JPS60227341A - 撮像管の光導電タ−ゲツト - Google Patents
撮像管の光導電タ−ゲツトInfo
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- JPS60227341A JPS60227341A JP59081984A JP8198484A JPS60227341A JP S60227341 A JPS60227341 A JP S60227341A JP 59081984 A JP59081984 A JP 59081984A JP 8198484 A JP8198484 A JP 8198484A JP S60227341 A JPS60227341 A JP S60227341A
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- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
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- H01J29/39—Charge-storage screens
- H01J29/45—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen
- H01J29/451—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen with photosensitive junctions
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はビジコン形撮像管の光導電ターゲット、とくに
可視光領域に高い光電変換感度をもち残像特性のよいタ
ーゲットの改良に関する。
可視光領域に高い光電変換感度をもち残像特性のよいタ
ーゲットの改良に関する。
（発明の技術的背景およびその問題点）ビジコン形撮像
管の光導電ターゲットの材料としては、これまでよく知
られるように、Ｓｂ２Ｓ３、Ｐｂ Ｏ，Ｓｉ 、Ｓｅ
−Ｔｅ−ＡＳ系、Ｚｎ ３ｅ −Ｚｎ （、ｒ！ Ｔｅ
系、Ｃｄ Ｓｅ −Ｃｄ Ｓｅ ０３−Ａｓ２Ｓ ｅｏ
７，４などの材料が用いられている。これらのうら、Ｐ
ｂＯや３ｅ−”１ｅ−Ａｓを主成分とする光導電ターゲ
ットは、感度が比較的低いものの暗電流が小さく、応答
速度が速い利点を有しており、主としてカラー撮像の用
途に使用されている。またＺｎ Ｓｅ −Ｚｎ Ｃｄ
Ｔｅ系、あるいはＣｄ Ｓｅを用いたターゲットは、可
視光領域において量子効率が略１に近く、残像特性、す
なわち応答速度が上記ＰｂＯ等のターゲットに比べてや
）遅い・傾向がある反面、約１０倍の高感度を有してい
る。
管の光導電ターゲットの材料としては、これまでよく知
られるように、Ｓｂ２Ｓ３、Ｐｂ Ｏ，Ｓｉ 、Ｓｅ
−Ｔｅ−ＡＳ系、Ｚｎ ３ｅ −Ｚｎ （、ｒ！ Ｔｅ
系、Ｃｄ Ｓｅ −Ｃｄ Ｓｅ ０３−Ａｓ２Ｓ ｅｏ
７，４などの材料が用いられている。これらのうら、Ｐ
ｂＯや３ｅ−”１ｅ−Ａｓを主成分とする光導電ターゲ
ットは、感度が比較的低いものの暗電流が小さく、応答
速度が速い利点を有しており、主としてカラー撮像の用
途に使用されている。またＺｎ Ｓｅ −Ｚｎ Ｃｄ
Ｔｅ系、あるいはＣｄ Ｓｅを用いたターゲットは、可
視光領域において量子効率が略１に近く、残像特性、す
なわち応答速度が上記ＰｂＯ等のターゲットに比べてや
）遅い・傾向がある反面、約１０倍の高感度を有してい
る。
本発明者らは先に、可視光のみならず赤外光領域にも高
感度を有し低暗電流特性をもつ光導電ターゲットを提案
した。それは光導電層としてＣｄ Ｔｅ （＋−Ｘ）
Ｓ１３ （Ｘ） （ここで（Ｘ）は０．３〜０．５）を
主成分とする材料を用い、この腑の厚さを例えば１．５
μ和というように相当厚く形成し、その上にＡ ｓ２Ｓ
ｅ３無定形半導体高抵抗層を比較的薄く例えば１．５
μｍの厚さに形成したターゲット層を使用したものであ
る。これは上述のようにとくに赤外領域まで著しく高い
感度を有するがＰｂＯ膜等に比べてや）残像特性が劣っ
ている。
感度を有し低暗電流特性をもつ光導電ターゲットを提案
した。それは光導電層としてＣｄ Ｔｅ （＋−Ｘ）
