JPS60224775A - スパツタ装置 - Google Patents
スパツタ装置Info
- Publication number
- JPS60224775A JPS60224775A JP7946784A JP7946784A JPS60224775A JP S60224775 A JPS60224775 A JP S60224775A JP 7946784 A JP7946784 A JP 7946784A JP 7946784 A JP7946784 A JP 7946784A JP S60224775 A JPS60224775 A JP S60224775A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnet
- target
- wafer
- sputtering
- opposing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｆｉ＋発明の技術分野
本発明はスパッタ装置、詳しくはウェハ一枚処理のスパ
ッタにおいてターゲツト材の被着性カバレンジ（ｃｏｖ
ｅｒａｇｅ）が改良されたスパッタ装置に関する。
ッタにおいてターゲツト材の被着性カバレンジ（ｃｏｖ
ｅｒａｇｅ）が改良されたスパッタ装置に関する。
（２）技術の背景
例えばウェハ上にアルミニウム（Ａｎ配線層を形成する
場合にはマグネトロンスパッタで一枚処理によりウェハ
上にＡｊ２薄膜を形成することが行われ、それには第１
図に概略断面図で示される装置が用いられる。同図にお
いて、■は真空チャンバ、２はウェハ、３はＡｆｉのタ
ーゲット、４は偏心回転方式のＮ極磁石およびＳ極磁石
からなる対向磁石部を示し、操作において、チャンバ１
は５ Ｘ １Ｏ−７Ｔｏｒｒ程度の真空にひかれ、次い
でチャンバ内に２〜２０ｍ Ｔｏｒｒのアルゴン（Ａｒ
）を供給しチャンバ内の真空度を１０−’ Ｔｏｒｒの
オーダーに下げ、ターゲット３に一５００ｖの電圧を印
加してプラズマを発生させ、ＡｒからＡｒ＋と電子ｅ−
を発生させ、Ａｒ＋がターゲット３を衝撃してＡＩをた
たき出すと、このＡＩがウェハ上に被着しへβ薄膜が形
成される。ウェハ２はターゲット３に対しては対向配置
の状態にあり、対向磁石部４はターゲ・ノドに対し偏心
的に配置されている。そのための磁石４は第２図に模式
的に示され、対向磁石部４は矢印の方向に偏心回転する
。
場合にはマグネトロンスパッタで一枚処理によりウェハ
上にＡｊ２薄膜を形成することが行われ、それには第１
図に概略断面図で示される装置が用いられる。同図にお
いて、■は真空チャンバ、２はウェハ、３はＡｆｉのタ
ーゲット、４は偏心回転方式のＮ極磁石およびＳ極磁石
からなる対向磁石部を示し、操作において、チャンバ１
は５ Ｘ １Ｏ−７Ｔｏｒｒ程度の真空にひかれ、次い
でチャンバ内に２〜２０ｍ Ｔｏｒｒのアルゴン（Ａｒ
）を供給しチャンバ内の真空度を１０−’ Ｔｏｒｒの
オーダーに下げ、ターゲット３に一５００ｖの電圧を印
加してプラズマを発生させ、ＡｒからＡｒ＋と電子ｅ−
を発生させ、Ａｒ＋がターゲット３を衝撃してＡＩをた
たき出すと、このＡＩがウェハ上に被着しへβ薄膜が形
成される。ウェハ２はターゲット３に対しては対向配置
の状態にあり、対向磁石部４はターゲ・ノドに対し偏心
的に配置されている。そのための磁石４は第２図に模式
的に示され、対向磁石部４は矢印の方向に偏心回転する
。
（３）従来技術と問題点
上記の装置を用いてスパッタするときに、ウェハ２上に
段差があるとＡＩの被着について問題があることを本発
明者は見出した。第３図の概略断面図には、ウェハ２と
ターゲット３とは第１図に示すものとは倒置して示され
るが、ウェハ２上に段差部２ａ（外側の段差部）と２ｂ
（内側の段差部）とがある場合、段差部２ｂ上へのＡＩ
３ａの被着状態は良好であるが、段差部２ａについては
、段差部２ｂに面する内側部分とその反対の外側部分と
では図に示す如（Ａ７！３ａの被着状態が異なり、外側
部分で十分にＡｊ！３ａが被着しない、すなわちカバレ
ッジが悪いことが確認され、かかる現象はスパッタの片
効きともいわれる。なお第２図において対向磁石部の磁
石はＮ、Ｓで表示する。いいかえると、従来のスパッタ
装置を用いると、ウェハの周辺部分においてはターゲッ
ト材料の被着性が悪い。
段差があるとＡＩの被着について問題があることを本発
明者は見出した。第３図の概略断面図には、ウェハ２と
ターゲット３とは第１図に示すものとは倒置して示され
るが、ウェハ２上に段差部２ａ（外側の段差部）と２ｂ
（内側の段差部）とがある場合、段差部２ｂ上へのＡＩ
３ａの被着状態は良好であるが、段差部２ａについては
