JPH04183857A - プレーナ型マグネトロンスパッタ源における磁石の構造 - Google Patents
プレーナ型マグネトロンスパッタ源における磁石の構造Info
- Publication number
- JPH04183857A JPH04183857A JP31075190A JP31075190A JPH04183857A JP H04183857 A JPH04183857 A JP H04183857A JP 31075190 A JP31075190 A JP 31075190A JP 31075190 A JP31075190 A JP 31075190A JP H04183857 A JPH04183857 A JP H04183857A
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- Japan
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- magnet
- target
- planar magnetron
- sputtering source
- magnetic field
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
この発明は、スパッタリング装置に装着され、回転しつ
つ基板とターゲットとの間に磁界を形成するプレーナ型
マグネトロンスパッタ源における磁石の構造に関する。
つ基板とターゲットとの間に磁界を形成するプレーナ型
マグネトロンスパッタ源における磁石の構造に関する。
(従来の技術)
従来のスパッタリング装置では、第3図に示すように、
金属、セラミックス、プラスチックス等の多種の基板l
に対向してスパッタ源2が配置され、基板1面にターゲ
ット21による材料の薄膜が形成される。ターゲット2
1はバッキングプレー1・22に固定され、その裏側に
配置の磁石23による磁力線がターゲット2】と平行に
なる位置が最もエツチングされる。そこで磁石23は、
磁性体231上に内側磁石23aとこれを取囲む外側磁
石23bが並列配置されリング状の磁場を発生させるも
のであり、第3図はいわゆるプレーナ型マグネトロンス
パッタ源2を構成する。
金属、セラミックス、プラスチックス等の多種の基板l
に対向してスパッタ源2が配置され、基板1面にターゲ
ット21による材料の薄膜が形成される。ターゲット2
1はバッキングプレー1・22に固定され、その裏側に
配置の磁石23による磁力線がターゲット2】と平行に
なる位置が最もエツチングされる。そこで磁石23は、
磁性体231上に内側磁石23aとこれを取囲む外側磁
石23bが並列配置されリング状の磁場を発生させるも
のであり、第3図はいわゆるプレーナ型マグネトロンス
パッタ源2を構成する。
また、アノード25とカソード側のターゲット21との
間に直流あるいは高周波電力が供給きれるから、成膜室
3内には磁場によって拘束されたリング状の放電が発生
する。そこで、ガス吸入口4から供給の例えばアルゴン
(Ar)ガス雰囲気のもとてスパッタが行われ、スパッ
タ後は排気管5から排気される。なお、241,242
は冷却用水配管である。
間に直流あるいは高周波電力が供給きれるから、成膜室
3内には磁場によって拘束されたリング状の放電が発生
する。そこで、ガス吸入口4から供給の例えばアルゴン
(Ar)ガス雰囲気のもとてスパッタが行われ、スパッ
タ後は排気管5から排気される。なお、241,242
は冷却用水配管である。
そこで、エツチングの均一化を目的として、磁力線の平
行部分ができるたけ広い磁界を形成するために、円形に
配置した磁石23の中心位置Pをターゲット21の中心
軸Cから距離dだけ偏心して位置させ、図示しないモー
タによって中心軸Cを中心として回転駆動させた。
行部分ができるたけ広い磁界を形成するために、円形に
配置した磁石23の中心位置Pをターゲット21の中心
軸Cから距離dだけ偏心して位置させ、図示しないモー
タによって中心軸Cを中心として回転駆動させた。
その結果、ターゲット21のエロージョン(eros−
1on)パターンは、回転中心軸に近いところでは、磁
界の移動距離が短いので、第4図に実線Aで示すように
なり、ターゲット21と同心円で配置させて得られる従
来のパターン(点線Bで示す)よりも、ピーク値が若干
中心方向に寄るが、比較的広い範囲で効率的に削り取ら
れる。
1on)パターンは、回転中心軸に近いところでは、磁
界の移動距離が短いので、第4図に実線Aで示すように
なり、ターゲット21と同心円で配置させて得られる従
来のパターン(点線Bで示す)よりも、ピーク値が若干
中心方向に寄るが、比較的広い範囲で効率的に削り取ら
れる。
ところで、ターゲット21は消耗品でありしばしば交換
が必要とされる。上記従来のターゲット21は高価な強
磁性体からなるので有効利用が望まれるが、ターゲット
21が削り取られる割合、即ち利用効率は、磁石23を
偏心回転させない場合よりも改善されてはいるものの精
々25〜30%に過キず、−層の利用効率の向上が要望
されていた。
が必要とされる。上記従来のターゲット21は高価な強
磁性体からなるので有効利用が望まれるが、ターゲット
21が削り取られる割合、即ち利用効率は、磁石23を
偏心回転させない場合よりも改善されてはいるものの精
々25〜30%に過キず、−層の利用効率の向上が要望
されていた。
(発明か解決しようとする課題)
従来のプレーナ型マグネトロンスパッタ源における磁石
の構造は、平板状の円形磁石を偏心回転させることによ
って、25〜30%程度の利用効率が得られたが、より
一層の利用効率の向上が要望されていた。
の構造は、平板状の円形磁石を偏心回転させることによ
って、25〜30%程度の利用効率が得られたが、より
一層の利用効率の向上が要望されていた。
そこでこの発明は、簡単な構造により更に利用効率を高
め得るプレーナ型マグネトロンスパッタ源における磁石
の構造を提供することを目的とする。
