JPH01181540A - Tabパツケージ - Google Patents
TabパツケージInfo
- Publication number
- JPH01181540A JPH01181540A JP63289037A JP28903788A JPH01181540A JP H01181540 A JPH01181540 A JP H01181540A JP 63289037 A JP63289037 A JP 63289037A JP 28903788 A JP28903788 A JP 28903788A JP H01181540 A JPH01181540 A JP H01181540A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- tab
- package
- capacitor
- power
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/453—Leadframes comprising flexible metallic tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W44/00—Electrical arrangements for controlling or matching impedance
- H10W44/601—Capacitive arrangements
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
A、産業上の利用分野
本発明は、電子デバイスのパッケージングに関するもの
で、特に、半導体チップ・デバイスのTAB(テープ・
オートメ−ティラド・ボンディング)パフケージングの
改良に関するものであり、多数の出力線を有するこうし
たデバイスに特に有用である。
で、特に、半導体チップ・デバイスのTAB(テープ・
オートメ−ティラド・ボンディング)パフケージングの
改良に関するものであり、多数の出力線を有するこうし
たデバイスに特に有用である。
B、従来技術
従来のTABパッケージングについては、当技術分野で
よく知られている。通常、リール状の装置に保存するた
め、幅より長さがはるかに大きい重合体皮膜に等間隔に
開口部を設ける。従来技術を使用して、導電性の線を、
端部を開口部に向けて片持ちにして、各開口部の周囲に
設ける。次に、これらの端部を、たとえば米国特許第3
887783号明細書に示されているように、各開口部
ごとに1つずつ半導体デバイスに適宜取り付ける。
よく知られている。通常、リール状の装置に保存するた
め、幅より長さがはるかに大きい重合体皮膜に等間隔に
開口部を設ける。従来技術を使用して、導電性の線を、
端部を開口部に向けて片持ちにして、各開口部の周囲に
設ける。次に、これらの端部を、たとえば米国特許第3
887783号明細書に示されているように、各開口部
ごとに1つずつ半導体デバイスに適宜取り付ける。
TABパッケージは、一般に多数の入出力接続を有する
チップのパッケージングを可能にし、大量処理用に容易
に自動化することができる。しかし、このようなパッケ
ージは、ピン・グリッド・アレイ・パフケージングに使
用されるような、相当する従来技術の接続技法よりも、
接続リード線のインダクタンスが高くなる。
チップのパッケージングを可能にし、大量処理用に容易
に自動化することができる。しかし、このようなパッケ
ージは、ピン・グリッド・アレイ・パフケージングに使
用されるような、相当する従来技術の接続技法よりも、
接続リード線のインダクタンスが高くなる。
IBMテクニカル・ディスクローシャープルチン(IB
M Technical Disclosure Bu
lletin) NVol、28、No、7.1985
年12月、p。
M Technical Disclosure Bu
lletin) NVol、28、No、7.1985
年12月、p。
2827は、低インダクタンス減結合コンデンサ接続に
関するもので、コンデンサをモジュール上のチップの四
隅に置くことを開示している。
関するもので、コンデンサをモジュール上のチップの四
隅に置くことを開示している。
米国特許第4577214号明細書は、パッケージ中に
低インダクタンスの電力/接地リード線を有する半導体
パッケージを開示しており、コンデンサを使用している
。同様に、米国特許、第4598307号明細書では、
集積回路チップにできるだけ近接させて、バイパス・コ
ンデンサを取り付ける必要のあることを認め、コンデン
サの取付けに、デュアル・インライン・パッケージの特
定の使用していない領域を利用してい−る。
低インダクタンスの電力/接地リード線を有する半導体
