JPS60220848A - プラズマ利用装置 - Google Patents
プラズマ利用装置Info
- Publication number
- JPS60220848A JPS60220848A JP7658184A JP7658184A JPS60220848A JP S60220848 A JPS60220848 A JP S60220848A JP 7658184 A JP7658184 A JP 7658184A JP 7658184 A JP7658184 A JP 7658184A JP S60220848 A JPS60220848 A JP S60220848A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- plasma
- observation window
- light emitted
- amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、プラズマ中よシ生じる特定発光化学種の発光
量が外部から容具、且つ正確に把握し得るように構成さ
れたプラズマ利用装置に関するものである。
量が外部から容具、且つ正確に把握し得るように構成さ
れたプラズマ利用装置に関するものである。
これまでプラズマ利用装置においては、プラズマの監視
は装置本体内プラズマ中よシ生じる特定発光化学種の発
光量を装置本体外部にて測定することによって行なわれ
ているのが実状である。しかしながら、測定は観測窓な
介し行なわれていることから、観測窓のプラズマ反応物
質などＫよる汚れや、その観測窓材質による光の吸収、
散乱、干渉などに原因してその特定発光化学種の発光量
の変化を正確に把握し得ないという不具合がある。
は装置本体内プラズマ中よシ生じる特定発光化学種の発
光量を装置本体外部にて測定することによって行なわれ
ているのが実状である。しかしながら、測定は観測窓な
介し行なわれていることから、観測窓のプラズマ反応物
質などＫよる汚れや、その観測窓材質による光の吸収、
散乱、干渉などに原因してその特定発光化学種の発光量
の変化を正確に把握し得ないという不具合がある。
よって本発明の目的は、プラズマの発光状態！正確に把
握し得るプラズマ利用装置を供するにある。
握し得るプラズマ利用装置を供するにある。
この目的のため本発明は、装置本体外部に設けられた標
準光源からの光を第１の観測窓、装置本体内部、第２の
観測窓を介し測定しその光量変イビ量にもとづき特定対
象の発光化学種の発光量を補正するようになしたもので
ある。。標準光源からの光の光量変化よシ同程度に汚れ
ている第１．第２の観測窓の汚れ具合が知れるものであ
シ、この汚れ具合よシ発光化学種の見掛上の発光量が正
しい発光量に補正され得るものである。
準光源からの光を第１の観測窓、装置本体内部、第２の
観測窓を介し測定しその光量変イビ量にもとづき特定対
象の発光化学種の発光量を補正するようになしたもので
ある。。標準光源からの光の光量変化よシ同程度に汚れ
ている第１．第２の観測窓の汚れ具合が知れるものであ
シ、この汚れ具合よシ発光化学種の見掛上の発光量が正
しい発光量に補正され得るものである。
以下、本発明を第１図から第３図により説明する。
先ず本発明によるプラズマ利用装置の概要構成について
説明する。第１図はその構成を示したものである。これ
によるとプラズマ利用装置本体１内には一対の電極１０
、１１が設けられているが、原料ガスが封入された状
態で高周波電源１２よシミ力を電極１０ 、１１間に与
えるようにすれは、電極１０゜１１間には原料ガスが電
離化されることによってプラズマ５が発生するものとな
っている。プラズマ５からの光７は測定窓としての観測
窓８乞介し光検出機構３で特定波長のものが分光、検出
されるようになっているものである。一方、観測窓８に
対向するプラズマ利用装置本体１部分には標準光導入用
の観測窓９が設けられ、標準光源２からの光６は観測窓
９、プラズマ利用装置本体１内部、観測窓８を介し光検
出機構３によって検出器となっている。観測窓８がプラ
ズマ反応物質などによって汚染された場合や、プラズマ
５からの発光量に変化が生じたとき和光量の補正を行な
う場合は、標準光源２からの光６とプラズマ５からの光
７は同時に光検出機構３によって検出される。光６゜７
はその光量に応じた電気信号に変換され７ｔうえ演算器
４に与えられるが、光６の光量については演算器４でプ
ラズマ発生前の観測窓８が汚染されていない状態で予め
測定しておいた光６の光量との間で光量の変化比率がめ
られるものとなっている。観測窓８，９が同一汚染状態
にあるものとしてその変化比率よシ観測窓８での光６，
７の減光率が知れ、この減光率によって光７（％定対象
発光化学種による光）の検出光量を補正することによっ
てプラズマ５の状態を正しく把握し得るわけである。な
お、標準光源２としてはノ１０グンランプや水銀ラング
