JPS60229345A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［！！明の技術分野］ この発明は半導体装置に関する。

［発明の背景技術とその間朗点］ 一般に半導体集積回路などの半導体装置は、半導体ウェ
ーハ上に独立しｆｃ複数のパターンを形成したのち、こ
のパターンを一つづつ含むベレットに分割し、この分割
したベレットをリードフレームに固定したのち、このペ
レットに形成された電極とリードフレームに形成された
外部を極とを電気的に接続して組立てられる。従来この
ペレットに形成された電極と外部電極との接続は、機械
的に動作するワイヤボンディング装置により、金細線を
順次各電極に圧接する方法によりおこなわれているが、
集積回路が高密度化すると、それにつれて電極の数が増
加するので、１個の半導体装置を組立てるために要する
醋酸時間が長くなり、前後の生産工程との均合がとれな
くなる。勿論このワイヤボンディング装置を高速化する
ことは進められているが、機械的に動作するワイヤボン
ディング装置では、電極１個当りに要する時間は０．１
〜０．１５　ｓｅｃが限度であり、期待を満足する高速
化はあまり望まれない。

一方この半導体ペレットの電極と外部電極とを短時間に
接続する他の方法として、多数配線された部材を用いて
、半導体ペレットの電極に同時に接続する方法が開発さ
れている。しかしこの方法は、第１図に示すように薄い
樹脂フィルム（１）上に配線（２）を形成しこの薄いフ
ィルム（１）の中央開孔（８）に突出している配線（２
）の端部を、加熱圧着治具（４）により半導体ペレット
（６）に形成された電極（６）に熱圧着する方法である
ため、フィルム（１）およびその上に形成された配線（
２）が熱のために変形しゃすい。

またこの変形をさけるために、加熱圧着治具（４）の温
度を下げると、十分な圧接強度が得られないという欠点
がある。

また集積回路が萬密度化すると、各素子の発熱により温
度上昇して、特性が劣化するという問題もある。

［発明の目的］ この発明は信頼性の高い配線を高速でおこなうことがで
き、かつ発熱に対しても効果のある半導体装置の組立方
法および半導体装置を形成することにある。

［発明の概要］ 放熱絶縁性基板に、半導体ペレットの電極と対応する位
置を一端とし、リードフレームなどの外部電極と対応す
る位置を他端とする引き出しリードの配線パターンを設
け、この放熱絶線性基板を半導体ペレットに密着させる
とともに、上記配線の一端を半導体ペレットの電極にｇ
Ｍ着一体化し、配線パターンの他端を外部電極に密着し
て半導体装置を構成したものである。

［発明の実施例コ 以下、図面を参照してこの発明を実施例に基づいて説明
する。

まず第２図（５）および（Ｂ）図に示すように熱良導体
例えばアルミニウムなどからなる金属板ＱＯＩの一方る
。この複数本の配線Ｏ８）は、それぞれ蒼熱絶１ム板□
□□の中央部から外縁に向って延在し、各配線図の中央
部側の一端は、後述するように半導体ペレットに形成さ
れたパターンの電極し対応し、また外縁側の他端はリー
ドフレームの外部電極に対応する。そしてこの配線Ｃｌ
９）の両端には、直径７０〜１００μｍ５度のボール０
４１が形成されている。このような配線ａｔｔ＋Ｖｉ、
通常上記耐熱絶縁被膜ａη上にめっき、蒸着などの方法
によって、金、銀、銅、アルミニウム、その他金属な被
着して薄膜を作ったのち、フォトエツチングなどにより
不要の部分を取除くことにより形成することができ、両
端のボールに）は、その後同様の金属を溶融して付着す
ることにより形成することができる。またこのボールに
）ははんだを溶着して形成してもよい。

