JPS60227262A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■　発明の背景 技術分野 本発明は、アモルファスシリコンからなる光導電体層を
有する電子写真感光体に関する。

先行技術とその問題点 複写機やレーザープリンター用等の電子写真感光体とし
て、シラン系ガスのグロー放電分解法（プラズマＣＶＤ
法）によって形成されるアモルファスシリコン（以下ａ
−３ｉという）を光導電体層とするものが提案され（特
開昭５４−７８１３５号）、従来のＳｅやＣｄＳにかわ
るものとして注目を浴び、実用化が進んでいる。

これは、ａ−３ｔが無公害性、耐摩耗性、耐熱性等にす
ぐれているからである。

しかし、ａ−３ｔで構成された電子写真感光体材料は、
暗抵抗値、光感度、光応答性などの点において、さらに
改良されるべき点を有する。

このため、ａ−３ｉ感光層そのものの改良とともに、電
子写真感光体を設計する際に、所望の電気的、光学的、
光導電的特性かえられるように種々の工夫がされている
。

これらの例として、ａ−３ｉ感光層の支持体側（中間層
）、あるいは支持体と反対側（表面障壁層）に５ｔ−Ｃ
系やＢ系等のアモルファス材料等からなる層をもうけて
、電子写真感光体としての特性を改良させる試みがなさ
れている（特開昭５７−１７９５２　、同５７−５８８
４Ｅｉ　、同５７−１１４１４８、同５７−１１４６５
１．同５７−１１５５５８、同５７−１１５５５８号等
）。

しかし、いずれの試みも電子写真感光体としては充分な
ものとはいえない。

例えば、所望の光電流かえられない、 暗抵抗が小さい、 暗減衰の時定数が小さい、 感光体製造後しばらく放置したのち の使用の際に、画像が流れたり、ぼけ たりする、 などの欠点を有し、耐久性が懸念されるなどの改良すべ
き点が種々存在する。

ＩＩ　発明の目的 本発明の目的は、ａ−Ｓｉ光導電性層を有する電子写真
感光体において、上記種々の欠点のない表面障壁層ない
し中間層組成を提供することにある。

このような目的は下記の本発明によって達成される。

すなわち第１の発明は、 支持体上にアモルファスシリコン光導電層を有し、該ア
モルファスシリコン光導電層の支持体側に配置される中
間層および／または該アモルファスシリコン光導電層の
支持体と反対側に配置される表面障壁層を有する電子写
真感光体において、 前記中間層および／または前記表面障壁層がホウ素と、
炭素と、水素とを含むことを特徴とする電子写真感光体
である。

また第２の発明は、 支持体上にアモルファスシリコン光導電層を有し、該ア
モルファスシリコン光導電層の支持体側に配置される中
間層および／または該アモルファスシリコン光導電層の
支持体と反対側に配置される表面障壁層を有する電子写
真感光体において、 前記中間層および／または前記表面障壁層がホウ素と、
炭素と、水素と、リン、窒素、シリコンおよびハロゲン
の１種以上とを含むことを特徴とする電子写真感光体で
ある。

■　発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。

第１図は、本発明の電子写真感光体の基本的な構成例を
説明するために模式的に示した構成図である。

第１図に示す電子写真感光体素材ｌは、支持体１１の１
−に中間層１２、この中間層１２に直接接触した状態に
て積層されている光導電層１３と、さらに光導電層１３
に直接接触した状態にて積層されている表面障壁層１４
とで構成される層構造を有し、本発明の最も基本的な１
例である。

この場合、中間層１２と表面障壁層１４は、そのいずれ
か一方のみが配置されていればよいが、通常は図示のよ
うに両者が配置される。

支持体１１の基材としては、導電性でも、電気絶縁性で
あってもよい。

導電性支持体としては、例えばＮｉ、Ｃｒ。

ステンレス、ＡｆＬ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ。

Ｎｂ、Ｖ、Ｔｉ　、Ｐｔ　、Ｐｄ等の金属ないし、これ
らの合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースルアセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂やガラスセラミッ
ク、紙等のフィルム状、シート状、円筒状のものが通常
使用される。