、タングステンランプ、赤外ラングなど、波長が２００
〜２０００ｎｍの光を放射し得るものとされる。また、
光検出機構３としては、分光または検出された光の伝送
に光ファイバを用いるものとして回折格子、プリズム、
ビームスプリッタ、干渉フィルタ、スリットなどの分光
手段と、光電子増倍管、光センサ（ホトダイオードなど
）、赤外検出器、半導体検出器などの光検出手段とを測
定対象の化学種の波長に合わせて組合せたものとされる
。更にプラズマ利用装置１本体内における標準光源２か
らの光６の通過位置としては少なくとも光６が観１測窓
８に達し得るならば任意の位置でよく必ずしもプラズマ
５中を通過させる必要はない。
説明する。第１図はその構成を示したものである。これ
によるとプラズマ利用装置本体１内には一対の電極１０
、１１が設けられているが、原料ガスが封入された状
態で高周波電源１２よシミ力を電極１０ 、１１間に与
えるようにすれは、電極１０゜１１間には原料ガスが電
離化されることによってプラズマ５が発生するものとな
っている。プラズマ５からの光７は測定窓としての観測
窓８乞介し光検出機構３で特定波長のものが分光、検出
されるようになっているものである。一方、観測窓８に
対向するプラズマ利用装置本体１部分には標準光導入用
の観測窓９が設けられ、標準光源２からの光６は観測窓
９、プラズマ利用装置本体１内部、観測窓８を介し光検
出機構３によって検出器となっている。観測窓８がプラ
ズマ反応物質などによって汚染された場合や、プラズマ
５からの発光量に変化が生じたとき和光量の補正を行な
う場合は、標準光源２からの光６とプラズマ５からの光
７は同時に光検出機構３によって検出される。光６゜７
はその光量に応じた電気信号に変換され７ｔうえ演算器
４に与えられるが、光６の光量については演算器４でプ
ラズマ発生前の観測窓８が汚染されていない状態で予め
測定しておいた光６の光量との間で光量の変化比率がめ
られるものとなっている。観測窓８，９が同一汚染状態
にあるものとしてその変化比率よシ観測窓８での光６，
７の減光率が知れ、この減光率によって光７（％定対象
発光化学種による光）の検出光量を補正することによっ
てプラズマ５の状態を正しく把握し得るわけである。な
お、標準光源２としてはノ１０グンランプや水銀ラング
、タングステンランプ、赤外ラングなど、波長が２００
〜２０００ｎｍの光を放射し得るものとされる。また、
光検出機構３としては、分光または検出された光の伝送
に光ファイバを用いるものとして回折格子、プリズム、
ビームスプリッタ、干渉フィルタ、スリットなどの分光
手段と、光電子増倍管、光センサ（ホトダイオードなど
）、赤外検出器、半導体検出器などの光検出手段とを測
定対象の化学種の波長に合わせて組合せたものとされる
。更にプラズマ利用装置１本体内における標準光源２か
らの光６の通過位置としては少なくとも光６が観１測窓
８に達し得るならば任意の位置でよく必ずしもプラズマ
５中を通過させる必要はない。
次に第２図によシ本発明によるプラズマ利用装置を用い
ＳｉχＮｙプラズマ中でのＮ２の発光ｉ！正確にめる場
合について具体的に説明する。本例では原料ガスとして
混合比１：９の８１ Ｈ４とＮｔを用い周波数１３．５
６ＭＨｚの高周波電力を高周波電源１２より電極ｔｏ
、 ｉｔ間に与えるようにした。これによりプラズマＣ
ＶＤ装置としてのプラズマ利用装置本体１内部において
はＳ１ウエノ為（図示せず）上に８１．Ｎ、薄膜が形成
されるものである。
ＳｉχＮｙプラズマ中でのＮ２の発光ｉ！正確にめる場
合について具体的に説明する。本例では原料ガスとして
混合比１：９の８１ Ｈ４とＮｔを用い周波数１３．５
６ＭＨｚの高周波電力を高周波電源１２より電極ｔｏ
、 ｉｔ間に与えるようにした。これによりプラズマＣ
ＶＤ装置としてのプラズマ利用装置本体１内部において
はＳ１ウエノ為（図示せず）上に８１．Ｎ、薄膜が形成
されるものである。
ところで、標準光源２としてＨｇラングを使用した場合
、必要に応じＨｇによる光６とプラズマ５からの光７は
混合された状態で光検出機構３内でビームスプリッタ１
３によ９２分されたうえそれぞれフィルタ１４ 、１５
に導かれるようになっている。
、必要に応じＨｇによる光６とプラズマ５からの光７は
混合された状態で光検出機構３内でビームスプリッタ１
３によ９２分されたうえそれぞれフィルタ１４ 、１５
に導かれるようになっている。
フィルタ１４においてはＮ２の発光ピークの波長である
３３６ｎｍの波長の光のみが、また、フィルタ１５にお
いてはＨｇの発光ピークの波長である４３６ｎｍの波長
の光のみが選択的に透過されるものである。フィルタ１
４ 、１５からの特定波長の光はそれぞれ光検出器とし
てのホトダイオード１６．１７によって電気イキ号に変
換されたうえ演算器４に送られ、演算器４では検出され
たＮ２の発光ｔをＨｇの発光量によシ補正することによ