つぎに上記のように形成された耐熱性絶縁基板（２）を
、　（Ｃ）図に示すように耐熱絶縁被膜（ロ）すなわち
配線α匂の形成された面を上にして、台座◇６）上に位
置ぎめする。そして一定温度に加熱されたバキュームチ
ャックからなるピックアップ（１７）で、半導体ベレン
）　＜１８１の裏面側を吸着してそのパターン形成面を
上Ｎｅ、耐熱性絶縁基板ｔ１２１に対向させ半導体ペレ
ットａ８）の電極と耐熱性絶縁基板０りに形成された配
線（１８）の一端とを位置合せする。即ち半導体ペレッ
トμｓ）の電極の引出しリードとなるように配置ｉ１　
ＱＢ＋を位置合せする。この位置合せは、斤とλば耐熱
性絶縁基板（Ｉ２１と半導体ペレット（２））とにそね
それ照合マークを設け、ピックアップ０乃を前後左右に
動かしまたその中心軸まわりを回転させて一致させるこ
とによりおこなうことができる。しかして上記のように
位置合せしたのち、矢印（５）で示す方向に動かして、
上記耐熱性基板（婿に形成された配線（１８１の一端に
半導体ベレツ）　（１８＋の電極を圧接する。この圧接
は、ピンクアップ０７）の加熱によって半導体ベレツ）
　Ｏ８’）も加熱されているので、熱圧着である。

なおこの圧着に際し、ピックアップ０７１に超音波を付
加すれば、接合強度の昼い圧着が得やすくなりまたピッ
クアップＣＩ？）の加熱温度を下げることができる。上
記圧着によって、半導体ベレット帥）は、パターン形成
面が耐熱性絶縁波１１６０１）に密着し電極と圧接され
た配線により耐熱性絶餉、基板−に支持される。なおこ
の支持に不安がある場合は、上記圧着に際して釦熱性絶
縁基板叫と半導体ベレット（財）との間に接着剤を介挿
して、圧着と同時に接着剤で接着するようにしてもよい
。

つぎにこの耐熱性絶縁基板−に支持された半導体ベレッ
ト（ト）を、（ロ）ｔさ＋に示すヒータブロック（社）
。

圧着治具体ｌ）からなる圧着装置を用いてリードフレー
ム−（−取付ける。上記ヒータブロック（イ）は、リー
ドフレーム支持面に圧着時耐熱性絶縁基板四の板面より
突出した半導体ベレット（ト）が挿入される凹孔−）を
有し、リードフレームに）は、このヒータブロック彌の
リードフレーム支持面上に位置ぎめされて支持され、ヒ
ータブロック−〇加熱によって加熱される。一方、圧着
治具（転））は、その先端にバキュームチャック−に接
続されたたとえばポーラスな金＃ｉ部材からなるピック
アップ端子に）を有し、半導体ベレット（財）は、この
半導体ベレット（ト）を支持する耐熱性絶縁基板（２）
がピックアップ端子怖；に密着するように吸着支持され
る。まず圧着に先立って、耐熱性絶縁基板θ匂に形成さ
れた配線ｏ匂の他端とリードフレームに）外部市、極四
）との位置合せをおこなう。この位置合せは、前記した
半導体ベレット０８）と耐熱性絶縁基板（１２＋との位
置合せと１ｒｉ１じようにおこなわれる。しかるのち圧
着治Ｊ４　ｔａｌｌを矢印（Ｂ）で示す方向に勤かして
、図中一点鎖線で示すように耐熱性絶縁基板（１２１に
形成さね、た配＃ｏ３）の他端をリードフレーム−に形
成された外部％極（２））に圧接する。この場合の圧接
つ−ドフレーム關が加熱されているので、前記半導体ベ
レット（ト）の圧接と同様熱圧着である。またこの圧接
（：際して超音波を付加することも任意である。

以上の操作により半導体ベレットＩ）７υは、耐熱性絶
縁基板−に支持され、またその電極は、耐熱性絶縁基板
−に形成された配線Ｑ８１によって、リードフレームに
）の外部電極−）に接続される。したがってこのように
組立てられたものを、つぎに第３図に示すように樹脂封
止して一体のモールド成形物例とし、さらにモールド樹
脂外に突出している外部電極卿）を成形すれば、所要の
半導体装置とすることができる。

上記のよう１半導体装置を形成すると、半導体ベレット
（ト）に形成された複数の電極と配線ＱＢ）を同時に接
続することができ、また外部電極■と配線ＣＩ鴇につい
ても同様に同時に接続できるので、金細線を用いて電極
を一つづつ接続する従来方法にくらべて短時間に組立て
ることができる。

