JPS6055347A - 光導電性要素 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は電子写真分野に関連する。特に、本発明は光導
電性要素Ｃｍ定形ケイ素を用いたものも含まれる〕の構
造、およびかかる光導電性要素の受容電位を増大させる
手段に関する。

背景技術 種々の光導電性材料が公知であり、そして電子写真分野
で使用されている。この用途のためには、かかる材料の
１−によって保持可能な最大重、界が非常に重要となる
。その根拠は電子写真媒体上で現像されてもよい像の品
質は光受容体によって維持可能な表面電位に関係すると
云う事実に基づいている。受容電位は少なくとも成る程
度は厚さの関数であるので、厚い光導電層の使用は高受
容屯位を達成するために採用される一手段である。例え
ば無機光導電体を用いて可視性ベルト型光受容体な調造
するために薄い層が望ましい又は必決とされる場合には
、受容電位は比較的低い。

いくつかの光導電性材料特に無定形ケイ素水素アロイ（
ａ−８ｉ：Ｈ）は競合１．Ｊ−料例えばセレンに比らべ
て遅い付着技法によって付着される。従って、高品質画
像χ得るには十分な表面電位を必要とするので、比較的
薄い１−で有効な表面・電位を維持できる光受容体を提
供することは経済上重要になる。

光導電性材料として無定形ケイ素を使用した場合には、
暗電流（暗減衰）を減少させることによって受容電位？
増大させるために光導電層に隣接して縁絶性デロッキン
グ層を用いることが望ましいことが判明している。例え
ば米国時６許第４，２６５，９９１号に記載されている
ような従来の光導電性要素のデ四ツキング層は光導電層
中への担体注入を阻止するために使用されており、それ
は一般に酸化物、セノン化物、硫化物等のような絶縁性
材料からなる。代りに、「−ブトケイ素層は反転バイア
ストｐ−ｎ接合として普通知られているものを有するダ
イオード構造を与えるためノアｒロッキング層として使
用されている。これは例えば、ジャーナル嗜オプ・アプ
ライＶ・フィジクス第５２巻第２７７６〜２７８１頁の
シミズ等の論文中に記載されている。

さらに別の光受容体構造が英国特許出願第２，０９９，
６００　ＡｌＣＦｅ載されているが、それは光導電体と
支持体との間に二重バリヤ層が介在している支持体上の
無定形ケイ素光導電層を記載している。この二重バリヤ
層は光導電層に隣接した電気絶縁層と支持体に隣接した
半導電性Ｖ−デト無定形ケイ素層からなる。この構造は
多数の改善された性能特性を有する光導電性部材を提供
すると云われている。

しかし、以上の方法は多くの用途にとってむしろ低い電
位受容レベルを与える。

発明の開示 本発明は光導電性材料を使用する公知構造に固有の電位
受容レベル限度を克服するための手段を付与するもので
ある。特に、本発明は光導電性要素内の維持電界を増大
せしめて比較的高い表面電位を保持できるようにする手
段に関する。これは本発明において導電性支持基体上に
支持された光導電層からなる光導電性要素であって該要
素に印加された表面電荷の結果として光導電性１−の方
向に引きつげられる電荷担体の流れを抑制するためにブ
ロッキング層手段が光導電層の少なくとも一方の主表面
忙隣接して設けられ℃いる元導電性要素を提供すること
によって達成される。本発明の改善点はブロッキング層
と光導電層との間に介在する空間電荷層の使用からなる
。本願で使用されている用語「空間電荷層」は移動電荷
担体と反対符号の埋留電荷担体とを有し、電界を受けた
ときに移動電荷が枯渇させられて層内に反対符号の埋留
正味電荷を残すことができる半導体材料を意味する。本
発明の実施において、空間電荷層はｎ−型またはｐ−型
半導電性材料から構成できる。

