JPS60225830A - 画像形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ｎ（行）×ｍ（列）個のマイクロシャッタ群
をマトリクス配置した液晶シャッタアレイ及び光源を有
するプリンタヘッドを備えた画像形成装置及びその駆動
法に関する。

これまで、ｎ個の走査電極とｍ個の信号電極をマトリク
ス状に構成し、多数の画素やシャツタ開口部を容量型負
荷素子である液晶で形成した液晶表示素子や液晶シャッ
タアレイは、よく知られている。この液晶素子の駆動法
としては、走査゛電極群に順次周期的にアドレス信号を
選択印加し、信号電極群には雨足の情報信号をアドレス
信号と同期させて並列的に選択印加する時分割駆動が採
用され′ている。この駆動法では、Ｆ記の式（１）で、
バす様に時分割数が増すにつれてＶＯＮ（オン信号）／
ＶＯＦＦ（オフ信り）が１に近くなり画素を構成する液
晶素子の開閉効率が悪くなる。このため、特に液晶シャ
・ンタアレイの場合では、十分なＳ／Ｎ比をもつ光信号
を与えることができず、これを電子写真複写機の像露光
部（プリンタヘッド）に使用した時には良好な画像を形
成できない欠点をイイしている。

（式中、１／Ｎ；デユーティ比。

１　／　ａ　；バイアス比、■０；印加電圧）すなわち
、最良の駆動条件は１／１デユーティ−１つまりスティ
ック駆動であるが、この駆動法では各画素毎をドライバ
ー回路で制御することが必要となっている。例えば、Ａ
−４（日本工業規格）の短手幅で画素密度を１６ドツト
／　ｍ　ｍとした光スポットを発生できる液晶−シャッ
タアレイの場合では、３３６０個のドライブ回路を必要
とし、ＩＣ１個当り３２個のドライブ回路を集積した場
合で１０５個のＩＣを必要とすることになる。このため
、スタティック駆動法は高密度の画素やシャツタ開口部
をもつ液晶シャタアレイを駆動するには適さない欠点が
ある。

すなわち、本発明の目的は画像形成速度（プロセスピー
ド）を遅くすることなく、時分割数を増や婆し、且つ駆
動用ＩＣ数を減少させるにはＩＣの高耐圧化をはかる必
要があり、このためコストダウンがはかれないという従
来の問題点を解消し、さらに従来では画像形成速度を遅
くしても時分割数はたかだか４程度どあったのに対し１
画像形成速度を遅くすることなく時分割数を高め、この
ため安価で高性能な液晶シャッタアレイを備えた画像形
成装置及びその駆動法を提供することにある。

本発明のかかる目的は、露光光源及び、該露光光源の露
光光路中の光線を光遮断状態と光透過状態の何れか一方
に制御するマイクロシャッタ群を備えたプリンタヘッド
と、該プリンタヘッドよりの光信号を像保持部材に照射
するようにした画像形成装置において、前記マイクロシ
ャッタ群が複数の行及び列に沿ってマトリクス状に配置
され、該マイクロシャッタ群が薄膜トとコモン電極を設
けた基板゛との間に液晶を挟持した構造を有しており、
前記薄膜トランジスタのゲート線に走査信号を印加し、
この走査信号と同期させてデータ線に画像情報に応じた
電気信号を印加する手段を備えた画像形成装置によって
達成される。

以下、本発明を図面に従って説明する。

本発明者らの実験検討によれば、直流、のゲート電圧ｖ
ｇｎｃを単位時間（ｈｒ）当りで印加した時のｖＩＪ値
電圧ｖｔｈの変動分をΔｖｔｈとした時、第１図に示さ
れる様にゲート絶縁膜の電果強度Ｅｇが低レベルのゲー
ト電圧Ｖｇｌ　（約４ＯＶ〜６０■）を越えると、Δｖ
ｔｈが指数関数的に増大している。このことは、ゲート
電圧ｖｇがＶｇｌを越えると急激にライフタイムの短縮
が生じることを表わしている。ところが、ゲート絶縁膜
に印加される電界強度を５×１０５　Ｖ　／　ｃ　ｍ以
下とした時、ＴＰＴのライフタイムを短縮せずにゲート
電圧Ｖｇを高くすることができ、従って十分なＳ／Ｎ比
、好ましくは５以上のＳ／Ｎ比、好ましくは５以上のＳ
／Ｎ比をもつ光信号を発生できる点にも別路特徴を有し
ている。

ＴＦＴは、Ｖｇ−Ｖｔｈ＞Ｖｓ　（Ｖｇ；ゲート電圧、
り Ｖｔｈ；閾値電圧、ＶＳ：デー纒電圧）の非飽和領域で
用いられ、コノ領域テｃ７）Ｖｘ　（ｔ）　／Ｖ　ｓ　
（Ｖｘ　（ｔ）　；出力電圧）は、充電開始前（１＝０
）の時、下記式（２）によって表わされる。

式中、ｍ、τ（ＴＦＴの充電時定数）及びＬ（液晶残留
電圧電位）はそれぞれ下記式（３）、（４）及び（５）
で表わされる。

τ　＝　−Ｃ・・・・・・・・・・・・（０Ｖｓ 又、式中Ｃは負荷ぎ量を、Ｖｇｈはプラス側のゲート電
圧、ｔはゲートオン時間を示し、又には下式（４）′に
よって示される。

ε０：真空誘導率ＣＦ／ｃｍ） εＳ：絶縁膜比誘導率 μ：易動度（Ｃｍ２　／Ｖｓｅｃ　） ｄｉｎｓ　：絶縁層膜厚（ａｍ） Ｌ：チャンネル長〔Ｃｍ〕 Ｗ：チャンネル巾（ｃｍ） 式（２）に従えば、出力電力Ｖｘ　（ｔ）を高くするに
は、データ電圧Ｖｓを高めることによって達成されるが
、Ｖ　ｇ　−Ｖ　ｔｈ＞　Ｖ　ｓの関係式からゲート電
圧Ｖｇを固めることが必要となる。

しかし、ゲート電圧Ｖｇを高めることはＴＰＴのライフ
タイムを短縮させることになり、このため実用的な液晶
シャッタアレイ、特にＴＰＴのライフタイムを短縮させ
ることなく２０ポルト以上の出力電圧Ｖｘ　（ｔ）を得
ることができるＴＦＴマトリクスの時分割駆動法がめら
れている。

そこで、本発明者らは前述の点について鋭意検討を重ね
たところ、ＴＰＴのライフタイムを短縮させることなく
、高圧（例えば３０ポルト以上、特に４０ボルト〜６０
ポルト）のゲート電圧Ｖｇを印加することができるＴＰ
Ｔマトリクスの時分割駆動法を見い出すことができた。

