JPS60226197A - 電子装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［技術分野］ 本発明は、電子装置に係り、特に、多層配線基板上部に
複数個の半導体チップ又は半導体装置を搭載した電子装
置に適用して有効な技術に関するものである。

［背景技術］ 多層配線基板にダイナミック型ランダムアクセスメモリ
（以下、’ＤＲＡＭという）の半導体装置を複数個搭載
してなる電子装置は、過渡現象による過渡的な電流（ノ
イズ）等の影響による電源電位の変動で、ＤＲＡＭが誤
動作を発生しないようにするために、多層配線基板上部
に平滑コンデンサを搭載している。

平滑コンデンサは、それぞれの半導体装置ごとに設ける
ことが望ましいが、高実装密度化による寸法上の制約を
受けるために、複数個の半導体装置に対して１つの割合
で設けることが考えられる。

しかしながら、かかる技術における本発明者の検討の結
果、平滑コンデンサに加わる過渡電流も数倍になるため
ノイズも数倍になり、また平滑コンデンサから遠く離れ
た半導体装置では、それらを接続する配線のインダクタ
ンスの影響が著しいので、平滑コンデンサによって充分
に電源電位の変動を緩和することができず、電子装置の
電気的信頼性を低下するという問題点を見い出した。

［発明の目的］ 本発明の目的は、電子装置の実装密度を向上することが
可能な技術手段を提供することにある。

本発明の他の目的は、電子装置の電気的信頼性を向上す
ることが可能な技術手段を提供することにある。

本発明の他の目的は、電子装置の実装密度を向上し、か
つ、その電気的信頼性を向上することが可能な技術手段
を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。

［発明の概要］ 本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。

すなわち、多層配線基板上部に複数個の半導体装置を搭
載した電子装置において、前記多層配線基板の内部に半
導体装置に近接させて平滑コンデンサを設けることによ
り、多層配線基板の実装面を有効に利用することができ
、かつ、配線のインダクタンスを低減することができる
。

これによって、電子装置の実装密度を向上することがで
き、さらに、充分に電源電位の変動を緩和することがで
きるので、電子装置の電気的信頼性を向上することがで
きる。

以下、本発明の構成について、実施例とともに説明する
。

本実施例は、本発明を多層配線基板上部に複数個の半導
体装置を搭載した電子装置に適用したものであり、以下
、これについて説明する。

［実施例Ｉ］ 第１図は、本発明の実施例■を説明するための電子装置
の概略平面図、第２図は、第１図の■−■切断線におけ
る断面図、第３図は、第１図に示す電子装置の部分的な
拡散分解図である。

なお、実施例の全回において、同一機能を有するものは
同一符号を付け、そのくり返しの説明は省略する。

第１図乃至第３図において、２Ａはその側部に複数本設
けられた半導体装置（ＤＲＡＭの封止型半導体装置）２
のリードであり、半導体装置２内部に設けられた半導体
チップと後述する多層配線基板に設けられた信号線とを
電気的に接続するためのものである。

５Ａ乃至５Ｄは絶縁層であり、これらを積層して多層配
線基板を構成するためのものである。この絶縁層５Ａ乃
至５Ｄは、例えば、セラミックスを用いればよい。

６は絶縁層５Ｄ主面すなわち多層配線基板の実装面に複
数配置して設けられた接続端子であり、前記リード２Ａ
が接続されるようになっている。

この接続端子６には、Ｖｃｃ（例えば、５［Ｖ］。

程度）電圧、Ｖｓｓ（例えば、Ｏ［Ｖ］）電圧。

Ｖｌ］８（−２，５−−３，５［Ｖコ程度）電圧、アド
レス信号等が印加されるようになっている。

７Ａ、７Ｂは絶縁膜８Ａを介在させて絶縁層５ｒ　ζ　
ｎＱ＊且Ｌ−勢り呼以ｈ　九雷栢蚊で丸　番１　蕾紺ゴ
雷圧であるＶｃｃ電圧又は半導体チップの電位であるＶ
ｓｓ電圧又はＶｇｅが印加される電極として使用するも
のである。

平滑コンデンサ７は、主として、異なる第１゜第２直流
電位又は固定電位が印加された電源線７Ａ、７Ｂ及び絶
縁膜８Ａによって構成されている。

７ＣはＶｃｃ電圧が印加される接続端子６下部の電源線
７Ａ及び絶縁膜８Ａ（図示していない）に設けられた開
口部であり、Ｖｃｃ電圧が印加される接続端子６と電源
線７Ｂとを電気的に接続するためのものである。

また１図示されていないが、それぞれの接続端子６下部
の電源線７Ａ、７Ｂ、絶縁膜８Ａ、絶縁層５Ｃ及び絶縁
層５Ａ、５Ｂ所定部には、異なる層に設けられた導電層
間を接続するための開口部（又は接続孔）が設けられて
いる。

９Ａは絶縁層５Ａ、５Ｂとの介在部に絶縁膜８Ｂによっ
て規定されて設けられた第１層目の信号線であり、９Ｂ
は絶縁層５Ｂ、５Ｇとの介在部に絶縁膜８Ｃによって規
定されて設けられた第２層目の信号線である。

これらの信号線９Ａ、９Ｂは、その一端が所定の接続端
子６．リード２Ａを介して半導体装置２内部の半導体チ
ップに、その他端が接続ピン３を介して外部装置に電気
的に接続されている。

そして、Ｖｃｃ電圧が印加される配線９Ａ、９Ｂは、電
源線７Ｂを介して接続端子６に接続され、Ｖｓｓ又はＶ
ａ８電圧が印加される配線９Ａ、９Ｂは、電源線７Ａを
介して接続端子６に接続される。すなわち、所定の配線
９Ａ、９Ｂが、平滑コンデンサ７を介して半導体装置２
に接続されている。

