JPS60260055A

JPS60260055A - 光受容部材

Info

Publication number: JPS60260055A
Application number: JP59115603A
Authority: JP
Inventors: Keishi Saito; 恵志斉藤; Tetsuo Sueda; 末田　哲夫; Kyosuke Ogawa; 小川　恭介; Teruo Misumi; 三角　輝男; Yoshio Tsuezuki; 津江月　義男; Masahiro Kanai; 正博金井
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1984-06-07
Filing date: 1984-06-07
Publication date: 1985-12-23

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザー光
などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に関す
る。

〔従来の技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。中
でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザーと
しては小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは半導体
レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を有す
る）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材をしては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点で
、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開昭５６−
８３７４６号公報に開示されているシリコン原子を含む
非晶質材料（以後ｒＡ−３ＩＪと略記する）から成る光
受容部材が注目されている。

面乍ら、光受容層を単層構成のＡ−３ｉ層とすると、そ
の高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される
１ＯＬ２Ωｃｍ以上の暗抵抗の確保するには、水素原子
やハロゲン原子或いはこれ等に加えてボロン原子とを特
定の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有させる
必要性がある為に、層形成のコントロールを厳密に行う
必要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に可成
りの制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特性
の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容
層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２
１７８号、同５２１７９号、同５２１８．０号、同５８
１５９号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報に
記載されである様に光受容層を支持体と光受容層の間、
又は／及び感光層の上部表面に障壁層を設けた多層構造
としたりして、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が
提案されている。

この様な提案によって、Ａ−Ｓｉ系光受容部材はその商
品化設計上の許容度に於いて、或いは製造上の管理の容
易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に向け
ての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に斑がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
°持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び
層界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射
して来る反射光の夫々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる、殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。　まして、使用する半導体レ
ーザー光の波長領域が長波長になるにつれ感光層に於け
る該レーザー光の吸収が減少してくるので前記の干渉現
象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光重。と上部界面１０２で反射した反射光Ｒ１、
下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長をλとして、
ある層の層厚がなだらかに一以上の層ｎ厚差で不均一であると、反射光Ｒ，，Ｒ２が２ｎｄ＝ｍ
入（ｍは整数、反射光は強め合う）と２ｎｄの条件のど
ちらに合うかによって、ある層の吸収光量および透過光
量に変化を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００人〜±１００００人の凹凸
を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８−
１６２９７５号公報）、アルミニウム支持体表面を黒色
アルマイト処理したり、或いは樹脂中にカーボン１１着
色顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法（
例えば特開昭５７−１６５８４５号公報）、アルミニウ
ム支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サンド
ブラストにより、砂目状の微細凹凸を設けたりして、支
持体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば特開
昭５７−１６５５４号公報）等が提案されている。

面乍ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が現存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生じ
、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はＡ−３ｔ感光層を
形成する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される
光受容層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がＡ−
３ｔ系感光層形成の際のプリズマによってダメージを受
けて、本来の吸収機能を低減させると共に、表面状態の
悪化によるその後のＡ−３ｔ系感光層の形成に悪影響を
与えること等の不都合がある。

支持体表面を不規則に荒す第３の方法は、第３図に示す
様に１例えば入射光■。は、光受容層３０２の表面でそ
の一部が反射されて反射光Ｒ，となり、残りは、光受容
層３０２の内部に進入して透過光１１となる。透過光１
１は、支持体３０２の表面に於いて、その一部は、光散
乱されて拡散光に、、に２　、に３・・・・となり、残
りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部が出射光
Ｒ３となって外部に出て行く。従って、反射光Ｒ１、と
干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為、依然とし
て干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則的に荒しても、第１
層４０２での反射光Ｒ２＋第２層での反射光Ｒ０，支持
体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して、光受容
部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる。従って
、多層構成の光受容部材においては、支持体４０１表面
を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止すること
は不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表　′面を
不規則に荒す場合は、その粗面度がロフト間に於いてバ
ラツキが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均
一があって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較
的大きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯か
る大きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因
となっていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように通常、支持体５０１表面の凹凸形状に沿
って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１の
凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平行
になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄ１＝ｍ入また
は２ｎｄ１＝（ｍ子局）入が成立ち、夫々明部または暗
部となる。又、光受容層全体では光受容層の層厚ｄＩ　
＋　ｄ２　＋　ｄ３　＋　ｄ４の夫々−性があるため明
暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つの目的は、電子写真法を利用するデジ
タル画像記録、取分け、ノ＼−フトーン情報を有するデ
ジタル画像記録が鮮明に且つ高解像度、高品質で行える
光受容部材を提供することでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、高ＳＮ比
特性及び支持体との間に良好な電気的接触性を有する光
受容部材を提供することでもある。

