JPS60226428A - 光伝送路 - Google Patents
光伝送路Info
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- JPS60226428A JPS60226428A JP59081587A JP8158784A JPS60226428A JP S60226428 A JPS60226428 A JP S60226428A JP 59081587 A JP59081587 A JP 59081587A JP 8158784 A JP8158784 A JP 8158784A JP S60226428 A JPS60226428 A JP S60226428A
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- JP
- Japan
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- oxide
- high refractive
- light transmission
- glass
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C13/00—Fibre or filament compositions
- C03C13/04—Fibre optics, e.g. core and clad fibre compositions
- C03C13/045—Silica-containing oxide glass compositions
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2201/00—Glass compositions
- C03C2201/06—Doped silica-based glasses
- C03C2201/08—Doped silica-based glasses containing boron or halide
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- C03C2201/28—Doped silica-based glasses containing non-metals other than boron or halide containing phosphorus
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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- C03C2203/40—Gas-phase processes
- C03C2203/42—Gas-phase processes using silicon halides as starting materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（＃業主の利用分野）
本発明は光通信に用いる石英ガラス系光伝送路の改良に
関する。
関する。
（従 来 技 術）
一般に１通信用の光伝送路（光ファイバ）は高純度の石
英ガラスを主成分としているが、そのコア部には屈折率
調整用（高屈折率用）の成分として酸化ゲルマニウムが
ドープされており、場合により酸化リンや醸化ホウ素が
ドープされた石英ガラスも用いられている。
英ガラスを主成分としているが、そのコア部には屈折率
調整用（高屈折率用）の成分として酸化ゲルマニウムが
ドープされており、場合により酸化リンや醸化ホウ素が
ドープされた石英ガラスも用いられている。
しかしこれらガラスの場合、そのガラス中に酸されて光
ファイバの伝送損失増を招起することがすでに指摘され
ている。
ファイバの伝送損失増を招起することがすでに指摘され
ている。
そのため光フアイバ製造時の各種処理条件を改善する試
みがなされているが、これには高度の技術が要求され、
製造難度をともなうのが実状である。
みがなされているが、これには高度の技術が要求され、
製造難度をともなうのが実状である。
（発明の目的）
本発明は上記の問題点に艦み、光伝送路の高屈折率部を
構成するガラス組成を改良することにより、長期的に伝
送特性の安定した信頼性の高い光伝送路を提供しようと
するものである。
構成するガラス組成を改良することにより、長期的に伝
送特性の安定した信頼性の高い光伝送路を提供しようと
するものである。
（発明の構成）
本発明に係る光伝送路は、光透過用の高屈折率部が耐化
亜鉛０．０Ｇ１〜５重量％、酸化ゲルマニウム０〜１５
重量％、鹸化リン０〜５重量％、酸化ケイ素８０〜８１
１．１１９９ｉｊ量％からなるガラスで構成されている
ことを特徴としている。
亜鉛０．０Ｇ１〜５重量％、酸化ゲルマニウム０〜１５
重量％、鹸化リン０〜５重量％、酸化ケイ素８０〜８１
１．１１９９ｉｊ量％からなるガラスで構成されている
ことを特徴としている。