め得るプレーナ型マグネトロンスパッタ源における磁石
の構造を提供することを目的とする。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
この発明は、成膜室内で基板と対向配置されたターゲッ
トとの間に磁界を形成するように配置されたプレーナ型
マグネトロンスパッタ源における磁石の構造において、
前記ターゲットの中心とは偏心して回転し、かつ回転軸
方向に非円形となる形状としたことを特徴とする。
トとの間に磁界を形成するように配置されたプレーナ型
マグネトロンスパッタ源における磁石の構造において、
前記ターゲットの中心とは偏心して回転し、かつ回転軸
方向に非円形となる形状としたことを特徴とする。
(作用)
この発明によるプレーナ型マグネトロンスパッタ源にお
ける磁石の構造は、偏心回転される磁石の形状を、回転
軸方向から見て、非円形としたので、この磁石によって
描かれる水平磁界の強度分布は、外側に広がる部分の長
さが長くなって、外側により多くの磁界エネルギーが分
布するようになり、平坦部分あるいは傾斜が緩やかな部
分の範囲がより外側に移動するから、ターゲットの平均
的に消耗される領域が広がり利用効率の向上が図れる。
ける磁石の構造は、偏心回転される磁石の形状を、回転
軸方向から見て、非円形としたので、この磁石によって
描かれる水平磁界の強度分布は、外側に広がる部分の長
さが長くなって、外側により多くの磁界エネルギーが分
布するようになり、平坦部分あるいは傾斜が緩やかな部
分の範囲がより外側に移動するから、ターゲットの平均
的に消耗される領域が広がり利用効率の向上が図れる。
(実施例)
以下、第1図(a) 、 (b)及び第2図を参照し、
この発明によるプレーナ型マグネトロンスパッタ源にお
ける磁石の構造の一実施例を説明する。なお、第3図及
び第4図に示した従来の磁石の構造と同一構成には同一
?1号を付して詳細な説明は省略する。
この発明によるプレーナ型マグネトロンスパッタ源にお
ける磁石の構造の一実施例を説明する。なお、第3図及
び第4図に示した従来の磁石の構造と同一構成には同一
?1号を付して詳細な説明は省略する。
中心軸Cを中心として偏心して回転する磁石23は、そ
の形状が第1図(a)に平面図を、第1図(b)にA−
A線断面図を示すように、外側に位置する外側磁石23
bは、内側磁石23aとは一定の間−へ − 隔eを保持してとり囲むように構成され、かつ全体が円
形の縁が潰れたような非円形状、即ちアルファベットの
rDJのような形状としたものである。
の形状が第1図(a)に平面図を、第1図(b)にA−
A線断面図を示すように、外側に位置する外側磁石23
bは、内側磁石23aとは一定の間−へ − 隔eを保持してとり囲むように構成され、かつ全体が円
形の縁が潰れたような非円形状、即ちアルファベットの
rDJのような形状としたものである。
従って、磁石23によって描かれる水平磁界の強度分布
は、外側に広がる部分の長さが長くなり、外側により多
くの磁界エネルギーが分布するようになる。この結果、
エロージョンパターンは第2図に実線Fで示すように、
そのピーク値は外側に移動し、・II−用部分あるいは
傾斜が緩やかな部分の範囲がより広がるので、ターゲッ
トの利用効率は著しく向上する。
は、外側に広がる部分の長さが長くなり、外側により多
くの磁界エネルギーが分布するようになる。この結果、
エロージョンパターンは第2図に実線Fで示すように、
そのピーク値は外側に移動し、・II−用部分あるいは
傾斜が緩やかな部分の範囲がより広がるので、ターゲッ
トの利用効率は著しく向上する。
因みに、実施例によるターゲット21のエロージョンパ
ターン(F)は第2図に示すようになるから、−点鎖線
Aで示した従来のパターンと比較し、削り取られる全容
積は大となり、利用効率は30〜35%へと大幅に向上
した。
ターン(F)は第2図に示すようになるから、−点鎖線
Aで示した従来のパターンと比較し、削り取られる全容
積は大となり、利用効率は30〜35%へと大幅に向上
した。
なお、この実施例では、磁石23の周縁部を直線的に押
し潰したように変形させたが、要するに単なる偏心回転
させた円形磁石よりも、磁界分布のピーク点がより外側
に移動する非円形状としたところにあるから、その形状
は必ずしも上記実施例に限ることなく種々変形しても、
同様な効果が得られる。
し潰したように変形させたが、要するに単なる偏心回転
させた円形磁石よりも、磁界分布のピーク点がより外側
に移動する非円形状としたところにあるから、その形状
は必ずしも上記実施例に限ることなく種々変形しても、
同様な効果が得られる。
以上のように、この発明によるプレーナ型マグネトロン
スパッタ源における磁石の構造によれば、回転によって
形成される水平磁界分布のピーク値が外側に位置した状
態でより広がったパターンとなるので、ターゲットの利
用効率の向上が実現する。
スパッタ源における磁石の構造によれば、回転によって
形成される水平磁界分布のピーク値が外側に位置した状
態でより広がったパターンとなるので、ターゲットの利
用効率の向上が実現する。
[発明の効果]
この発明によるプレーナ型マグネトロンスパッタ源にお
ける磁石の構造は、簡単な構成で、ターゲットの利用効
率を高め得るものであり、ターゲット自体は勿論のこと
スパッタリング装置自体の稼働効率をも改善し得るもの
であり、実用上顕著な効果が得られる。
ける磁石の構造は、簡単な構成で、ターゲットの利用効
率を高め得るものであり、ターゲット自体は勿論のこと
スパッタリング装置自体の稼働効率をも改善し得るもの
であり、実用上顕著な効果が得られる。
第1図(a)はこの発明によるプレーナ型マグネトロン
スパッタ源における磁石の構造の一実施例を示す平面図
、同図(b)は同図(a)のA、−A線断面図、第2図
は第1図に示した磁石の構造による削りとられるターゲ
ットのエロージョンパターン図、第3図は従来のプレー
ナ型マグネトロンスパッタ源における磁石の構造を採用
