JPS60225421A - 分子線エピタキシ−用蒸発源ルツボ - Google Patents
分子線エピタキシ−用蒸発源ルツボInfo
- Publication number
- JPS60225421A JPS60225421A JP59080203A JP8020384A JPS60225421A JP S60225421 A JPS60225421 A JP S60225421A JP 59080203 A JP59080203 A JP 59080203A JP 8020384 A JP8020384 A JP 8020384A JP S60225421 A JPS60225421 A JP S60225421A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lid
- crucible
- evaporation source
- film thickness
- evaporated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/22—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using physical deposition, e.g. vacuum deposition or sputtering
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は蒸発源材料のチャージ量にＩｖ１ｇ々く広い面
積で再現性の良い膜厚分布が得られる分子線エピタキシ
ー用蒸発源ルツボに関する。
積で再現性の良い膜厚分布が得られる分子線エピタキシ
ー用蒸発源ルツボに関する。
第１図に示すような従来の蒸発源ルツボを用いてエピタ
キシャル膜を形成する場合、ルツボ（１）にチャージし
た被蒸発材料（４）の量、すなわち、液面の高さによっ
て蒸気の空間分布が変ってしまう。
キシャル膜を形成する場合、ルツボ（１）にチャージし
た被蒸発材料（４）の量、すなわち、液面の高さによっ
て蒸気の空間分布が変ってしまう。
具体的には第１図（ａ）における蒸気の発散角はおよそ
θ１で、被蒸発材料が消耗して液面がＡから第１図（ｂ
）゛の液面Ａ１になった場合には蒸気の発散角はおよそ
θ鵞で明らかにθ、〉θ鵞である。これにより得られる
エピタキシー膜の膜厚分布は両者で著しく異なる。すな
わち、被蒸発材料の使用とともに膜厚分布は変化し、再
現性を欠くことになる。
θ１で、被蒸発材料が消耗して液面がＡから第１図（ｂ
）゛の液面Ａ１になった場合には蒸気の発散角はおよそ
θ鵞で明らかにθ、〉θ鵞である。これにより得られる
エピタキシー膜の膜厚分布は両者で著しく異なる。すな
わち、被蒸発材料の使用とともに膜厚分布は変化し、再
現性を欠くことになる。
本発明は、上述した従来のルツボによる欠点を改良した
もので、被蒸発材料のチャージ量によらず、また、その
消費量によらず蒸気の発散角は一定の蒸発源ルツボを提
供することを目的とし、膜厚分布の再現性のきわめて良
好々薄膜形成が可能である。
もので、被蒸発材料のチャージ量によらず、また、その
消費量によらず蒸気の発散角は一定の蒸発源ルツボを提
供することを目的とし、膜厚分布の再現性のきわめて良
好々薄膜形成が可能である。
本発明は蒸発源ルツボの内側に被蒸発材料を覆うように
蓋を置いた構造で、蓋には複数個の貫通孔が設けである
ことを特徴とする特 〔発明の実施例〕 以下本発明を実施例の図面に基づいて説明する。
蓋を置いた構造で、蓋には複数個の貫通孔が設けである
ことを特徴とする特 〔発明の実施例〕 以下本発明を実施例の図面に基づいて説明する。
第２図はルツボ口）の内側に隙間（６）を有する蓋（５
）をその支持台（７）の上に置き、その下方に被蒸発材
料（４）が置かれる。蒸発源として使用する際は、被蒸
発材料（４）から発生した蒸気（８）は先ず蓋（５）に
達し、再蒸発をくヤ返して外部に飛び出す場合（８ｙと
蓋表面の沿面拡散によって移動し、その後外部に飛び出
す場合（８ｙ１とがある。いずれＫしても被蒸発物（４
）から発生した蒸気は、直接外部に出ない構造となって
いる。このように本発明によるルツボからの蒸気は実質
的に蓋（５）から発生するととＫなるので蒸気の発散角
θ３は被蒸発材料（４）の液面には全く依存しない。す
なわち、膜厚分布は蓋とルツボ形状と基板位置にのみ関
係するのできわめて再現性の良い膜厚分布を得ることが
できる。
）をその支持台（７）の上に置き、その下方に被蒸発材
料（４）が置かれる。蒸発源として使用する際は、被蒸
発材料（４）から発生した蒸気（８）は先ず蓋（５）に
達し、再蒸発をくヤ返して外部に飛び出す場合（８ｙと
蓋表面の沿面拡散によって移動し、その後外部に飛び出
す場合（８ｙ１とがある。いずれＫしても被蒸発物（４
）から発生した蒸気は、直接外部に出ない構造となって
いる。このように本発明によるルツボからの蒸気は実質
的に蓋（５）から発生するととＫなるので蒸気の発散角
θ３は被蒸発材料（４）の液面には全く依存しない。す
なわち、膜厚分布は蓋とルツボ形状と基板位置にのみ関
係するのできわめて再現性の良い膜厚分布を得ることが
できる。
また、蓋（５）は上述の通り、蒸気が直接貫通できない
構造になっているので被蒸発材Ｋ（４）の突沸により発
生した粒子も菱に捕えられ、薄膜の表面欠陥の原因とな
るこのような粒子の飛来を防ぐことができる。これＫよ
り表面欠陥の少ないエピタキシャル膜を得る効果もある
。具体的には、開口径２０ｍ、深さ７０ｍの第２図に示