パッケージを開示しており、コンデンサを使用している
。同様に、米国特許、第4598307号明細書では、
集積回路チップにできるだけ近接させて、バイパス・コ
ンデンサを取り付ける必要のあることを認め、コンデン
サの取付けに、デュアル・インライン・パッケージの特
定の使用していない領域を利用してい−る。
米国特許第4537472号明細書には、テープのフレ
ーム内に1つの論理チップを有する従来技術とは異なり
、複数のTABデバイスを相互接続することが開示され
ている。さらに、能動集積回路チップ・デバイスの下側
から、実質的に剛性の基板上に形成したリード・パター
ンに接続する手段を開示している。
ーム内に1つの論理チップを有する従来技術とは異なり
、複数のTABデバイスを相互接続することが開示され
ている。さらに、能動集積回路チップ・デバイスの下側
から、実質的に剛性の基板上に形成したリード・パター
ンに接続する手段を開示している。
C0発明が解決すべき問題点
本発明の目的は、TABパッケージのリード線インダク
タンスの問題を解決するための技術を提供することであ
る。
タンスの問題を解決するための技術を提供することであ
る。
D0問題点を解決するための手段
本発明は、ハイ・ゲート・カウント集積回路のTABパ
ッケージに関するもので、TABパッケージの重合体層
を使ってチップへ向かう電力リード線と接地リード線の
間に1個または複数の減結合コンデンサを支持すること
により、リード線のインダクタンスが高いというマイナ
スの特性を相殺する手段を提供する。表面装着可能なコ
ンデンサ及びTABパッケージの第1Hに取り付けた皮
膜コンデンサが使用できる。この発明は、それによって
TABパッケージの性能特性を大幅に向上させる。
ッケージに関するもので、TABパッケージの重合体層
を使ってチップへ向かう電力リード線と接地リード線の
間に1個または複数の減結合コンデンサを支持すること
により、リード線のインダクタンスが高いというマイナ
スの特性を相殺する手段を提供する。表面装着可能なコ
ンデンサ及びTABパッケージの第1Hに取り付けた皮
膜コンデンサが使用できる。この発明は、それによって
TABパッケージの性能特性を大幅に向上させる。
TABパッケージ上の電力リード線及び接地リード線の
インダクタンスは、多数の同時スイッチング・ドライバ
(SSD)または多数の内部ゲートのスイッチングによ
って大きな開閉電流(d i/dt)が加わるとき、パ
ッケージに通じるリード線の両端間に電圧降下を生じる
。TABパッケージは、この特性により高性能用途での
使用が限定され、はるかに高価なパッケージが必要にな
る。
インダクタンスは、多数の同時スイッチング・ドライバ
(SSD)または多数の内部ゲートのスイッチングによ
って大きな開閉電流(d i/dt)が加わるとき、パ
ッケージに通じるリード線の両端間に電圧降下を生じる
。TABパッケージは、この特性により高性能用途での
使用が限定され、はるかに高価なパッケージが必要にな
る。
本発明はTABパッケージの重合体層を使用して、電力
リード線と接地リード線の間でコンデンサを支持するこ
とにより、パッケージの価格の上昇を避けることができ
る。
リード線と接地リード線の間でコンデンサを支持するこ
とにより、パッケージの価格の上昇を避けることができ
る。
E、実施例
第2図に本発明のTABパッケージ中のコンデンサの機
能を説明する回路を示す。集積回路チップ・デバイス8
を破線で示す。電力リード線10と接地リード線12が
チップ・デバイス8とプリント回路板(図示せず)を接
続する。コンデンサ16は、電力線10と接地線12の
間に取り付けられている。
能を説明する回路を示す。集積回路チップ・デバイス8
を破線で示す。電力リード線10と接地リード線12が
チップ・デバイス8とプリント回路板(図示せず)を接
続する。コンデンサ16は、電力線10と接地線12の
間に取り付けられている。
第2のコンデンサ18は、負荷を駆動するため過渡電流
を供給し、これによりデバイスのリード線の両端間での
電圧降下を大幅に減少させる。コンデンサ18は、表面
装着チップでも、TABパッケージの重合体層(図示せ
ず)に直接接続された皮膜コンデンサでもよい。相補ド
ライバ22及び24は、ドライブ・バイポーラ・トラン
ジスタでもFETでもよく、これはチップ外の出力デバ
イスのドライバ段である。信号線26は、コンデンサ2
8で代表されるチップ外の負荷に接続されている。ドラ
イバ22及び24の前の論理回路は、図示されていない
。チップ上の電力バス30及び32は、多数のドライバ
段に給電し、22及び24はその1つを表わすにすぎな
い。多数のドライバが同時に切り換わると、コンデンサ
18により過渡電流が供給され、そのためT A B
