JPS5899199A - 人工ベリル単結晶の合成方法 - Google Patents
人工ベリル単結晶の合成方法Info
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- JPS5899199A JPS5899199A JP19515081A JP19515081A JPS5899199A JP S5899199 A JPS5899199 A JP S5899199A JP 19515081 A JP19515081 A JP 19515081A JP 19515081 A JP19515081 A JP 19515081A JP S5899199 A JPS5899199 A JP S5899199A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は溶剤を用いた人工ベリル単結晶の合成方法に関
し、溶融塩より実質なベリル単結晶を効率よく且つ経済
的に合成し育成する方法に関するものである。これまで
人工ベリルの合成方法として、水熱法、溶融塩法が知ら
れているが本発明は溶融塩法の改良に関するものでるる
。
し、溶融塩より実質なベリル単結晶を効率よく且つ経済
的に合成し育成する方法に関するものである。これまで
人工ベリルの合成方法として、水熱法、溶融塩法が知ら
れているが本発明は溶融塩法の改良に関するものでるる
。
溶融塩法は水熱法罠比較して、エネルギー、装置等大幅
に節減でき、著しく経済的である。しかしながらこの溶
融塩法においてもなお次のような問題点がある。
に節減でき、著しく経済的である。しかしながらこの溶
融塩法においてもなお次のような問題点がある。
１）−曲のバッチに仕込んだ原料物質に対する高純度の
ベリル生成比か低い。
ベリル生成比か低い。
２）溶融塩中での生成は生成速度を速くすることにより
内部狭ザツ物（インクルージヨン）が発生する。
内部狭ザツ物（インクルージヨン）が発生する。
６）高品位ベリルを生成するためには生成速駅をおとし
、兼期間の育成が必要でめる。・このため大型サイズの
ベリル単結晶を作るには効率が悪い。
、兼期間の育成が必要でめる。・このため大型サイズの
ベリル単結晶を作るには効率が悪い。
４）溶−塊法では生成が溶融液中で行なわれるため観察
が難しい。
が難しい。
本発明は上記間鴫点を解決する新しい手法でろる。ベリ
ル合成ＶＣおいて添加ベリル表面に均一な過飽和域を出
現させることにより育成させるものであり、過飽和域出
現のために伽度會徐々に下降させる。ルツボ内のパンフ
ル悴による温度差出現させる、あるいはこの２方法を合
わ４ｔたものでろるが、いづれも溶融塩中で行なうもの
である。このＪＫ着目し改曳し九本のが第１図の方法で
ある。
ル合成ＶＣおいて添加ベリル表面に均一な過飽和域を出
現させることにより育成させるものであり、過飽和域出
現のために伽度會徐々に下降させる。ルツボ内のパンフ
ル悴による温度差出現させる、あるいはこの２方法を合
わ４ｔたものでろるが、いづれも溶融塩中で行なうもの
である。このＪＫ着目し改曳し九本のが第１図の方法で
ある。
■にベリル■ｔチャック等により固定させ■ヒターによ
シフ５０℃〜１２００℃のある所定の一度に加熱された
溶融塩中に浸漬させ（９をＩＲＰＭ〜２０°口ＲＰＭの
おる所定の回転数を持って回転させる。同時に■を■と
は逆方向に■と同一回転数を持って回転させる。■Ｆ１
更に１日にα０５■〜１５箇のある所定の速度で引上げ
る。
シフ５０℃〜１２００℃のある所定の一度に加熱された
溶融塩中に浸漬させ（９をＩＲＰＭ〜２０°口ＲＰＭの
おる所定の回転数を持って回転させる。同時に■を■と
は逆方向に■と同一回転数を持って回転させる。■Ｆ１
更に１日にα０５■〜１５箇のある所定の速度で引上げ
る。
この方法罠より、
■ 添加ベリル及びルツボが回転することにより、添加
ベリルの表面近ボウは原料が均一に分布される。
ベリルの表面近ボウは原料が均一に分布される。
■ 添加ベリルは■に接続されているため添加ベリル表
面け■に熱が伝導され冷却効果１＋たらすことＫよシ溶
融塩とベリルに温度差ができ生成する。
面け■に熱が伝導され冷却効果１＋たらすことＫよシ溶
融塩とベリルに温度差ができ生成する。
このため特に高度なｍ度管理を必要としない。
■ 添加ベリルを固定した■を上昇さぜることによシ、
ベリルの育成と観察ができる。
ベリルの育成と観察ができる。
実施例１
１、 原料物質、溶剤ならびに配合
ベリル粉末 １０Ｆ
Ｌｒ１Ｍ６Ｑ４ １ ５ ０
ＦＭｏ０３ １ｂＯｆ Ｃｒ１０１ ｃＬ２ｆ ′ＬＩＶ！融塩形成の瀾度条 自省るつぼ内の１の材料を充填して９００℃にて１０
Ｈｒａ の保持 五 ベリル株加と回転 ベリルを溶融塩中ｒＣ浸漬さぜベリル及びルツボ會５
ＯＲＰＭ にて回転さぜ２４ Ｈｒ−保持する。
ＦＭｏ０３ １ｂＯｆ Ｃｒ１０１ ｃＬ２ｆ ′ＬＩＶ！融塩形成の瀾度条 自省るつぼ内の１の材料を充填して９００℃にて１０
Ｈｒａ の保持 五 ベリル株加と回転 ベリルを溶融塩中ｒＣ浸漬さぜベリル及びルツボ會５