、段差部２ｂに面する内側部分とその反対の外側部分と
では図に示す如（Ａ７！３ａの被着状態が異なり、外側
部分で十分にＡｊ！３ａが被着しない、すなわちカバレ
ッジが悪いことが確認され、かかる現象はスパッタの片
効きともいわれる。なお第２図において対向磁石部の磁
石はＮ、Ｓで表示する。いいかえると、従来のスパッタ
装置を用いると、ウェハの周辺部分においてはターゲッ
ト材料の被着性が悪い。
上記した片効きの原因は、ターゲット３からのＡａ３ａ
の寄与分が、段差部２ａの外側部分では少ないからであ
る。対向磁石部を偏心的に回転させつつスパッタを行う
とき、ターゲットは図示の如くえくられ（エロージョン
され） ＡＰ環原子図に矢印で示す如くに飛んでウェハ
２に到達するが、図から理解される如く、内側段差部２
ｂに対してはその両方側からへρ原子が飛んでくるが、
外側段差部２ａの外側部分に対してはそうでなく、その
結果この外側部分への＾ｌのカバレッジが悪くなるので
ある。
の寄与分が、段差部２ａの外側部分では少ないからであ
る。対向磁石部を偏心的に回転させつつスパッタを行う
とき、ターゲットは図示の如くえくられ（エロージョン
され） ＡＰ環原子図に矢印で示す如くに飛んでウェハ
２に到達するが、図から理解される如く、内側段差部２
ｂに対してはその両方側からへρ原子が飛んでくるが、
外側段差部２ａの外側部分に対してはそうでなく、その
結果この外側部分への＾ｌのカバレッジが悪くなるので
ある。
かかるカバレッジ不良を解決するには、理論上はターゲ
ットの径りを限りなく大にすればよいのであるが、本発
明者の行った実験によると、ターゲット３の径りをウェ
ハの径（ｄ）に対し、少なくともＤ＞２ｄに、好ましく
はＤ ＝ ３ｄに、またターゲットとウェハ間の距離を
Ｓとするときに、５＝（１／２〜２／３）ｄに設定しな
ければならない。
ットの径りを限りなく大にすればよいのであるが、本発
明者の行った実験によると、ターゲット３の径りをウェ
ハの径（ｄ）に対し、少なくともＤ＞２ｄに、好ましく
はＤ ＝ ３ｄに、またターゲットとウェハ間の距離を
Ｓとするときに、５＝（１／２〜２／３）ｄに設定しな
ければならない。
最近ウェハは大口径化するイ頃向にあり、約２０ｃｍ（
８！ン）径のウェハが用いられている。クーゲットの経
りを２０ｃｍＸ ３ ＝ ６０ｃ＋＋＋にすると、材料
コスＩ・が著しく高くなり、またそのような大口径のタ
ーゲットに対応する大口径の対向磁石部を回転させるに
は装置が大型化複雑化する。そこで、大口径化するウェ
ハに対し、ターゲット材料が被着性よくスパッタされる
装置が要望されている。
８！ン）径のウェハが用いられている。クーゲットの経
りを２０ｃｍＸ ３ ＝ ６０ｃ＋＋＋にすると、材料
コスＩ・が著しく高くなり、またそのような大口径のタ
ーゲットに対応する大口径の対向磁石部を回転させるに
は装置が大型化複雑化する。そこで、大口径化するウェ
ハに対し、ターゲット材料が被着性よくスパッタされる
装置が要望されている。
（４）発明の目的
本発明は上記従来の問題に鑑み、偏心回転式電極を用い
る一枚処理のウェハが対向配置される構成のスパッタ装
置において、ウェハ周辺部におけるターゲット材料の被
着性が改善される装置を提供することを目的とする。
る一枚処理のウェハが対向配置される構成のスパッタ装
置において、ウェハ周辺部におけるターゲット材料の被
着性が改善される装置を提供することを目的とする。
（５）発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、磁石偏心回転方式の
スパッタ装置において、ターゲットの下方に配置される
Ｎ極磁石およびＳ極磁石から成り、少なくとも一部に凹
みを有する円状の対向磁石部を具備することを特徴とす
るスパック装置を提供すること、更に前記凹みが二等辺
三角形の二辺を形成し、前記対向磁石部の中心近くまで
延びる構成を有し、前記二等辺三角形の二辺に対応する
弧の長さ全体が前記対向磁石部の円周の長さの１０〜２
０％であること、及び前記凹みが弦を形成し、該弦に対
する弧の長さ全体が前記対向磁石部の円周の長さの２０
〜３０％であることを提供することにより達成される。
スパッタ装置において、ターゲットの下方に配置される
Ｎ極磁石およびＳ極磁石から成り、少なくとも一部に凹
みを有する円状の対向磁石部を具備することを特徴とす
るスパック装置を提供すること、更に前記凹みが二等辺
三角形の二辺を形成し、前記対向磁石部の中心近くまで
延びる構成を有し、前記二等辺三角形の二辺に対応する
弧の長さ全体が前記対向磁石部の円周の長さの１０〜２
０％であること、及び前記凹みが弦を形成し、該弦に対