本発明の他の目的は、光受容部材の表面における光反射
を低減し、入射光を効率よく利用できる光受容部材を提
供することでもある。

〔発明の概要〕

本発明の光受容部材は、所定の切断位置での断面形状が
主ピークに副ピークが重畳された凸状形状である凸部が
多数表面に形成されている支持体と；シリコン原子とゲ
ルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成された第１の
層と、シリコン原子を含む非晶質材料で構成され光導電
性を示す第２の層と、反射防止機能を有する表面層とが
支持体側より順に設けられた多層構成の光受容層と；を
有することを特徴としている。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明において装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状
を有する支持体（下図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿
って、１つ以上の感光層を有する多層構成の光受容層は
、第６図（Ａ）に拡大して示されるように、第２層６０
２の層厚ｄ５からｄもと連続的に変化している為に、界
面６０３と界面６０４とは互いに傾向きを有している。

従って、この微小部分（ショートレンジ）愛に入射した
可干渉性光は、該微小部分立に於て干渉を起し、微小な
干渉縞模様を生ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光Ｉｏにする反
射光Ｒ１と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る為
、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ　（
Ｂ）　Ｊ　）に較べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合ＣＢ）よりも非平行な場合（Ａ）は干
渉しても干渉縞模様の明暗の差が無視し得る程度に小さ
くなる。その結果、微小部分の入射光量は平均化される
。

このことは、第６図に示す様に、第２層６０２の層厚が
マクロ的にも不均一　（ｄ７”＝　ｄｓ　）でも同様に
伝える為、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６
図のｒ（Ｄ）」参照）また、光受容層が多層構成である場合に於て照射側から
第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明の
効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光Ｉ０に対し
て、反射光Ｒ，，Ｒ２、Ｒ３、Ｒａ　、Ｒ５が存在する
。その為各々の層で第７図を以って前記に説明したこと
が生ずる。

その上、微小部分内の各層界面は、一種のスリットとし
て働き、そこで回折現像を生じる。

そのため各層での干渉は、層厚の差による干渉と層界面
の回折による干渉との積として効果が現われる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現れることはない。又、仮に画像
に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的に
は何等支障を生じない。

本発明に於て、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実に
揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさＬ；Ｌ（凹凸形状の一
周期分）は、照射光のスボント径をＬとすれば、文≦Ｌ
である。

又、本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部
公文に於ける層厚の差（ｄ５−ｄ６）は、照射光の波長
を入とすると、であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部公党の層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件を満
足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界面が
平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於る層厚の差が、以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する感光層、電荷注入防止層、電気絶縁
性材料からなる障壁層等の各層の形成には本発明の目的
をより効果的且つ容易に達成する為に、層厚を光学的レ
ベルで正確に制御できることからブリズマ気相法（ＰＣ
ＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採用される。

本発明の目的を達するための支持体の加工方法としては
、化学エツチング、電気メッキなどの化学的方法、蒸着
、スパッタリングなどの物理的方法、旋盤加工などの機
械的方法などが利用できる。しかし、生産管理を容易に
行うために、旋盤などの機械的加工方法が好ましいもの
である。

たとえば、支持体を旋盤で加工する場合、７字形状の切
刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械
の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に
従って設計されたプログラムに従って回転させながら規
則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を
正確に切削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深
さで形成される。この様な切削加工法によって形成され
る凹凸が作り出す線状突起部は、円筒状支持体の中心軸
を中心にした螺線構造を有する。突起部の螺線構造は、
二重、三重の多重螺線構造、又は交叉螺線構造とされて
も差支えない。

或いは、ａｍ構造に加えて中心軸に沿った連線構造を導
入しても良い。

本発明の支持体の所一定断面内の凸部は、本発明の効果
を高めるためと、加工管理を容易にするために、−次近
似的に同一形状とすることが好ましい。

又、前記凸部は、本発明の効果を高めるために規則的ま
たは、周期的に配列されていることが好ましい。又、更
に、前記凸部は、本発明の効果を一層高め、光受容層と
支持体との密着性を高める゛ために、副ピークを複数布
することが好ましい。