って正しいＮｔの発光量を得、これを表示するところと
なるものである。
３３６ｎｍの波長の光のみが、また、フィルタ１５にお
いてはＨｇの発光ピークの波長である４３６ｎｍの波長
の光のみが選択的に透過されるものである。フィルタ１
４ 、１５からの特定波長の光はそれぞれ光検出器とし
てのホトダイオード１６．１７によって電気イキ号に変
換されたうえ演算器４に送られ、演算器４では検出され
たＮ２の発光ｔをＨｇの発光量によシ補正することによ
って正しいＮｔの発光量を得、これを表示するところと
なるものである。
これによりプラズマ５０発光状態を知り得、ゾラズマ５
を良好な状態に制御することがある程度可能となるもの
である。本発明によるプラズマ利用装置をプラズマＣＶ
Ｄ装置として用い不場合には、半導体製造上での歩留シ
向上を期待し得るわけである。
を良好な状態に制御することがある程度可能となるもの
である。本発明によるプラズマ利用装置をプラズマＣＶ
Ｄ装置として用い不場合には、半導体製造上での歩留シ
向上を期待し得るわけである。
第３図は実際に検出されるＮ２の発光量の経時的変化を
示したものである。Ｎ２の発光量が実際には変化しない
場合であっても観測窓の汚れにより見掛上実際に検出さ
れる光量は特性Ａとして示すように低下するところとな
る。しかしながら、本発明によるプラズマ利用装置？用
いる場合には実際に検出される光量は正しく補正され得
、特性Ｂの如くになるものである。
示したものである。Ｎ２の発光量が実際には変化しない
場合であっても観測窓の汚れにより見掛上実際に検出さ
れる光量は特性Ａとして示すように低下するところとな
る。しかしながら、本発明によるプラズマ利用装置？用
いる場合には実際に検出される光量は正しく補正され得
、特性Ｂの如くになるものである。
以上説明したように本発明による場合は、標準光源によ
って観測窓の汚れ具合が知れこれによシプラズマからの
特定発光化学種による光量を補正し得ることから、プラ
ズマの発光状態を正確に把握し得るという効果がある。
って観測窓の汚れ具合が知れこれによシプラズマからの
特定発光化学種による光量を補正し得ることから、プラ
ズマの発光状態を正確に把握し得るという効果がある。
第１図は、本発明によるプラズマ利用装置の概要構成を
示す図、第２図は、その構成における光検出機構を一例
として具体的に示したうえで特定発光化学種の発光量を
正しくめる方法を説明するための図、第３図は、実際に
検出される特定発光化学種としてのＮ２の発光量の経時
的変化を示す図である。 １・・・プラズマ利用装置本体、２・・・標準光源、３
・・・光検出機構、４・・・演算器、８．９・・・観測
窓。 代理人弁理士 秋 本 正 実 ％Ｎ図 第２図 第３図
示す図、第２図は、その構成における光検出機構を一例
として具体的に示したうえで特定発光化学種の発光量を
正しくめる方法を説明するための図、第３図は、実際に
検出される特定発光化学種としてのＮ２の発光量の経時
的変化を示す図である。 １・・・プラズマ利用装置本体、２・・・標準光源、３
・・・光検出機構、４・・・演算器、８．９・・・観測
窓。 代理人弁理士 秋 本 正 実 ％Ｎ図 第２図 第３図
Claims (1)
- 装置本体内部で発生されるプラズマからの光を装置本体
外部に取出するための観測窓を有してなるプラズマ利用
装置にして、観測窓に対向する装置本体部分に新たに標
準光導入用の観測窓を設けるとともに、該観測窓用側近
傍に標準光源を設け、装置本体内部を介する上記標準光
源からの光とプラズマからの光を観測窓を介し装置本体
外部に取り出しそれぞれ分光検出手段で分光検出したう
え、演算手段で該分光検出に係る標準光源からの光の光
量と予め分光検出されている観測窓非汚染時での標準光
源からの光の光量とにもとづき上記分光検出手段からの
分光検出されｆＣｆラズマからの光の光量を補正する構
成を特徴とするプラズマ利用装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7658184A JPS60220848A (ja) | 1984-04-18 | 1984-04-18 | プラズマ利用装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7658184A JPS60220848A (ja) | 1984-04-18 | 1984-04-18 | プラズマ利用装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60220848A true JPS60220848A (ja) | 1985-11-05 |
Family