の −ト絶縁膜における型外強度を５Ｘ１０５Ｖ／　ｃ　ｍ
以下となる様にゲート絶縁膜厚を設定することによって
ＴＰＴのライフタイムを維持することができる。本発明
の好まして具体例ではゲート絶縁膜を水素原子をドーピ
ングした６０００人のチッ化シリコン（比誘電率６．６
）で形成し、半導体膜を２０００人のアモルファスシリ
コン（比誘電率１２）で形成した時、ゲート電圧Ｖｇを
４０ボルト〜６０ポルトで印加しても、ＴＰＴのライフ
タイムの短縮は見られなかった。

第２図は、本発明で用いうる液晶モードを模式的に表わ
した断面図で、図中偏光板２６と２７はクロスニコルの
状態で配置され、さらに２枚の基板２１と２２には偏光
板２６と２７の偏へ 光方向に対し液Ｉ５の初期配向方向が４５度の方向とな
る様にラビング処理などの方法により龜 配向処理されている。この際、液Ａ２５としては正の誘
電異方性をもつネマチック液晶（ＮＰ型液晶）が使用さ
れている。コモン電極２３と２４ａに電圧を印加した時
には、この電極間の液晶２５の分子軸は型外方向に配向
し、入射光Ｉに対して暗状態（光遮断状態）が形成され
る。

し 一方、電極２３と２４泰の電圧を液晶２５の閾値電圧以
下にすると、この電極間の液晶２５の分子軸は初期配向
方向、すなわちラビング方向に配向する。この時、入射
光Ｉは透過光Ｔとなって明状態（光透過状態）が形成さ
れる。

第３図（Ａ）は、本発明で用いる液晶素子のいる。ＴＰ
Ｔは、走査信号を印加するゲート線に接続されたゲート
電極３０２、情報信号を印加するデータ線に接続された
ソース電極３０３とこのデータ信号を出力信号として取
り出すドレイン電極３０４の３つの端子を有している。

又、ドレイン電極３０４はマイクロシャッタ部、　を形
成するセグメント電極３０７に接続されている。ゲート
電極３０２に走査信号を印加するとアモルファスシリコ
ンフィルム３０５の抵抗が低下し、ソース電極３０３と
ドレイン電極３０４が接続状態となる。

本発明で用いるＴＰＴは、ゲート電極３０２とアモルフ
ァスシリコンフィルム３０５（７）間に挟まれたゲート
絶縁層３０６として、水素原子をドープした６０００大
チツ化シリコン（比誘電率６．６）が使用される。この
チッ化シリコンフィルムは、ゲート電極３０２となるク
ロム／アルミニウム積層蒸着フィルムとセグメント電極
３０７となるＩ　Ｔｏ　（Ｉｎｄｉｎｍ　Ｔｉｎ　０ｗ
１ｄｅ）の蒸着フィルムが所定形状でパターニングされ
た基板３０１の上にグロー放電下で全面に亘って形成さ
れる。又、ドレイン電極３０４とセグメント環ｆｉ３０
７は、チ・フ化シリコンフィルムに設けたスルーホール
３０８を介して接続されこの様なＴＰＴと電極をもつ基
板３０１の上に、さらに水素原子をドープしたチッ化シ
リコンフィルムで形成した絶縁膜３０９と配向制御ドフ
ィルムが使用される。

本発明でｍｍいる液晶素子は、前述のＴＰＴをマトリク
ス状に配置したＴＰＴマトリクス基板と対向基板３１１
の間にネマチック液晶３１３（ＮＰ型液晶）が第１図で
示した配向状態で挟持されている。対向基板３１１の上
には、コモン電極３１．２となるＩＴＯフィルムが形成
され、さらに前述した液晶−シャッタアレイの場合では
マイクロシャッタ部を形成するために開口部以外を遮光
するためのクロム／アルミニウム積層蒸着フィルムより
なる遮光膜３１４が対向電極３１２の上に積層されてい
る。これらコモン電極３１２と遮光［３１４の上に配向
制御膜３１５がポリイミドなどによって形成されている
。

第、３図（Ｂ）は１本発明で用いる液晶シャッタアレイ
を模式的に表わした断面図である。本発明の液晶シャッ
タアレイは、ＴＦＴ部３１６が液晶素子３１７の基板３
０１と同一基板３０１′の上で、且つ液晶素子３１７の
外部に形成されている。特に、ＴＰＴ３１６は液晶素子
３１７の基板３０１とコモン電極３１２を設けた対向基
板３１１間の液晶３１３を封止するために形成したエポ
キシ系接着剤などによる封止部材３１８の外側に配置さ
れていることが好ましい。又ＴＦＴ３１６は液晶素子３
１７の基板３０１とは別にＩＣ回路などの外部回路基板
（図示せず）の上に設けることもできる。図中の第３図
（Ａ）と同一符合のものは、同一部材を表・わしでいる
。又５図中３１９と３２０はクロスニコルの偏光子で、
３１２はクロム、アルミニウムなどによるＴＰＴ３１６
の半導体膜３０５に対する遮光膜を表わしている。

第４図（Ａ）は、本発明の液晶シャ・ンタアレイで用い
るＴＦＴマトリクス基板の回路で、第４図（Ｂ）はその
平面図を表わしている。ＴＰＴマトリクスは、アレイ状
にＴＦＴ４０１１　。

４０１２．４０１３，４０１４，４０１５，４０１６．
４０１７，４０１８．・・・・・・（ＴＦＴ　；４０１
）が配置された構造を有している。ＴＦ蚤 Ｔ４０１は、走外信号をゲート電極に印加するゲート線
（４０２１，４０２２，４０２３゜４０２４）群４０２
、情報（データ）信号をソース電極に印加するデータ線
（４０３１゜４０３２　、・・・・・・）群４０３とデ
ータ線４０３からのデータ信号が出力信号として印加さ
れるドレイン電極（４０５１，４０５２，４０５３゜４
０５４）と接続したマイクロシャッタのセグメント電極
（４０４１，４０４２，４０４３゜４０４４．４０４５
，４０４６，４０４７，４０４８、・・・・・・）群４
０４がそれぞれ接続されている。

本実施例では、データ線４０３１にＴＰＴ４０１１．４
０１２．４０１３と４０１４が共通接続され、データ線
４０３２にＴＦＴ４０１５．４０１６．４０１７と４０
１８が共通接続されている。一方、ゲート線４０２１に
ＴＦＴ４０１１．４０１５が共通接続されている。同様
に他のゲート線についても図示する如＜ＴＰＴと共通接
続されている。本実施例では４次時分割駆動方式につい
て明らかにしたものであるが、本発明では２次、３次又
は５次あるいはそれ以上の多次時分割駆動方式とするこ
とができる。