する弧の長さ全体が前記対向磁石部の円周の長さの２０
〜３０％であることを提供することにより達成される。
（６）発明の実施例
以下本発明実施例を図面によって詳説する。
第２図に示した磁石偏心回転方式においては、ターゲッ
トの有効利用のみが着目されたものであるが、最近はウ
ェハ上に形成される股の膜厚分布とカバレッジも注目さ
れるようになってきた。その理由は、前記した如くウェ
ハは大口径化する一方で、集積回路の微細化が進むにつ
れて、ウェハ上に設けられる膜が、膜厚均一にかつカバ
レッジよく形成されることが要求されるからである。こ
のカバレッジをよくするについて本発明者は実験を重ね
、ターゲットの周辺部分で深く、かつ、同時に中心部の
近くでもエロージョンが進むとよいことを確認した。第
４図を参照すると、ウェハとターゲットの径がほぼ等し
いときに、ターゲツト材図示の如くエロージョンされる
とき、すなわちターゲットの周辺部分で１の深さにエロ
ージョンが進んだとき中心に近い部分で約１／４の深さ
にエロージョンが起ると、ウェハ上には均一な膜厚の薄
膜がカバレンジよく形成される。
トの有効利用のみが着目されたものであるが、最近はウ
ェハ上に形成される股の膜厚分布とカバレッジも注目さ
れるようになってきた。その理由は、前記した如くウェ
ハは大口径化する一方で、集積回路の微細化が進むにつ
れて、ウェハ上に設けられる膜が、膜厚均一にかつカバ
レッジよく形成されることが要求されるからである。こ
のカバレッジをよくするについて本発明者は実験を重ね
、ターゲットの周辺部分で深く、かつ、同時に中心部の
近くでもエロージョンが進むとよいことを確認した。第
４図を参照すると、ウェハとターゲットの径がほぼ等し
いときに、ターゲツト材図示の如くエロージョンされる
とき、すなわちターゲットの周辺部分で１の深さにエロ
ージョンが進んだとき中心に近い部分で約１／４の深さ
にエロージョンが起ると、ウェハ上には均一な膜厚の薄
膜がカバレンジよく形成される。
上記の如きターゲットのエロージョンを発生させるには
、対向磁石部を第５図に示す如くに形成すればよいこと
が同じく実験により確かめられた。
、対向磁石部を第５図に示す如くに形成すればよいこと
が同じく実験により確かめられた。
なお第５図において、１１は対向磁石部のＮ極磁石、１
２は対向磁石部のＳ極磁石、１３はターゲットを示し、
Ｎ極磁石１１およびＳ極磁石１２からなり、クーゲット
１３の径より小なるほぼ同心円を形成する対向磁石部１
０は、その円がクーゲット１３による円とは偏心的であ
り、各磁石の一部は各磁石の形成する円の中心に向は二
等辺三角形の二辺を形成する如くに延び、かかる三角形
の二辺に対応する弧の部分は、対応磁石部ＩＯの円周の
１０〜２０％程の長さになるよう設定する。
２は対向磁石部のＳ極磁石、１３はターゲットを示し、
Ｎ極磁石１１およびＳ極磁石１２からなり、クーゲット
１３の径より小なるほぼ同心円を形成する対向磁石部１
０は、その円がクーゲット１３による円とは偏心的であ
り、各磁石の一部は各磁石の形成する円の中心に向は二
等辺三角形の二辺を形成する如くに延び、かかる三角形
の二辺に対応する弧の部分は、対応磁石部ＩＯの円周の
１０〜２０％程の長さになるよう設定する。
上記した構成の対向磁石部１０を第６図の断面図に示さ
れる如く配置する。第６図において、１４は真空チャン
バ、１５はウェハ、１６はウェハ支持体、１７は支持爪
、１８はターゲット１３のための銅製バッキングプレー
ト、１９は冷却室、２０は冷却水導入孔、２１は冷却水
排出孔、２２は対向磁石部回転軸、２３は密封用の例え
ばＯリングを示し、チャンバの真空度等は第１図を参照
して説明した場合と同様であり、対向磁石部ｌＯは第５
図における切断線Ｖｌ−Ｖｌで切断した状態で示される
。
れる如く配置する。第６図において、１４は真空チャン
バ、１５はウェハ、１６はウェハ支持体、１７は支持爪
、１８はターゲット１３のための銅製バッキングプレー
ト、１９は冷却室、２０は冷却水導入孔、２１は冷却水
排出孔、２２は対向磁石部回転軸、２３は密封用の例え
ばＯリングを示し、チャンバの真空度等は第１図を参照
して説明した場合と同様であり、対向磁石部ｌＯは第５
図における切断線Ｖｌ−Ｖｌで切断した状態で示される
。
かかる対向磁石部を用いてスパッタを行ったところ、タ
ーゲット１３のエロージョンは第４図に示す如きもので
あり、また第３図を参照して説明した片効きは見られず
、均一な膜厚のＡｊ！薄膜がカバレンジよく形成される
ことが確認された。
ーゲット１３のエロージョンは第４図に示す如きもので
あり、また第３図を参照して説明した片効きは見られず
、均一な膜厚のＡｊ！薄膜がカバレンジよく形成される