そして、これらの電気絶縁性支持体基材は、好適には、
少なくともその一方の表面を導電処理され、この導電処
理された表面側に他の層が設けられる。

例えばガラスであれば、その表面が、 ＮｉＣｒ、ＡＭ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ。

Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｂ。

Ｉ　ｎ２０３．５ｎ０２　、ＩＴＯ（Ｉ　ｎ２０３　＋
５ｎＯ２）等の薄膜を設けることによって導電処理され
、あるいはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルム
であればＮｉ０丁、ＡＭ　。

Ａ　ｇ　、　Ｐ　ｂ　、　Ｚ　ｎ　、　Ｎ　ｉ　、　Ａ
　１１　、　Ｃｒ　、　Ｍ　ｏ　。

Ｉ　ｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ　、Ｐｔ等の金属で真空
蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等で処理される
。

あるいは前記金属でラミネート処理して、その表面が導
電処理される。

支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等、任
意の形状としてえ、所望によってその形状は決定される
が、円筒状あるいは無端ベルト状とするのが望ましい。

支持体の厚さは、所定の電子写真感光体が形成させる様
に適宜決定されるが、通常は１０＝ｍ以上とされる。

好ましい態様において、支持体上に設けられる中間層１
２は、支持体１１側から光導電層１３中へのキャリアの
流入を効果的に阻止し、かつ光の照射によって光導電層
１３中に生じ、支持体１１側に向って移動するフォトキ
ャリアの光導電層１３の側から支持体１１の側への通過
を容易に許す機能を有するものである。

この中間層は、場合によっては公知の種々の材質であっ
てもよいが、ＢおよびＣを含むものであることが好まし
い。

この場合、Ｂ、ＣおよびＨの含有量は、Ｂニア−８６ａ
ｔ％、より好ましくは１０〜７６ａｔ％、Ｃニア　〜８
５ａｔ％、より好ましくはｌＯ〜７６ａｔ％、Ｈ：ｌ　
〜５０ａｔ％、より好ましくは５〜４０ａｔ％であるこ
とが好ましい。

Ｂが７ａｔ％未満、あるいはＣが８５ａｔ％をこえると
、バンドギヤー７プが小さくなるため、支持体から光導
電層へのキャリアの流入を効果的に阻止できなくなり、
帯電量の低下あるいは暗減衰の増大が生じやすくなる。

また、Ｂが８６ａｔ％をこえるか、あるいはＣが７ａｔ
％未満となると、形成された膜がもろくなり、膜質が中
間層として適さない。

そして、Ｈがｆａｔ％を未満となると、膜中のダングリ
ングボンドが高濃度となるため、キャリアのトラップが
顕著になり、残留電位増大の原因となる。

また、Ｈが５０ａｔ％をこえると、膜中にボイドが発生
し、ピンホールによる絶縁破壊の原因となる。

さらに、層中には、Ｂ、Ｃ，Ｈに加え、Ｐ。

Ｎ、Ｓｉ、ハｌｌゲン（特にＦ、０文）の１種以−１−
が含有されていてもよい。

Ｓｉの添加は、ａ−３ｉ層の形成とほぼ同一の工程をと
ることができるので、製造上有利となり、また層間の接
着性を向上ξせる。

Ｐの添加は、温度安定性を向上させる。

Ｎの添加は、接着性および温度安定性を向上させる。

ハロゲンの添加は、温度安定性を向上させる。

このような場合の含有量は、Ｂ：４〜８５ａｔ％、より
好ましくは５〜７６ａｔ％、Ｃ：４〜８５ａｔ％、より
好ましくは５〜７６ａｔ％、Ｈ：１〜５０ａｔ％、より
好ましくは５〜４０ａｔ％、Ｐ　、　Ｎ　、　Ｓ　ｉ　
、　ハロゲンノ総計：４０ａｔ％以下である。

なお、上記Ｐ、Ｎ、Ｓｉ、ハロゲンの総計が４０ａｔ％
をこえると、バンドギャップが小さくなるため、支持体
から光導電層へのキャリアの流入を効果的に阻止できな
くなり、帯電量の低下あるいは暗減衰の増大が生じやす
くなる。