Ｓ１３ （Ｘ） （ここで（Ｘ）は０．３〜０．５）を
主成分とする材料を用い、この腑の厚さを例えば１．５
μ和というように相当厚く形成し、その上にＡ ｓ２Ｓ
ｅ３無定形半導体高抵抗層を比較的薄く例えば１．５
μｍの厚さに形成したターゲット層を使用したものであ
る。これは上述のようにとくに赤外領域まで著しく高い
感度を有するがＰｂＯ膜等に比べてや）残像特性が劣っ
ている。
本発明は以上の問題点を解決し、可視光領域で実用上満
足できる光感度および暗電流特性を有しながらとくに残
像特性のよい即ち応答速度の速い撮像管の光導電ターゲ
ットを提供するものである。
足できる光感度および暗電流特性を有しながらとくに残
像特性のよい即ち応答速度の速い撮像管の光導電ターゲ
ットを提供するものである。
本発明は、透光性の導電層上に被着されたカドミウム（
Ｃｄ）、テルル（１−ｅ）、およびセレン（Ｓｅ ）を
主成分とする（Ｃｄ ｌ−ｅ （１−Ｘ） Ｓｅ （Ｘ
））からなる光導電層と、この光導電層上に被着され比
抵抗が１０１２乃至１０１？Ωｃｍの範囲の値を有する
高抵抗層とを含む撮像管の光導電ターゲットにおいて・
上記（Ｃｄ Ｔｅ （１−Ｘ） Ｓｅ （Ｘ））を主成
分とする光導電層の膜厚が１，０００人を越え１０，０
００Å以下の範囲に設定されており、且つ高抵抗層の膜
厚が２μｍ以上、１０μｍ以下であることを特徴とする
撮像管の光導電ターゲットである。
Ｃｄ）、テルル（１−ｅ）、およびセレン（Ｓｅ ）を
主成分とする（Ｃｄ ｌ−ｅ （１−Ｘ） Ｓｅ （Ｘ
））からなる光導電層と、この光導電層上に被着され比
抵抗が１０１２乃至１０１？Ωｃｍの範囲の値を有する
高抵抗層とを含む撮像管の光導電ターゲットにおいて・
上記（Ｃｄ Ｔｅ （１−Ｘ） Ｓｅ （Ｘ））を主成
分とする光導電層の膜厚が１，０００人を越え１０，０
００Å以下の範囲に設定されており、且つ高抵抗層の膜
厚が２μｍ以上、１０μｍ以下であることを特徴とする
撮像管の光導電ターゲットである。
また上記Ｃｄ Ｔｅ （１−Ｘ） Ｓｅ （Ｘ）からな
る光導電層はその［ｅとＳｅとのモル比の（Ｘ）の値が
、０．３以上、０．９以上の範囲内の値であることを特
徴とするターゲットである。
る光導電層はその［ｅとＳｅとのモル比の（Ｘ）の値が
、０．３以上、０．９以上の範囲内の値であることを特
徴とするターゲットである。
以下、図面を参照してその実施例を説明する。
本発明の光導電ターゲットは、第１図に示すようにガラ
スフェースプレートのような透光性基板（１１）の上に
直接又は色フィルタ膜のような他の透光性膜を介してネ
サ即ち透光性導電層（１２）が被着され、この上に光導
電層（１３）が厚さ１，０００人を越え１０，０００人
未満、例えば５，０００人の厚さで被着されてなる。そ
してこの上にＡｓ−８ｅ系無定形半導体高抵抗層（１４
）が被着され、さらにその上ｋｍｓｂ２ｓ３ ＩＩ （
１５） カ約ｉ、ｏｏｏ人（１）厚す”’Ｃ−被肴８れ
ている。高抵抗層（１４）の厚さは、２μｍ乃至１０μ
ｍの範囲内の厚さで、−例として４μｍの厚さに設定さ
れる。
スフェースプレートのような透光性基板（１１）の上に
直接又は色フィルタ膜のような他の透光性膜を介してネ
サ即ち透光性導電層（１２）が被着され、この上に光導
電層（１３）が厚さ１，０００人を越え１０，０００人
未満、例えば５，０００人の厚さで被着されてなる。そ
してこの上にＡｓ−８ｅ系無定形半導体高抵抗層（１４
）が被着され、さらにその上ｋｍｓｂ２ｓ３ ＩＩ （
１５） カ約ｉ、ｏｏｏ人（１）厚す”’Ｃ−被肴８れ
ている。高抵抗層（１４）の厚さは、２μｍ乃至１０μ
ｍの範囲内の厚さで、−例として４μｍの厚さに設定さ
れる。
このターゲットで光電変換の機能をもつ光導電層（１４
）は、Ｃｄ Ｔｅ （ｊ−Ｘ） Ｓｅ （Ｘ）であられ
される構成のうち、１ｅとＳｅとのモル比は（Ｘ）の値
が、０．３以上、０．９以下の範囲内となるようにする
。
）は、Ｃｄ Ｔｅ （ｊ−Ｘ） Ｓｅ （Ｘ）であられ
される構成のうち、１ｅとＳｅとのモル比は（Ｘ）の値
が、０．３以上、０．９以下の範囲内となるようにする
。
つまりＣｄ Ｔｅ （１−Ｘ） ３ｅ （Ｘ）のＣｄが
１に対しｃｌＴｅは０．７〜０．１の範囲、Ｓｅは０．