これらの信号線９Ａ、９Ｂは、標準化された半導体装置
２と標準化されて配置された接続ピン３とによって構成
される電子装置において、種々の異なる機能を抽出する
ことができるように、種々のパターンで形成することが
できる。

多層配線基板５は、主として、絶縁層５Ａ乃至５Ｄ、そ
の内部に設けられた平滑コンデンサ７゜信号線９Ａ、９
Ｂ、絶縁膜８Ａ乃至８Ｃ及び開口部７Ｃとによって構成
されている。

そして、平滑コンデンサは７、それぞれの半導体装置２
とその下部で接続させ、かつ、信号線９Ａ、９Ｂよりも
半導体装置２に近接して設けたので、半導体装置２との
接続距離を短縮することができ、配線のインダクタンス
を低減することができる。

以上説明したように、本実施例によれば、多層配線基板
上部に複数個の半導体装置を搭載した電子装置において
、前記多層配線基板内部に平滑コンデンサを設けること
によって、多層配線基板の実装面を有効に利用すること
ができるので、電子装置の実装密度を向上することがで
きる。

また、半導体装置に近接させて多層配線基板内部に平滑
コンデンサを設けることによって、平滑コンデンサと半
導体装置とを接続する配線のインダクタンスを低減する
ことができるので、充分に電源電位の変動を緩和するこ
とができ、電子装置の電気的信頼性を向上することがで
きる。

［実施例■コ ［実施例■コ 第４図は、本発明の本実施例■を説明するための電子装
置の要部断面図である。

本実施例は、前記実施例■に比べ、平滑コンデンサの容
量値を増大したものである。

第４図において、７Ｄ’、７Ｅは絶縁膜８Ａを介在させ
それらの対向面積を増大するように絶縁層５Ｇ、５Ｂ間
部に設けられた電源線であり、ＶｃＣ電圧又はＶ　ｓ　
ｓ電圧が印加される電極として使用するものである。

平滑コンデンサ７は、主として、異なる直流電位又は固
定電位が印加された電源線７Ｄ、７Ｅ及び絶縁膜８Ａに
よ って構成されている。

以上説明したように、本実施例によれば、前記実施例Ｉ
と略同様の効果を得ることができる。

さらに、その電極となる電源線の対向面積を増大するよ
うに平滑コンデンサを形成したことによって、その容量
値を増大することができ、より充分に電源電位の変動を
緩和することができるので、電子装置の電気的信頼性を
向上することができる。

［効果］ 以上説明したように、本願において開示された新規な技
術手段によれば、以下に述べる効果を得ることができる
。

（１）多層配線基板上部に複数個の半導体装置を搭載し
た電子装置において、前記多層配線基板内部に平滑コン
デンサを設けることによって、多層配線基板の実装面を
有効に利用することができるので、電子装置の実装密度
を向上することができる。

（２）半導体装置に近接させて多層配線基板内部に平滑
コンデンサを設けることによって、平滑コンデンサと半
導体装置とを接続する配線のインダクタンスを低減する
ことができるので、充分に電源電位の変動を緩和するこ
とができ、電子装置の電気的信頼性を向上することがで
きる。

（３）その電極となる電源線の対向面積を増大するよう
に平滑コンデンサを形成したことによって、その容量値
を増大することができ、より充分に電源電位の変動を緩
和することができるので、電子装置の電気的信頼性を向
上することができる。

（４）前記（１）乃至（３）によって、多層配線基板の
実装面を有効に利用することができ、かつ、充分に電源
電位の変動を緩和することができるので、電子装置の実
装密度を向上し、かつ、その電気的信頼性を向上するこ
とができる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとすき
具体的に説明したが１本発明は、前記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、
種々変形し得ることは勿論である。

例えば、前記実施例は、本発明を多層配線基板上部に複
数個の半導体装置を搭載した電子装置に適用した例につ
いて説明したが、多層配線基板上　。

部に複数個の半導体チップを搭載した電子装置に適用し
てもよい。

【図面の簡単な説明】 第１図は、本発明の実施例Ｉを説明するための電子装置
の概略平面図、 第２図は、第１図のｍ−ｍ切断線における断面図、 第３図は、第１図に示す電子装置の部分的な拡散分解図
、 第４図は、本発明の本実施例■を説明するための電子装
置の要部断面図である。 図中、２・・・半導体装置、２Ａ・・リード、３・・・
接続ピン、５・・多層配線基板、５Ａ乃至５Ｄ・・・絶
縁層、６・・・接続端子、７・・・平滑コンデンサ、７
Ａ。 ７Ｂ、７Ｄ、　７Ｅ・・・電源線、８Ａ乃至８Ｃ・・・
絶縁膜、７Ｃ・・・開口部、９Ａ、９Ｂ　・信号線であ
る。 第　１　図 第　２　図 第　３　図 ？

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、多層配線基板上部に複数個の半導体チップ又は半導
   体装置を搭載した電子装置において、前記多層配線基板
   に、電位の異なる２つの電源線を絶縁膜を介在させて積
   層し、平滑コンデンサを形成したことを特徴とする電子
   装置。 ２、前記平滑コンデンサは、多層配線基板の信号線より
   も半導体チップ又は半導体装置に近接させて形成したこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子装置。 ３、前記平滑コンデンサは、その電極となる前記２つの
   電源線の対向面積を増加させるように形成されているこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１　。 項又は第２項記載の電子装置。