また、耐熱性絶縁基板−に配線０８）を形成して、圧接
の際の加熱に対して変形しないようにしたので、圧接の
条件を任意にＷ４整して、十分な圧接強度をもつ信頼性
の高い組立をおこなうことができる０ また、組立てられた半導体装置については、半導体ベレ
ット（ト）のパターン形成面に耐熱性絶縁基板（至）が
密着するので、この耐熱性絶縁基板（１訝が熱伝導、放
熱がよいことから、たとえば高密度半導体集積回路のよ
うに素子数が多くなって発熱量が増加しても、その熱を
速かに放散し、特性劣化を防止することができる。

また、この半導体装置は、従来から作られている半導体
装置と同じ外部電極■を有するので、耐熱性絶縁基板（
１２１を介して、この外部電極（転））から多量の熱を
放散させることができる。

また、この半導体装置は、上記のよう（二従来の半導体
装置と同じ外部電極（社）１を有するので、たとえば配
線基板に実装するにあたり、従来の半導体装置と同じ取
扱いができる。

以上、この発明を一実施例（二ついて説明したが、この
発明は、上記実施例に限定されるものでなく、その要旨
を変更しない範囲において釉々変更することができる。

たとえば上記実施例においては、放熱耐熱性絶縁基板（
支）は金属板ｆＩＧ　ｒｔｒｉ熱絶縁被膜（９）を設け
て形成し友が、放熱耐熱性絶縁基板であれは例えば放熱
性のよいセラミックス板例えば８ｉＣセラミツク、Ａハ
セラミック、　ＢｅＯセラミックなどで形成することも
でき、この場合被覆工程が不要である効果がおる。また
、耐熱性絶縁基板−に形成された配線ａ四の両端にボー
ル０４）を設けたが、半導体チップの電極と配線０８）
との接続が可能であればこのポールは省略してもよい。

［発明の効果］ （１）耐熱性絶縁基板に所要の配線を形成しておき、こ
の配線を複数の電極に同時に接続するので、短時間に組
立てることができる。

（２）耐熱性絶縁基板に配線を形成したので、圧接の際
の加熱に対して変形せず、十分な圧接強度をもつ信租性
の高い組立をおこなうことができる。

（８１放熱性のよい耐熱性絶縁基板が半導体ペレットの
パターン形成面に密着するので半導体装置の発熱を速や
かに放散させることができ、半導体装置の特性劣化を防
止することができる。