本発明に記載された構造体において、空間電荷層はブロ
ッキング層との界面の有効電界をブロッキング層の絶縁
破壊レベルよりも低いレベルに維持し、他方、光導電体
界面の有効電界をブロッキング層界面の電界より高くす
ることができそしてブロッキング層の絶縁破壊レベル以
上にさえすることができるように選択中配置される。こ
れは空間電荷層を使用しないときに可能なレベル以上に
光導電体を帯電することを可能にする。

所望の結果を達成するためには、空間電荷層は電荷を印
加される表面に最も近い空間電荷層における埋留電荷の
符号が印加電荷の符号と同一の符号であるように光導電
層との関係で選択・配置されねばならない。それとは反
対側の光導電体の面上の空間電荷層は印加電荷とは反対
の符号の埋留電荷を有していなければならない。これは
１層を用いようと２層を用いようとその通りである。従
って、空間電荷層の選択および配置は以下にさらに詳し
く説明されているように表面電荷の符号によって左右さ
れる。

本発明の好ましい態様においては、光導電性材料好まし
くはａ−８ｉ：Ｈの層は２層の薄い空間電荷層の間に配
置されている。それから、こ些等３層は一緒に２層の絶
縁性ブロッキング層の間に挿入されているので５層、構
造体になり、それは導電性基体上に支持されていてもよ
い。かかる構造体は電子写真複写方式においてドラムま
たはベルト状の光受容体として一般に使用される。

本発明の構造体での空間電荷層の使用はブロッキング層
から光導電層への漏洩電流（暗電流）を制限することＫ
よって与えられた厚さの光導電体の受容電位を増大せし
めることを可能にする。この受容電位の増大は本願に記
載された構造体の帯電時の固有電流制限特性の結果とし
て生ずる。例えば、ａ−８ｉ：Ｈ光導電体を使用する光
受容体構造体の受容電位は与えられた厚さに関して有意
に増大される。６倍もの増大がかかる空間電荷層の使用
によって得られることが立証された。

本発明は比較的高い受容電位を必要とする分野に比較的
薄い光導電体層（約１〜５μ）を使用することを可能に
する。これ等薄い層が無端ベルトシステム等に使用され
ると耐剥離性、耐亀裂性または耐破壊性が増す。加えて
、製造時間（付着時間）の大いなる減少が認められると
云うことで十分な生産経済性が認められる。さらに、ブ
ロッキングを−に存在する電界が従来デバイスと比らべ
て動量よく減少するので、本発明に使用されているブロ
ッキング層はその組成自体および厚さについて従来必要
とされていた厳しい制御が少なくなる。

詳細 本発明の光導電体要素を図面を参照にしながら具体的に
説明する。第１図は比較のために公知の従来技術による
多層光導電体アセンプリー１（１−表わすものである。

光導電体アセンプＩＪ−ＩＱは支持基体１２からの電気
相体の注入を阻止することができるバリヤ層またはブロ
ッキング層１４を担持する支持基体１２からなる。光−
Ｓ−電件拐料の層１６はバリヤ層１４の上にあり、さら
に被υ層１８が光導電１６の上にある。図示されている
層１８は保護層であっても、又は層１４に似たバリヤも
しくはブロッキング層でｉ）ってもよい。場合によって
は、層１８は必要ない。また、他の場合には、別の保護
層、離型被覆等が第１図に示された構造体に加えられて
いてもよい。

従来の構造体と対比して、本発明のアセンブリーが第２
図に例示されている。そこで総括的に２０で表示されて
いるアセンブリーは第１図におけるように基体１２、バ
リヤ層１４および１８、および光導電体層１６からなる
。しかしながら、光導電体層１６の両隣接面には先に述
べたようにアセンブリーの受容電位を第１図のように空
間電荷層を持たない従来の類似アセンブリーの受容電位
以上に増大せしめるのに役立つ空間電荷層２２および２
４が設けられている。