これ等の夫々に加えて、入射光を効率よく一方向に散乱
するために、前記凸部が主ピークを中心に対称（第９図
（Ａ））または非対称形（第９図（Ｂ））に統一されて
いることが好ましい。しかし、支持体の加工管理の自由
度を高める為には両方が混在しているのが良い。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した上
で、本発明の目的を効果的に達成出来る様に設定される
。

即ち、第１には感光層を構成するＡ−Ｓｉ層は、層形成
される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応じ
て層品質は大きく変化する。

従って、Ａ−３ｔ感光層の層品質の、低下を招来しない
様に支持体表面に設けられる凹凸のディメンジョンを設
定する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の四部のピッチは、好ましくは５００　Ｂｍ
”０　、３　ＪＬｍ、より好ましくは２００ルｍ〜１ル
ｍ、最適には５０ルｍ〜５Ｋｍであるのが望ましい。

又凹部の最大の深さは、好ましくは０．１ｇｍ〜５μｍ
、より好ましくは０　、３　ＪＬｍ〜３　ｇｍ、最適に
は０．６ＪＬｍ〜２μｍとされるのが望ましい。支持体
表面の四部のピッチと最大深さが上記の範囲にある場合
、四部（又は線状突起部）の傾斜面の傾きは、好ましく
は１度〜２０度、より好ましくは３度〜１５度、最適に
は４度〜１０度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層圧の不均一
に基〈層厚差の最大は、同一ピッチ内で好＊Ｌ＜ｉｔｏ
　、１　ｇｍ〜２ｐｍ、より好ましくは０．１ｇｍ−１
，５ｐｍ、最適には０．２ｇｍ〜Ｉｇｍとされるのが望
ましい。

本発明の光受容部材における光受容層はシリコン原子と
ゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成された第１
の層と、シリコン原子を含む非晶質材料で構成され光導
電性を示す第２の層と、反射防止機能を有する表面層と
が支持体側より順に設けられた多層構成となっているた
め、極めて優れた電気的、光学的、光導電的特性、電気
的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質
の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に、本発明の光受容部材は、全可視光領域において光
感度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れて
いるため殊に、半導体レーザーとのマツチングに優れ、
且つ光応答が早い。

以下、図面に従って、本発明の光受容部材に就て詳細に
説明する。

第１Ｏ図は、本発明の実施態様例の光受容部材の層構成
を説明するために模式的に示した模式的構成図である。

第１０図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体１００１の上に、光受容層１０００を有す
る。

光受容層１０００は支持体１００１側よりゲルマニウム
原子を含有するａ−５ｉ　（Ｈ，Ｘ）（以後ｒａ−３ｉ
Ｇｅ　（Ｈ，Ｘ）Ｊとり略記する）で構成された第１の
層（Ｇ）１００２とａ−３ｉ（Ｈ、Ｘ）で構成され、光
導電性を有する第２の層（Ｓ）１００３と反射防止機能
を有する表面層１００５とが順に積層された層構造を有
する（ここで、Ｘはハロゲン原子をあられす）。第１の
層（Ｇ）１００２中に含有されるゲルマニウム原子は、
該＠１の層（Ｇ）１００２の層厚方向及び支持体の表面
と平行な面内方向に連続的であって且つ均一な分布状態
となる様に前記第１の層（Ｇ）１００２中に含有される
。本発明に於いては、第１の層（Ｇ）上に設けられる第
２の層（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されてお
らず、この様な層構造に光受容層を形成することによっ
て、可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的長波長
化の全領域の波長の光に対して光感度が優れている光受
容部材として得るものである。

又、第１の層（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分布
状態は全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布して
いるので、半導体レーザ等を使用した場合の、第２の層
（Ｓ）では殆ど吸収しきれない長波長側の光を第１の層
（Ｇ）に於いて、実質的に完全に吸収することが出来、
支持体面からの反射による干渉を防止することが出来“
る。　４又、本発明の光受容部材に於しζては、第１の
層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫
々がシリコン原子という共通の構成要素を有しているの
で積層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分酸され
ている。

本発明において、第１の層中に含有されるゲルマニウム
原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に達成さ
れる様に所望に従って適宜法められるが、好ましくは１
〜９　、５　Ｘ　１０５ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好
ましくはｌｏｏ〜８ＸＩＯａｔｏｍｉｃ　ｐ　ｐ　ｍ、
最適には５００〜１．７Ｘ１０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
とさ糺るのが望ましいものである。