ことが確認された。
本発明の第２実施例においては、対向磁石部１０を第７
図に示される如くに形成する。すなわち、ターゲット１
３とは偏心的な円状の対向磁石部ｌＯの一部に弦が形成
されており、その弦に対応する弧の長さが対向磁石部１
０の円周の長さの２０〜３０％程となる如くに形成し、
これらの対向磁石部１ｏを第６図に示す場合と同様に配
置する。かがる対向磁石部１０を用いても第５図に示し
た対向磁石部１ｏを用いた場合と同様の良好な結果が得
られることが確認された。
図に示される如くに形成する。すなわち、ターゲット１
３とは偏心的な円状の対向磁石部ｌＯの一部に弦が形成
されており、その弦に対応する弧の長さが対向磁石部１
０の円周の長さの２０〜３０％程となる如くに形成し、
これらの対向磁石部１ｏを第６図に示す場合と同様に配
置する。かがる対向磁石部１０を用いても第５図に示し
た対向磁石部１ｏを用いた場合と同様の良好な結果が得
られることが確認された。
（７）発明の効果
以上詳細に説明した如く本発明によれば、磁石偏心回転
方式のスパッタ装置において、少なくとも一部に凹みを
有する円状の対向磁石部を具備することにより、ターゲ
ットのエロージョンの形状は、ターゲット周辺部分が深
（削られると共に中心部付近においても削られたものと
なり、ターゲット外周側からより多くのターゲツト材が
対向配置されたウェハに飛来するので、ウェハ周辺部に
も均一な膜厚の薄膜がカバレッジよく形成される効果が
ある。
方式のスパッタ装置において、少なくとも一部に凹みを
有する円状の対向磁石部を具備することにより、ターゲ
ットのエロージョンの形状は、ターゲット周辺部分が深
（削られると共に中心部付近においても削られたものと
なり、ターゲット外周側からより多くのターゲツト材が
対向配置されたウェハに飛来するので、ウェハ周辺部に
も均一な膜厚の薄膜がカバレッジよく形成される効果が
ある。
第１図はスパッタ装置の概略断面図、第２図は従来の装
置の対向磁石部を示す平面図、第３図はターゲットと対
向磁石部の配置を示す断面図、第４図はクーゲットのエ
ロージョンを示す断面図、第５図と第７図は本発明にが
がる対向磁石部の平面図、第６図は第５図と第７図の対
向磁石部を用いるスパッタ装置の断面図である。 ４ 、１０−一対向磁石部、１１．１２一対向磁石部の
磁石、１３．２３ ターゲット、１４−チャンバ、１５
ウェハ、 １６ ウェハ支持体、１７ ウェハ支持爪、１８−バッ
キングプレート、１９ 冷却室、２０ 冷却水導入孔、
２１ 冷却水排出孔、２２−回転軸、２３−ｏリング 第１図 第２図 第３図 ＮＳ φ−−ｄ −一ゆ 第４図
置の対向磁石部を示す平面図、第３図はターゲットと対
向磁石部の配置を示す断面図、第４図はクーゲットのエ
ロージョンを示す断面図、第５図と第７図は本発明にが
がる対向磁石部の平面図、第６図は第５図と第７図の対
向磁石部を用いるスパッタ装置の断面図である。 ４ 、１０−一対向磁石部、１１．１２一対向磁石部の
磁石、１３．２３ ターゲット、１４−チャンバ、１５
ウェハ、 １６ ウェハ支持体、１７ ウェハ支持爪、１８−バッ
キングプレート、１９ 冷却室、２０ 冷却水導入孔、
２１ 冷却水排出孔、２２−回転軸、２３−ｏリング 第１図 第２図 第３図 ＮＳ φ−−ｄ −一ゆ 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＋１１磁石偏心回転方式のスパッタ装置において、ター
ゲットの下方に配置されるＮ極磁石およびＳ極磁石から
成り、少なくとも一部に凹みを有する円状の対向磁石部
を具備することを特徴とするスパッタ装置。 （２）前記凹みが二等辺三角形の二辺を形成し、前記対
向磁石部の中心近くまで延びる構成を有し、前記二等辺
三角形の二辺に対応する弧の長さ全体が前記対向磁石部
の円周の長さの１０〜２０％であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のスパッタ装置。 （３）前記凹みが弦を形成し、該弦に対する弧の長さ全
体が前記対向磁石部の円周の長さの２０〜３０％である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のスパッタ
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7946784A JPS60224775A (ja) | 1984-04-20 | 1984-04-20 | スパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7946784A JPS60224775A (ja) | 1984-04-20 | 1984-04-20 | スパツタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60224775A true JPS60224775A (ja) | 1985-11-09 |