第１図および第２図に示されている基体、バリヤ層およ
び光導電性材料は周知である。電子写真用に光導電体を
支持するために使用される代表的な基体は導電性材料で
あり、それ等はベルト構造体用等のように可撓性であっ
ても、又はプレートやＶラムを提供するために硬質であ
ってもよい。

これら基体はアルミニウム、銅、クロム等およびその合
金のような各種金属からつくられていてもよい。本発明
の実施に有効であることが判明した材料はステンレス鋼
である。

ここで使用されている導電性基体は絶縁性であるが電荷
担体を基体１２を介してブロッキング層１４へ又はブロ
ッキング層１４から輸送できるように導電性材料な担持
または含有している材料も包含するものである。例えば
、基体は金属またはその他の導電性材料の無電解めっき
１．電着、電子ｔ−ムめつき、蒸着、スパッタリング等
による等して導電性材料を適用されている重合体または
セラミック材料のような絶縁性材料から構成されていて
もよい。

支持基体の厚さは用途および環境によってかなりの範囲
で変動可能である。例えば、焦端ベルトの場合のように
可撓性が曽求される場合には、基体は比較的薄くなけれ
ばならない。無端鋼ベルトの場合には６〜１５μが適す
ることが判明した。

層１４および１８はそれ等か無いと電荷担体の注入によ
って起るところの光導電ｊ−印加“電荷の暗減衰を阻止
する又は減少させるために使用されている絶縁性ブロッ
キング層である。少なくとも一方の符号の担体に対する
ブロッキング１１Ｊ１．４．１８は光導電層１６と基体
１２のような任意の担体供給源との間で、また、光導電
層１６と基体とは反対側の光導電層の面上の任意の担体
供給源との１１１１で有効であるべきである。従って、
第１図および第２図におけるブロッキング層１８の表面
に正帯電するには、ブロッキング層１４は電子に対する
バリヤになるように選択されねばならず、他方、ブロッ
キング層１８は正孔に対するバリヤにならねばならない
。負帯電の場合には、これは逆になる。ゾロツクキング
は現像可能な表面電荷が光導電性アセンブリーによって
保有されるように比較的高い電界で有効でなければなら
ない。

絶縁性ブロッキング層１４および１８の使用、およびそ
れをつくるための材料は周知である。これ等層としては
絶縁性無機酸化物例えばＭ２Ｏ３，５ｉＯ１Ｓ１０２、
ＣｅＯ２、ｖ２ｏ３、ＴａＯ３および硫化物またはセレ
ン化物例えばＡｓ２Ｓｅ３．８ｂ２Ｓｅ３、Ａｓ２８３
およびその他類似物、並びに絶縁性有機化合物例えばポ
リエチレン、ぼりカーボネート、ポリウレタン、ポリパ
ラキシレン、およヒソノ他類似物が包含される。窒化ケ
イ素のようなその他の材料も使用できる。これ等材料は
米国特許第４，２６５，９９１号、第４，３７７，６２
８号、第４，３６５，０１３号、英国特許第２，０９９
，６００ＡＸおよびその他に記載されている。

本発明の好ましい実施におけるブロッキング層１４は水
素および窒素がスと共にケイ素またはシラン化合物例え
ばＳ　ｉＨ４，５ｉＨ３Ｂｒ　、　５ｉＨ３Ｃ，Ｌ。

５Ｌ２Ｈ６等を使用して基体１２に適用されたケイ素：
窒素：水素アロイである。グロー放電、イオンデレーテ
ィング、スパッタリング等も含めてさまざまな公刊の付
着技術が使用できるが、本発明の実施には反応性スパッ
タリングが好ましい方法である。好ましい絶縁性ブロッ
キング層１８は亜酸化ケイ素（８ｉ０）（但し、Ｘは２
未満である）であり、それは溶融シリカまたは結晶形態
の石英を使用して製造してもよい。好ましい付着方法は
電子ビーム蒸着である。