３〜０．９の範囲内の値に選んである。−例としては（
Ｘ）−０，４に選ぶ。
１に対しｃｌＴｅは０．７〜０．１の範囲、Ｓｅは０．
３〜０．９の範囲内の値に選んである。−例としては（
Ｘ）−０，４に選ぶ。
次に好ましい製造方法について述べる。
まず透光性基板（１１）上に透光性導電層（１２）を被
着する。そしてこの導電層（１２）の上に、基板温度を
１００℃〜４００℃の範囲内の温度に保ちながら、０．
０１〜１７ｏｒｒの範囲内の圧力のアルゴン（Ａｒ ）
ガス雰囲気中でＣｄ ＴｅとＣｄ Ｓｅを蒸着する。こ
の蒸着に当っては、Ｃｄ Ｔｅ粉末とＣｄ Ｓｅ粉末と
を所定モル比で混合し熱処理して固溶材料としたものを
蒸発用るつぼに入れて蒸着してもよい。あるいはまた、
Ｃｄ ＴｅとＣｄ Ｓｅを別々の蒸発源に入れるか、若
しくはｃｄ 、 Ｔｅ 。
着する。そしてこの導電層（１２）の上に、基板温度を
１００℃〜４００℃の範囲内の温度に保ちながら、０．
０１〜１７ｏｒｒの範囲内の圧力のアルゴン（Ａｒ ）
ガス雰囲気中でＣｄ ＴｅとＣｄ Ｓｅを蒸着する。こ
の蒸着に当っては、Ｃｄ Ｔｅ粉末とＣｄ Ｓｅ粉末と
を所定モル比で混合し熱処理して固溶材料としたものを
蒸発用るつぼに入れて蒸着してもよい。あるいはまた、
Ｃｄ ＴｅとＣｄ Ｓｅを別々の蒸発源に入れるか、若
しくはｃｄ 、 Ｔｅ 。
Ｓｅを各々別々の蒸発源に容れて、同時蒸着又は循環的
に積層するようにして蒸着してもよい。そして前述のよ
うな成分比となるようにする。
に積層するようにして蒸着してもよい。そして前述のよ
うな成分比となるようにする。
こうして光導電層（１３）を例えば約５，０００人の厚
さに形成し、ひき続いてこれをテルル（Ｔｅ）蒸気を含
む窒素（Ｎ２）のような不活性ガス雰囲気中で、５００
℃〜７００℃の範囲の温度で例えば２０分間熱処理によ
り焼結を行なう。次いで、この焼結されたＣ ｄ Ｔ
ｅ （＋−Ｘ） Ｓ ｅ （Ｘ）の光導電層（１３）上
に、Ａｓ−３ｅ系で例えばＡＳがモル比０．１、Ｓｅが
０．９の無定形半導体からなる高抵抗層（１４）を前記
光導電層（１３）の厚さよりも十分厚くたとえば４μｍ
の厚さに蒸着し、さらにその上にＳｂ２Ｓ３層（１５）
を約１０００人の厚さで形成して０、これら複合層から
なる光導電ターゲットを得る。
さに形成し、ひき続いてこれをテルル（Ｔｅ）蒸気を含
む窒素（Ｎ２）のような不活性ガス雰囲気中で、５００
℃〜７００℃の範囲の温度で例えば２０分間熱処理によ
り焼結を行なう。次いで、この焼結されたＣ ｄ Ｔ
ｅ （＋−Ｘ） Ｓ ｅ （Ｘ）の光導電層（１３）上
に、Ａｓ−３ｅ系で例えばＡＳがモル比０．１、Ｓｅが
０．９の無定形半導体からなる高抵抗層（１４）を前記
光導電層（１３）の厚さよりも十分厚くたとえば４μｍ
の厚さに蒸着し、さらにその上にＳｂ２Ｓ３層（１５）
を約１０００人の厚さで形成して０、これら複合層から
なる光導電ターゲットを得る。
本発明により得られる撮像管の光導電ターゲットの特性
について次に説明する。
について次に説明する。
光ｍ温度が２８５６’）Ｃの標準光源によりターゲット
面照麿を１ルクスとした時の信号電流である所謂白色光
感度は、比較例のターゲットすなわち前述の本発明者ら
による先の提案によるターゲットに比べて可視光領域で
の感度では略同等の特性が得られた。光導電層（１３）
の膜ルの制御に対する光電変換感度の変化は、第２図に
示すように膜厚（１）が薄くなるに従って感度低下が赤
外領域で大きいが可視光領域では比較的少ない。特に膜
厚の低減に対して波長の短い領域では感度低下が少なく
、実用上満足できる特性が得られる。しかし、１．００
０Å以下の厚さでは波長の短い青領域で著しい感度低下
が生じるので好ましくない。
面照麿を１ルクスとした時の信号電流である所謂白色光
感度は、比較例のターゲットすなわち前述の本発明者ら
による先の提案によるターゲットに比べて可視光領域で
の感度では略同等の特性が得られた。光導電層（１３）
の膜ルの制御に対する光電変換感度の変化は、第２図に
示すように膜厚（１）が薄くなるに従って感度低下が赤
外領域で大きいが可視光領域では比較的少ない。特に膜
厚の低減に対して波長の短い領域では感度低下が少なく
、実用上満足できる特性が得られる。しかし、１．００
０Å以下の厚さでは波長の短い青領域で著しい感度低下