本発明に於いて第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との層
厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な因
子の１つであるので形成される光受容部材に所望の特性
が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に充分な
る注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）の層厚Ｔは、好ましく
は３０λ　〜５０ＪＬ、より好ましくとされるのが望ま
しい。

又、第２の層（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５〜９
０ｐ、より好ましくは１〜８ｏ終最適には２〜５０ｐと
されるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢと第２層（Ｓ　’）の層厚Ｔ
の和（ＴＢ＋Ｔ）としては、両層領域に要求される特性
と光受容層全体に要求される特性との相互間の有機的関
連性に基いて、光受容部材の層設針の際に所望に従って
、適宜決定される。

本発明の光受容部材に於いては、上記の（ＴＯ十丁）の
数値範囲としては、好ましく　ｔｉ　１〜Ｌｏｏｐ、よ
り好適には１〜８０川、最適側とは２〜５０ルとされる
のが望ましい。

本発明のより好ましい実施態様例に於Ｉｔ〜ては、上記
の層厚ＴＢ及び層ｎＴとしては、好ましくはＴＢ／Ｔ≦
１なる関係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な数
値が選択されるのが望ましし１゜上記の場合に於ける層
厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択の於いて、より好ましく
はＴＢ／Ｔ≦０．８゜最適にはＴＢ／Ｔ≦０．８なる関
係が満足される様に層厚ＴＢ及び層厚Ｔの値が決定され
るのが望ましいものである。

本発明に於いて、第１の層ＣＧ）中に含有されるゲルマ
ニウムニウム原子の含有量がｌＸｌＯａｔＯｍｉＣＰＰ
ｍ以上の場合には、第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢとしては
、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３０ｇ以
下、より好ましくは２５ル以下、最適には２０ｇ以下と
されるのが望ましいものである。

本発明において、必要に応じて光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）及び第２の層（Ｓ）中に含有されるハロゲン
原子（Ｘ）としては、具体的には、フッ素、塩素、臭素
、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なものと
して挙げることが出来る。

本発明ニオイテ、ａ−３ｉＧｅ　（’Ｈ、Ｘ）で構成さ
れる第１の層（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電法
、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等
の放電減少を利用する真空堆積法によって成される。例
えば、グロー放電法によッテ、ａ−３ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ
）で構成される第１の層ＣＧ）を形成するには、基本的
には、シリコン原子（Ｓ　ｉ）を供給し得るＳｔ供給用
の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇ　ｅ）を供給し得る
Ｇｅ供給用の原料ガスと必要に応じて水素原子（Ｈ）導
入用の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の
原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス
圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ
、予め所定位置に設置されである所定の支持体表面上に
ａ−５ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成させれば良い
。又、スパッタリング法で形成する場合には１例えばＡ
ｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとし
た混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲットと
Ｇｅで構成されたターゲットの二枚を使用して、又はＳ
ｉとＧｅの混合されたターゲットを使用してスパッタリ
ングする際、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は／及びＩ
＼ロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の
堆積室に導入してやれば良い。

本発明において使用されるＳｔ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３　Ｈ
Ｂ、５ｉ４Ｈ＋　ｏ等のガス状態の又ガス化し得る水素
化硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げ
られ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供給効率
の良さ等の点でＳ’ｉＨ４、Ｓ　ｉ２　Ｈ６、が好まし
いものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
，、Ｇｅ２　Ｈ６，Ｇｅ３．Ｈ８、Ｇｅａ　Ｈ＋　ｏ、
Ｇｅ５Ｈ＋２　、Ｇｅ６Ｈ１４，Ｇｅ７Ｈ１６、Ｇｅｅ
Ｉ（＋ｅ、Ｇ’ｅ９　Ｈ２゜等のガス状態の又はガス化
し得る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるものとし
て挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供
給効率の良さ等の点で、Ｇｅ）（４、Ｇｅ２　Ｉ（６、
Ｇｅ３Ｈ８が好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化ケイ素化合物も有効なものとして本発明におい
ては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ、Ｃｆ１Ｆ、ＣｕＦ３．ＢｒＦ５．Ｂｒ
Ｆ３、ＩＦ３、ＩＦ５、ＩＣ１、ＩＢｒ等のハロゲン間
化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ４．Ｓｉ２　Ｆ、、５ｉＣｕａ、５ｉＢｒａ等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げる事が出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
、る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｔを供給
し得る原料ガスとしての水素化ケイ素ガスを使用しなく
とも、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−３ｉＧ
ｅから成る第１の層（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層（
Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳｔ供給用の
原料ガスとなるハロゲン化ケイ素とＧｅ供給用の原料ガ
スとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｈ２，Ｈｅ等のガ
ス等を所定の混合比とガス流量になる様にして第１の層
（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起し
てこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによっ
て、所望の支持体上に第１の層ＣＧ）を形成し得るもの
であるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる
様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原子
を含むケイ素化合物のガスも所望量混合して層形成して
も良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数混合
して使用しても差支えないものである。