光導電層１６は有機または煙機タイプどちらかの光導電
性材料またはその混合物の連続フィルム形態または粒状
バインダー形態のどちらから構成されていてもよい。か
かる材料は多数天Ｏられており、例えば３ｅ、ＺｎＯ１
ｃａｓ　Ｘ５ｎ０２、ＴｉＯ２、ポリビニルカルバゾー
ル、トリニトロフルオレン−ポリビニルカルバ・ｔ−ル
等のような材料である。

特に有効な材料はマトリックスとしてのケイ素またはｒ
ルマニウム原子の少なくとも一方からなり、且つ水素（
梯または）・ロデン（Ｘｉ原子の少なくとも一方を含有
する無定形材料である。かかる材料としては水素化無定
形ケイ素（ａ−８λ：Ｉ（）、’〜ロｒン化無定形ケイ
素（ａ−８ｉ：Ｘ）、水素化無定形’ｒゲルマニウム　
ａ　−（）ｅ　’：　Ｈ）　ｍヨヒ’〜ロｒン化無定形
デルマニウム（ａ　−Ｇｅ　：　Ｘ　）並ヒに上記材料
の対応ケイ素−ゲルマニウムアロイカ挙げられる。ゲル
マニウムは可視スペクトルの近赤外領域に感する材料の
製造、に有効である。

本発明の実施に特に有効であること力を判明した材料は
水素化無定形ケイ素材料（ａ−３ｉ：Ｈ）テアル。この
タイプの材料は周知でアリ、イ＜ツかの米国特許例えば
第４，３７７，６２８号、第４，３６５，０１５号、第
４，３６５，０１３号、第４，２９７，３９２号、第４
，２６５，９９１号等およびその他文献に記載されてい
る。

このａ　−Ｓｉ材料中の水素はＳｌに結合したＨとして
又はイオン化してＳｌに弱く結合したＨとして又は格子
間Ｈ２として存在する。水素含有量は当業者に知られて
いるように、所望の光導電特性を得るために約５〜約５
０原子％で変動してもよい。好ましい製造方法はシラン
のＲＦグロー放電によるものであるが、スパッタリング
や化学蒸着のようなその他技術も周知であり有利に使用
できる。

ａ−８ｉ：Ｈを使用して製造される代表的な光導電性要
素は約肌５〜約５０μ、好ましくは約肌５〜約５μの範
囲の光導電層を用いる。この薄い層は亀裂および剥離に
対する耐性を有するが、この特性は可涜は基体上での使
用には欠くことができない。好ましい厄さは材料や用途
によって異なる。

例えば、有機光導電体は一般に無機タイプよりも可撓性
であるので、もつと厚くても可撓性ベルト形聾での使用
に十分な可撓性を保有できる。一般に、可撓性とコスト
の点からできる限り層を薄くし、尚且つ、十分な受容電
位をもたらすことが望ましい。

上記の通り、本発明独自の特徴は光導電層１６とブロッ
キングＩ＠１４．１８との間に１層以上の空間電荷層２
２．２４を使用して光導電性要素の受容電位をブロッキ
ング層だけを使用して得られるものより向上せしめるこ
とである。

本発明の空間電荷層２２．２４はｎ−型およびｐ−型半
導電性材料からなる。これ等は周知の手法で無定形ケイ
素にｒ−デすることによって製造される。ｐ−型層はＳ
　ｉ　Ｈ４等のようなケイ素化合物とＢ２Ｈ６等のよう
なホウ素化合物との混合物を用いて製造されてもよい。

付着室（グロー放電付着が好ましい製造方法である）中
にケイ素およびホウ素化合物を導入するためにアルゴン
のような希釈ガスを使用してもよい。ホウ素ドーパント
の量は存在するがス状化合物の相対比によって容易に制
御され、そして必要な電気特性を付与するように選択さ
れる。Ｖ−パント量は一般に極めて低い、即ち、ｐｐｍ
の範囲である。ホウ素乞ドーパントとして使用する場合
の代表的なり／８．ｉ比は約１０−６〜１０−２の範囲
、好ましくは１０−５〜１０−３の範囲にある。ホウ素
以外の材料もドーパントとして適し、周期表第■族の要
素が挙げられる。