が生じるので好ましくない。
また暗電流特性は、ターゲット温度が２５℃において、
比較例が２ ｎＡであるのに対しは望同等の値となった
。
比較例が２ ｎＡであるのに対しは望同等の値となった
。
さらに画面上のキズ発生電圧（Ｅｓｊｌ）および焼付き
の消える焼付消滅電圧（Ｅｓｊ２）の特性は、第３図に
示すように光導電層（１３）の厚さが１．０００人乃至
１０ 、０００人の範囲の厚さにおいて両持・性とも満
足できる厚さであることがわかった。つまりこの範囲で
あるとターゲット動作電圧が幾分変動しても画質特性の
劣化がほとんどなく、実用上満足な特性が得られる。
の消える焼付消滅電圧（Ｅｓｊ２）の特性は、第３図に
示すように光導電層（１３）の厚さが１．０００人乃至
１０ 、０００人の範囲の厚さにおいて両持・性とも満
足できる厚さであることがわかった。つまりこの範囲で
あるとターゲット動作電圧が幾分変動しても画質特性の
劣化がほとんどなく、実用上満足な特性が得られる。
次に高抵抗層（１４）の膜厚と特性の関係について説明
する。
する。
高抵抗層（１４）は光導電層（１３−）への電子の流れ
込みを制御する電荷蓄積機能を維持するものであり、そ
の暗比抵抗は、１０１２０ｃＩｌ１以上、１０１１Ωｃ
ＩＩｌ以Ｆであることが必要である。例えばこの層が１
０１２Ωｃｍの比抵抗をもつＡ ｓ２ｓ ｅ３の膜を使
用した場合の例を説明する。この層の膜厚を変えた場合
の残像特性は第４図に示すように、膜厚が厚くなるにし
たがって容量性残像が減少し、厚さが３μｍで残像が５
％程度となる。これ以上に膜厚を増加しても残像特性は
あまり向上せず、逆に解像度の低下が認められる。この
高抵抗層（１４）は比抵抗が高く、しかも比誘電率が小
さい材料が望ましい。ＡＳ−３ｅ系無定形半導体の高抵
抗層（１４）の比抵抗および比誘電率は第５図および第
６図に示すようにＡｓ濃度を適当に制゛御することによ
り好ましい範囲に設定することができる。
込みを制御する電荷蓄積機能を維持するものであり、そ
の暗比抵抗は、１０１２０ｃＩｌ１以上、１０１１Ωｃ
ＩＩｌ以Ｆであることが必要である。例えばこの層が１
０１２Ωｃｍの比抵抗をもつＡ ｓ２ｓ ｅ３の膜を使
用した場合の例を説明する。この層の膜厚を変えた場合
の残像特性は第４図に示すように、膜厚が厚くなるにし
たがって容量性残像が減少し、厚さが３μｍで残像が５
％程度となる。これ以上に膜厚を増加しても残像特性は
あまり向上せず、逆に解像度の低下が認められる。この
高抵抗層（１４）は比抵抗が高く、しかも比誘電率が小
さい材料が望ましい。ＡＳ−３ｅ系無定形半導体の高抵
抗層（１４）の比抵抗および比誘電率は第５図および第
６図に示すようにＡｓ濃度を適当に制゛御することによ
り好ましい範囲に設定することができる。
これらの図から明らかなようにＡ３１１度を３％〜４０
％の範囲に設定することにより比抵抗を１０１２〜１０
１１ΩＣ１１１の範囲に、また比誘電率を７．２〜１０
．５程度の値にすることができ、上述の如く望ましい特
性を得ることができる。
％の範囲に設定することにより比抵抗を１０１２〜１０
１１ΩＣ１１１の範囲に、また比誘電率を７．２〜１０
．５程度の値にすることができ、上述の如く望ましい特
性を得ることができる。
また高抵抗層（１４）の膜厚と残像特性との関係は、光
導電層（１３）の膜厚が５，０００人で、高抵抗層（１
４）のモル比がＡＳ＝０．１．５ｅ＝０．９で、その膜
厚を変えた場合の残像特性の変化を第７図に示す。同図
からこの高抵抗層の膜厚が約２．０μｍ以上であれば残
像特性は５％程度以下の望ましい特性に維持できる。ま
たその上限はターゲット動作電圧が高くなり過ぎないよ
うにするために実用上１０μｍ程度である。なおこの高
抵抗層（１４）のＡｓ濃度を１０％からさらに下げると
無定形質から結晶質に変化する結晶化温度が急激に低下
してしまう。例えばＡｓ濃度が１％以下では９０℃程度
で結晶化してしまうので、撮像管の製造工程での熱環境
を考慮に入れると、Ａ３１度は３％がド限である。
導電層（１３）の膜厚が５，０００人で、高抵抗層（１
４）のモル比がＡＳ＝０．１．５ｅ＝０．９で、その膜
厚を変えた場合の残像特性の変化を第７図に示す。同図
からこの高抵抗層の膜厚が約２．０μｍ以上であれば残