この様なＴＰＴマトリクス構造では、ゲート電極（及び
ゲート電極からゲート線へ引き出すく、従ってこの東な
り部により発生する不要な容量ＣＱを生じることがない
。

又、本実施例ではマイクロシャッタのセグメント電極群
４０４が順次チドリ状に配列されているが、これは、マ
イクロシャッタ部が順次時分割で情報の書き込みが行な
われるため、調走作方向４０５へ常に移動している像保
持部材である感光ドラム（図示せず）上での情報古き込
みが１フレーム中で直線となって行こなうためである。

第４図（Ｃ）は、第４図（Ｂ）のＡ−Ａ　′断面図を表
わしている。図中、基板４０９の」−に丘 形成したゲート線４０２１状には絶縁膜４０７が一面に
亘って覆われているが、交差するゲーが導電膜４１０に
よって接続されている。。

これらの交差して配置したゲート線」二には、絶縁膜４
０８が設けられ、その上にデータ線４０３１が配置され
ている。

第５図は、液晶シャッタアレイを用いて光信号を一感光
ドラムに与えるための概略構成を示している。但し、帯
電器、現像器、クリーニングなどは省略している。５３
は、前述の如き液晶シャッタアレイ、５１は感光ドラム
（アモルファスシリコン感光体、有機光導電性感光体）
、５４は蛍光燈などの光源、５２はセルフォックレンズ
などのレンズアレイ、５５は集光寝バーである。感光ド
ラム５１は調走作方向５６の方向に回転し、この感光ド
ラム５１の面に光源５４と液晶シャッタアレイ５３から
なるプリンタヘッド部５７から発生した光信号を照射す
ることによって情報信号に応じた静電荷像を形成するこ
とができる。このため、レーザービームより発生した光
信号を照射する方式の電子写真複写機に比べ装置の小型
化が可能で、しかもレーザービームを照射する方式で使
用されるポリゴンスキャナの様な機械的駆動部がないた
め騒音がなく、又、厳しい機械的精度の要求を小さくす
ることができる利点がある。

次に、第４図に示す配列状態のシャツタ開口部（Ｗｌ、
Ｗ２．・・・・・・）で４次時分割駆動を行なう場合の
ドツトパターンを形成する例を説明する。

第６図は、液晶シャッタアレイに印加する駆動信号力タ
イムチャートの具体例を表わしている。ここで、Ｇ　１
−０４はゲート線４０２１゜４０２２．４０２３と４０
２４に印加する電圧波型で、電位■２が印加された時Ｔ
ＦＴがオン状態となりソース電極とドレイン電極の間が
導通状態となる。一方、電位が一■１で印加された時に
はＴＰＴはオフ状態となり、ソース電極とドレイン電極
の間がカットオフ状態となり、電気的に遮断される。従
って、ゲート電極の印保持される。

Ｃは、コモン電極に印加する電圧波形で、本実施例では
常に電位０に保持されている。Ｓｌはソース電極（デー
タ電極）に印加する電圧波形で、開口部ｗｌ、ｗ２．・
・・をオンかオフの何れかに設定するに従って、電位を
ＯかＶとする電圧が印加される。

次に、開口部Ｗ１に注目してシャッタ開閉の動作制御に
ついて説明する。

時間Ｔ　１１において、マイクロシャッタ部Ｗ１のセグ
メント電極４０４１と接続されているＴＰＴ４０１１の
ゲート線４０２１（Ｇｌ）に接続されたゲート電極の電
位がｖ２となり、ＴＰＴ４０１１はオン状態となる。時
間τ１１とＩ１２（τ１１＋τ１２　＝　Ｔ　１１　）
ではデータ電極４０３１（Ｓｌ）の電位はＶであるので
、マイクロシャッタ部Ｗ１のセグメント電極４０４１の
電位もほぼ■となる。従って、この時マイクロシャッタ
部Ｗ１はオフ状態となっている。続く時間τ１３ではゲ
ート線４０２１（Ｇｌ）に接続されたゲート電極の電位
が−ｖ１となるので、たとえデータ電極４０３１（Ｓｌ
）に電圧が印加されても、マイクロシャッタ部Ｗｌのセ
グメント電極は電位Ｖを保持することができる。τ１３
＝ＴＩ２　＋　Ｔ１３　＋　Ｔ１４で、Ｔ１２はゲート
線４０２２（Ｇ２）に、Ｔ１３はゲート線４０２３　（
Ｇ３）に、Ｔ１４はゲート線４０２４（Ｇ４）にそれぞ
れｖ２の電圧を印加する期間である。従ってＴ　１１　
＋　Ｔ　Ｉ２　＋　Ｔ　１３　＋　Ｔ　１４がｌフレー
ム期間となる。続くフレーム期間の時間Ｔ２１で再びゲ
ート電極（Ｇｌ）（７）電位がｖ２となってＴＦＴ４０
ｉｔがオン状態となる。この時間Ｔ２１の前半の時間τ
２１でデータ電極（Ｓｌ）の電位がＶとなり、マイクロ
シャッタ部Ｗ１のセグメント電極に電圧Ｖが付与され、
続く後半の時間τ２２（ＴＰＴのオン状ＩＥが保持され
ている）でデータ電ｍ　（Ｓ　ｔ）の電位がＯとなるの
で、マイクロシャッタ部Ｗ１のセグメント電極の電位が
０に変化し、統〈時間τ２３　（＝Ｔ２２＋Ｔ２３＋　
Ｔ２４）の間、電位Ｏが保持される。従ってマイクロシ
ャ・ンタ部Ｗ１に相当する液晶に印加される電圧が０と
なっているため、第２図で説明した様にシャッタのオン
状態（光透過状８）が１フレ一ム期間に形成される。

第６図中のＩＷＩ−ＣＩで、マイクロシャッタ部Ｗ１の
セグメント電極とコモン電極間、すなわち液晶に印加さ
れる電圧波型を時系列に従って明らかにしている。これ
に従えば時間τ１２＋τ１３＋τｚｔで１Ｗｔ−Ｃ１ｌ
ｔ電位差ｖとなっていて、次のフレーム期間のうち時間
τ２２＋τ２３で１Ｗ１−ＣＩは電位差０となっている
。