すルツボに上から２０箇の位置に蓋を置き、Ｇａを１０
ｆチヤージした・。蓋の隙間は２雪毎に設けた。ルツボ
材および蓋材はパイロリティックＢＮを使用した。もう
一方にへ源を用意して直径７５ｍのＧａＡ、 （００１
）基板面に７００℃でエピタキシャルＧａＡ３を成長さ
せたところ、成長速度１〜３μｍ／時間に対してきわめ
て均一な膜厚分布と表面欠陥のない鏡面が得られた。こ
の時の蒸発源温度はＧａＩＣ対して１１００〜１２５０
℃、ＡｓＫ対しては３５５〜３７０℃であった。
構造になっているので被蒸発材Ｋ（４）の突沸により発
生した粒子も菱に捕えられ、薄膜の表面欠陥の原因とな
るこのような粒子の飛来を防ぐことができる。これＫよ
り表面欠陥の少ないエピタキシャル膜を得る効果もある
。具体的には、開口径２０ｍ、深さ７０ｍの第２図に示
すルツボに上から２０箇の位置に蓋を置き、Ｇａを１０
ｆチヤージした・。蓋の隙間は２雪毎に設けた。ルツボ
材および蓋材はパイロリティックＢＮを使用した。もう
一方にへ源を用意して直径７５ｍのＧａＡ、 （００１
）基板面に７００℃でエピタキシャルＧａＡ３を成長さ
せたところ、成長速度１〜３μｍ／時間に対してきわめ
て均一な膜厚分布と表面欠陥のない鏡面が得られた。こ
の時の蒸発源温度はＧａＩＣ対して１１００〜１２５０
℃、ＡｓＫ対しては３５５〜３７０℃であった。
第１図は従来例を説明するための断面図、第２図は本案
の一実施例を説明するための断面図である。 １・・・ルツボ、２・・・ヒーター、３・・・熱電対、
４・・・被蒸発物、５・・・蓋、６・・・隙間、７・・
・蓋の支持台、８・・・蒸気分子。
の一実施例を説明するための断面図である。 １・・・ルツボ、２・・・ヒーター、３・・・熱電対、
４・・・被蒸発物、５・・・蓋、６・・・隙間、７・・
・蓋の支持台、８・・・蒸気分子。
Claims (2)
- （１）分子線エピタキシーに用いられるが発源ルツボの
内側に被蒸発材料を覆うように蓋を置いた構造で、上記
蓋には複数の貫通孔が設けであることを特徴とする分子
線エピタキシー用蒸発源ルツボ。 - （２）蓋の貫通孔は蒸気が蓋に衝突なく通ずることので
きない構造であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の分子線エピタキシー用蒸発源ルツボ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59080203A JPS60225421A (ja) | 1984-04-23 | 1984-04-23 | 分子線エピタキシ−用蒸発源ルツボ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59080203A JPS60225421A (ja) | 1984-04-23 | 1984-04-23 | 分子線エピタキシ−用蒸発源ルツボ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60225421A true JPS60225421A (ja) | 1985-11-09 |
Family
ID=13711822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59080203A Pending JPS60225421A (ja) | 1984-04-23 | 1984-04-23 | 分子線エピタキシ−用蒸発源ルツボ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60225421A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5976263A (en) * | 1995-08-03 | 1999-11-02 | Thermo Instrument Systems, Inc. | Sources used in molecular beam epitaxy |
| DE10056686A1 (de) * | 2000-11-15 | 2002-05-29 | Paul Drude Inst Fuer Festkoerp | Verdampferzelle |
-
1984
- 1984-04-23 JP JP59080203A patent/JPS60225421A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5976263A (en) * | 1995-08-03 | 1999-11-02 | Thermo Instrument Systems, Inc. | Sources used in molecular beam epitaxy |
| DE10056686A1 (de) * | 2000-11-15 | 2002-05-29 | Paul Drude Inst Fuer Festkoerp | Verdampferzelle |
| DE10056686B4 (de) * | 2000-11-15 | 2005-09-29 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Verdampferzelle und ein Verfahren zur Herstellung von Aufdampfschichten |
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