像特性は５％程度以下の望ましい特性に維持できる。ま
たその上限はターゲット動作電圧が高くなり過ぎないよ
うにするために実用上１０μｍ程度である。なおこの高
抵抗層（１４）のＡｓ濃度を１０％からさらに下げると
無定形質から結晶質に変化する結晶化温度が急激に低下
してしまう。例えばＡｓ濃度が１％以下では９０℃程度
で結晶化してしまうので、撮像管の製造工程での熱環境
を考慮に入れると、Ａ３１度は３％がド限である。
次に、光導電層（１３）の１ｅとＳｅとのモル比、およ
び膜厚に関して説明する。
び膜厚に関して説明する。
このＣｄ １ ｅ （＋−Ｘ） Ｓ ｅｘＭｉｌ ハ、
透光性４ｉ１層１：基板温度を１００〜４００℃で、真
空中又は不活性ガス或いは酸素を含む不活性ガス雰囲気
中で蒸着し、その後温度５００〜７００℃で焼結して形
成する。焼結条件が一定であれば、この膜厚が厚くなる
ほど焼結が不足する結果、焼付消滅電圧が上昇し暗電流
が増加してしまう。また同様に組成比の（Ｘ）の値が増
加するほどやはり焼結が不足し同様の特性傾向がある。
透光性４ｉ１層１：基板温度を１００〜４００℃で、真
空中又は不活性ガス或いは酸素を含む不活性ガス雰囲気
中で蒸着し、その後温度５００〜７００℃で焼結して形
成する。焼結条件が一定であれば、この膜厚が厚くなる
ほど焼結が不足する結果、焼付消滅電圧が上昇し暗電流
が増加してしまう。また同様に組成比の（Ｘ）の値が増
加するほどやはり焼結が不足し同様の特性傾向がある。
逆に膜厚が薄過ぎ、あるいは（Ｘ）の値が０．３以下と
いうＴｅ含有量が多くなるほど、焼結が過度になり、ま
た膜の比抵抗が低下し、暗電流が増加する。そこで本発
明者らは、組成比の（Ｘ）の値が大きい場合は膜厚を薄
くすることにより一定の焼結条件でも良好な特性を再現
しうろことを見いだした。例えば（Ｘ）の値が０．８の
場合、膜厚を６ 、０００Å以下にとどめれば実用上満
足な特性が得られることが確認できた。
いうＴｅ含有量が多くなるほど、焼結が過度になり、ま
た膜の比抵抗が低下し、暗電流が増加する。そこで本発
明者らは、組成比の（Ｘ）の値が大きい場合は膜厚を薄
くすることにより一定の焼結条件でも良好な特性を再現
しうろことを見いだした。例えば（Ｘ）の値が０．８の
場合、膜厚を６ 、０００Å以下にとどめれば実用上満
足な特性が得られることが確認できた。
そして良好な特性を示すこの光導電層（１３）の結晶状
態は、平均粒径が０．２〜１μｍ程度のものが主体とな
っている場合であることが確認できた。焼結が不足して
いる場合は結晶成長が少なく粒径が小さいものが主体と
なって感度が低く、暗電流が大きくなる。逆に焼結が過
度であると満足な特性が得られない。このような事情か
ら、この膜厚はｉ、ｏｏｏ人を越え、１０，０００人未
満の範囲内の厚さが望ましく、又組成比の（Ｘ）の値は
０．３以上、０．９以下の範囲内の値に設定するのが望
ましい。
態は、平均粒径が０．２〜１μｍ程度のものが主体とな
っている場合であることが確認できた。焼結が不足して
いる場合は結晶成長が少なく粒径が小さいものが主体と
なって感度が低く、暗電流が大きくなる。逆に焼結が過
度であると満足な特性が得られない。このような事情か
ら、この膜厚はｉ、ｏｏｏ人を越え、１０，０００人未
満の範囲内の厚さが望ましく、又組成比の（Ｘ）の値は
０．３以上、０．９以下の範囲内の値に設定するのが望
ましい。
このように本発明による光導電ターゲットは、光感度、
暗電流特性を実用上満足できる特性としながらとくに残
像特性のよい即ち応答速度の速い特性を示すことが確認
できた。
暗電流特性を実用上満足できる特性としながらとくに残
像特性のよい即ち応答速度の速い特性を示すことが確認
できた。
第１図は本発明の実施例を示す概略縦断面図、第２図乃
至第７図は各々その特性図である。 （１１）・・透光性基機、（１２） ・・透光性導電層
、（１３） ・・光導電層、（１４）・・高低抗層。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （はが１名）第 １
図 第２図 波長（η匍− ｉ沖にメｑ舎のＭｌ（ｌｌｆｆＬ ） 第 ６ 図
至第７図は各々その特性図である。 （１１）・・透光性基機、（１２） ・・透光性導電層