この時のマイクロシャッタＷ１の時系列における透過率
の変化を第６図中のＴｒｌで明らかにしている。この図
示によれば１時間τ１２＋τ１３＋τ２１の期間におい
ては、マイクロシャッタ部Ｗ１の透過率はＴｒｄ　（暗
レベル）であり、時間τ２２＋τ２３＋τ３１の期間に
おいてはマイクロシャッタ部Ｗ１の透過率はＴｒ文（明
レベル）まで徐々に上昇し、次のフレーム期間のＴ３１
で１Ｗ１−ＣＩがＶとなる場合では図示する如くＴｒｄ
に復帰する。

又、図中の１Ｗ２−ＣＩはマイクロシャッタＷ２の電極
とコモン電極間の時系列にミおける電位差を示し、Ｔｒ
２はその時の透過率の変化を表わしている。

第７図は、光スポツト像のドラＬｄｌとｄ２１１ を作製する際のシーケンスを示している。各ドツトの内
、第１列のドツト　（ｄｌ　、　ｄ２　、　ｄ３　。

１１ ｄ４．・・・）はマイクロシャッタ部Ｗｌのオンとオフ
に対応し、第２列のドラ）　（ｄ”　、、ｄ”’　。

２　２ ｄ３．ｄ４．・・・）はマイクロシャッタ部ｗ２の２　
２ オンとオフに対応している。また、各行のドツトはそれ
ぞれマイクロシャッタ部Ｗｌ　、ｗ２　。

ｗ３．ｗ４．・・・・・・に対応している。ここで、ド
ツトｄ’、ｄ’、ｄ２．ｄ３．ｄ３．ｄ４と４３１２２ ｄ４は暗レベルで、その外のドツトは明レベルであると
する。尚、図中７１は主走査方向、７２は副走査方向を
表わしている。

本発明の時分割駆動法では、例えば前記の如き４次時分
割駆動によりマイクロシャッタ部を動作すると、ｌフレ
ーム期間中でマイクロシャッタ部のオン状８（光透過状
態）あるいはオフ状態（光遮断状態）を保持することが
できる。

すなわち、暗レベルのドツトを形成する時に土 は１行分のドツト生成時間（τ１２＋τ１３Ｊ２１　）
に亘って透過率を暗レベル（Ｔｒｄ）とし、又明レベル
のドツトを形成する時には１行分のドツト生成時間（τ
２２＋τ２３＋τ３１）に亘って透過率を明レベル（Ｔ
ｒ！ｌ）とすることができ従来の液晶シャッタアレイで
使用されていた単純マトリクス方式の場合と較らべてＳ
／Ｎ比を大幅に向上することができる。

又、本実施例では第６図に示す様にゲート線を走査する
初期期間において、この走査信号と同期させて入力する
情報信号には電圧Ｖが付加されている。これは、前述の
第２図に示す方式の液晶に印加される電圧を０とすると
、透過率は第８図にＸ示す様に時間に対して波型状に変
化する。この現象は一般に光のバウンシング現象と呼ば
れている。従って、第８図によれば１つのマイクロシャ
フタ部でオン状態が３τに亘っためそれぞれの書き込み
時の透過率が相違し、このため各ドツト毎の明ＩＩＩ比
（プリント画像のコントラス）にバラツキを生じる問題
があった。そこで、本実施例では各書き込み時におけに
るシャッタ部のオン状態での透過率を一様とするために
、前述した様に書き込み時の初期期して 間で走査信号と同期怪入力させる情報信号に電圧■を負
荷し、強制的に一担液晶に電圧Ｖを印加して暗状態を形
成するよ、次にマイクロシャッタ部のオン状態が続いて
も再び第８図に示す△ドツト書き込み時間τにおける透
過率となり、各ドツトにおけるオン状態での透過率を全
て一様なものとすることができる。

従って、この強制的なシャツタ閉時間をデータ書き込み
の直前又は直後に設定することにより、データ書き込み
の際のシャツタ開時及びシ簡 ヤッタ閉時の爆状態において、常に安定した透過光量が
得られ、常に安定したコントラストのプリント画像を得
ることが可能となる。各ドツトを形成するためのデータ
信号をデータ電極に力＼ 与える前に、前回のドツト形成が明レベルが暗レベルか
の如何にかかわらず、液晶層に電圧が印加される様に信
号を与えることができる。この時、液晶層に電圧が与え
られ、透過率が充分に低くなる時間をτ！工とし、時間
τ１２でＴＦＴ４０１を介してセグメント電極４０４の
電位がデータ電極４０３の電位に変化するのに充分な時
間にする必要がある。

本発明者らの実験によれば、８ｍｍの液晶に２０Ｖの電
圧を印加する場合、時間τ１１は約０．２４　ｍ　ｓ　
ｅ　ｃ、従って０．２ｍ５ｅｃ以上であればよく、又時
間τ１２は数＋ｐ−５ｅｃであれ（シャッタ部）密度を
１６ドツ）　／　ｍ　ｍ画像形成速度（プロセススピー
ド）を５０ｍｍ／ｓｅｃとすると、第１行のドツト形成
時間（τ１１＋τ１２＋τ１３）は、１．２５ｍ５ｅｃ
となるノーｃ’、時開τ１１＋τ１２を１２５ｍ５ｅｃ
の１７４時間、即ち０．３１２５　ｍ　ｓ　ｅ　ｃに設
定して４次時分割駆動を実現できることが判明した。さ
らに、この際、明暗比が６．５にまで向上し、明レベル
の先着が従来の単純マトリクス駆動方式の場合と比較し
て２倍以上となっていることも判明した。

第９図は、本発明の時分割駆動法の別の具体例を表わし
ている。第９図に示す具体例は、さらに時分割数を増大
させた場合に適した駆動法である。

６時１ｔｌτ１１（１フレームについて述ベル）にゲー
ト最低オン時間（データ電極の電圧をドレイン側で得る
のに要する最低時間）τ１２を加えた時間（τ１１＋τ
１２）の間でゲート電極をオン状ｆ島としているため、
時分割数を多くするには限度がある。すなわち、開口部
密度を１６ドツト／ｍｍとし、プロセススピードを５０
　ｍｍ／　ｓ　ｅ　ｃとした時、時分割数は、下記の式
（６）によって示される。