なお、これらＢ、Ｎ、Ｓｉ　、ハロゲンの総計は０．１
〜４０ａｔ％、特に０．１〜３８ａｔ％であることが好
ましい。

また、ハロゲンは２ａｔ％以下であることが好ましい。

このような組成の層は、Ｘ線回析によって実質的にピー
クを示さず、実質的に長範囲の規則性をもたない非晶質
状態にある。

そして、中間層としての厚さは、１００人〜２ｇｍ、よ
り好ましくは５００人〜１．５ｇｍとされる。

これは、１００人未満となると、中間層としての実効が
なく、また、２ｇｍをこえると、フォトキャリアの支持
体側への流入が阻害されるからである。

他方、やはり好ましい態様において、アモルファスシリ
コン光導電層上に設けられる表面障壁層は、表面に帯電
処理がなされたとき、表面電荷が光電層に注入されるの
を阻止する機能を有するものである。

この他、保護膜として、硬く、耐熱性にすぐれ、さらに
は、光導電層よりバンドギャップが大きく、かつ反射防
止膜としても機能することが要求される。

この表面障壁層は、場合によっては、公知の種々の材質
であってもよいが、前記同様、Ｂ。

ＣおよびＨを含むものであることが好ましい。

この場合Ｂ、ＣおよびＨの含有量は、Ｂニア〜８６ａｔ
％、より好ましくはｌＯ〜７６ａｔ％、Ｃニア　〜８５
ａｔ％、より好ましくはｌＯ〜７６ａｔ％、Ｈ：ｌ　〜
５０ａｔ％、より好ましくは５〜４０ａｔ％であること
が好ましい。

Ｂが７ａｔ％未満、あるいはＣが８５ａｔ％をこえると
、硬度が低下し、さらにバンドギャップが小さくなるた
め、表面層として適さない。

また、Ｂが８６ａｔ％をこえるか、あるいはＣが７ａｔ
％未満となると、膜質がもろくなり、衝撃に弱くなる。

そして、Ｈがｆａｔ％を未満となると、膜中のタングリ
ングポンドが高濃度となり、キャリアのトラップが顕著
になるので、残留電位増大の原因となる。

また、Ｈが５０ａｔ％をこえると、膜中にボイドが発生
し、ピンホールによる絶縁破壊の原因となる。

さらに、層中には、Ｂ、ＣおよびＨに加え、Ｐ、Ｎ、Ｓ
ｉ、ハロゲンの１種以上が含有されていてもよい。

Ｓｉの添加は、ａ−Ｓｉ層の形成とほぼ同一の工程をと
ることができるので、製造上有利となり、また層間の接
着性を向上させる。

Ｐの添加は、温度安定性を向上させる。

Ｎの添加は、接着性および温度安定性を向上させる。

ハロゲンの添加は、温度安定性を向上させる。

このような場合の含有量は、Ｂ：４〜８５ａｔ％、より
好ましくは５〜７６ａｔ％、Ｃ：４〜８５ａｔ％、より
好ましくは５〜７６ａｔ％、Ｈ：１〜５０ａｔ％、より
好ましくは５〜４０ａｔ％、Ｐ、Ｎ、Ｓ　ｉ、　ハロゲ
ンの総計：４０ａｔ％以下である。

なお、Ｈ，Ｐ、Ｎ、Ｓｉ、ハロゲンの総計が４０ａｔ％
をこえると、バンドギャップが小さくなり、照射された
光の吸収が生じる。

なお、これらＢ、Ｎ、Ｓｉ　、ハロゲンの総計は０．１
〜４０ａｔ％、特に０．１〜２０ａｔ％であることが好
ましい。

また、ハロゲンは２ａｔ％以下であることが好ましい。

このような組成の層は、Ｘ線回折によって実質的にピー
クを示さず、実質的に長範囲の規則性をもたない非結晶
状態にある。

そして、表面障壁層としての厚さは、５００人〜４ルｍ
、より女子ましくは０．１ｇｍ〜３ルｍとされる。

これは、５００人未満となると、表面障壁層としての実
効がなく、また５ＪＬｍをこえると、キャリアの蓄積が
生じ、残留電位が増大するからである。

このようなり、ＣおよびＨｌそして必要に応しＰ、Ｎ、
Ｓｔ、ハロゲンの１種以上からなる層を形成するには、
スパッタリングを用いてもよいが、上記諸元素を所定の
組成で含有させる際の制御が容易となる点で、プラズマ
分解法に従うのが好ましい。