反応性スパッタリング法或いはイオンブレーティング法
に依ってａ−３ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）から成る第１の層（Ｇ
）を形成するには、例えばスパッタリング法の場合には
Ｓｔから成るターゲットとＧｅから成るターゲットの二
枚を、或いはＳｔとＧｅから成るターゲットを使用して
、これを所望のガスプラズマ雰囲気中でスパッタリング
し、イオンブレーティング法の場合には、例えば、多結
晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又
は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ポート
に収容し、この蒸発源を抵抗加熱法或いはエレクトロン
ビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔蒸発物
を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる事で行う事
が出来る。

この際、スパー７タリング法、イオンブレーティング法
の何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入
するには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原
子を含むケイ′素化合物のガスを堆積室中に導入して該
ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである
。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ、ＨＣｕ、ＨＢｒ、ＨＩ等（７）　ハロゲ
ン化ケ素、５ｉＨ２Ｆｚ、ＳｉＨ２Ｉ２　、ＳｉＨ２Ｃ
Ｊ１２．５ｉＨＣＪ１．、ＳｉＨ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ
３等ノハロゲン置換水素化ケイ素、及びＧｅＨＢ３　、
ＧｅＨ２Ｆ２、ＧｅＨ３Ｆ、ＧｅＨＣｕ、、ＧｅＨ２Ｃ
１２、ＧｅＨ２Ｃ１２ＧｅＨ３Ｂｒ、ＧｅＨＩ３．ＧｅＨ２Ｉ２、ＧｅＨ３Ｉ
等の水素化ハロゲン化ゲルマニウム等の水素原子を構成
要素の１つとするハロゲン化物、ＧｅＦ４、ＧｅＣ１゜
、ＧｅＢｒ４、Ｇｅ　Ｉ４．ＧｅＦ２．ＧｅＣ１，、Ｇ
ｅＢ　ｒ２、Ｇｅ　Ｉ、等のハロゲン化ゲルマニウム、
等々のガス状態の或いはガス化し得る物質も有効な第１
の層（Ｇ）形成用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、！
　１１７）層（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導
入と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効
な水素原子も導入されるので、本発明においては好適な
ハロゲン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層（Ｇ）・中に構造的に導入するには
、上記の他にＨ２，或いはＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ
３ＨＢ、Ｓｉ４Ｈ１０等の水素化硅素をＧｅを供給する
為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或いは、
Ｇｅ）Ｉａ、Ｇｅ２Ｈ６，Ｇｅ３Ｈ８，Ｇｅ４Ｈ１゜、
Ｇｅ５Ｈ，２、Ｇｅ６Ｈ１４，Ｇｅ７Ｈ１６，ＧｅＢＨ
ＩＢ。

ＧｅｇＨ２゜等の水素化ゲルマニウムとＳｔを供給する
為のシリコン又はシリ゛コン化合物と、を堆積室中に共
存させて放電を生起させる事でも行う事が出来る。本発
明の好ましい例において、形成される光受容層を構成す
る第１の層ＣＧ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又
は／＼ロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原
子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは０．０１〜４０　
ａ　ｔ　ｏ　ｍ　ｉ　ｃ％、より好適には０．０５〜３
０ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％、最適には０．１〜２５ａｔｏｍ
ｉｃ％とされるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（）（）又は／
及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには１例えば支
持体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原
子（ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装
置系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い
。

本発明に於いて、ａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第２
の層（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層（Ｇ）形
成用の出発物質ＣＩ）の中より、Ｇｅ供給用の原料ガス
となる出発物質を除いた出発物質〔第２の層（Ｓ）形成
用の出発物質（ＩＩ））を使用して、第１の層（−Ｇ）
を形成する場合と、同様の方法と条件に従って行うこと
が出来る。