この際、時間τ１２は飲用５ｅＣ−数−ｊ−ｇ　ｓ　ｅ
　ｃで充分であり、時分割数ｎは時間τ１１によって制
御されることになる。

そこで、第９図に示す様にシャツタ開口部を強制的に閉
じるために必要な時間（本発明者らの実験では、τ１１
＝０．２４ｍ５ｅｃ、液晶の厚み８ｇｍ、駆動４０Ｖと
した）でゲート線Ｇ１　＋　Ｇ　２　＋　Ｇ　３　＋　
”’　Ｇ　ｎ　（ｎ　；時分割数）に順次ゲートオンパ
ルスを印加し、これと同期させてデータ電極に電圧Ｖを
印加する。従って、順次マイクロシャッタ部がオフ状態
となり、続くフレーム期間でデータ電極に選択信号（電
圧０か■）を印加する。すなわち、第１走査期間ｔｌで
マイクロシャッタ部に対応する液晶に１に圧Ｖ（コモン
電極の電極の電位をＯとする）を印加することによって
マイクロシャッタ部の全てがオフ状態となり、この第１
走査期間ｔ１はリフレッシュ期間に相当している。続く
第２走査期間ｔ２でデータ信号に従った電圧をデータ電
極にゲート線の走査信号（τ１）と同期させて印加する
ことによって、所定のマイクロシャッタ部をオン状態又
はオフ状態に設定する。この第２走査期間ｔ２はデータ
古き込み期間に相当している。

第９図に示す具体例では、前述のリフレッシュ期間とデ
ータ書き込み期間を交互に設けて駆動するもので、さら
に本例ではこのデータ書き込み期間とリフレッシュ期間
の間に任意の電圧印加期間ｔ３が付加されているが、こ
の任意期間ｔ３は省略することも可能である。

この様な駆動法を用いた時の時分割数ｎは式（７）によ
って表わされる。

τｌ）を５μＳｅＣとすると、時分割数は４８まで可能
となった。又、第９図中のＴｒにゲート線Ｇ１とデータ
電極Ｓ１の端子を接続したＴＰＴでスイッチングされる
シャンク部の時系列における透過率の変化を表わしてい
る（ＴｒＪＬ；明レベル、Ｔｒｄ；暗レベル）。

第１０図は、もう１つの他の具体例を表わしている。前
述の第９図に示す駆動例では時間ｔ１の間で必ず１つの
ＴＰＴに対してゲートオンパルスが印加され、オン状態
となっているが、本発明では時分割数ｎを比較的少なく
しく第１０図に示す例では時分割数ｎが４となっている
）、これによりデータパルス印加時間を短縮することが
できる。すなわち、第１θ図に示すマイクロシャッタ部
Ｗｌ　、ｗ２　、Ｗ３とＷ４（第４図の開口部に対応）
における透過率波形に示す様に最初に駆動されるマイク
ロシャッタ部Ｗ１と最後に駆動される開口部Ｗ４の駆今
、ここで光源の点灯波型を第１θ図のＬの様にすると、
その時の各開口部におけるオン状態の透過光のエネルギ
ーはＷＩＳ、Ｗ２Ｎ。

Ｗ３Ｓ、Ｗ４Ｓで示す面積となる。この場合、開口部Ｗ
ｌ　、Ｗ３　、Ｗ４はシャッタオン状態であり、そこか
らの透過光のエネルギーはＷＩＳ＞Ｗ３Ｓ＞Ｗ４Ｓとな
るが、この駆動に関しては前記した様に、データパルス
印加時間τ２が短いため、この差はほぼ無視できる。例
えば、開口部（シャッタ部）密度１６ドツト／ｍｍ、で プロ大ススピード５０ｍｍ／ｓｅｅ、ゲート最低オン時
間τ１を５１ＬＳｅＣとして４次時分割駆動を行なう場
合では、データパルス印加時間τ２は２０ｇ５ｅｃとな
る。これに対して時間τ３は１ｍ５ｅｃ程度である。従
って、この程度の時間差による光エネルギＷＩＳ、Ｗ３
ＳとＷ４Ｓの差は、はとんど無視することができる。

この様に光源を最初のゲートにリフレッシュ期 パルス（リフレッシュパルス印加１１１　間　τ４）の
場合を見積ってもＷ４Ｓ／Ｗ２Ｎとなる。

今、発光中心波長を６５０ｎｍ程度とした光源を使用し
、′開ロ部密度１６ドツト／　ｍ　ｍ　、プロセススピ
ード５０ｍｍ／ｓｅｃ、光源点灯時間Ｎは１０倍以上と
なる。又、データパルス印加時間τ２を設定したことに
よりＳ／Ｎ比下 （Ｗ４Ｓ／Ｗ２Ｎ）が多少低化するが、前記した様にＷ
ＩＳとＷ４Ｓとのエネルギー差が小さくなる様に時間τ
２を設定すればＳ／Ｎ比が大幅に改善され、常に安定し
た電子写真プリント画像を得ることができる。尚、図中
の時間τ５は任意期間である。

第１１図及び第１２図は、本発明の別の態様を表わす駆
動例を示している。

素形成時間に対応していて、式（８）で計算される。

τ＝１／Ｖｐ　１１Ｎ　−・・・・・　（８）（式中。

Ｖｐ；プロセススピードｍｍ／５ｅｃ ＮＨｐｅ文数） 第１１図において、ＴＰＴのゲート最低オン時間τ１と
した時、τａ≧τ１　τｂ〉τ１としてτａとτｂを交
互にして時間を区切り、時間τａは液晶に必ず電界を印
加し、開口部をオフ状態とし、透過率の変動を防ぐため
の電位を開口部電極にリフレッシュ（消去）期間で、時
間τｂは開口部のオンとオフ状態を制御するための電位
をマイクロシャッタ部のセグメント電極に与えるデータ
書き込み期間としている。

第１２図には８次時分割駆動で用いるＴＰＴマトリクス
１２０２とかかるＴＦＴに接続したゲート線１２０１、
データ線１２０２と開口部Ｗｌ　、ｗ２　、・・・に接
続したセグメント電極１２０４を示している。ゲート線
１２０１のうち選択されたゲート線には１画素形成時間
τ内でリフレッシュ期間τａと書き込み期間τｂのみに
電圧Ｖ２が印加され、他の選択されないゲート線には電
圧−ｖｌが印加される。すなわち、第１１図に示す様に
最初のリフレッシュ期間τａでゲート線Ｇ１に電圧ｖ２
が印加され、続く書き込み期間τｂとリフレッシュ期間
τａの組を２組分の間でゲート線Ｇ１に電圧−ｖｌが印
加され、次の書き込み期間τｂでゲートＧ１に電圧ｖ２
が印加され、残りの１画素書き込み時間ではゲート線Ｇ
１の電位を−ｖ１とする。次のゲート線Ｇ２にはゲート
線Ｇ１に印加したゲーのゲート線Ｇ３　、Ｇ４　、Ｇ５
　、Ｇ６　、Ｇ７とＧい様なゲート信号波形が形成され
ている。次に、開口部での動作を説明する。

