JPH0151016B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0151016B2 JPH0151016B2 JP56092529A JP9252981A JPH0151016B2 JP H0151016 B2 JPH0151016 B2 JP H0151016B2 JP 56092529 A JP56092529 A JP 56092529A JP 9252981 A JP9252981 A JP 9252981A JP H0151016 B2 JPH0151016 B2 JP H0151016B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- sensitivity
- present
- vapor
- infrared
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/39—Charge-storage screens
- H01J29/45—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen
- H01J29/458—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen pyroelectrical targets; targets for infrared or ultraviolet or X-ray radiations
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は赤外域にも光感度を有するビジコン
形撮像管に使用して好適な光導電ターゲツトの製
造方法に関する。
形撮像管に使用して好適な光導電ターゲツトの製
造方法に関する。
既に、セレン化カドミウムの光導電ターゲツト
を用いたカルニコン（商品名）と呼ばれる撮像管
が、実用化されている。この撮像管においては、
セレン化カドミウム層上に三硫化砒素や三セレン
化砒素が形成されて複合ターゲツトを構成し、可
視光領域において量子効率がほぱ１に近い高感度
が得られ、白黒用からカラー用の撮像管として極
めて有用である。そして分光感度の長波長端は約
700nｍ附近であり、これより長波長の赤外領域
での感度は殆んどない。
を用いたカルニコン（商品名）と呼ばれる撮像管
が、実用化されている。この撮像管においては、
セレン化カドミウム層上に三硫化砒素や三セレン
化砒素が形成されて複合ターゲツトを構成し、可
視光領域において量子効率がほぱ１に近い高感度
が得られ、白黒用からカラー用の撮像管として極
めて有用である。そして分光感度の長波長端は約
700nｍ附近であり、これより長波長の赤外領域
での感度は殆んどない。
一般にカラー撮像においては、光導電ターゲツ
トが赤外部に感度を有すると、青、緑、赤の各チ
ヤンネルに赤外光により偽信号が発生し、人間が
感知している色とは異なつた色調の画像が得られ
てしまう。このためカラーTVカメラにおいては
生、入射光路に赤外カツトフイルターを設けて有
害な赤外光を除いている。従つて赤外感度が殆ど
無いカルニコンは、カラー用撮像管として適して
いる。
トが赤外部に感度を有すると、青、緑、赤の各チ
ヤンネルに赤外光により偽信号が発生し、人間が
感知している色とは異なつた色調の画像が得られ
てしまう。このためカラーTVカメラにおいては
生、入射光路に赤外カツトフイルターを設けて有
害な赤外光を除いている。従つて赤外感度が殆ど
無いカルニコンは、カラー用撮像管として適して
いる。
一方、白黒の撮像においては、可視光に対して
感度が高いことが必要であり、カルニコンの量子
効率がほぼ１に近い特性は望ましいものである。
しかし、可視部のみならず近赤外から赤外領域で
の光感度が白黒撮像に必要となる。白黒撮像の分
野は監視用ITVカメラが中心であり、例えば近
年高速道路のトンネル内監視などの低照度下にお
ける撮像においては、可視光が少なくなり赤外光
が相対的に多くなるので、カラー撮像で有害とな
つた赤外領域の高感度が要求される。従つて、低
照度での撮像を主とした白黒監視用ITVカメラ
の撮像管の光導電ターゲツトは、赤外感度が望ま
れる。
感度が高いことが必要であり、カルニコンの量子
効率がほぼ１に近い特性は望ましいものである。
しかし、可視部のみならず近赤外から赤外領域で
の光感度が白黒撮像に必要となる。白黒撮像の分
野は監視用ITVカメラが中心であり、例えば近
年高速道路のトンネル内監視などの低照度下にお
ける撮像においては、可視光が少なくなり赤外光
が相対的に多くなるので、カラー撮像で有害とな
つた赤外領域の高感度が要求される。従つて、低
照度での撮像を主とした白黒監視用ITVカメラ
の撮像管の光導電ターゲツトは、赤外感度が望ま
れる。