即ち、本発明において、ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層（Ｓ）を形成するには例えばグロー放電法、
スパッリング法、或いはイオンブレーティング法等の放
電現象を利用する真空堆積法によって成される。例えば
、グロー放電法によってａ　Ｓ　１　（Ｈ＋　Ｘ）で構
成される第２の層（Ｓ）を形成するには、基本的には前
記したシリコン原子（Ｓ　ｉ）を供給し得るＳｔ供給用
の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用
の又は／及び／＼ロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを
、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内
にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されであ
る所定の支持体表面上にａ　−３ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる
層を形成させれば良い。

又、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ
、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした
混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲットをス
パッタリングする際、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）導入用のカスをスパッタリング用の堆積室
に導入しておけば良い。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２の
層（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲ
ン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量の和
（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは１〜４０ａｔ　ｏｍｃｉ％、
より好適には５〜３０ａｔｏｍｃｉ％、最適には５〜２
５ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％とされるのが望ましい。

反射防止機能を持つ表面層１００５の厚さは、次のよう
に決定される。

表面層の材料の屈折率をｎとし、照射光の波長を入とす
ると、反射防止機能を持つ表面層の厚さｄは、が好ましいものである。

また、表面層１００５の材料としては、表面層を堆積す
る感光層の屈折率をｎａとすると、ｎ＝　β１の屈折率を有する材料が最適である。

この様な光学的条件を加味すれば、反射防止層の層厚は
、露光光の波長が近赤外から可視光の波長域にあるもの
として、０．０５〜２ｇｍとされるのが好適である。

本発明に於いて、反射防止機能を持つ表面層１００５′
の材料として有効に使用されるものとじては、例えば、
ＭｇＦ２．Ａｌ２Ｏ３，ＺｒＯ２。

ＴｉＯ２ＺｎＳ、ＣｅＯ２、ＣｅＦ、、、５ｔｏ２、Ｓ
ｉＯ，Ｔａ２０５　、ＡＪＬＦ３　、ＮａＦ。

５ｔ３Ｎａ等の無機弗化物、無機酸化物や無機窒化物、
或いは、ポリ塩化ビニル、ポリアミド樹脂、ポリイミド
樹脂、弗化ビニリデン、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、
フェノール樹脂、酢酸セルロース等の有機化合物が挙げ
られる。

これらの材料は、本発明の目的をより効果的且つ容易に
達成する為に、層厚を光学的レベルで正確に制御できる
ことから、蒸着法、スパッタリング法、プラズマ気相法
（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、塗布法が採
用される。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては例え
ば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、
Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ　。

ＰＬ、Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。こ
れ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、ＡＵ
、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ。

Ｎｂ、Ｔａ、ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３。

Ｓ　ｎ　Ｏ２、Ｉ　Ｔ　Ｏ（Ｉ　ｎ　２０３　＋　Ｓ　
ｎ　Ｏ２）等から成る薄膜を設けることによって導電性
が付与され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂
フィルムであれば、ＮｉＣｒ、／Ｍｌ、Ａｇ、Ｐｂ。

Ｚｎ、Ｎｉ　、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、’Ｉｒ、Ｎｂ。

Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、ｉ’を等の金属の薄膜を真空蒸着、電
子ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面に設け、又
は前記金属でその表面をラミネート処理して、その表面
に導電性が付与される。

支持体の形状としては１円筒状、ベルト状、板状等任意
の形状とし得、所望によって、その形状は決定されるが
、例えば、第１０図の光受容部材１００４を電子写真用
光受容部材として使用するのであれば連続高速複写の場
合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。

支持体の厚さは、所望通りの光受容部材が形成される用
に適宜決定されるが、光受容部材として可撓性が要求さ
れる場合には、支持体としての機能が充分発揮される範
囲内であれば可能な限り薄くされる。面乍ら、この様な
場合支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点か
ら、好ましくは１０終以上とされる。

次に、本発明の光受容部材の製造方法の一例の概略につ
いて説明する。

第１１図に光受容部材の製造装置の一例を示す図中、１
１０２〜１１０６のガスボンベには、本発明の光受容部
材を形成するための原料ガスが密封されており、その−
例として例えば１１０２は、ＳｉＨ４ガス（純度９９．
９９９％、以下ＳｉＨ４と略す）ボンベ、１１０４はＳ
ｉＦ４ガス（純度９９．９９％、以下ＳｉＦ４と略す）
ボンベ、１１０５はＨｅガス（純度９９．９９９％）ボ
ンベ、１１０６はＨガス（純度９９．９９９％）ボンベ
である。