したスパッタリング装置を示す断面図、第4図は第3図
に示したターゲットのエロージョンパターン図である。 1・・・基板、 2・・・スパッタ源、21・
・・ターゲット、22・・・バッキングプレート、23
・・・磁石、 23a・・・内側磁石、23b・・
・外側磁石、C・・・中心(回転)軸。 代理人 弁理士 大 胡 典 夫 60 40 ′
スパッタ源における磁石の構造の一実施例を示す平面図
、同図(b)は同図(a)のA、−A線断面図、第2図
は第1図に示した磁石の構造による削りとられるターゲ
ットのエロージョンパターン図、第3図は従来のプレー
ナ型マグネトロンスパッタ源における磁石の構造を採用
したスパッタリング装置を示す断面図、第4図は第3図
に示したターゲットのエロージョンパターン図である。 1・・・基板、 2・・・スパッタ源、21・
・・ターゲット、22・・・バッキングプレート、23
・・・磁石、 23a・・・内側磁石、23b・・
・外側磁石、C・・・中心(回転)軸。 代理人 弁理士 大 胡 典 夫 60 40 ′
Claims (1)
- 成膜室内で基板と対向配置されたターゲットとの間に
磁界を形成するように配置されたプレーナ型マグネトロ
ンスパッタ源における磁石の構造において、前記ターゲ
ットの中心とは偏心して回転し、かつ回転軸方向に非円
形となる形状としたことを特徴とするプレーナ型マグネ
トロンスパッタ源における磁石の構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31075190A JPH04183857A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | プレーナ型マグネトロンスパッタ源における磁石の構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31075190A JPH04183857A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | プレーナ型マグネトロンスパッタ源における磁石の構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04183857A true JPH04183857A (ja) | 1992-06-30 |
Family
ID=18009047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31075190A Pending JPH04183857A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | プレーナ型マグネトロンスパッタ源における磁石の構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04183857A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05263235A (ja) * | 1992-03-19 | 1993-10-12 | Shibaura Eng Works Co Ltd | プレーナ型マグネトロンスパッタ源における磁石構造 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60224775A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-09 | Fujitsu Ltd | スパツタ装置 |
| JPS6260866A (ja) * | 1985-08-02 | 1987-03-17 | Fujitsu Ltd | マグネトロンスパツタ装置 |
| JPS62211375A (ja) * | 1986-03-11 | 1987-09-17 | Fujitsu Ltd | スパツタ装置 |
| JPS63149374A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-22 | Fujitsu Ltd | スパツタ装置 |
| JPH02107766A (ja) * | 1988-10-17 | 1990-04-19 | Anelva Corp | マグネトロンスパッタリング装置 |
-
1990
- 1990-11-16 JP JP31075190A patent/JPH04183857A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60224775A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-09 | Fujitsu Ltd | スパツタ装置 |
| JPS6260866A (ja) * | 1985-08-02 | 1987-03-17 | Fujitsu Ltd | マグネトロンスパツタ装置 |
| JPS62211375A (ja) * | 1986-03-11 | 1987-09-17 | Fujitsu Ltd | スパツタ装置 |
| JPS63149374A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-22 | Fujitsu Ltd | スパツタ装置 |
| JPH02107766A (ja) * | 1988-10-17 | 1990-04-19 | Anelva Corp | マグネトロンスパッタリング装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05263235A (ja) * | 1992-03-19 | 1993-10-12 | Shibaura Eng Works Co Ltd | プレーナ型マグネトロンスパッタ源における磁石構造 |
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