U−ド線のインダクタンス34.3Bによる電圧降下が
減少する。
を供給し、これによりデバイスのリード線の両端間での
電圧降下を大幅に減少させる。コンデンサ18は、表面
装着チップでも、TABパッケージの重合体層(図示せ
ず)に直接接続された皮膜コンデンサでもよい。相補ド
ライバ22及び24は、ドライブ・バイポーラ・トラン
ジスタでもFETでもよく、これはチップ外の出力デバ
イスのドライバ段である。信号線26は、コンデンサ2
8で代表されるチップ外の負荷に接続されている。ドラ
イバ22及び24の前の論理回路は、図示されていない
。チップ上の電力バス30及び32は、多数のドライバ
段に給電し、22及び24はその1つを表わすにすぎな
い。多数のドライバが同時に切り換わると、コンデンサ
18により過渡電流が供給され、そのためT A B
U−ド線のインダクタンス34.3Bによる電圧降下が
減少する。
チップ上のバス30.32のインダクタンスは34.3
8よりはるかに小さいので、過渡電圧は最小になる。信
号線26は、チップ外の負荷(コンデンサ28)に給電
する単一のTAB信号線である。戻り接地リード線38
は、単一の信号リード線より多くの電流を流す。本発明
は、多数のドライバの電流を流すインダクタンス入力バ
ス34.36の作用を中和するための減結合コンデンサ
16をTABパッケージの構造の中に組み込むものであ
る。
8よりはるかに小さいので、過渡電圧は最小になる。信
号線26は、チップ外の負荷(コンデンサ28)に給電
する単一のTAB信号線である。戻り接地リード線38
は、単一の信号リード線より多くの電流を流す。本発明
は、多数のドライバの電流を流すインダクタンス入力バ
ス34.36の作用を中和するための減結合コンデンサ
16をTABパッケージの構造の中に組み込むものであ
る。
第1図は、半導体デバイスを取り付ける側の反対側から
見たTABパッケージを示す。4個のコンデンサ52.
54.56.58が、従来技術によって柔軟な絶縁性重
合体層64の四隅に形成された電力線60及び接地線6
2の間に取り付けられている。電力入力リード線80.
E32を平行にかつ近接して配置すると、磁束を相殺す
ることによりTABリード線の有効インダクタンスが減
少し、プリント回路カード上のコンデンサ(第1図、1
6)に戻るパスのインピーダンスが低下する。
見たTABパッケージを示す。4個のコンデンサ52.
54.56.58が、従来技術によって柔軟な絶縁性重
合体層64の四隅に形成された電力線60及び接地線6
2の間に取り付けられている。電力入力リード線80.
E32を平行にかつ近接して配置すると、磁束を相殺す
ることによりTABリード線の有効インダクタンスが減
少し、プリント回路カード上のコンデンサ(第1図、1
6)に戻るパスのインピーダンスが低下する。
第3図は、第2図の線3−3の断面図で、コンデンサ5
8、電力線60、接地線62、重合体皮膜64及び能動
集積回路デバイス70の一隅を示す。
8、電力線60、接地線62、重合体皮膜64及び能動
集積回路デバイス70の一隅を示す。
第4図は、やはり能動集積回路デバイスを取り付ける側
の反対側から見たTABパッケージの平面図である。こ
の配置によりチップの設計者は、すべての電力リード線
をチップ・デバイスの外周上で接続するという従来の制
約条件とは異なり、チップ(見えない)の下側に電力リ
ード線をアレイ形式で配置することができる。重合体層
64の開口部72.74により、電力入力線76及び接
地線78からチップへの接続が可能になる。コンデンサ
80は、先に第2図に関して説明したように、電力線7
2と接地線74の間に取り付けられる。
の反対側から見たTABパッケージの平面図である。こ
の配置によりチップの設計者は、すべての電力リード線
をチップ・デバイスの外周上で接続するという従来の制
約条件とは異なり、チップ(見えない)の下側に電力リ
ード線をアレイ形式で配置することができる。重合体層
64の開口部72.74により、電力入力線76及び接
地線78からチップへの接続が可能になる。コンデンサ
80は、先に第2図に関して説明したように、電力線7
2と接地線74の間に取り付けられる。
第5図は、第4図の線5−5の断面図で、集積回路チッ
プ・デバイス70、重合体皮膜層64の一部分、チップ
70に接続した接地線78、及び電力線76を示す。コ
ンデンサ80は、電力線76と接地線78の間に取り付
けられている。このような配置により、チップの内部接
続、すなわちチップの外周より内側の領域への接続が可
能となり、従来のTABパブケージング技術が改善され
る。さらに、第4図及び第5図に示すような配置により
、電圧線と接地線をチップの中央に接続することを必要
とする設計者がパッケージを半導体デバイスに合わせて