プラズマ分解は、高周波法によっても、またマイクロ波
法によってもよい。

高周波法に従うときには、１〜１０ＭＨｚ、１００Ｗ〜
数ＫＷ程度の電力を投入すればよい。

また、マイクロ波法に従うときには、ＩＧＨｚ−１０Ｇ
Ｈｚ、１００〜５００Ｗ程度の電力を投入すればよい。

用いる原料ガスとしては、水素化ホウ素、例えばＢＨ３
、Ｂ２　Ｈａ等、炭化水素ないしハロゲン化炭素、水素
、水素化リン、例えばＰＨ３、シラン系ガスやハロゲン
化シリコン、例工ｊｆｓｉＨａ、窒素やアンモニア、ハ
ロゲン等ヲ用いればよい。

そして、キャリヤーとしては、水素、アルゴン、ヘリウ
ム等を用い、原料ガスが所定の量比となるように、反応
系内に流入させればよい。

なお、動作圧力は０．５〜５　Ｔｏｒｒ程度、基体温度
は１５０〜３５０℃程度とすればよい。

また、成膜速度は１〜２０人／ｓｅｅ程度とすればよい
。

好ましい態様において、このような中間層および表面障
壁層にてはさまれるａ−３ｉ光導電層は、非晶質状態の
シリコン層からなる。

この場合、ａ−３ｔ光導電層は、少なくともＨかハロゲ
ンのいずれか一方を含有し、そのほかにＮ、Ｏ，Ｃ，Ｉ
ＩＩ族元素、Ｖ族元素の少なくとも一種以上を含有する
。

そして、その厚さは７〜３０ｐｍ程度とする。

また、ａ−５ｔ光導電層は、２層以上の積層構造として
もよい。

このようなａ−ｓｉ光導電層は、通常、プラズマ分解に
よって形成される。

プラズマ分解は、高周波法によっても、またマイクロ波
法によってもよい。

高周波法に従うごときには、１〜ＩＯＭＨｚ、ｉｏｏｗ
〜数ＫＷ程度の電力を投入すればよい。

また、マイクロ波法に従うときには、ＩＧＨ２〜１０Ｇ
Ｈ２，ｌＯＯ〜５００Ｗ程度の電力を投入すればよい。

用いる原料ガスとしては、水素化シリコン。

例えば５ｉＨａ等を用いればよい。

また、不純物ソースとしては、水素、酸素、窒素、アン
モニア、水素化ホウ素等を用いればよい。

そして、キャリヤーとしては、水素、アルゴン、ヘリウ
ム等を用い、原料ガスが所定の量比となるように、反応
系内に流入させればよい。

なお、動作圧力は０．１〜５　Ｔｏｒｒ程度、基体温度
は１５０〜３５０℃程度、また、成膜速度は１〜２０人
／ｓｅｃ程度とすればよい。

■　発明の具体的作用効果 本発明において、Ｂ、Ｃ，Ｈｌそして必要に応じＰ、Ｎ
、Ｓｉ、ハロゲンからなる中間層を設ける場合には、暗
減衰（ダーク・ディケイ）が減少する。

そして、ａ−３ｉ光導電層と基板との接着強度も向上す
る。

また、Ｂ、Ｃ，Ｈｌそして必要に応じＰ、Ｎ、Ｓｉ、ハ
ロゲンからなる表面障壁層を設ける場合には、やはり、
暗減衰が減少する。

そして、保存に際しても、おそらく水分等の吸着による
とおもわれる画像のボケないし流れはきわめて少なくな
る。

加えて、前述の表面障壁層は、ａ−５ｉ光導電層よりも
バンドギャップが広いので、照射された光の吸収がほと
んど生じない。　また、反射防止膜としても作用するの
で好適である。