、（１３） ・・光導電層、（１４）・・高低抗層。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （はが１名）第 １
図 第２図 波長（η匍− ｉ沖にメｑ舎のＭｌ（ｌｌｆｆＬ ） 第 ６ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） 透光性の基板と、この基根上に被着された透光
性導電層と、この導電層上に被着されたカドミウム（Ｃ
ｄ）、テルル（Ｔｅ ）およびセレン（Ｓｅ ）を主成
分とする Ｃｄ ’Ｔ ｅ （１−Ｘ） Ｓｅ （ｘ）からなる光
導電層と、この光導電層上に被着された高抵抗層とを含
む撮像管の光導電ターゲットにおいて、 上記（Ｃｄ Ｔｅ！ （１−Ｘ） Ｓｅ （Ｘ））から
なる光導電層の膜厚が１，０００人を越え１０，０００
人未満の範囲の厚さに設定されており、且つ上記高４抵
抗層の膜厚が２μｍ以上、１０μＭ以下であることを特
徴とする撮像管の光導電ターゲット。 ■ （Ｃｄ Ｔｅ （１−Ｘ） ３ｅ （Ｘ））からな
る光導電層は、そのＴｅと３ｅとのモル比の前記（Ｘ）
の値ット。 （３） 高抵抗層は、その比抵抗が１０１２ΩＣｌ１１
乃至１０１？Ωｃｈｉの範囲の値を有する特許請求の範
囲第１項記載の撮像管の光Ｉ！電ターゲット。 （４） 高抵抗層は、砒素（Ａｓ ）およびアンチモン
（Ｓｂ ）を主成分とするＡｓ−８ｅ系無定形半導体層
からなっている特許請求の範囲第１項又は第３項記載の
撮像管の光導電ターゲット。 （５） （Ｃｄ １ｅ （１−ｘ） ３ｅ （ｘ））か
らなる光導電層は、その結晶構造として粒径が０．２μ
ｍ以上、１μｍ以下の結晶粒子が多く存在することを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の撮像管の光導電タ
ーゲット。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59081984A JPS60227341A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 撮像管の光導電タ−ゲツト |
| EP85104873A EP0162310B1 (en) | 1984-04-25 | 1985-04-22 | Photoconductive target of the image pickup tube |
| DE8585104873T DE3565193D1 (en) | 1984-04-25 | 1985-04-22 | Photoconductive target of the image pickup tube |
| US06/726,316 US4608514A (en) | 1984-04-25 | 1985-04-23 | Photoconductive target of the image pickup tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59081984A JPS60227341A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 撮像管の光導電タ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60227341A true JPS60227341A (ja) | 1985-11-12 |
Family
ID=13761740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59081984A Pending JPS60227341A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 撮像管の光導電タ−ゲツト |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4608514A (ja) |
| EP (1) | EP0162310B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60227341A (ja) |
