JPS6022645Y2 - トリプレ−ト形終端器 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 この考案はトリプレート形終端器の耐電力特性の改善及
び小形化に関するものである。

第１図は従来のトリプレート形終端器の構成国を示した
もので、図中、１，１は一対の地導体、２．２は一対の
誘電体基板、３は中心導体、４は抵抗皮膜である。

次に従来のトリプレート形終端器の動作について説明す
る。

地導体１、誘電体基板２、中心導体３のサンドイッチ構
造で形成されたトリプレートストリップラインに入って
きた高周波電力は、中心導体３と対面しかつ同一線上に
はさみ込まれたテーパ状の抵抗皮膜４に入る事により、
抵抗皮膜４の広巾面と平行な成分の高周波電界が序々に
吸収されると共にインピーダンス整合も序々に行なわれ
る。

従ってインピーダイス特性の優れたトリプレート形終端
器が実現出来る。

しかし、このトリプレート形終端器の欠点は、トリプレ
ートストリップラインとして基本的に少ない抵抗皮膜４
の巾広面と平行な成分の高周波電界を吸収して終端器を
構成しているため、吸収効率が悪く、形状が大きなもの
と戊っていた。

加えて、抵抗皮膜４で吸収された高周波電力による発熱
が、放熱断面の少ない中心導体３及び熱伝導率の悪い誘
電体基板２を介して放熱されていたため耐電力特性を悪
かった。

この考案は前述の従来の欠点を除去したもので、その目
的とするところは耐電力特性の改善及び小形化にある。

第２図はこの考案の実施例の構成国を示したもので、図
中、１，１は地導体、２，２は誘電体基板、３は中心導
体、４は抵抗皮膜、５はスルホール導体である。

ここで、スルホール導体５は地導体１，１と同電位であ
り、抵抗皮膜のテーパと逆テーパにかつ連続的に誘電体
基板２，２内に設けられている。

次にこのように構成されたこの考案のトリプレート形終
端器の動作について説明する。

まず、中心導体３にそって誘電体基板２，２内に設けた
スルホール導体５の効果について説明すると、地導体１
と同電位のスルホール導体５は抵抗皮膜４の巾広面と平
行な成分の高周波電界を序々に増加させる事が出来る。

地導体１，１、誘電体基板２，２、中心導体３のサンド
イッチ構造で形成されたストリップラインに入ってきた
高周波電力は、中心導体３と対面し、かつ同一線上には
さみ込まれた抵抗皮膜に入り終端器と戊っている。

この時、スルホール導体５の効果で終端器を実現するた
めに必要な抵抗皮膜４の巾広面と平行な成分の高周波電
界を序々に増加させているため、抵抗皮膜４による高周
波電力の吸収効果が増大し、結果として周波数特性を劣
化させる事無く、小形化が実現出来る。

さらに、抵抗皮膜４で吸収された高周波電力によって生
じた熱が、熱伝導率の良い多数のスルホール導体５を介
して放熱する事が出来、耐電力特性の改善もできる。

以上のように、この考案によるトリプレート形終端器で
は誘電体基板内に中心導体にそって高周波電力進入側が
鋭角を威すテーパ状の抵抗皮膜を装着し、高周波電力進
入側が幅広のテーパ状でかつ連続的な地導体と同電位の
スルホール導体を設け、同時に抵抗皮膜とスルホール導
体の複数個とが接触するように形成しているため、抵抗
皮膜での吸収効果の増大、及び、抵抗皮膜での発熱の効
率良い放熱ができ、小形化、耐電力特性の改善が可能で
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のトリプレート形終端器を示す分解構成図
、第２図はこの考案の実施例を示す分解構成図である。 図中、１は地導体、２は誘電体基板、３は中心導体、４
は抵抗皮膜、５はスルホール導体である。 なお、図中同一あるいは相当部分には同一符号を示しで
ある。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 片面に地導体を有する誘電体基板２枚で中心導体と高周
   波電力進入側が鋭角を威すテーパ状の抵抗皮膜を同一線
   上にはさみ込んで成るトリプレート形終端器において、
   誘電体基板内に高周波電力進入側が幅広のテーパ状をな
   すように配置されかつ地導体と同電位のスルホール導体
   を複数個設け、同時にスルホール導体の複数個と抵抗皮
   膜とが接触するように形成した事を特徴とするトリプレ
   ート形終端器。