マイクロシャッタ部Ｗ１に接続されたセグメント電極に
は、時間τ１でゲート線Ｇ１の電位が＋■２となり、デ
ータ線Ｓ１に接続されたデータ電極には電圧Ｖが印加さ
れる。続く書き込み期間τｂでゲート線Ｇ１の電位は−
ｖ１と３　なり・ＴＦＴ１２０２１が力・トオフ状態１
なるために、データ線Ｓ１の電位にかかわらずマイクロ
シャッタ部Ｗ１のセグメント電極は電位Ｖが保持される
。このことは、時間τ１でマイ必ず印加されている状態
となって、マイクロシャッタ部Ｗ１のオフ状態が形成さ
れる。続く書き込み期間τｂでゲート線Ｇ１は電位が十
とし、明レベル（オン状８）とするにはデータＳ１の電
位を０とする様に、それぞれの明暗レベルに対応した電
位がマイクロシャッタ部Ｗ１のセグメント電極に印加さ
れ、続くリフレッシュ期間τａから後では１画素書き込
み期間τが終了するまでゲート線Ｇ１の電位が一■１と
なり、ＴＰＴ１２０２１がカットオフ状態となるため明
暗レベルに対応した電位が保持されることになる。

この駆動法を用いた際の時分割数ｎを最大値のものとし
た時の例を第１３図に示す。例えば。

開口部密度を１６ドツト／　ｍ　ｍ　（１６ｐ　ｅ文）
、プロセススピードを５０ｍｍ／ｓｅｅ、時間τＣキ２
４０ｇ５ｅｃ、時間τ１ニア８ＢｓｅＣとした時、時分
割数ｎは第９図に示す駆動例の場合で２４０７７８　＝
　３であるが、第１３図に示す駆動例の場合で８次時分
割が可能である。

第ｉｔ図と第１２図に示した駆動法においては、１行書
き込み時間において隣り合うゲート線へのオンパルスが
第９図と第１０図で示した駆動例の様に時間差がなで連
続的に印加されるのではなく、ゲート最低オン時間τ１
でだけに時間差を生じる。従って、外部回路（時分割駆
動用に入力データを振り分けるインターフェイス回路）
において、データ電極へのデータ転送速度を第９図と第
１０図に示す駆動法の１７２になすことができ、その部
分での回路構成が簡略化することができ、又コストダウ
ンの上でも有効なものとなる。

又、第１１図に示す駆動例は最−な時分割をなしていな
い場合であり、時間τｄで常にゲート線０１〜Ｇ８のう
ち、何れか１つのゲート線にゲートオンパルスを印加し
ておらず、つまり時間τｄ内でどのゲート線にもオフ電
圧が印加されいる時間を生じる。従って、各ゲート線へ
接続したバッファ回路へのデータ転送速度を遅くするこ
とができ、この点で回路設定が容易となり、コストダウ
ンの上で有効である。

又、本発明では液晶シャッタアレイを第５図に示す光信
号発生部に取り付けて第１５図に示す如き電子写真複写
機により、カットされたプリント（転写紙）にトナー画
像を形成する際に、この転写紙の送り間隔を設けること
が必要となっているが、この転写紙送り間隔の時間Ｔｙ
に第１４図に示す様にデータ電極の電位０とし、コモン
電極の電位を＋Ｖｄとすることによ面 り、１画素形成時（例えば、１枚のコピー形成時Ｔｘ）
とは逆極性の電圧を液晶に印加することができる。（Ｔ
ｚ：次の画面形成期間）０例えば、電子写真複写機にお
ける転写紙送り間隔は、その紙間距離で見た時には一般
に３０　ｍ　ｍ〜５０ｍｍとなっている。従って、例え
ば紙間距離を５０ｍｍとし、そのプロセススピードを５
０ｍｍ／ｓｅｃとした時で、紙間が１秒間にのとおりす
ることによって、実質上直流駆動とはなっておらず、こ
のため液晶シャツヘアレイの寿命を向上させることがで
きる。

／ 第１５図は、前述の液晶シャツｔアレイを用いた電子写
真複写機の１例を示すもので、感光ドラム１５０１を矢
印１５０２の方向に回転駆動させ、まず帯電器１５０３
により感光ドラム１５０１を一様に帯電させ、液晶シャ
ッタアレイ１５０４を駆動させて、背後に配置した光源
１５０５よりの光線を選択的に開閉制御して光信号を発
生させ、この光信号を帯電された感光ドラム１５０１に
照射して静電潜像が形成される。

この静電潜像は、現像器１５０６のトナーにド より現像され、このトナー現象は転写ガイ葦１５０７を
通ってきた複写用紙Ｐ（転写紙）七に転写帯電器１５０
８により転写される。画像の転写を受けた複写用紙Ｐは
分離ベルト装置１５０９により感光ドラム１５０１がら
順次に分離され、次いで定着装置１５１０で画像が定着
さ宴 れるように勾っている。また、転写検感光ドラム１５０
１の表面上に残留したトナーはクリーニング装置１５１
ｔにより除去され、前露光装置１５１２により感光ドラ
ム１５０１が除電され、再び次の複写サイクルが可能に
なるようにしである。ところで、第１５図に於る液晶シ
ャッタアレイ１５０４には前述の第２図に示す液晶セル
を採用している。つまり、露光光源１５０５からの光線
を液晶セルを備えた液晶シャッタアレイ１５０４．セル
フオフレンズなどのレンズアレイ１５１３を介して感光
体１５０１の上に結像する際に、図示していない原稿情
報読み取り装置によって得られた画像情報を含んだディ
ジタル信号により液晶駆動回路１５１４を動作させて液
晶シャッタアレイ１５０４を０Ｎ−ＯＦＦさせることに
より、画像情報のパターンを有する光信号を感光体１５
０１の上に露光するようになっている。この実施例に於
ては露光光源１５０５が液晶セルの加熱の機能も果して
おり、感熱素子１５２０に接続された液晶温度制御回路
１５１６で液晶冷却用ファン１５１７を動作させること
により、液晶セルの過熱を防止し、液晶セルを一定温度
に維持するようにすることができる。図中１５１８は反
射笠、１５１９はレンズアレー１５１３を液晶シャッタ
装置へ装着するための部材である。