電気的に調節することが可能となる。
プ・デバイス70、重合体皮膜層64の一部分、チップ
70に接続した接地線78、及び電力線76を示す。コ
ンデンサ80は、電力線76と接地線78の間に取り付
けられている。このような配置により、チップの内部接
続、すなわちチップの外周より内側の領域への接続が可
能となり、従来のTABパブケージング技術が改善され
る。さらに、第4図及び第5図に示すような配置により
、電圧線と接地線をチップの中央に接続することを必要
とする設計者がパッケージを半導体デバイスに合わせて
電気的に調節することが可能となる。
この改良により、電圧線と接地線が第4図に示すように
側面から、または四隅からTABチップ・デバイスに入
ることができる。チップ全体にわたって接触面積が増大
するため、使用できる減結合コンデンサも大きくなる。
側面から、または四隅からTABチップ・デバイスに入
ることができる。チップ全体にわたって接触面積が増大
するため、使用できる減結合コンデンサも大きくなる。
バスを四隅に設けることにより(第4図には示さず)、
信号配線領域を使用せずに低いインダクタンス入力が可
能になる。
信号配線領域を使用せずに低いインダクタンス入力が可
能になる。
コーナ配線がおそらく上記のコンデンサ取付は法に好ま
しい電力取入れ方法である。
しい電力取入れ方法である。
第6図は、第5図に示すパッケージの重合体皮膜64の
一部分の概略平面図である。集積回路チップ・デバイス
8の「フットプリント」を破線で示す。第5図に示す内
部電力線及び接地線をチップに接続させるための開口部
72及び74の他に、チップと重合体皮膜64上に形成
した内部導体(図示せず)との間に従来の電気的接続を
行なうための4つの周囲開口部84が示されている。外
部リード線、重合体皮膜64上に形成した導体の端部、
及びプリント回路カード基板の表面上の導電性゛ランド
の電気的相互接続のための開口部88が設けられている
。
一部分の概略平面図である。集積回路チップ・デバイス
8の「フットプリント」を破線で示す。第5図に示す内
部電力線及び接地線をチップに接続させるための開口部
72及び74の他に、チップと重合体皮膜64上に形成
した内部導体(図示せず)との間に従来の電気的接続を
行なうための4つの周囲開口部84が示されている。外
部リード線、重合体皮膜64上に形成した導体の端部、
及びプリント回路カード基板の表面上の導電性゛ランド
の電気的相互接続のための開口部88が設けられている
。
第7図は、第3図の58または第5図の80に類似する
減結合コンデンサ90と、集積回路デバイス95を含む
TABデバイス96を装着する回路板の内面との接続の
概略図である。プリント回路板100は、内部電力面1
04及び接地面108を含む。メツキしたスルー・ホー
ル110,114も設けられている。コンデンサ90は
、本発明のTABパッケージの導電性ランド120.1
22に接続されている。ランド130及び132は、重
合体皮膜64の表面上にある。デバイス95は、TAB
パッケージの重合体層に支持される導体(見えない)に
取り付けられる。
減結合コンデンサ90と、集積回路デバイス95を含む
TABデバイス96を装着する回路板の内面との接続の
概略図である。プリント回路板100は、内部電力面1
04及び接地面108を含む。メツキしたスルー・ホー
ル110,114も設けられている。コンデンサ90は
、本発明のTABパッケージの導電性ランド120.1
22に接続されている。ランド130及び132は、重
合体皮膜64の表面上にある。デバイス95は、TAB
パッケージの重合体層に支持される導体(見えない)に
取り付けられる。
図は、例示のためのものにすぎず、当業者には理解され
るように、電力線及び接地線の実際の配置とコンデンサ
の配置は、集積回路チップ・デバイスの設計及び意図す
る機能に応じて変わる。
るように、電力線及び接地線の実際の配置とコンデンサ
の配置は、集積回路チップ・デバイスの設計及び意図す
る機能に応じて変わる。
第1図は、本発明の基本概念を示す回路図、第2図は、
重合体層上に取り付けた表面装着可能コンデンサを有す
るTABパッケージの平面図、第3図は、第2図の線3
−3の断面図、第4図は、入出力アレイの集積回路チッ
プへの接続を可能にするように重合体層上に取り付けた
コンデンサの平面図、第5図は、第4図の線5−5の断
面図、第6図は、本発明によるTABパッケージの重合
体層中の開口部の構造を示す図、第7図は、本発明のT
ABパッケージの多面プリント回路カードへの電気的接
続を示す概略図である。 8.70.98・・・・集積回路デバイス、16.18
.28.52.54.56.58.80.90・・・・
コンデンサ、10.60.76・・・・電力線、12.