この発明は上記事情に鑑みなされたもので、赤
外感度を有する高感度の光導電ターゲツトの製造
方法を提供することを目的とする。
外感度を有する高感度の光導電ターゲツトの製造
方法を提供することを目的とする。
以下、図面を参照してこの発明により製造され
た一実施例を詳細に説明する。この発明の光導電
ターゲツトは図示のように構成され、ガラス板
（フエースプレート）のような光透過性基板１の
一面に透明導電膜２が形成されている。この透明
導電膜２上には、光導電体層３が形成されてい
る。この光導電体層３は、後述のように−族
化合物の複数種の混合物の蒸着膜をテルルあるい
はテルルと酸素を含む不活性ガス雰囲気中で400
〜700℃にて熱処理して形成したものである。こ
のような光導電体層３上には、高抵抗材料層４が
形成されている。尚、基板１上に順次積層形成さ
れた透明導電膜２、光導電体層３、高抵抗材料層
４が、いわゆる複合ターゲツト５である。
た一実施例を詳細に説明する。この発明の光導電
ターゲツトは図示のように構成され、ガラス板
（フエースプレート）のような光透過性基板１の
一面に透明導電膜２が形成されている。この透明
導電膜２上には、光導電体層３が形成されてい
る。この光導電体層３は、後述のように−族
化合物の複数種の混合物の蒸着膜をテルルあるい
はテルルと酸素を含む不活性ガス雰囲気中で400
〜700℃にて熱処理して形成したものである。こ
のような光導電体層３上には、高抵抗材料層４が
形成されている。尚、基板１上に順次積層形成さ
れた透明導電膜２、光導電体層３、高抵抗材料層
４が、いわゆる複合ターゲツト５である。
次に上記構成の光導電ターゲツトの製造方法に
ついて述べる。先ず、ガラス板（フエースプレー
ト）のような光透過性基板１の上に、通常の方法
で透明導電膜２を形成する。次いで、この透明導
電膜２の上にセレン化カドミウムとテルル化カド
ミウムの混合物層を例えば1.2μｍ装着する。この
蒸着方法は、例えばCdSeに対してCdTeをモル比
（ｘとする）で0.2＜ｘ＜0.9で混合した材料ある
いはこのモル比で固溶体にしたものを一つの蒸発
源で蒸着する。この蒸着においては、窒素やアル
ゴンなどの不活性ガスあるいは酸素を含んだ不活
性ガスを蒸着雰囲気とするのが適当である。又
は、基板温度は100℃．から400℃．の適当な温度
に保つた状態で蒸着するとよい。蒸着後、光感度
増感のため、アルゴンや窒素などの不活性ガスを
主成分とし、テルル蒸気を含む雰囲気中にて、
400℃．〜700℃．の適当な温度、例えば600℃．
にて15分の焼結処理を行ない、セレン化カドミウ
ム・テルル化カドミウム混合焼結膜を形成する。
この処理において、酸素ガスを適量存在せしめて
もよい。但し、多量に酸素を入れると、TeO2、
TeO3やCdTeO3が光導電体層３に形成され、黒
い微少な点となつて撮像画面に表われ、画質を劣
化させるので注意が必要である。この光導電体層
３上に従来のセレン化カドミウム複合ターゲツト
と同じく厚さ例えば0.4μｍの三硫化砒素や例えば
1.5μｍの厚さの三セレン化砒素の高抵抗材料層４
を形成して複合ターゲツト５を得る。
ついて述べる。先ず、ガラス板（フエースプレー
ト）のような光透過性基板１の上に、通常の方法
で透明導電膜２を形成する。次いで、この透明導
電膜２の上にセレン化カドミウムとテルル化カド
ミウムの混合物層を例えば1.2μｍ装着する。この
蒸着方法は、例えばCdSeに対してCdTeをモル比
（ｘとする）で0.2＜ｘ＜0.9で混合した材料ある
いはこのモル比で固溶体にしたものを一つの蒸発
源で蒸着する。この蒸着においては、窒素やアル
ゴンなどの不活性ガスあるいは酸素を含んだ不活
性ガスを蒸着雰囲気とするのが適当である。又
は、基板温度は100℃．から400℃．の適当な温度
に保つた状態で蒸着するとよい。蒸着後、光感度
増感のため、アルゴンや窒素などの不活性ガスを
主成分とし、テルル蒸気を含む雰囲気中にて、
400℃．〜700℃．の適当な温度、例えば600℃．
にて15分の焼結処理を行ない、セレン化カドミウ
ム・テルル化カドミウム混合焼結膜を形成する。
この処理において、酸素ガスを適量存在せしめて
もよい。但し、多量に酸素を入れると、TeO2、
TeO3やCdTeO3が光導電体層３に形成され、黒
い微少な点となつて撮像画面に表われ、画質を劣
化させるので注意が必要である。この光導電体層
３上に従来のセレン化カドミウム複合ターゲツト
と同じく厚さ例えば0.4μｍの三硫化砒素や例えば
1.5μｍの厚さの三セレン化砒素の高抵抗材料層４
を形成して複合ターゲツト５を得る。
この発明の光導電ターゲツトを製造方法は上記
説明及び図示のように構成され、−族化合物
の複数種の混合物の蒸着膜をテルルあるいはテル
ルと酸素を含む不活性ガス雰囲気中で400〜700
℃．にて熱処理した光導電体層３と、この層３上