ところで、従来のＴＰＴを用いていない液晶シャッタア
レイは第１６図に示す電極構造を有しており、この電極
構造では、第１７図に示す駆動波形が印加されていた。

たとえば、液晶の厚みを８ｐｍ程度にし、共通電極に±
ＩＯＶの矩形波を印加し、信号電極には、選択する行の
シャッタ部をオン状態にするときは、その共通電極と同
じ電圧波形を印加し、シャッタ部をオフ状態にするとき
は、Ｏｖを印加する。第１７図において、時間ＴＩはＡ
１のみオン、時間Ｔ２はＡ　１’のみオンにした場合で
、そのときのＡ１とＡ２のそれぞれの液晶層にかかる電
圧の絶対値をｌＶＡ、１１゜１ＶＡ２１で表わしている
。このように、信号電極につながるシャッタ部のうち、
どれか１つをオン状態にするときは、液晶層には２■す
なわち２０Ｖの電圧がかかるが、信号電極につながるシ
ャッタ部をすべてオフ状態にするときはＶ、すなわちｌ
０ＶＬか電圧がかからない。

従って、Ａ１の透過率は、時間Ｔ２でＴｃｔｌであるの
に対しＡ２の透過率は時間Ｔｌ、Ｔ２にわたってＴａ２
であり、かつＴａ２＞Ｔｄｔとなる。

この場合、１つのドツトは、時間Ｔ１およびＴ２にわた
って形成される。従って、感光ドラムの受ける光量の大
きさは、シャッタ部がオンのとき面積１２０１　（１２
１０ａ＋１’２１０ｂ）、開口部、ｔ７（７）、！−き
面積１２０２　（１２０２ａ＋１２０２ｂ）に比例する
。

従って、電圧Ｖを低くすると、明暗比がとれなくなる。

また、時分割数を大きくすると、面積１７０１ａに比較
し、１７０２ｂが大きくなるために明暗比がとれなくな
る。

一方、１　ｍ　ｍ　当り１６ドツトを形成し、画像形成
速度を５０ｍｍ／５（Ａ４サイズの画像をたて送りで毎
分６〜８枚形成する速さ）とし、２峙分割駆動を行なっ
たとき、Ｔ１は０．６２５ｍｓとなる。どのレベルにお
ける液晶シャッタの透過率変化の形状がだいたい第１２
図Ａ１で表わされている。すなわち、ＴＩをさらに長く
すると、透過率Ｔｅがさらに大きくなるが。

実際、Ｔｌを１．２５ｍ５とし、２時分割駆動を行ない
、１［圧を前述の説明の倍の電圧±２０Ｖとした場合で
も照射光波長を５５０ｎｍにして明暗比が３倍程度にな
ってしまう。

ところが、感光体において明、暗に対し、するためには
印加電圧をさらに高くしなければならない。現在、安価
に作成できるＣＨ％Ｓ。

ＩＣ，とじての耐圧は、高耐圧のものでも３０Ｖ程度で
ある。従って、時分割数を増してＩＣの個数を少なくし
ても、明暗比を大きくするために、特別の高耐圧、すな
わち６０Ｖ〜８０ｖの耐圧のＩＣを使うか、もしくは画
像形成速度の遅いもの、画素密度の低いものとしてのみ
に応用するかの選択にせまられていた。

又、第１８図に実験によりめた従来の液晶図中、１８１
は波長４８９ｎｍでの透過率を、１８２は６５５ｎｍで
の透過率の変化を示している。

この実験結果からもわかるように、液晶層にかかる電圧
ＶＬＣが、長波長（歩測）の照明を用いたときで２０Ｖ
以下、短波長（前側）での照明を用いたときで３０Ｖ以
下にすると急激に透過率が増大してしまう。

以１説明した様に、薄膜トランジスタを用いて液晶シャ
ッターを駆動することにより、実質駆動は時分割で行っ
ていながら、シャッター透過光の波形は直接駆動（時分
割しない駆動）と同等の物を得ることが出来る。

つまり、時分割駆動が可能になることにより、データ電
極の本数を低減出来（画素密度１６　ｄｏｔ／ｍ＋ｍ、
全長２１０ａ＋ｍの場合、直接駆動時データ電極本数＝
３３６０本、８時分割データ電極数＝４２０本）、従っ
て、 （１）液晶シャッターセルと駆動用ＩＣとの接続（実装
）が容易となり、実装コス トの減少がはかれる。

（２）ＩＣの個数を低減できる。

等の効果がある。

又、液晶シャッターの透過光の波形は直接駆動と同等の
為、１ｄｏｔ書き込み時間を長くとれ、シャッター開時
の透過光の光エネルギーを大きくする車が出来る。第６
図に示した様にＤＡＰ式液晶（第２図の液晶モード）の
シャフタ−を開にした場合、その光は徐々に透過する。

