JPS60225424A - ウエハの装着部構造 - Google Patents

ウエハの装着部構造

Info

Publication number
JPS60225424A
JPS60225424A JP59082638A JP8263884A JPS60225424A JP S60225424 A JPS60225424 A JP S60225424A JP 59082638 A JP59082638 A JP 59082638A JP 8263884 A JP8263884 A JP 8263884A JP S60225424 A JPS60225424 A JP S60225424A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
magnetic
cooling
magnetic field
magnetic fluid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59082638A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshinao Kato
加藤 由尚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissin Electric Co Ltd
Original Assignee
Nissin Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissin Electric Co Ltd filed Critical Nissin Electric Co Ltd
Priority to JP59082638A priority Critical patent/JPS60225424A/ja
Publication of JPS60225424A publication Critical patent/JPS60225424A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P30/00Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices
    • H10P30/20Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices into semiconductor materials, e.g. for doping

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 仁の発明はイオン注入装置に関し、特にそのウェハの装
着部構造の改良に関するものである。
(ロ) 従来技術 ウェハはイオンの注入が真空中でなされるため発熱し、
その温度り例えば100 KeV X 1 mAの装置
では100℃以上となる。このようにウェハ温度が上昇
するとそのレジストパターンが損傷する問題が生じる。
その対策として従来においてれウェハとディスク間に熱
伝導性の良い可撓性のプラスチックシートを装着し、こ
のシートによってウェハの熱を逃がすようにしていた。
しかしながらシートの熱伝導性を高めるにはその材料に
チツ化ボロンや酸化アルミニウム勢を充填するが、その
ようにするとシートの可撓性が低下してうずく形成でき
なくなって所望の放熱効果が期待できなかった。またウ
ェハは一般にはその上面周囲を押え部材によって固定す
るので、その中央部杜ディスク面から浮いえ状態となシ
冷却が十分になされなかったO eう 発明の目的 この発明社上記の事情に鑑みてなしたもので、従来のよ
うに熱伝導性シートを用いることなく、効率よくウェハ
の冷却をおこなうウェハの装着部構造を提供しようとす
るものである。
に)発明の構成 そしてこの発明においては、ウニノ1の下面に冷却空間
を設け、しかもその空間と外界との間を磁性流体を用い
て気密な構造とするもので、そのさらに詳しい構成社、
冷却構造を有する冷却板と、冷却板の周囲に連続して設
けられる磁界形成間隙部と、磁界形成間隙部に磁界によ
って支持されて設けられる磁性流体と、磁界形成間隙部
の下方に位置して設けられガス圧により磁性流体を上方
に押し上ける磁性流体の動作部と、ウニノーが押し上げ
られた磁性流体上に位置した際ウニ/%と冷却板間に冷
却用ガスを導入するための冷却ガス導入部と、ウェハの
押え部材とからなるウニI・の装着部構造に示す通りで
ある。
(ホ)実施例 以下この発明の実施例を図面によシ詳述するが、この発
明は以下の実施例に限定されるもので紘ない0 第1図がこの発明のウェハ装着部の全体構成を示し、一
般的にはディスクと呼ばれるものである。
(1)は平面形状が円形の冷却板であり、冷却板(1)
内には冷媒流路(2)よシなる冷却構造が設けられてい
る。、 (3) (4)(5) 拡それぞれ金属性の磁
極材で、磁極材(3)(5)はそれぞれ平面形状が円形
で、磁極材(4)扛平面形状が環状である。磁極材(3
)は冷却板(1)を下方から受けるように設けられてい
る。そして磁極材(3)と磁極材(5)間および磁極材
(4)と磁極材(5)間に、それぞれの磁極が上下が逆
位置となるように磁石(6)(7)が設けられている。
それぞれの磁極材(3)(41(5)は磁石(61(7
)の固定の役目も果す。磁極材(31(4)の外縁およ
び内縁は尖形状に構成され、かつ一定の間隔をおいて位
置する。すなわち冷却板(1)の周囲に連続して磁極材
(3)(4)によって磁界形成間隙部(8)が設けられ
ている。上記したように磁石(6) (7) aその磁
極が上下が逆となるように設けられている故に、その磁
石(6)(7)に連続する磁極材(31(4)の外縁お
よび内縁は異なる磁極となシ、よって磁界形成間隙部(
8)に磁界が形成される。その磁界形成間隙部(8)に
、磁界に支持されて磁性流体(9)が設けられている0
磁界形成間隙部(8)の下方には、仕切部材Qlに下方
が仕切られた空間α1)が設けられ、この空間α1)に
下方からガスパイプ■が接続されている。上記の空間回
が磁性流体(9)の動作部を構成する。またガスパイプ
α3)が下方から磁極材(51(31と冷却板(1)を
通して冷却板(1)上面に到っており、そのガスパイプ
側が冷却ガス導入部を構成する。(14]はウェハの周
縁を上方から押さえる押え部材である。
以下ウェハ(2)の装着状態およびその際のウェハ(2
)の冷却について説明をおこなう。
ウェハ(2)の固定は、上方からの押え部材Q41と下
方からの磁性流体(9)との抑圧によってなされる。
ガスパイプ@を通して空間I内にN2ガスが送シ込まれ
、空間αυ内の圧が高まることによって磁性流体(9)
が上方に押し上げられる。ウェハ叫が押し上けられるこ
とによって、ウェハ(2)と冷却板(1)間に隙間空間
0eが形成され、その隙間空間αe内にガスパイプQ3
を通してHeやH2の冷却用ガスが10torr程度の
圧で送り込まれる。塗潰流路(2)には冷媒が循環され
ておシ、この冷媒の循環によって冷却板(1)温度が低
下し、さらに隙間空間06)内のガスが熱媒体となって
ウェハ(15)の熱を奪って冷却をおこなう。上記の状
態において磁性流体(9)はシール材としての役目を果
し、隙間空間Q61内のガスがもれ出ることはない。
イオン注入後に空間回内のガスを真空ポンプで引き出し
て所定圧まで低下させると、磁性流体(9)は磁界がか
かつている故に下方に引き戻されウェハ(2)裏面より
離脱する。
磁性流体は磁性体粒子とその媒体とからなシ、磁性体粒
子としては一般的なフェライトや鉄の微粒子を用いれは
よいが、媒体としてはフッ素系のものを用いるのが好ま
しい。フッ素系の媒体を用いれば真空下においての蒸発
が阻止され、またウェハからの離脱がスムースになされ
る。
(へ)効果 この発明は上述のように構成されているので、この発明
によればウェハの冷却が効率よくおこなわれ、例えばイ
オン注入時に従来においてl=t100℃以上にまで上
昇したウニノ・温度が、60℃以下に押えることが可能
となる。またシール材として磁性流体を用いるので、気
密性が完全で、さらにウェハの取υ外しも容易におこな
える利点も有する0
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明のウニノ1の装着部構造の実施例縦断
面図である。 (1)・・・・・・・・・冷却板、(2)・・・・・・
・・・冷媒流路(冷却構造)、(8)・・・・・・・・
・磁界形成間隙部、(9)・・・・・・・・・磁性流体
、αD・・・・・・・・・空間(磁性流体の動作部)、
(2)・・・・・・・・・ガスパイプ(冷却ガス導入部
)0 第1図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. l 冷却構造を有する冷却板と、冷却板の周囲に連続し
    て設けられる磁界形成間隙部と、磁界形成間隙部に磁界
    によって支持されて設けられる磁性流体と、磁界形成間
    隙部の下方に位置して設けられガス圧により磁性流体を
    上方に押し上ける磁性流体の動作部と、ウェハが押し上
    げられた磁性流体上に位置した際ウェハと冷却板間に冷
    却用ガスを導入するための冷却ガス導入部と、ウェハの
    押え部材とからなるウェハの装着部構造。
JP59082638A 1984-04-23 1984-04-23 ウエハの装着部構造 Pending JPS60225424A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59082638A JPS60225424A (ja) 1984-04-23 1984-04-23 ウエハの装着部構造