ID=13609241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7658184A Pending JPS60220848A (ja) | 1984-04-18 | 1984-04-18 | プラズマ利用装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60220848A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62165920A (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-22 | Hitachi Ltd | エツチング終点判定装置 |
| JPH0390576A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-16 | Raimuzu:Kk | 金属窒化物被膜の形成法 |
-
1984
- 1984-04-18 JP JP7658184A patent/JPS60220848A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62165920A (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-22 | Hitachi Ltd | エツチング終点判定装置 |
| JPH0390576A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-16 | Raimuzu:Kk | 金属窒化物被膜の形成法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101990704B (zh) | 用于归一化光学发射光谱的方法和装置 | |
| TW586004B (en) | Apparatus and method for spectral analysis of gas | |
| US6594010B2 (en) | Emission spectrometer having a charge coupled device detector | |
| JP3336256B2 (ja) | レーザ光によるガスの分光分析方法 | |
| EP0091126A2 (en) | Fluorimeter | |
| JP2007218787A (ja) | 波長校正方法及び波長校正装置 | |
| US12467856B2 (en) | Gas analysis device and gas analysis method | |
| US6800855B1 (en) | Spectroscopic method for analyzing isotopes by using a semiconductor laser | |
| US4192996A (en) | Measurement of oxygen by differential absorption of UV radiation | |
| JPS60220848A (ja) | プラズマ利用装置 | |
| EP1111370A1 (en) | A spectroscopic method for analysing isotopes by using a wavelength-tunable laser | |
| JPH0217429A (ja) | レーザ方式ガスセンサによる濃度測定方法 | |
| JP2000105152A (ja) | 温度測定方法及びその装置 | |
| JPS6197554A (ja) | プラズマモニタ方法 | |
| JP2783863B2 (ja) | エッチング終点検出方法 | |
| JPH01235834A (ja) | レーザ方式ガスセンサにおける信号処理方式 | |
| JPS599928A (ja) | プラズマモニタ装置 | |
| KR100389078B1 (ko) | 반도체 레이저를 이용한 동위체의 분광 분석 방법 | |
| CN108732168A (zh) | 一种光源自恒定光度计 | |
| JPS63208218A (ja) | プラズマ処理終点判定方法及び装置 | |
| SU890083A1 (ru) | Способ определени концентрации оптически активных примесей в твердых телах | |
| SU805143A1 (ru) | Газоанализатор | |
| JPH05326457A (ja) | 排気気体の成分検出によるプラズマエッチング装置用終点検出器 | |
| DE69925284T2 (de) | Spektroskopisches Verfahren zur Messung von Verunreinigungspuren in einem Gas mittels Laserstrahlung | |
| JPH01107134A (ja) | 低温プラズマの発光分光分析方法 |