| DE (1) | DE3565193D1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2758906B1 (fr) * | 1997-01-29 | 2006-12-22 | Wu Zong Yan | Camera a tube tres rapide et sans flou |
| RU2145454C1 (ru) * | 1998-04-14 | 2000-02-10 | Государственное малое межотраслевое предприятие "Диаконт" | Мишень видикона |
| RU2273074C1 (ru) * | 2004-07-20 | 2006-03-27 | ОАО "Центральный научно-исследовательский институт "Электрон" | Мишень видикона |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU7731575A (en) * | 1974-01-18 | 1976-07-15 | Nat Patent Dev Corp | Heterojunction devices |
| JPS5118155A (en) * | 1974-08-03 | 1976-02-13 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Datsusuikitono anzensochi |
| JPS53107232A (en) * | 1977-03-02 | 1978-09-19 | Hitachi Ltd | Clear conductive electrode |
| JPS54150995A (en) * | 1978-05-19 | 1979-11-27 | Hitachi Ltd | Photo detector |
| JPS5685876A (en) * | 1979-12-14 | 1981-07-13 | Hitachi Ltd | Photoelectric converter |
| JPS56132750A (en) * | 1980-03-24 | 1981-10-17 | Hitachi Ltd | Photoelectric converter and manufacture |
| JPS56153782A (en) * | 1980-04-30 | 1981-11-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photoconductive thin-film for television camera tube using photosensitizer layer containing amorphous silicon |
| JPS57208041A (en) * | 1981-06-16 | 1982-12-21 | Toshiba Corp | Photoconductive target and its manufacture |
-
1984
- 1984-04-25 JP JP59081984A patent/JPS60227341A/ja active Pending
-
1985
- 1985-04-22 EP EP85104873A patent/EP0162310B1/en not_active Expired
- 1985-04-22 DE DE8585104873T patent/DE3565193D1/de not_active Expired
- 1985-04-23 US US06/726,316 patent/US4608514A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4608514A (en) | 1986-08-26 |
| EP0162310A1 (en) | 1985-11-27 |
| EP0162310B1 (en) | 1988-09-21 |
| DE3565193D1 (en) | 1988-10-27 |
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