62.78・・・・接地線、64・・・・重合体皮膜。 52、54.56.51− フンデー/ワFIG、1 FIG、 7
重合体層上に取り付けた表面装着可能コンデンサを有す
るTABパッケージの平面図、第3図は、第2図の線3
−3の断面図、第4図は、入出力アレイの集積回路チッ
プへの接続を可能にするように重合体層上に取り付けた
コンデンサの平面図、第5図は、第4図の線5−5の断
面図、第6図は、本発明によるTABパッケージの重合
体層中の開口部の構造を示す図、第7図は、本発明のT
ABパッケージの多面プリント回路カードへの電気的接
続を示す概略図である。 8.70.98・・・・集積回路デバイス、16.18
.28.52.54.56.58.80.90・・・・
コンデンサ、10.60.76・・・・電力線、12.
62.78・・・・接地線、64・・・・重合体皮膜。 52、54.56.51− フンデー/ワFIG、1 FIG、 7
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 重合体層上に形成された信号用、電力用及び接地用の
リード線のパターンと、これらのリード線に接続された
集積回路デバイスとを有するTABパッケージにおいて
、 上記電力用及び接地用のリード線の間に取り付けられた
減結合コンデンサを有することを特徴とするTABパッ
ケージ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US145808 | 1988-01-15 | ||
| US07/145,808 US4903113A (en) | 1988-01-15 | 1988-01-15 | Enhanced tab package |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01181540A true JPH01181540A (ja) | 1989-07-19 |
| JPH0534826B2 JPH0534826B2 (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=22514647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63289037A Granted JPH01181540A (ja) | 1988-01-15 | 1988-11-17 | Tabパツケージ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4903113A (ja) |
| EP (1) | EP0324244B1 (ja) |
| JP (1) | JPH01181540A (ja) |
| DE (1) | DE3852291T2 (ja) |
Families Citing this family (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5068712A (en) * | 1988-09-20 | 1991-11-26 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| US5072283A (en) * | 1988-04-12 | 1991-12-10 | Bolger Justin C | Pre-formed chip carrier cavity package |
| US5687109A (en) * | 1988-05-31 | 1997-11-11 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuit module having on-chip surge capacitors |
| US5640762A (en) | 1988-09-30 | 1997-06-24 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for manufacturing known good semiconductor die |
| US4992850A (en) * | 1989-02-15 | 1991-02-12 | Micron Technology, Inc. | Directly bonded simm module |
| USRE36325E (en) * | 1988-09-30 | 1999-10-05 | Micron Technology, Inc. | Directly bonded SIMM module |
| US5121053A (en) * | 1988-10-11 | 1992-06-09 | Hewlett-Packard Company | Tab frame and process of testing same |
| US4992849A (en) * | 1989-02-15 | 1991-02-12 | Micron Technology, Inc. | Directly bonded board multiple integrated circuit module |
| US5255156A (en) * | 1989-02-22 | 1993-10-19 | The Boeing Company | Bonding pad interconnection on a multiple chip module having minimum channel width |
| US5459634A (en) * | 1989-05-15 | 1995-10-17 | Rogers Corporation | Area array interconnect device and method of manufacture thereof |
| JPH0336614A (ja) * | 1989-07-03 | 1991-02-18 | Mitsumi Electric Co Ltd | 回路モジュール |
| JP2751450B2 (ja) * | 1989-08-28 | 1998-05-18 | セイコーエプソン株式会社 | テープキャリアの実装構造及びその実装方法 |
| US5053922A (en) * | 1989-08-31 | 1991-10-01 | Hewlett-Packard Company | Demountable tape-automated bonding system |
| US5142444A (en) * | 1989-08-31 | 1992-08-25 | Hewlett-Packard Company | Demountable tape-automated bonding system |
| US5156983A (en) * | 1989-10-26 | 1992-10-20 | Digtial Equipment Corporation | Method of manufacturing tape automated bonding semiconductor package |
| US5006963A (en) * | 1989-12-18 | 1991-04-09 | Mcdonnell Douglas Corporation | Selectable chip carrier |
| US5200642A (en) * | 1989-12-19 | 1993-04-06 | Lsi Logic Corporation | Internal capacitor arrangement for semiconductor device assembly |
| US5313102A (en) * | 1989-12-22 | 1994-05-17 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit device having a polyimide moisture barrier coating |
| US5200364A (en) * | 1990-01-26 | 1993-04-06 | Texas Instruments Incorporated | Packaged integrated circuit with encapsulated electronic devices |
| US5006486A (en) * | 1990-01-29 | 1991-04-09 | Motorola, Inc. | Direct contact TAB method |
| US5031025A (en) * | 1990-02-20 | 1991-07-09 | Unisys Corporation | Hermetic single chip integrated circuit package |
| JPH0727927B2 (ja) * | 1990-03-12 | 1995-03-29 | 株式会社東芝 | テープキャリア |
| JPH03283459A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-13 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
