JPS60226498A - 単結晶育成用原料製造法 - Google Patents

単結晶育成用原料製造法

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JPS60226498A
JPS60226498A JP59079143A JP7914384A JPS60226498A JP S60226498 A JPS60226498 A JP S60226498A JP 59079143 A JP59079143 A JP 59079143A JP 7914384 A JP7914384 A JP 7914384A JP S60226498 A JPS60226498 A JP S60226498A
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JP
Japan
Prior art keywords
single crystal
raw material
alumina
crystal growth
producing
Prior art date
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Pending
Application number
JP59079143A
Other languages
English (en)
Inventor
Masanao Kunugi
正尚 功刀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPS60226498A publication Critical patent/JPS60226498A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16Oxides

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明はアルミニウムイソプロポキシドからゾル−ゲル
法により合成したアルミナを用い、フローティングゾー
ン法によシ単結晶を育成するための原料製造法である。
〔従来技術〕
従来、フローティングゾーン法(以下FZ法)は、新し
い組成の結晶を手軽に短時間で合成できるということか
ら、新合成結晶の研究の点で大きく普及してきた。また
これら結晶の新しい育成法に関する特許も数多くだされ
ている。しかし結晶の品餉面に関するものはほとんどな
く、該方法で育成した結晶には多数の欠陥が入り易く、
特にその中で肉眼でも観察される気泡は大きな間趙であ
り、宝石用として用いる結晶においては、これは本来の
光の反射、ン(折を防り、宝石として!要な透明度、テ
リを減少させ宝石としての価値を減少させる大きな原因
となっている。
〔目的〕
本発明は以上の間龜点t−解決するもので、その目的と
するとζろ祉、アルミナを原料とするA右晶において、
このアルミナをゾル−ゲル法によってアルミニウムイソ
プロポキシドを加水分触したものを使用し、FZ法によ
って育成するん高中に気泡のないものを合成するための
原料を製造する方法を提供することにある。
〔概要〕
本発明は融液から単結晶を育成する方法において、上記
、融液の原料粉末にアルミナ(AAiOa )を用いる
場合、峨アルミナをアルミニウムイソプロポキシドを加
水分解し、これを1000℃〜1200℃の高温で処理
したものをFZ法による原料として使用することを特徴
とする。
本発明におけるゾル−ゲル法による、アルミニウムイン
プロポキシドの加水分解において、加水分解を行なわせ
るtl液はPHI〜PH8の塩酸水溶液が好ましい。ま
た加水分解を行なう温度は10℃〜加℃の細、囲が最適
であり、10℃以下では加水分解が十分性なわれず、該
粉末を使用すると焼結において収縮率が大きく、気泡が
中に閉じこめられてしまい好ましくない。また20℃以
上では加水分解がはやく進み、粒径が大きくなり、焼結
性を低下させるため上述の&Iノ四が望ましい。
本発明における加水分解時1ム1は10時間〜20時間
の範囲が14jL通であり、10時間以下では加水分解
が未完全であや、20時間以上では加水分解時1ムに終
っており、これ以上有なっても変らない為上述の範囲が
望ましい。
本発明における加水分解後の生成物であるべ一マイ) 
(&#OL+)1 )を高温処理してアルミナに変える
温度は1000℃〜1200℃の範囲が最適で □あ、
p1000℃以下ではα−アルミナではなくθ−アルミ
ナに変わ一す、1200℃以上ではα−アルミナに変わ
るが2次粒子が形成され、粒径が大きくなり、焼結性が
低下するため上述の範囲が望ましい。
本発明におけるアルミナ原料はyz法による単結晶育成
に用いるものである。コランタム結晶の場合アルミナを
主原料とし、着色剤として、ルビーは酸化第ニクロムま
たは塩化第ニクロム、パバラチアは酸化第ニクロムと酸
化ニッケル、ブルーサファイヤは酸化第二鉄と酸化チタ
ンを加え、アルミナ乳鉢の中でよく混合し、該混合粉末
をラバーチューブに詰め、ラバープレスによって丸棒状
に加圧成型する。さらに該成型体を電気炉で焼結し、F
Z法による単軸高含成用の原料とするが、上述のアルミ
ニウムイソプロポキシドから合成したアルミナ原料を用
いることによって、これら着色剤の硬類及びtlに影舎
なく、気泡のない結晶を合成することができる。
本発明におけるアルミナ原料を用いて、長さ701ul
 、直@= 8 wxの丸棒状に成型した原料棒をFZ
装置(赤外線加熱単結晶製造装置〕の上部シャフトに吊
るし、下部シャフトに種子結晶全設置t’i: t、て
、石英ガラス管によって外気と隔離してこの中に空気を
流す。そして加熱を行ない、原料と種子の間に溶融体を
形成して、この両方を同時に一定の速度で下方に移動さ
せて種子昂晶上1c結晶を育成させる。この時の下方へ
の移動速度つまり成長速度が4.0 ma/ H以上で
は結晶の中に気泡が含まれてしまい、4.0 us/ 
H未満が望ましい。
〔実施例1〕 試薬特級(純度99.9%以上)のアルミニウムインプ
ロポキシド(AA(OCH(CHsh)a)80 fを
アルミナ乳鉢に正確に杵知4する。これをアルミナ乳鉢
を用−て、できるたけ細かく粉砕し、PH2の塩酸水溶
液160匡を加え、よく攪拌してゾルにする。
さらにこのアルミナ乳鉢を恒温槽に入れ温度15℃で1
6時間放置して完全に加水分触さぜる。
加水分解が完全に終了したら、このゾル状のベーマイト
(A7UOH)を白金るつ#司に移し、電気炉で110
0℃で2時間仮焼を行ない、α−アルミナを合aする。
該アルミナ19.8F 、塩化第ニクロム(c7CZs
 ) 0.417Fをアルミナ乳鉢に秤量し、蒸留水を
20CC加えてよく混合する。蒸真水を乾煤後、該混合
物を内径10間のゴムチューブに詰め、密封して、ラバ
ープレスにて1 ton/cm”の圧力で約15分間成
形した。さらに該成形原料棒を白金線でアルミナ管の中
に吊るし、ヒーターからの汚染を防止して、箱型電気炉
を用いて、1650℃−20時間焼結を行なった。該焼
結原料棒を用いてFZ装置により、ルビー単結晶を育成
した。育成条件を以下に示す。
成長速度:2゜0肩− 上部シャフト回転数: 45 rpm 下部シャフト回転数: 15 rpm 種子:コランダム単結晶 雰囲気:空気 流#40 A / min上記方法で育
成した結晶は、長さ40羽、径8.0藺の丸棒状で、全
体に均一に着色しており、さらにか倍の顕微鏡にお−て
も気泡が観察されない良質のルビー単結晶であった。
〔実施例2〕 〔実施例1〕と同様忙合成したアルミナ19.8Fと酸
化第ニクロム(Cr!Os) 0.29をアルミナ乳鉢
に正確に秤量し、ダイフロンを加えてよく混合する。以
下〔実施例1〕に従い焼Mi原料棒を作り、成長速度1
.0 g/)1以外の育成条件は〔実施例1〕に従いル
ビー単結晶の育成を行なった。
上記方法で育成した結晶は、長さ40羽、径8+++s
の丸棒状で、全体に均一に着色しておル、さらに加倍の
顕微鏡においても気泡が観察されない良質のルビー単結
晶であった。
〔実施例3〕 〔実施例1〕と同様に合成したアルミナ19.8?ロン
を加えてよく混合する。以下〔実施例1〕に従い焼結原
料棒を作り、育成条件は〔実施例1〕に従い、ブルーサ
ファイヤ単結晶の育成を行なりた。上記方法で育成した
結晶は、長さ40朋、径8 。
IIjの丸棒状で、全体に均一1c7i4色しておp、
さらに加倍の顕微鏡においても気泡が観察されない良質
のブルーサファイヤ単結晶であった。
〔効果〕
以上述べたように本発明によれば、融液からの単結晶育
成において、結晶の合成に必要なアルミナをゾル−ゲル
法によりアルミニウムイソプロポキシドを加水分解し、
生成したベーマイト(AJ%00H)を高温処理して合
成したアルミナを使用することによって、原料の焼結条
件、結晶の育成条件にこまかい配慮を必要としないで、
簡単に成長速度、4−0 藺/ 8未満でおるならは、
気泡のない結晶を合成することができる。この発明は、
人工宝石の生産性の面で多大の効果を有し、さらに電子
相料用の結晶合成技術に大きく貢献するものである。
以 上

