受容部材１００５・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・曲・　光受容部材の自由表面１
００６・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・　茨面層２６０１・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・　電子写真用光受容部材
２６０２・・・・・・曲曲・・・・・曲師・・　半導体
レーザー２６０３・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・　ｆθレンズ２６０４・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・　
ポリゴンミラー２６０５・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・　露光装置の平面図２
６０６・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・　露光装置の側面図第３０ 第４園　□ Ｃ 第１７ 第７８ θＣｔｃ　−−−−−＝ 遍ｉｑ 晴間（／？ジ 晴間（９〕 ６−／、〜爾−ど さ Φ

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. （１）　シリコン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶
   質材料で構成された第１の層と、シリコン原子を含む非
   晶質材料で構成され、光導電性を示す第２の層とシリコ
   ン原子と炭素原子とを含む非晶質材料からなる表面層と
   が支持体側より順に設けられた多層構成の光受容層を有
   する光受容部材に於いて、前記第１の層中に於けるゲル
   マニウム原子の分布状態が層厚方向に不均一であると共
   に、前記光受容層がショートレンジ内に１対以上の非平
   行な界面を有し、該非平行な界面が層厚方向と垂直な面
   内の少なくとも一方向に多数配列している事を特徴とす
   る光受容部材。
2. （２）前記配列が規則的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。
3. （３）前記配列が周期的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。
4. （４）前記シ目−トレンジが０．３〜５００μである特
   許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
5. （５）前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けられ
   た規則的基こ配列している凹凸に基づいて形成されてい
   る特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
6. （６）前記凹凸が逆Ｖ字形線状突起によって形成されて
   いる特許請求の範囲第５項に記載の光受容部材。
7. （７）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に二
   等辺三角形である特許請求の範囲第６項に記載の光受容
   部材。
8. （８）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的ｌこ
   直角三角形である特許請求の範囲第６項に記載の光受容
   部材。
9. （９）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に不
   等辺三角形である特許請求の範囲第６項ｉこ記載の光受
   容部材。
10. （１０）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第１
    項に記載の光受容部材。
11. （１１）逆Ｖ字形線状突起が前記支持体の市内に於いて
    螺線構造を有する特許請求の範囲第１０項に記載の光受
    容部材。
12. （１２）　＠記螺巌構造が多重螺巌構遺である特許請求
    の範囲第１１項に記載の光受容部材。
13. （１３）前記逆Ｖ字形線状突起がその稜線方向に於いて
    区分されている特許請求の範囲第６項に記載の光受容部
    材。
14. （１４）前記逆Ｖ字形線状突起の稜線方向が円筒状支持
    体の中心軸に沿っている特許請求の範囲第１０項に記載
    の光受容部材。
15. （１５）前記凹凸は傾斜面を有する特許請求の範囲第５
    項に記載の光受容部材。
16. （１６）前記傾斜面が鏡面仕上げされている特許請求の
    範囲第１５項に記載の光受容部材。
17. （１７）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
    れた凹凸と同一のピッチで配列された凹凸が形成されて
    いる特許請求の範囲第５項に記載の光受容部材。