ドープトケイ素のｎ−型半導電性空間電荷層は８ｉＨ４
等のようなケイ素化合物とＰＨ３等のような燐化合物の
混合物を用いて製造できる。その化合物を付着室に導入
するためにアルゴンのような希釈ガスも使用される。燐
ドーパントの量は存在スるガス状化合物の相対比によっ
て容易に制御され、そして必要な電気特性を付与するよ
うに選択される。ｒ−パント量は一般に極めて低い、即
ちｐｐ！の範囲である。＃ンドーパントとして使用する
場合、代表的すＰｌ　Ｓｉ　比ハ約１０　’　〜１０−
２、好ましくは１０−５〜１０−３の範囲にある。燐以
外の材料もドーパンとして適し、周期表第Ｖ族から選択
された要素が掌げられる。

本発明の多層光導電性要素は周知のように電子写真方法
に使用されてもよい。例えば、＠２図に示された光導電
性要素のＩ＠１８の表面に高圧電源によって正または負
のコロナ乞適用してもよく、その間、要素は暗状態に保
たれる。この条件下で、空間電荷層２２および２４はブ
ロッキング層１４゜１８界面の電界を光導電層１６内の
電界よりも低いレベルに維持することができる。この効
果は第６図および第４図にグラフで示されているが、ブ
ロッキング層１４．１８および光導電層１６の６各の電
界の表示は任意の単竺で表わされており、一定のスケー
ルで表現されてはいない。第３図に明らかにされている
ように、本発明の空間電荷層２２．２４を使用する第２
歯の構造体はブロッキング層だけの使用で可能となるも
のよりも光導電層１６内の高い電界、従って表面１８で
の高い表面電位（「光導電層」曲線下の領域）の存在を
可能にする。即ち、光導電１６の電界はブロッキングＩ
ｄ　１４　、１８の絶縁破壊電界レベルＺ越す。

これとは対照的に、第１図に示された従来の要素は第４
図にグラフで示されているように低い電界、従って低い
表面電荷χもたらす。Ｃ当業者に十分理解されているよ
うに、ブロッキング層トの界面に於いて示された電界強
さの不連続性はブロッキング層材料と光導電性材料との
誘電率の差の結果である。〕 何ら特定の理論によって縛られることを望むものではな
いが、木発明者等は帯電電界が光導電性要素２ｏに印加
されたときに、移動電荷がｎ−型およびｐ−型Ｖ−デト
空間電荷層から一掃されることによって後に埋留電荷が
残ってｐ−型層には負の空間電荷がそしてｎ−型層には
正の空間電荷が生ずるものと考えている。それから、こ
れ等空間電荷層２２．２４は光導電層１６、との界面に
於いてはブロッキング層１４および１８との界面に存在
する電界よりも高い電界をもたらす。これ等空間電荷「
緩衝」層２２，２４はブロッキング層１４．１８だけで
耐えることができる電界よりも高い電界が光導電層に存
在することを可能にする。

従って、本発明は受容電位がブロッキング層の特性によ
って制御されるのではなく具体的光導電層における絶縁
破壊電界によって制御される光導電性要素を提供する。

第２図に示されている５層構造の他に、５１−よ効であ
る。従って、いくつかの有機光導電性材料例九ばポリビ
ニルカルバを戸−ルは一方の符号の電荷のみを輸送する
ので、一方向の電荷担体の流れを阻止することだけが必
要である。さらに、ブロッキング層および空間電荷層は
電荷注入が木来起らない界面または表面では必要ない。