ＯＲＰＭ にて回転さぜ２４ Ｈｒ−保持する。
歳 引上げ条件
２４Ｈｒｓ 保持後［１２ｖｍ ７日の割合で５０日
間引上げを行った。その後湯水にて醇出処理をし合成エ
メラルドを得た。
間引上げを行った。その後湯水にて醇出処理をし合成エ
メラルドを得た。
５、ｌＷＩ果及び所見
０′ 屈折４ １．５６４〜１．５６１０比重 ２
．６４ ｏ インクルージヨンが少ない。
．６４ ｏ インクルージヨンが少ない。
実施例２
１、 ｆｉ料物買溶剤ならびに配合
ベリル粉末 １０ｔ
ｖ、ｏ、 １．ｏａｒ
ＬｉＯＦＩ ２０ ｔ
Ｃｒｌｏｓ α２ｆ
２ 実施例に同じ
Ｓ ベリル添加と回転
ベリルｔ−溶融塩中に浸漬さぜベルレ及びルツボをＩＲ
ＰＭＫて回転させ１０Ｈｒａ 保持する。
ＰＭＫて回転させ１０Ｈｒａ 保持する。
４、 引上げ条件
１０Ｈｒｓ 保持後α０５ ｍ ／’日の割合で１０日
間引上げを行った。その後、熱ショウＩＦＫて溶出処理
をし、合成エメナルドを得た。
間引上げを行った。その後、熱ショウＩＦＫて溶出処理
をし、合成エメナルドを得た。
Ｓ 結果及び所見
Ｏ屈折率 １．５６８〜１．５６５０比 重
２．６５ 実施ＩＰＩＩ５ １、 原料物質溶剤ならびに配合 実施ガ１．に同じ ２ ＃融塩形成の澁度条件 白金ルツボ内ンこ１材料を光」真して７５０’Ｃにて１
０ Ｈｒｍ保持する ！Ｌ、 ４ｉｊ実施例２に同じ ５ 結果及び所見 Ｏ屈折率、比］ｌＦｉ実施例１に同じ 実Ｊ１１１ＦＩＩ４ ｔ ！Ｊ施ｆＰＵ１に同じ ２、 １１１１１塩形成の１１１ＩＬ条件白會ルツボ内
に１の材料を充填して１２００℃にて５ Ｈｒｇの保持 五 ベリル添加と回転 ベリルを溶融塩中に浸漬させベリル及びルツボｆ２００
ｒｐｍ ＶＣて回転させ２４ ＦＩｒｓ保持する ４、 引上げ条件 １０ Ｈｒｓ 保持後α５−／日の割合で１０日間引
上げを行った。その後編水にて溶出処理をし合成エメラ
ルドｔ−得た。
２．６５ 実施ＩＰＩＩ５ １、 原料物質溶剤ならびに配合 実施ガ１．に同じ ２ ＃融塩形成の澁度条件 白金ルツボ内ンこ１材料を光」真して７５０’Ｃにて１
０ Ｈｒｍ保持する ！Ｌ、 ４ｉｊ実施例２に同じ ５ 結果及び所見 Ｏ屈折率、比］ｌＦｉ実施例１に同じ 実Ｊ１１１ＦＩＩ４ ｔ ！Ｊ施ｆＰＵ１に同じ ２、 １１１１１塩形成の１１１ＩＬ条件白會ルツボ内
に１の材料を充填して１２００℃にて５ Ｈｒｇの保持 五 ベリル添加と回転 ベリルを溶融塩中に浸漬させベリル及びルツボｆ２００
ｒｐｍ ＶＣて回転させ２４ ＦＩｒｓ保持する ４、 引上げ条件 １０ Ｈｒｓ 保持後α５−／日の割合で１０日間引
上げを行った。その後編水にて溶出処理をし合成エメラ
ルドｔ−得た。
＆ 結果及び所見
０屈折率、比重は実施例１に同じ。
なお例示の実施例はベリルの回転数、引上げスピード、
濁度等の実施例以′外のものを或は既述の範囲のものを
選択して用いることも可能でめシ、本発明ｔｉ例示の実
施例に限定されることなく多くの変更代替付加が特許請
求の範囲會逸脱しない範囲で取捨選択できるものである
。
濁度等の実施例以′外のものを或は既述の範囲のものを
選択して用いることも可能でめシ、本発明ｔｉ例示の実
施例に限定されることなく多くの変更代替付加が特許請
求の範囲會逸脱しない範囲で取捨選択できるものである
。
以上の説明ならびに実施例よシ既に理博されたように本
発明によれに、従来の溶融塩法による人工ベリル単結晶
の合成法に簡単な引上げ装置を加えることによシ従来の
溶融地法の有する本質的利益上留保した上で品質の向上
ならびに収率の増大に着しく寄与してコストダウンを凶
れるので本発明は人工ベリル単結晶の合成法として極め
て有意義である。
発明によれに、従来の溶融塩法による人工ベリル単結晶
の合成法に簡単な引上げ装置を加えることによシ従来の
溶融地法の有する本質的利益上留保した上で品質の向上
ならびに収率の増大に着しく寄与してコストダウンを凶
れるので本発明は人工ベリル単結晶の合成法として極め
て有意義である。
第１図は不発ｋＪＡに基づく引上は床装置の断面図■
添加ベリル固定及び引上げ１転シヤフト■ 添加ベリル ■ ルツボ ■ 耐火物 ■ ヒーター 以 上 第１［ｊ４
添加ベリル固定及び引上げ１転シヤフト■ 添加ベリル ■ ルツボ ■ 耐火物 ■ ヒーター 以 上 第１［ｊ４
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＋１１ ＃１ぼ天然ベリルの組成比を示す拳化ベリリ
ウム際化アルイニュウム、酸化シリコン及び酸化クロム
とその油の着色剤を加えてなる原料、または天然べＶル
粉末を原料にモリブデン酸、五酸化バナジウ＾、タンク
ステンｌＩ等よシ選ばれた１種又Ｆ１２種以上を加え加
熱溶融し溶融塩を形成させこの溶融塩中にベリル結晶を
添加、回転させ、引上げることＫよりベリルを合成し育
成することを特徴とする引上げ法による人工ベリルの合
成方法。 （２） 溶融塩より人工ベリルを合成し育成する方法
カヘリル結ａｔ添加し、Ｉ ＲＰＭ〜２００ＲＰＭスピ
ードて回転することよりなる特許請求の範囲第１項虻載