に形成した高抵抗材料層４を備えているので、赤
外感度を有する高感度の光導電ターゲツトを得る
ことができる。即ち、本発明のターゲツトを有す
る180φの撮像管と、従来のセレン化カドミウム
の光導電ターゲツトを有する18φの撮像管の感度
比較例を以下にする。光源温度2856kの標準光源
によりターゲツト画照度1luxとした時の信号電流
であるいわゆる白色光感度は、従来管の160nAに
対して本発明の光導電ターゲツトでは例えば
350nAと極めて大きな感度となる。この測定にお
いて、赤外領域を主として透過するIR−DIBと
いう光学フイルタを途中において赤外感度のみを
比較すると、従来管ではOnAと殆んど信号が得
られないのに対して、本発明ターゲツトにおいて
は、例えば20nAの信号が得られる。又、可視光
領域の感度に関しては、従来管と本発明ターゲツ
トを有する撮像管とでは同等の感度を有する。そ
の他の撮像管としての特性では、暗電流が従来管
が1nA以下に対して、本発明ターゲツトを有する
管では数nAと若干増加する傾向があるが、白黒
ITVカメラ用撮像管としての特性を満足してい
る。
説明及び図示のように構成され、−族化合物
の複数種の混合物の蒸着膜をテルルあるいはテル
ルと酸素を含む不活性ガス雰囲気中で400〜700
℃．にて熱処理した光導電体層３と、この層３上
に形成した高抵抗材料層４を備えているので、赤
外感度を有する高感度の光導電ターゲツトを得る
ことができる。即ち、本発明のターゲツトを有す
る180φの撮像管と、従来のセレン化カドミウム
の光導電ターゲツトを有する18φの撮像管の感度
比較例を以下にする。光源温度2856kの標準光源
によりターゲツト画照度1luxとした時の信号電流
であるいわゆる白色光感度は、従来管の160nAに
対して本発明の光導電ターゲツトでは例えば
350nAと極めて大きな感度となる。この測定にお
いて、赤外領域を主として透過するIR−DIBと
いう光学フイルタを途中において赤外感度のみを
比較すると、従来管ではOnAと殆んど信号が得
られないのに対して、本発明ターゲツトにおいて
は、例えば20nAの信号が得られる。又、可視光
領域の感度に関しては、従来管と本発明ターゲツ
トを有する撮像管とでは同等の感度を有する。そ
の他の撮像管としての特性では、暗電流が従来管
が1nA以下に対して、本発明ターゲツトを有する
管では数nAと若干増加する傾向があるが、白黒
ITVカメラ用撮像管としての特性を満足してい
る。
尚、本発明の光導電ターゲツトと同じような構
成のターゲツトとして、特開昭54−98191号や特
開昭54−3484号に発表されているものがある。し
かし、以下の点で本発明の光導電ターゲツトと異
なる。即ち、昭54−98191号では先ず窒素やアル
ゴンなどの不活性ガスを主成分とし、セレン蒸気
を含む雰囲気中でCdSe膜を熱処理し、更にCdTe
層を蒸着形成後、窒素やアルゴンなどの不活性ガ
スを主成分とし、テルル蒸気を含む雰囲気中で熱
処理している。一方本発明では、セレン化カドミ
ウムとテルル化カドミウムを窒素やアルゴンなど
の不活性ガスあるいは酸素を含む不活性ガスを蒸
着雰囲気として蒸着後、窒素やアルゴンなどの不
活性ガスを主成分としテルル蒸気を含む雰囲気中
で熱処理することに特徴がある。又、特開昭54−
3484号では、蒸気源として、CdSeに対してCdTe
をモル比（ｘとする）で０＜ｘ＜0.17の範囲で混
合しているが、本発明ではCdSeに対するCdTeの
モル比を少なくとも0.2以上にしないと、所定の
光感度を得ることができない。そしてCdTeのみ
の蒸着膜を窒素やアルゴンを主成分とし、テルル
蒸気を含む雰囲気中で熱処理すると、暗電流が
10nA以上となり目的に合わない。又、CdSeと
CdTeの蒸着において高真空中で蒸着を行なう
と、蒸着後、熱処理しても所定の感度を得ること
ができない。
成のターゲツトとして、特開昭54−98191号や特
開昭54−3484号に発表されているものがある。し
かし、以下の点で本発明の光導電ターゲツトと異
なる。即ち、昭54−98191号では先ず窒素やアル
ゴンなどの不活性ガスを主成分とし、セレン蒸気
を含む雰囲気中でCdSe膜を熱処理し、更にCdTe
層を蒸着形成後、窒素やアルゴンなどの不活性ガ
スを主成分とし、テルル蒸気を含む雰囲気中で熱
処理している。一方本発明では、セレン化カドミ
ウムとテルル化カドミウムを窒素やアルゴンなど
の不活性ガスあるいは酸素を含む不活性ガスを蒸
着雰囲気として蒸着後、窒素やアルゴンなどの不
活性ガスを主成分としテルル蒸気を含む雰囲気中
で熱処理することに特徴がある。又、特開昭54−
3484号では、蒸気源として、CdSeに対してCdTe
をモル比（ｘとする）で０＜ｘ＜0.17の範囲で混
合しているが、本発明ではCdSeに対するCdTeの