（実 施 例）
以下本発明の実施例につき１図面等を参照して図におい
てｌは光伝送路（光ファイバ）、２はその高屈折率部（
コア）、３はその低屈折率部（クラッド）である。
てｌは光伝送路（光ファイバ）、２はその高屈折率部（
コア）、３はその低屈折率部（クラッド）である。
上記高屈折率部２を構成しているガラスは既述の各組成
を所定の範囲で含有し、低屈折率部３は純石英ガラスか
、もしくはフッ素ドープト石英からなる。
を所定の範囲で含有し、低屈折率部３は純石英ガラスか
、もしくはフッ素ドープト石英からなる。
高屈折率部２が酸化亜鉛を含有している上記光伝送路ｌ
の場合、後述の具体例で明らかなように伝送損失増が抑
制できるのであり、これは酸化亜鉛が添加されているこ
とにより酸素欠陥を生じにくいガラス構造をとるためと
推定できる。
の場合、後述の具体例で明らかなように伝送損失増が抑
制できるのであり、これは酸化亜鉛が添加されているこ
とにより酸素欠陥を生じにくいガラス構造をとるためと
推定できる。
本来、ガラス中の欠陥は量的に多くなく、高屈折率部２
の酸化亜鉛の量が微量であっても上記効果は得られるが
、０．００１重篭％以下の酸化亜鉛量ではその効果が顕
著でなく、シたがって高屈折率部２における酸化亜鉛量
は０．００１重量％以上がよい。
の酸化亜鉛の量が微量であっても上記効果は得られるが
、０．００１重篭％以下の酸化亜鉛量ではその効果が顕
著でなく、シたがって高屈折率部２における酸化亜鉛量
は０．００１重量％以上がよい。
酸化亜鉛量が５重量％以上になると高屈折率部２のガラ
ス安定性が損なわれるので、これは５重量％以下がよい
。
ス安定性が損なわれるので、これは５重量％以下がよい
。
高屈折率部２がＺ ｎ ＯＳ ｒ Ｏ２の二成分ガラス
系で構成されることもあり、この場合、低屈折率部３は
前述したフッ素ドープト石英により構成される。
系で構成されることもあり、この場合、低屈折率部３は
前述したフッ素ドープト石英により構成される。
屈折率を高める目的で上記二成分ガラス系の高屈折率部
２に酸化ゲルマニウムが添加されていてもよく、この三
成分ガラスにおいても酸化亜鉛の効果は失われない。
２に酸化ゲルマニウムが添加されていてもよく、この三
成分ガラスにおいても酸化亜鉛の効果は失われない。
この際の酸化ゲルマニウム量につき、特にその上限を規
定する理由はないが、実用的には同量を１５重量％以下
とするのが望ましい。
定する理由はないが、実用的には同量を１５重量％以下
とするのが望ましい。
さらに高屈折率部２がＺｎＯ−５ｉＯ２系、あるいはＺ
ｎ ＯＧ ｅ ＯＳ ｒ ０２系からなるとき、これ
らに酸化リン（Ｐ２Ｏ３）が添加されてもよい。
ｎ ＯＧ ｅ ＯＳ ｒ ０２系からなるとき、これ
らに酸化リン（Ｐ２Ｏ３）が添加されてもよい。
酸化リンはこれの添加量が前記酸化亜鉛量と同等または
それ以下であるとき、酸化亜鉛添加の効果が失われない
。
それ以下であるとき、酸化亜鉛添加の効果が失われない
。
高屈折率部２における酸化リンの含有量が多すぎるとき
、ガラスの耐候性が低下するので望ましくなく、当該酸
化リンの含有量は５重量％以下がよい。
、ガラスの耐候性が低下するので望ましくなく、当該酸
化リンの含有量は５重量％以下がよい。
つぎに本発明のより具体的な例を説明する。
具体例１
四塩化ケイ素の液体をアルゴンガスによりｌ＜ブリング
して気化した原料ガスと、アルゴンガスにより希釈した
ジメチル亜鉛ガスとを酸水素喪中に導入してこれらを酸
化・加水分解し、この際の反応により生成された酸化物
微粒子をターゲｙ）（石英棒）の軸方向に堆積させてコ
ア用の多孔質ガラス母材を形成した。
して気化した原料ガスと、アルゴンガスにより希釈した
ジメチル亜鉛ガスとを酸水素喪中に導入してこれらを酸
化・加水分解し、この際の反応により生成された酸化物
微粒子をターゲｙ）（石英棒）の軸方向に堆積させてコ
ア用の多孔質ガラス母材を形成した。
その後、多孔質ガラス母材を電気炉中において１２００
℃の温度にて焼結し、透明なガラス母材とした。
℃の温度にて焼結し、透明なガラス母材とした。
上記では母材中の酸化亜鉛の含有量が０〜５重量％範囲
内で変化させることができた。
内で変化させることができた。
つぎに透明ガラス母材の外周には、火炎加水分解法によ
り石英系としたクラッド用の多孔質ガラス層を形成し、
これを六フッ化イオウ濃度１モル％のヘリウムガス雰囲
気中にて焼結することにより当該ガラス層をフッ素含有
の低屈折率ガラスとした。
り石英系としたクラッド用の多孔質ガラス層を形成し、
これを六フッ化イオウ濃度１モル％のヘリウムガス雰囲
気中にて焼結することにより当該ガラス層をフッ素含有
の低屈折率ガラスとした。
こうして得られた光フアイバ母材を既知の紡糸手段（加
熱延伸）により紡糸して光ファイバを製造した。
熱延伸）により紡糸して光ファイバを製造した。
この光ファイバを水素雰囲気中にて１００℃、２４時間
加熱し、これの水酸基の発生の有無を測定すべき加速試
験を行なったところ、０．８〜１．５ｐｍの波長範囲に