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59082638A JPS60225424A (ja) 1984-04-23 1984-04-23 ウエハの装着部構造

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60225424A true JPS60225424A (ja) 1985-11-09

Family

ID=13779968

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59082638A Pending JPS60225424A (ja) 1984-04-23 1984-04-23 ウエハの装着部構造

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60225424A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116613090A (zh) * 2023-05-18 2023-08-18 上海稷以科技有限公司 温度控制系统及调节方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116613090A (zh) * 2023-05-18 2023-08-18 上海稷以科技有限公司 温度控制系统及调节方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3878085A (en) Cathode sputtering apparatus
TW202044478A (zh) 載置台及基板處理裝置
TWI413168B (zh) 低溫離子植入技術
US5651826A (en) Plasma processing apparatus
GB1413922A (en) Cooling system for semiconductor devices
US4486289A (en) Planar magnetron sputtering device
CN117856497B (zh) 电机定子装置和真空电机
JPS60115226A (ja) 試料の温度制御方法及び装置
JPS60225424A (ja) ウエハの装着部構造
JP2767282B2 (ja) 基板保持装置
JPH07201956A (ja) ウエハ冷却装置
JPH11233598A (ja) ウェハ冷却装置
US3117247A (en) Vacuum pump
JPS63104332A (ja) プラズマ加工方法及び装置
JPS61264649A (ja) 基板冷却装置
JP2006504239A (ja) エッジシールド及びガス排出をする静電チャックウエハポート及びトッププレート
JP2625756B2 (ja) プラズマプロセス装置
JP2023533096A (ja) Rfチャンバのアノード-カソード比を改良するための装置
JPH04246330A (ja) 磁気共鳴イメージング装置
JPS63227776A (ja) 沈積装置用陰極/ターゲット組合体
JPS5637493A (en) Heat transfer device
CN213936110U (zh) 离子源水冷结构及离子源
JPH081475A (ja) ターンテーブル装置
JPH11323542A (ja) スパッタリング装置
JPS5913327A (ja) ドライエツチング装置