これらのガスを反応室１１０１に流入させるにはガスボ
ンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２２〜１１２６、
リークバルブ１１３５が閉じられていることを確認し、
また流入バルブ１１１２〜１１１６、流出バルブ１１１
７〜１１２１．補助バルブ１１３２．１１３３が開かれ
ていることを確認して、先ずメインバルブ１１３４を開
いて反心室１１０１．及び各ガス配管内を排気する。次
に真空計１１３６（７）読みが約５Ｘ１０　ｔｏｒｒに
なった時点で補助バルブ１１３２．１１３３、流出バル
ブ１１１７〜１１２１を閉じる。

次に、シリンダー状基体１１３７上に光受容層を形成す
る場合の１例をあげると、ガスボンベ１１０２よりＳｉ
Ｈ４ガス、ガスボンベ１１０３よりＧｅＨ４ガスをバル
ブ１１２２．１１２３を開いて出口圧ゲージ１１２７．
１１２８の圧を１Ｋｇ７０ｍ２に調整し、流入バルブ１
１１２．１１１３を徐々に開けて、マスフロコントロラ
ー１１Ｏ７，１１０８内に夫々流入させる。引続いて流
出バルブ１１１７．１１１８、補助バルブ１１３２を徐
々に開いて夫々のガスを反応室１１０１に流入させる。

このときのＳｉＨ４ガフ流量とＧｅＨ４ガス流量との比
が所望の値になるように流出バルブ１１１７．１１１８
を調整し、また、反応室１ｔｏｉ内の圧力が所望の値に
なるように真空計１１３６の読みを見ながらメインバル
ブ１１３４の開口を調整する。そして、基体１１３７の
温度が加熱ヒーター１１３８により５０〜４００℃の範
囲の温度に設定されていることを確認した後、電源１１
４０を所望の電力に設定して反応室１１０１内にグロー
放電を生起させて形成される層中にゲルマニウム原子を
含有させる。

上記の様にして所望時間グロー放電を維持して、所望層
厚に、基体１１３７上に第１の層ＣＧ）を形成する。所
望層厚に第１の層ＣＧ）が形成された段階において、流
出バルブ１１１８を完全に閉じること及び必要に応じて
放電条件を変える以外は、同様な条件と手順に従って所
望時間グロー放電を維持することで第１の層上にゲルマ
ニウム原子の実質的に含有されない第２の層（Ｓ）を形
成することができる。

次に、第２の層（Ｓ）上に表面層を堆積させるために、
例えば１１０６の水素（Ｈｚ　）ガスボンベをアルゴン
（Ａ　ｒ）ガスボンベに取り換え、堆積装置を清掃し、
カソード電極上に表面層の材料を一面に張る。その後、
装置内に第２の層（Ｓ）まで形成したものを設置し、減
圧した後アルゴンガスを導入し、グロー放電を生起させ
表面層材料をスパッタリングして、所望層厚に表面層を
形成する。

層形成を行なっている間は層形成の均一化を図るため基
体１１３７はモーター１１３９により一定速度で回転さ
せてやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１Ａｌ支持体（長さくＬ）３’５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍ
ｍ）を旋盤で第１２図（Ｂ）に示す様なお面性に加工し
た。

次に、−１１図の堆積装置を使用し、第１表の条件Ｎｏ
、１０１及び第２表に示す条件で種々の操作手順にした
がって、Ａ−３ｔの電子写真用光受容部材を前述のＡｔ
支持体上に堆積した。

尚１表面層の堆積は次の様にして行なわれた。

第２層の堆積後、水素（Ｈ２）ボンベ　をアルゴン（Ａ
ｒ）ガスボンベに取りかえ、堆積装置を情操し、カソー
ド電極上に第１表条件１０１に示す表面層材料を一面に
はる。前記光受容部材を設置し堆積装置内を拡散ポンプ
で十分に減圧する。その後アルゴンガスを０．０１５ｔ
ｏｒｒまで導入し高周波電力１５０Ｗでグロー放電、を
起して表面材料をスパッタリングして前記支持体上に第
１表条件Ｎｏ、１０１　の表面層を堆積した。