第６図の様に透過光の波形は、下角形の形状になる。透
過光の光エネルギーは面積Ａであり、例えば時間が倍に
なれば光エネルギーは借景」−にすることができる。

従って、コントラスト比（明部光エネルギー〔面積Ａ）
／暗部光エネルギー〔面積Ｂ））も飛躍的に大きくとれ
る。

今、光源の発光中心波長を５４０　ｎｍとし、画素密度
１６　ｄａｔ／ｍｍ、プロセススピード５０ｍｍ／ｓｅ
ｃとした時、２時分割駆動を行なった場合、３倍以下で
あったが直接駆動を行なった場合６．５倍程度にひき上
げることが可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、ゲート絶縁膜とΔｖｔｈの関係を示す説明図
である。 第２図は、本発明で用いる液晶素子の断面図である。 第３図（Ａ）は、本発明のＴＰＴを用いた液晶素子の断
面図で、第３図（Ｂ）は、本発明の別の液晶素子の断面
図である。 第４図（Ｂ）は、本発明の液晶シャッタアレイの平面図
で、第４図（Ｃ）は、そのＡ−Ａ　’断面図である。 １８５図ｔ４、本発明で用いるプリンタヘッド部の斜視
図である。 第６図は、本発明の液晶シャッタアレイに印加する駆動
信号のタイムチャートを表わす説明図である。 第７図は、本発明の液晶シャッタアレイによるドツト作
成の際のシーケンスを表わす説明図である。 ＄８図は、シャッタオン状態時の時系列に於ける光透過
率の変化を表わす説明図である。 第９図、第１Ｏ図及び第１１図は、駆動信号のタイムチ
ャートの別の具体例を表わす説明図である。 第１３図及び第１４図は、本発明の液晶シャッタアレイ
に印加する駆動信号のタイムチャートの別の具体例を表
わす説明図である。 第１５図は、本発明の画像形成装置を模式的に表わす説
明図である。 第１６図は、従来の液晶シャッタアレイの電極構造を表
わす平面図である。 第１７図は、従来の液晶シャッタアレイに印加していた
駆動波形を表わすタイムチャートの説明図である。 第１８図は、従来の液晶シャッタアレイに於ける電圧と
光透過率の関係を表わす説明図である。 ３０２；ゲート電極 ３０６；ゲート絶縁膜 ３０５；半導体膜 ３０３；ソース（データ）電極 ３０４；　ドレイン電極 ３０７；セグメント電極 ３１２；コモン電極 ３１４；遮光膜 ３１０．３１５；配向制御膜 ３１３；液晶 ４０１　（４０１１，４０１２，・・・）、ＴＰＴ ４０２　（４０２１，４０２２，・・・）；ゲート線 ４０３　（４０３１，４０３２、・・・）・；データ線 ４０４　（４０４１，４０４２，・・・）；セグメント
電極 Ｗｌ　、　Ｗ２　、　Ｗ３　、・・・・・・；マイクロ
シャッタ部 ４０５　；　副走査線 ４０６　；　コンタクトホール ５７　：　プリンタヘッド部 ５３．１５０４；液晶シャッタアレイ ５１．１５０１．感光ドラム ５４．１５０５；光源 ５２．１５１３．レンズアレイ Ｔ　丁 第３図（Ａ＞ シｒ 第３図（８） 丈　醪 ＋ １ドツト１１ 込みｙ！聞（了）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）″Ａ光光源及び、該露光光源の露光光路中の光線
   を光遮断状態と光透過状態の何れか一方に制御するマイ
   クロシャッタ群を備えたプリンタヘッドと、該プリンタ
   ヘッドよりの光信号を像保持部材に照射するようになし
   た画像形成装置において、前記マイクロシャッタ群が枚
   数の行及び列に沿ってマトリクス状に配置され、該マイ
   クロシャッタ群が薄＋１９　ｈランシスタの１１没けた
   基板との間に液晶を挟持した構造を有しており、前記薄
   膜トランジスタのゲート線に走査信号を印加し、この走
   査上″−）と同期させてデータ線に画像情報に応じた電
   気信号を印加する手段を備えたことを特徴とする画像形
   成装置。 （２）前記薄膜トランジスタが対向する基板間に液晶を
   封止するために設けた」・ｌ止部材より外側に配置され
   ている特許請求の範囲第１項記載の画像形成装置。 （３）　前記薄膜トランジスタとドレインに接続したセ
   グメント電極か同−基板十に形成されている特ｔ′１請
   求の範囲：ｌ、２項記載の画像形成装置。 （４）前記薄膜トランジスタか外部回路基板のヒに形成
   ｙれている特許請求の範囲第２項記載の画像形成装置。 （５）　１ｉｉｊ記６ｔｉｌｌＱ　トランジスタのチャ
   ネル部にお界 けるゲート絶縁膜に印加される型外強度を５×１０′５
   　Ｖ／ｃｍ以下′とした特許請求の範囲第１枦記載の肖
   像形成装置。 （６）前記薄膜トランジスタが半導体としてアモルファ
   スシリコンを備えている特許請求の範囲゛第１項記載の
   画像形成装置。 （７）露光光源及び、該露光゛光源の露光光路中の光線
   を光遮断状態と光透過状態の何れか一方に制御するマイ
   クロシャッタ群を備えたブリンタヘッドと、該プリンタ
   ヘッドよりの光信号を像保持材に照射するようになした
   画像形成装置の駆動法において、前記マイクロシャッタ
   群が複数の行及び列に沿ってマトリクス状に配置され、
   該マイクロシャッタ群が薄膜トランジスタのドレインと
   接続された１つのシャッタ部を形成するセグメント電極
   とコモン電極の間に液晶を挟持した構造を有しており、
   前記複数行のうち選択された行の書き込み期間中に、こ
   の行に対応するセグメント電極群とコモン電極の間の液
   晶に光遮断状態を形成する電圧を印加する第１の期間と
   数行に対応するセグメント電極群のうち選択されたセグ
   メン電極とコモン電極の間の液晶に光透過状態を形成す
   る電圧を印加する第２の期間を有していることを特徴と
   する画像形成装置の駆動法。 （８）前記第１の期間の直前で光源をパルス点灯又は光
   油を増大させる特許請求の範囲第７項記載の画像形成装
   置の駆動法。 （９）前記第１の期間の時間と第２の期間の時間の和を
   もつパルス巾の電気信号を薄膜トランジスタのゲート線
   に順次印加する特許請求の範囲第７ｓｊ４記載の画像形
   成装置の駆動法。 （１０）前記第１の期間と第２の期間で薄膜トランジス
   タのゲート線に印加する電気信号を交互に印加する特許
   請求の範囲第７項記載の画像形成装置の駆動法。 （ｍｉ光光源及び、該露光光源の露光光路中の光線を光
   遮断状態と光透過状態の何れか１方に制御するマイクロ
   シャッタ群を備えたプリンタヘッドと、該プリンタ・＼
   ンドよりの光信号を像保持部材に照射するようにした画
   像形成装置の駆動法において、前記マイクロシャッタ群
   が複数の行及び列に沿ってマトリクス状に配置され、該
   マイクロシャッタ群が薄膜トランジスタのドレインと接
   続された１つのシャッタ部を形成するセグメント電極と
   コモン電極の間に液晶を挟持した構造を有しており、該
   薄膜トランジスタのゲート線に走査信号を印加し、この
   走査信号と同期させて光遮断状態を形成する電気信号を
   データ線に印加する第１の期間と該第１の期間の後に薄
   膜トランジスタのゲート線に走査信号を印加し、この走
   査信１）を印加した行に対応するセグメント電極群のう
   ち選択されたセグメント電極と接続するデータ線に該走
   査信号と同期させて光透過状ｆＭを形成する電気信号を
   印加する第２の期間を有することを特徴とする画像形成
   装置の駆動法。 （１２）露光光源及び、該露光光源中の光線を光遮断状
   態と光透過状ｙ！：の何れかｌ力に制御するマイクロシ
   ャッタ群を備えたプリンタヘッドと、該プリンタヘット
   よりの光信号を像保持部材に照射するようになした画像
   形成装置の駆動法において、前記マイクロシャッタ群が
   複数の行及び列に沿ってマトリクス状に配置され、該マ
   イ、クロシャッタ群が薄膜トランジスタのドレインと接
   続された１つのシャッタ部を形成するセグメント電極と
   コモン電極の間に液晶を挟持した構造を有しており、該
   Ｍ膜トランジスタのゲート線に走査信号を印加し、この
   走査信号と同期させて画像情報に応じた電気信号をデー
   タ線に印加することにより、複数のマイクロシャッタ群
   のうち選択されたマイクロシャ・ンタを光透過光 状態となすことにより形成した４、１号を前記像保持部
   材に所定時間照射した後に該光信号形成時の液晶に印加
   した電圧極性と逆極性電圧を液晶に印加する期間を有す
   ることを特徴とする画像形成装置の駆動法。