さらには、硬度が高く、耐摩耗性、耐刷性がきわめて高
い。

また、耐熱性も高く、経済的にきわめて安定である。

■　発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。

実施例 外径９０膳層重長さ３６０ｍｍのＡ車装ドラム」二に、
以下のようにａ−Ｓｉ光導電層を形成した。

すなわち、ＳｉＨ４をソースとして、キャリヤーとして
Ｂ２を用い、これに０２を所定量混合して、１３．５６
Ｈｚ、１５０Ｗ、ｌ　Ｔｏｒｒにてプラズマ分解を８時
間行った。

これにより、厚さ１５ｐｍ、　Ｓ　ｉ　：　７２ａｔ％
、Ｈ：２８ａｔ％の光導電層が形成された。

この比較用のサンプルをＡとする。

これに対し、Ｂ２　Ｈａをソースとして、Ｈ２をキャリ
ヤーとして、１３．５６Ｈｚ、１８０Ｗ、Ｉ　Ｔｏｒｒ
にてプラズマ分解を行い、上記サンプルＡの上下に、そ
れぞれＢ：８５ａｔ％、Ｈ：１５ａｔ％の組成で、０．
５．ＪＬｍ厚の中間層およびＩｇｍ厚の表面障壁層を形
成したサンプルをＢとする。

さらに、中間層および表面障壁層の形成に際し、サンプ
ルＢにおいて、Ｂ２　）１ａ　、ＣＨ４をソースとし、
アルゴンをキャリヤーとして、Ｂ：　４２　ａ　ｔ％、
Ｃ：４５ａｔ％、Ｈ：１３ａｔ％の組成で、０．５ｐｍ
厚の中間層およびｌｐｍ厚の表面障壁層としたものをサ
ンプルＣとする。

また、サンプルＣにおいて、ソースを Ｂ２　Ｈ，ＣＨ４、Ｂ２をキャリアガスにかえ、Ｂ：４
０ａｔ％、Ｃ：３８ａｔ％、Ｈ：２２ａｔ％としたもの
をサンプルＤとする。

さらに、サンプルＣにおいて、ソースをかえて下記のサ
ンプルを得た。

サンプルＥ Ｂ：３４ａｔ％、　Ｃ：３４ａｔ％、 Ｈ：　１８ａｔ　％、　Ｓｉ　：　１４ａｔ　％サンプ
ルＦ Ｂ：４０ａｔ％、　Ｃ：３６ａｔ％、 Ｈ：　１６ａｔ％、　Ｐ：　８ａｔ％ サンプルＧ Ｂ：３５ａｔ％、　Ｃ：３９ａｔ％、 Ｈ：１１ａｔ％、　Ｎ：　１４ａｔ％ サンプルＨ Ｂ　：　４５ａｔ％、　Ｃ：４８ａｔ％、Ｈ：　６ａｔ
％、　Ｆ：　４ａｔ％ これら各サンプルで実際に画像形成を行い、得られた画
質を評価した。

耐剛性および保存性を表１に示す。

また、保存性は、実験室内にて１０日間保存したのち、
画像形成させ、得られた画像を評価したものである。

この場合、評価基準は下記のとおりである。

■・・・・優良 ０・・・・良好 ×・・・・実用上やや問題あり 表　１ Ａ（比較）　３０００枚以下　× Ｂ（比較）　８５Ｂ−１５Ｈ６０００枚以下　×Ｃ４２
Ｂ−４５Ｇ−１３Ｈ５００００枚以上　。

Ｄ、　４０Ｂ−３８Ｃ−２２Ｈ同　上　ＯＥ　３５Ｂ　
−３４Ｃ−１８Ｈ−１４Ｓｉ　同　上　ＯＦ　４０Ｂ−
３６，Ｃ−１８Ｈ−８Ｆ　同　上　○Ｇ　３５Ｂ−３９
Ｃ−１１Ｈ−１２Ｎ　回　上　ＯＨ４５Ｂ−４８Ｃ−８
Ｈ−ＩＦ　同　上　０表１に示される結果から、本発明
の効果があきらかである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施例を示す断面図である。 １・・・・電子写真感光体 １１・・・・支持体 １２・・・・中間層 １３・・・・アモルファスシリコン光ｉ電Ｍ’１４・・
・・表面障壁層 出願人　ティーディーケイ株式会社