おいては伝送損失の変化がみられなかった。
加熱し、これの水酸基の発生の有無を測定すべき加速試
験を行なったところ、０．８〜１．５ｐｍの波長範囲に
おいては伝送損失の変化がみられなかった。
具体例２
コア形成用バーナとクラッド形成用バーナ゛とを用いた
既知のＷＡＤ法におい乙コア形成用バーナには四塩化ケ
イ素、四塩化ゲルマニウム、ジメチル亜鉛を供給すると
ともにクラッド形成用バーすには四塩化ケイ素、ジメチ
ル亜鉛を供給して多孔質ガラス母材を作製し、これを透
明ガラス化した後、該透明ガラス母材を具体例１と同様
に紡糸して光ファイバを得た。
既知のＷＡＤ法におい乙コア形成用バーナには四塩化ケ
イ素、四塩化ゲルマニウム、ジメチル亜鉛を供給すると
ともにクラッド形成用バーすには四塩化ケイ素、ジメチ
ル亜鉛を供給して多孔質ガラス母材を作製し、これを透
明ガラス化した後、該透明ガラス母材を具体例１と同様
に紡糸して光ファイバを得た。
この光ファイバの場合、コアが酸化ゲルマニウムの分布
によりグレーテッド型の屈折率分布を呈しており、その
コアガラス中には平均濃度として０．５重量％の酸化亜
鉛が含まれたいた。
によりグレーテッド型の屈折率分布を呈しており、その
コアガラス中には平均濃度として０．５重量％の酸化亜
鉛が含まれたいた。
クラッドは低屈折率の高純度石英ガラスからなるもので
あった。
あった。
上記光ファイバを具体例１と同様、水素中にて１００℃
、２４時間加熱したところ、この場合も伝送損失の増加
が認められなかった。
、２４時間加熱したところ、この場合も伝送損失の増加
が認められなかった。
（発明の効果）
以上説明した通り、本発明に係る光伝送路は単に石英系
であるだけでなく、その光透過用の高屈折率部が０．０
０１〜５重量％の酸化亜鉛を含有しているので、長期的
に伝送特性の安定した信頼性の高いものとなる。
であるだけでなく、その光透過用の高屈折率部が０．０
０１〜５重量％の酸化亜鉛を含有しているので、長期的
に伝送特性の安定した信頼性の高いものとなる。
図面は本発明に係る光伝送路の断面図である。
ｌ−拳・光伝送路
２・壷・高屈折率部
３・−−低屈折率部
代理人 弁理士 斎 藤 義 雄
Claims (1)
- 光透過用の高屈折率部が鹸化亜鉛０．００１〜５重値％
、＃Ｉ化ゲルマニウム０〜１５重量％、酸化リンθ〜５
重量％、ａ化ケ４ ＊ ８０〜！１９Ｊ９１１重景％か
らなるガラスで構成されている光伝送路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59081587A JPS60226428A (ja) | 1984-04-23 | 1984-04-23 | 光伝送路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59081587A JPS60226428A (ja) | 1984-04-23 | 1984-04-23 | 光伝送路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60226428A true JPS60226428A (ja) | 1985-11-11 |
| JPH0525821B2 JPH0525821B2 (ja) | 1993-04-14 |
Family
ID=13750447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59081587A Granted JPS60226428A (ja) | 1984-04-23 | 1984-04-23 | 光伝送路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60226428A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5324539A (en) * | 1991-04-15 | 1994-06-28 | Semiconductor Process Laboratory | Method for forming CVD thin glass films |
-
1984
- 1984-04-23 JP JP59081587A patent/JPS60226428A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5324539A (en) * | 1991-04-15 | 1994-06-28 | Semiconductor Process Laboratory | Method for forming CVD thin glass films |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0525821B2 (ja) | 1993-04-14 |
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