| FR2668651A1 (fr) * | 1990-10-29 | 1992-04-30 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuit integre a boitier moule comprenant un dispositif de reduction de l'impedance dynamique. |
| JPH0828394B2 (ja) * | 1990-11-28 | 1996-03-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| US5140496A (en) * | 1991-01-02 | 1992-08-18 | Honeywell, Inc. | Direct microcircuit decoupling |
| US6219908B1 (en) * | 1991-06-04 | 2001-04-24 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for manufacturing known good semiconductor die |
| US5309324A (en) * | 1991-11-26 | 1994-05-03 | Herandez Jorge M | Device for interconnecting integrated circuit packages to circuit boards |
| US5212402A (en) * | 1992-02-14 | 1993-05-18 | Motorola, Inc. | Semiconductor device with integral decoupling capacitor |
| JP3138539B2 (ja) * | 1992-06-30 | 2001-02-26 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びcob基板 |
| US5311057A (en) * | 1992-11-27 | 1994-05-10 | Motorola Inc. | Lead-on-chip semiconductor device and method for making the same |
| US5367763A (en) * | 1993-09-30 | 1994-11-29 | Atmel Corporation | TAB testing of area array interconnected chips |
| GB2284928B (en) * | 1993-12-17 | 1997-07-30 | Michael Lawrence Mcgeary | Laminated tape |
| US6127196A (en) * | 1995-09-29 | 2000-10-03 | Intel Corporation | Method for testing a tape carrier package |
| SG83700A1 (en) * | 1999-01-28 | 2001-10-16 | United Microelectronics Corp | Multi-chip chip scale package |
| JP3615126B2 (ja) | 2000-07-11 | 2005-01-26 | 寛治 大塚 | 半導体回路装置 |
| US7190069B2 (en) * | 2001-10-02 | 2007-03-13 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Method and system of tape automated bonding |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5636147A (en) * | 1979-08-31 | 1981-04-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device and its manufacture |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2205800B1 (ja) * | 1972-11-09 | 1976-08-20 | Honeywell Bull Soc Ind | |
| JPS5546572A (en) * | 1978-09-30 | 1980-04-01 | Toshiba Corp | Tape carrier for mounting integrated circuit chips |
| JPS5854499B2 (ja) * | 1979-03-20 | 1983-12-05 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US4577214A (en) * | 1981-05-06 | 1986-03-18 | At&T Bell Laboratories | Low-inductance power/ground distribution in a package for a semiconductor chip |
| USH416H (en) * | 1981-08-31 | 1988-01-05 | Rogers Corporation | High capacitance flexible circuit |
| US4587548A (en) * | 1982-04-26 | 1986-05-06 | Amp Incorporated | Lead frame with fusible links |
| JPS5954249A (ja) * | 1982-09-22 | 1984-03-29 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| US4551746A (en) * | 1982-10-05 | 1985-11-05 | Mayo Foundation | Leadless chip carrier apparatus providing an improved transmission line environment and improved heat dissipation |
| US4539472A (en) * | 1984-01-06 | 1985-09-03 | Horizon Technology, Inc. | Data processing card system and method of forming same |
| US4647959A (en) * | 1985-05-20 | 1987-03-03 | Tektronix, Inc. | Integrated circuit package, and method of forming an integrated circuit package |
| US4774635A (en) * | 1986-05-27 | 1988-09-27 | American Telephone And Telegraph Company At&T Bell Laboratories | Semiconductor package with high density I/O lead connection |
-
1988
- 1988-01-15 US US07/145,808 patent/US4903113A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-11-17 JP JP63289037A patent/JPH01181540A/ja active Granted
- 1988-12-13 EP EP88311767A patent/EP0324244B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-12-13 DE DE3852291T patent/DE3852291T2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5636147A (en) * | 1979-08-31 | 1981-04-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device and its manufacture |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0324244B1 (en) | 1994-11-30 |
| EP0324244A3 (en) | 1990-04-25 |
| DE3852291D1 (de) | 1995-01-12 |
| JPH0534826B2 (ja) | 1993-05-25 |
| EP0324244A2 (en) | 1989-07-19 |
| DE3852291T2 (de) | 1995-05-24 |
| US4903113A (en) | 1990-02-20 |
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