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. （１）　支持体上にアモルファスシリコン光導電層を有
   し、該アモルファスシリコン光導電層の支持体側に配置
   される中間層および／または該アモルファスシリコン光
   導電層の支持体と反対側に配置される表面障壁層を有す
   る電子写真感光体において、 前記中間層および／または前記表面障壁層がホウ素と、
   炭素と、水素とを含むことを特徴とする電子写真感光体
   。
2. （２）　前記ホウ素と、炭素と、水素とを含む中間層お
   よび／または表面障壁層がアモルファス状態である特許
   請求の範囲第１項に記載の電子写真感光体。
3. （３）　前記中間層および／または前記表面障壁層が水
   素化ホウ素および炭化水素を含む混合ガスをグロー放電
   分解して、堆積したものである特許請求の範囲第１項ま
   たは第２項に記載の電子写真感光体。
4. （４）　前記中間層および／または前記表面障壁層の組
   成比がホウ素７〜８６ａｔ％、炭素７〜８５ａｔ％、水
   素１〜５０ａｔ％である特許請求の範囲第１項ないし第
   ３項のいずれかに記載の電子写真感光体。
5. （５）　前記中間層の厚さが１００人〜２ｇｍである特
   許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の電
   子写真感光体。
6. （６）　前記表面障壁層の厚さが５００人〜４ルｍであ
   る特許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれかに記載
   の電子写真感光体。
7. （７）　前記中間層がホウ素と、炭素と、水素とを含む
   層からなり、前記表面障壁層がホウ素と、炭素と、水素
   とを含む層からなる特許請求の範囲第１項ないし第６項
   のいずれかに記載の電子写真感光体。
8. （８）　支持体上にアモルファスシリコン先導重層を有
   し、該アモルファスシリコン光導電層の支持体側に配置
   される中間層および／または該アモルファスシリコン光
   導電層の支持体と反対側に配置される表面障壁層を有す
   る電子写真感光体において、 前記中間層および／または前記表面障壁層がホウ素と、
   炭素と、水素と、リン、窒素、シリコンおよびハロゲン
   の１種以上とを含むことを特徴とする電子写真感光体。
9. （９）　前記ホウ素と、炭素と、水素と、リン、窒素、
   シリコンおよびハロゲンの１種以上とを含む中間層およ
   び／または表面障壁層がアモルファス状態である特許請
   求の範囲第８項に記載の電子写真感光体。
10. （１０）　前記中間層および／または前記表面障壁層が
    水素化ホウ素、炭化水素またはハロゲン化炭素、水素、
    窒素またはアンモニア、シラン系ガスまたはハロゲン化
    シリコン、水素化リンおよびハロゲンのうちの１種以上
    を含む混合ガスをグロー放電分解して堆積したものであ
    る特許請求の範囲第８項または第９項に記載の電子写真
    感光体。
11. （１１）　前記中間層および／または前記表面障壁層の
    組成比が、ホウ素４〜８５ａｔ％、炭素４〜８５ａｔ％
    、水素１〜５０ａｔ％、リン、窒素。 シリコンおよびハロゲンの１種以上が４０ａｔ％以下で
    ある特許請求の範囲第８項ないし第１Ｏ項のいずれかに
    記載の電子写真感光体。
12. （１２）　前記中間層の厚さが１００人〜２ｇｍである
    特許請求の範囲第８項ないし第１１項のいずれかに記載
    の電子写真感光体。
13. （１３）　前記表面障壁層の厚さが５００人〜３ｐＬｍ
    である特許請求の範囲第８項ないし第１２項のいずれか
    に記載の電子写真感光体。
14. （１４）　前記中間層がホウ素と、炭素と、水素と、リ
    ン、窒素、シリコンおよびハロゲンの１種以上とを含む
    層からなり、前記表面障壁層がホウ素と、炭素と、水素
    と、リン、窒素、シリコンおよびハロゲンの１種以上と
    を含む層からなる特許請求の範囲第８項ないし第１３項
    のいずれかに記載の電子写真感光体。