本発明をさらに次の実施例によって説明する。

実施例１ 第２図に示されているものに似た光導電性要素を次のよ
うに製造した： ステンレス鋼基体を普通の有機溶剤系で処理することに
よって清浄し、次いで蒸留水で洗浄し、そして窒素のジ
ェットで乾燥した。０．０７ｍｍ厚さで５ｃｒｆＬ×５
ｃｒｎ辺の基体部分なＲＦダイオ−Ｖスパッタリング装
置の付着室内の固定位置に置いた。

窒素と水素の雰囲気下で純８ｉターダツトを使用する反
応性スパッタリングによってケイ素：窒素：水素ブロッ
キング層を付着せしめた。窒素約５ミリトルと酸素約１
ミリトルの分圧を維持した。

直径約２０ｃＩｒＬのターデッドに約５００ワツトのＲ
Ｆパワーを印加することによって約１３００ボルトのタ
ーゲット電圧が発現・した。ステンレス鋼基体に約２５
ボルトのバイアス電圧を印加した。

約２Ａ／秒の付着速度が達成され、ケイ素：窒素：水素
のブロッキング層を約０．０５μの厚さに付着させた。

それから、２３ｃＩＩＬ直径電極を有する容量結合ＲＦ
グロー放電を利用するグロー放電方式によってｐ−型半
導電性空間電荷層をケイ素：窒素：水素ブロッキング層
の上に付着させた。シラン（ＳｉＨ４）、ジボラン（Ｂ
２Ｈ６）およびアルゴン（希釈がスとして）の混合ガス
を付着室中に導入した。ＳｉＨ４対アルインの比はＳ　
ｉＨ４約１重量部対アルゴン９重量部であった。Ｂ２Ｈ
，の容量濃度はＳｉＨ４含有量に対して約５５０　ｐｐ
ｍであった。上記ガスを総質量流速約３０標鵠ｃｍ３／
秒で導入する間、系背景操作圧を約０．１トルに保った
。基体は約’２’５０°Ｃの温度に保った。約１ｏワツ
トのＲＦパワーレベルで約ＩＡ／秒の付着速度が達成さ
れ、ホウ素ｒ−デト無定形Ｓｉの空間電荷層を約ｏ、２
７μの厚さに付着させた。

それから、がス混合物からＢ２Ｈ６を除いた以外はホウ
素ドープトａ　−Ｓｉ層について記載したと同じ付着系
および条件を使用して非ドープト光導電性ａ　−Ｓｉ　
：　Ｈ層をホウ素ドープトａ　−８ｉ層の上に付着させ
た。このａ−３ｉ：Ｈ層は約０．９μの厚さに付着され
た。

次に、ｐ−型半導電性空間電荷層の生成で使用したよう
な付着システムおよび条件を再度使用してｎ−型半導電
性空間電荷層を光導電性ａ−８ｉ：Ｈ層の上に付着させ
た。ｐ−型層の生成に使用したＢ２Ｈ６の代りにＰＨ３
で置き換えて燐をガヌ混合物に導入した。ＰＨ３の容量
濃度はＳｉＨ４含有量に対シて約８００　ｐｐｍであっ
た。このｎ−型半導電件空間電荷＠は約０．２μの厚さ
に付着された。

次いで、亜酸化ケイ素ＳλＯＸブロッキング層をｎ−型
半導電性空間電荷層の上に付着させた。結晶石英ターデ
ッドを用いて約２Ｘ１０””’）ルの背景圧で操作しな
がら５ｉｎｘ＠を付着させるために電子ビーム源付きパ
ルデーズ（モデル＋７１０）蒸着システムを使用した。