の引上げ法ｅこよる人工ベリル単結晶の合成方法。 （３）溶融塩よシ人工ベリル會合成し育成する方法がベ
リル結晶を添加しα０５〜α５ ｗｓ ／ ｄａｇのス
ピードで引上けることよりなる特許請求の範囲第１項記
載の引上げ法による人工ベリル単結晶の合成方法。 （４） 溶融塩よυ人工ベリルを合成し育成する方決
が溶融塩湯度分布よシなる特許１１１１ｊ求の範囲第１
ＪＪ記載の人工ベリル単結晶の合成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19515081A JPS5899199A (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | 人工ベリル単結晶の合成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19515081A JPS5899199A (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | 人工ベリル単結晶の合成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5899199A true JPS5899199A (ja) | 1983-06-13 |
| JPH0224799B2 JPH0224799B2 (ja) | 1990-05-30 |
Family
ID=16336260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19515081A Granted JPS5899199A (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | 人工ベリル単結晶の合成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5899199A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6153199A (ja) * | 1984-08-21 | 1986-03-17 | Matsushima Kogyo Co Ltd | ベリル単結晶の育成方法 |
| US4737353A (en) * | 1984-04-13 | 1988-04-12 | Union Carbide Corporation | Beryllium-aluminum-phosphorus-silicon-oxide molecular sieve compositions |
| US4940570A (en) * | 1984-04-13 | 1990-07-10 | Uop | Beryllium-aluminum-phosphorus-oxide molecular sieve compositions |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54150377A (en) * | 1978-05-18 | 1979-11-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Upbringing method for single crystal |
-
1981
- 1981-12-04 JP JP19515081A patent/JPS5899199A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54150377A (en) * | 1978-05-18 | 1979-11-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Upbringing method for single crystal |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4737353A (en) * | 1984-04-13 | 1988-04-12 | Union Carbide Corporation | Beryllium-aluminum-phosphorus-silicon-oxide molecular sieve compositions |
| US4940570A (en) * | 1984-04-13 | 1990-07-10 | Uop | Beryllium-aluminum-phosphorus-oxide molecular sieve compositions |
| JPS6153199A (ja) * | 1984-08-21 | 1986-03-17 | Matsushima Kogyo Co Ltd | ベリル単結晶の育成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0224799B2 (ja) | 1990-05-30 |
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