Family
ID=13690686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7946784A Pending JPS60224775A (ja) | 1984-04-20 | 1984-04-20 | スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60224775A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62142764A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-06-26 | Rohm Co Ltd | マグネトロンスパツタにおける膜厚調整方法 |
| JPS62195109A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-08-27 | Hitachi Ltd | スパツタ装置 |
| JPH02259071A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-19 | Ulvac Corp | マグネトロンスパッタ用電極装置 |
| JPH04183857A (ja) * | 1990-11-16 | 1992-06-30 | Tokuda Seisakusho Ltd | プレーナ型マグネトロンスパッタ源における磁石の構造 |
| JPH04228567A (ja) * | 1990-03-30 | 1992-08-18 | Applied Materials Inc | プレーナー・マグネトロン・スパッタリングシステム |
| US5182003A (en) * | 1990-12-07 | 1993-01-26 | Leybold Aktiengesellschaft | Stationary magnetron sputtering cathode for a vacuum coating apparatus |
| JPH0688220A (ja) * | 1992-08-18 | 1994-03-29 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 粒度が大きい金属膜及びその被着方法 |
| US5374343A (en) * | 1992-05-15 | 1994-12-20 | Anelva Corporation | Magnetron cathode assembly |
| WO2006114229A1 (de) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Steag Hama Tech Ag | Magnetsystem für eine zerstäubungskathode |
| US8470145B2 (en) | 2008-06-26 | 2013-06-25 | Ulvac, Inc. | Cathode unit and sputtering apparatus provided with the same |
-
1984
- 1984-04-20 JP JP7946784A patent/JPS60224775A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62142764A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-06-26 | Rohm Co Ltd | マグネトロンスパツタにおける膜厚調整方法 |
| JPS62195109A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-08-27 | Hitachi Ltd | スパツタ装置 |
| JPH02259071A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-19 | Ulvac Corp | マグネトロンスパッタ用電極装置 |
| JPH04228567A (ja) * | 1990-03-30 | 1992-08-18 | Applied Materials Inc | プレーナー・マグネトロン・スパッタリングシステム |