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)融液から単結晶を育成する方法において、上記、
    融液の原料粉末にアルミナ(AlkzOs )を用いる
    場合、該アルミナをゾル−ゲル法によってアルミニウム
    イソプロポキシドをベーマイト(AA○OH)にし、こ
    れを尚温で処理したものを使用することを特徴とする単
    結晶育成用原料製造法。 (2)前jjU % ゾル−ゲル法による加水分解温度
    が、11) u〜加℃の岬、囲であシ、加水分解[#f
    1ハJがIO時間〜加時間の範囲とする特許請求の範囲
    第1項に記載の単結晶育成用原料製造法。 (8)前dし、ベーマイト(A100H)の尚温処理を
    空気中で1000℃〜1200℃の範囲とする特許請求
    の範囲!!!1項にhじ載の単結晶育成用原料製造法。 (4)前IIt原料製造法が赤外線集光式フローティン
    グゾーン法による単結晶合成用のものである特許請求の
    範囲第1項記載の単結晶育成用原料製造法。 (5)該結晶化を4.0−未商の成長速度で単結晶化さ
    せることを特徴とする特許請求の嵯囲第1項に記載の単
    結晶育成用原料製造法。
JP59079143A 1984-04-19 1984-04-19 単結晶育成用原料製造法 Pending JPS60226498A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102659152A (zh) * 2012-04-24 2012-09-12 上海应用技术学院 一种水分散性良好的纳米氧化铝浆料的制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57191299A (en) * 1981-05-20 1982-11-25 Natl Inst For Res In Inorg Mater Preparation of single crystal of corundum shedding asterism
JPS57196704A (en) * 1981-05-18 1982-12-02 Westinghouse Electric Corp Manufacture of metallic hydroxide and oxide powder for forming ceramic

Patent Citations (2)

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