この様にして作製したＡ−３ｉ：Ｈの電子写真用光受容
部材の表面状態は、第１２図（Ｃ）の様であった。

表面層を第１表条件Ｎｏ、１０２〜１２２に示さてる様
に形成する以外は上記と同様の方法で光受容部材を作製
した。

以上のような電子写真用光受容部材について、第１３図
に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、ス
ポット径８０用ｍ）で、画像露光をあない、それを現像
、転写して画像を得た。得られた画像には、干渉縞模様
は観察されず、実用に十分なものであった。

実施例２第１４図、第１５図、第１６図に示す表面性のシリンダ
ー状ＡＩ支持体上に、第３表に示す条件で電子写真用光
受容部材を形成した。

これら電子写真用光受容部材につりＸて、実施例１と同
様なす画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像
、転写、定着して普通紙上に可視画像を得た。

この場合に得られた画像には、干渉縞は見られず、実用
に十分な特性であった。

実施例３第１４図、第１５図、第・１６図に示す表面性のシリン
ダー状Ａｔ支持体上に、第４表に示す条件で電子写真用
光受容部材を形成した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
なす画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、
転写、定着して普通紙上に可視画像を得た。

実施例４第１４図、第１５図、第１６図に示す表面性のシリンダ
ー状Ａｔ支持体上に、第５表に示す条件で電子写真用光
受容部材を形成した。

［発明の効果］ υ上、詳細に説明した様に、本発明によれば、可干渉性
単色光を用いる画像形成に適し、製造管理が容易であり
、且つ画像形成時に現出する干渉縞模様と反転現像時の
斑点の現出を同時にしかも完全に解消することができ、
更には光感度性、高ＳＮ比特性、及び支持体との間に良
好な電気的接触性を有し、デジタル画像記録に好適で、
しかも表面における光反射を低減し、入射光を効率よく
利用できる光受容部材を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。第６図は光受容部材の各層の界面が非平行な場合に干渉
縞が現われないことの説明図である。第７図は、光受容部材の各層の界面が平行である場合と
非平行である場合の反射光強度の比較の説明図である。第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。第９図は代表的な支持体の表面状態の説明図である。第１０図は、光受容部材の層構成の説明図である。第１１図は、実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明
図である。第１２図は、実施例で用いたＡ１支持体の表面状態の説
明図である。第１３図は、実施例で使用した画像露光装置である。第１４図、第１５図、第１６図は、実施例で使用したＡ
５Ｌ支持体の表面状態の説明図である。１０００・・・・・・・・・光受容層１００１・・・・・・・・・Ａｎ支持体１００２・・・
・・・・・・第１の層１００３・・・・・・・・・第２の層１００４・・・・・・・・・光受容部材１００５・・・
・・・・・・表面層１３０１・・・・・・・・・電子写真用光受容部材１３
０２・・・・・・・・・半導体レーザー１３０３・・・
・・・・・・ｆＯレンズ１３０４・・・・・・・・・ポ
リゴンミラー１３０５・・・・・・・・・露光装置の平
面図３６６− 第　３　図１ｆ４　図 ■　５１＠６　閏（Ｄ）第　７　図（Ａ）　、　（Ｂ）（Ｃ）Ｒイ狂３【笥　８　閏笥９図瀉　１２　図（Ａ）（Ｂ）　（Ｃ）Ｃμｍ）　（μｍ）第　１３　図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）　所定の切断位置での断面形状が主ピークに副ピ
ークが重畳された凸状形状である凸部が多数表面に形成
されている支持体と；シリコン原子とゲルマニウム原子
とを含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコン
原子を含む非晶質材料で構成され光導電性を示す第２の
層と、反射防止機能を有する表面層とが支持体側より順
に設けられた多層構成の光受容層と；を有することを特
徴とする光受容部材。
（２）　前記凸部が規則的に配列されている特許請求の
範囲第１項に記載の光受容部材。
（３）　前記凸部が周期的に配列されている特許請求の
範囲第１項に記載の光受容部材。
（４）　前記凸部の夫々は、−次近似的に同一形状を有
する特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
（５）　前記凸部は、副ピークを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載の光受容部材。
（６）　前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心に
して対称形状である特許請求の範囲第１項に記載の光受
容部材。
（７）　前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心に
して非対称形状である特許請求の範囲第１項に記載の光
受容部材。
（８）　前記凸部は、機械的加工によって形成された特
許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。