| JPH04183857A (ja) * | 1990-11-16 | 1992-06-30 | Tokuda Seisakusho Ltd | プレーナ型マグネトロンスパッタ源における磁石の構造 |
| US5182003A (en) * | 1990-12-07 | 1993-01-26 | Leybold Aktiengesellschaft | Stationary magnetron sputtering cathode for a vacuum coating apparatus |
| US5374343A (en) * | 1992-05-15 | 1994-12-20 | Anelva Corporation | Magnetron cathode assembly |
| JPH0688220A (ja) * | 1992-08-18 | 1994-03-29 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 粒度が大きい金属膜及びその被着方法 |
| WO2006114229A1 (de) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Steag Hama Tech Ag | Magnetsystem für eine zerstäubungskathode |
| DE102005019100B4 (de) * | 2005-04-25 | 2009-02-12 | Steag Hamatech Ag | Magnetsystem für eine Zerstäubungskathode |
| US8470145B2 (en) | 2008-06-26 | 2013-06-25 | Ulvac, Inc. | Cathode unit and sputtering apparatus provided with the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100740811B1 (ko) | 이온화된 금속 증착용 고밀도 플라즈마 소스 | |
| JPH036990B2 (ja) | ||
| EP0884761B1 (en) | Sputtering apparatus with a rotating magnet array | |
| US7618521B2 (en) | Split magnet ring on a magnetron sputter chamber | |
| US5194131A (en) | Apparatus and method for multiple ring sputtering from a single target | |
| JPS61183467A (ja) | スパッタリング方法及びその装置 | |
| JPH08176817A (ja) | マグネトロンスパッタリング装置 | |
| US5126029A (en) | Apparatus and method for achieving via step coverage symmetry | |
| JPS60224775A (ja) | スパツタ装置 | |
| US6497802B2 (en) | Self ionized plasma sputtering | |
| JPH0669026B2 (ja) | 半導体処理装置 | |
| JPH0240739B2 (ja) | Supatsutasochi | |
| JP2912864B2 (ja) | スパッタリング装置のマグネトロンユニット | |
| JPS6289864A (ja) | マグネトロンスパツタ装置 | |
| JP2008214709A (ja) | マグネトロンスパッタ装置 | |
| JPH06505051A (ja) | マグネトロンスパッタコーテイング法と回転磁石陰極を備えた装置 | |
| JPS59173265A (ja) | スパツタ装置 | |
| JPS63282263A (ja) | マグネトロンスパッタリング装置 | |
| JPH0565634A (ja) | スパツタ装置 | |
| JPH024966A (ja) | スパツタ装置 | |
| JPH0342035Y2 (ja) | ||
| JP3343819B2 (ja) | イオンエッチング方法および装置 | |
| JPS60114568A (ja) | マグネトロン・スパッタ装置 | |
| JPH03257163A (ja) | マグネトロン型スパッタ装置 | |
| JPS63277758A (ja) | マグネトロンスパッタリング装置 |