約５Ａ／秒σ）付着速度が達成され、約０．０９μ庫の
８１０Ｘ層を生成した。

この光導電体アセンブリーをＥＬＳｋｖｔ位のコロナで
６秒間帯電した。帯電後６秒経過したアセンブリーの表
面電圧は４７ボルトであった。第３図はこのサンプルを
用いて得られた期待された電界分布を表わしている。第
６図におけるグラフの数字１２，１４，１６．１８．２
２および２４で指定された領域は第２図に示されている
光導電性要素の対応層の電界を表わしている。このアセ
ンブリーは光源で放鴫できたので、゛電子写真用光導電
体要素として有効な特性を有することが判った。

実施例２ 第１図に例示されているような従来の光導電性要素は、
第２図のｐ−型およびｎ−型半導電性空間電荷層２２．
２４を除いた以外は実施例１のように製造された。

実施例１のようＶＣ帯電したとき、帯電後６秒してから
測定した表面電位はたったの１７ボルトであった。第４
図はこのサンプルによって得られた期待された電界分布
を表おして（・る。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図はそれぞれ、従来および本発明の光
導電体アセンブリーの概略断面図である。 第６図および第４図は本発明の空間電荷層を有スル光導
電体アセンブリーとかカ・る空間電荷層を有さ′ないア
センブリーとの電界分布比較を示すグラフである。 代理人　浅　村　皓

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性支持基体（１２）および該基体によって支
   持された光導電層〔１６〕からなる光導電性要素（１０
   ）であって該要素に印加された表面電荷の結果として光
   導電層〔１６〕の方へ引きつけられる電荷担体の流れを
   抑制するためにブロッキング層（１４、１Ｂ）が該光導
   電層（１６）の少なくとも１方の主表面に隣接して設け
   られている光導電性要素において、 該ブロッキング層手段（１４，１８）と該光導電層〔１
   ６〕との間に空間電荷層（２２，２４）が介在しており
   、該空間電荷層（２２，２４）はｎ−型およびｐ−型半
   導電性材料からなる群から選択された半導電性材料から
   なり、該光導電層（１６）と該ブロッキング層（１４，
   １８）との間の空間電荷層（２２，２４）は該光導電性
   要素（１ｏ）の帯電時に該空間電荷層（２２，２４）と
   該光導電体（１６）との界面の電界が該空間電荷層（２
   ２゜２４）と該ブロッキング層（１４，１８）との界面
   の電界よりも高くなるように選択されていることを特徴
   とする改善された光導電性要素。
2. （２）該光導罵性鳴は該光導電層の各主表面に隣接した
   ２層のブロッキング層を有し、セして該光導電層と該ブ
   ロッキング層との間に空間電荷層が介在している、特許
   請求の範囲第１項の光導電性要素。
3. （３）′該半導電性材料はケイ素およびｒルマニウム原
   子からなる群から選択された原子マトリックス欠有し且
   つ水素またはハロゲン原子の少なくとも一方を含有する
   材料である、特許請求の範囲第１項の光導電性要素。
4. （４）該半導電性材料は周期表の第１１１族および第■
   族の元素からなる群から選択された材料をＰ−デされて
   いる、特許請求の範囲第３項の光導電性要素。
5. （５）該ｎ−型空間電荷層は燐Ｐ−デト無定形ケイ素：
   水素アロイである、特許請求の範囲第４項の光導電性要
   素。
6. （６）該ｐ−型空間電荷層はホウ素ドープト無定形ケイ
   素：ハロゲンアロイである、特許請求の範囲第４項の光
   導電性要素。
7. （７）該光導電層は有機光導電体および無機光導電体お
   よびそれ等混合物からなる群から選択される、特許請求
   の範囲第１項の光導電性要素。
8. （８）該光導電層はハロゲン化無定形ケイ素からなる、
   特許請求の範囲第７項の光導電性要素。
9. （９）砂光導電＠は約０．５〜約５μの厚さを有する、
   特許請求の範囲第８項の光導電性要素。 （１υ　該要素は連続可撓性ベルトである、特許請求の
   範囲第１項の光導電性要素。 （１１１特許請求の範囲第１項の光導電性要素を有する
   電子写真装置。