モル比を少なくとも0.2以上にしないと、所定の
光感度を得ることができない。そしてCdTeのみ
の蒸着膜を窒素やアルゴンを主成分とし、テルル
蒸気を含む雰囲気中で熱処理すると、暗電流が
10nA以上となり目的に合わない。又、CdSeと
CdTeの蒸着において高真空中で蒸着を行なう
と、蒸着後、熱処理しても所定の感度を得ること
ができない。
以上説明したようにこの発明によれば、工業的
価値大なる光導電ターゲツトの製造方法を提供す
ることができる。
価値大なる光導電ターゲツトの製造方法を提供す
ることができる。
図はこの発明の一実施例に係る製造方法により
得られた光導電ターゲツトを示す断面図である。 １……光透過性基板、２……透明導電膜、３…
…光導電体層、４……高抵抗材料層、５……複合
ターゲツト。
得られた光導電ターゲツトを示す断面図である。 １……光透過性基板、２……透明導電膜、３…
…光導電体層、４……高抵抗材料層、５……複合
ターゲツト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光透過性基板上に透明導電膜を形成する工程
と、該工程で得られた透明導電膜上に、セレン化
カドミウムに対してテルル化カドミウムをモル比
（ｘとする）で0.2＜ｘ＜0.9で混合してなる蒸発
源を用い、不活性ガスを含む雰囲気のもとで蒸着
する工程と、 その後、これを不活性ガスを主成分としそれに
テルル蒸気を含む雰囲気中にて、400℃から700℃
の範囲の温度で熱処理して光導電体層を形成する
工程と、 該工程で得られた光導電体層上に高抵抗材料層
を形成する工程とを具備することを特徴とする光
導電ターゲツトの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56092529A JPS57208041A (en) | 1981-06-16 | 1981-06-16 | Photoconductive target and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56092529A JPS57208041A (en) | 1981-06-16 | 1981-06-16 | Photoconductive target and its manufacture |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57208041A JPS57208041A (en) | 1982-12-21 |
| JPH0151016B2 true JPH0151016B2 (ja) | 1989-11-01 |
Family
ID=14056871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56092529A Granted JPS57208041A (en) | 1981-06-16 | 1981-06-16 | Photoconductive target and its manufacture |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57208041A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60140636A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-25 | Toshiba Corp | 撮像管の光導電タ−ゲツトおよびその製造方法 |
| JPS60227341A (ja) * | 1984-04-25 | 1985-11-12 | Toshiba Corp | 撮像管の光導電タ−ゲツト |
| JP2744616B2 (ja) * | 1988-01-19 | 1998-04-28 | 浜松ホトニクス株式会社 | 赤外線ビジコンのターゲット及びその製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS596075B2 (ja) * | 1977-06-10 | 1984-02-08 | 富士通株式会社 | ＣｄＳｅ光導電膜の製造方法 |
| JPS5826832B2 (ja) * | 1978-01-20 | 1983-06-06 | 株式会社東芝 | 光導電タ−ゲツトの製造方法 |
-
1981
- 1981-06-16 JP JP56092529A patent/JPS57208041A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57208041A (en) | 1982-12-21 |
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