（４）従来の半導体装置と同じ外部電極を有するので、
耐熱性絶縁基板を介して外部電極から多量の熱を放散さ
せることができる。

（５）従来の半導体装置と同じ外部電極を有するので、
配線基板などに実装するにあたり、従来の半導体装置と
同様に取扱うことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は半導体ペレットの電極に多数の配線を同時に接
続する従来方法を説明するための図、第２図はこの発明
の組立方法の説明図であって、（５）図は配線が形成さ
れた耐熱性絶縁基板の平面図、（Ｂ）図はそのｎ−ｎ線
断面図、（Ｃ）図Ｆｉ半導体ベレットの電極に耐熱性絶
縁基板に形成された配線を圧接する工程図、（ロ）図け
り一ドフレームに形成された外部電極に耐熱絶縁基板に
形成さハた配線を圧接する工程図、第３図は完成した半
導体装置の断面図である。 べ 叫・・・耐熱杜絶１基板　１ｓｌ・・・配線に）・・・
ポール　０６）・・・台座 αη・・・ピックアップ　（ト）・・・半導体ベレット
翰・・・ヒータブロック　叫）・・・圧着治具−・・・
リードフレーム　ａ！６１・・・外部電極代理人　弁理
士　井　上　−男 第　１　図 −ｒ−粘′己　ネ市　＋１’−＋’：＝（自発）特ａ’
＋庁長′１′ｌ　志　ｒ′Ｃ学　殿１、事イ″１の表小 昭和５９年特　許願第８４０４′、ｇ号２、発明の名称 半導体装置 ３、補正をする名 事（’ｌとの関係　特許出願人 （３０７）株式会社　東芝 電話７３６−３５５８ Ｊン、袖１１の月７に （１）明細、１：の特許請求の範囲の欄（２）明細、り
の発明の詳細な説明のＷａ（３）　明細−Ｆ　ｔｌ）　
Ｈ＋ｒ＋ｉ　ｔｌ）　ｆｌｆＩ　ｊｌｉ　す説明ノｔｌ
！４６、　補正の内容 別紙ｊＪ正明細δのとおり。 以上 訂　正　明　細　、１（ １、発明の名称 半導体装置 ２、特許請求の範囲 （１）↑瑯■−烙−レーノー上の３順に対応才る位置を
　一端□ζ」ヶ外ｉｎ＋　’ｍ　４＠は札妄すケｌを他
端とする配−線バー外二ン−が殻−（Ｌシカ−た少くζ
−も一表−面が絶縁性をイ１す６−＃ｔ　Ｆ：）！、　
’ｒ’Ｘ　Ｊｔｌｉ　４１ｉｉ　者、−ｓＩ欠隻−仮ｙ
　ｆ＝　；ｇ−配線−パターンの二端超Ｍ苺ル又貫議二
葬進−）吾ｆ：　’ｌ’＝−導体ベレ導体−レノ１〜ζ
上記基板！炙久二？−Φイ岨端にメ・１応して密潅工□
俸イ１立りな欠遥畢皿煮を具備してなることを特徴とす
る半導体装置。 （２）酎−然作妻−仮埼蒸−第１性を一侑−１々基板で
ある特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 （３）　ｔｌｉ、ｔ、［はセラミックス薄板により構成
したものである特許請求の範囲第１項記載の゛１４樽体
装置。 （４）　１烏性基板の配線パ之：−ンー楊−半」ｇ一体
−ベレノ１へぬｒｖ外Ｒ１Ｓ　ｒ、’１１棒−を一脩−
五　−生イ（するｆ段は超１゛１−唸振−例（利１−レ
ズーボースデイーンクしたものである↑旨’ｌｏｌ’１
」＼の範囲第１頂記・１（の゛１′、心体装置。 、（、発明の詳細な説明 〔発明の技術分野〕 この発明は半導体装ｉ６に関する。 〔発明の背景技術とその問題点〕 般に半導体集積回路なとの半導体装置は、半導体ウェー
ハ」二に独立した複数のパターンを形成したのち、この
パターンを一つづつ含むペレットに分割し、この分割し
たペレットをリードフレームに固定したのち、このベレ
ン１〜に形成された電極とリードフレームに形成された
外部電極とを電気的に接続して組立てられる。従来この
ペレットに形成された電極と外部電極との接続は、機械
的に動作するワイヤボンディング装置により、金細線を
順次各電極に圧接する方法によりおこなわＪしているが
、集積回路が高密度化すると、それにっｊして電極の数
が増加するので、１個の１こ導体装置を組立てるために
要する配線時間が長くなり、前後の生産工程との均合が
とれなくなる。勿論このワイヤボンディング装置を高速
化することは進められているが、開城的に動（１１イ、
・ツイヤポンチインク装置では、電極１個当りに要−４
る時間は０．１−Ｏ，ｌ５ｓｃ＋−が限度てあり、期（
’ｊ　’ｃ　満５ｔす／、Ｉ高速化はあまり望まれない
。 一力この゛１−導体ペレットの゛、且１：ｌｉどタト部
電（・壇ど６短時間に接続する他の方／、ｌｒとして、
多数配線された部材を用いて、半導体べ１ツノ１〜の電
（４１に同時に接続する方法が開発されている。しかし
この力θ、は、第１図に示すように薄い樹脂フィルム（
Ｉ）１に配線（２）を形成し、このＦ、シいフィルン、
（１）の中火開孔（３）に突出している配線（２）の端
部を、加熱圧着冶具（４）により半導体ペレノ１〜（５
）に形成さ才１だ電極（６）に熱圧着する方法であるた
め、フィルｌ、（１）およびその」―に形成された配線
（２）が・′すの！−めに変形しやすい。またこの変化
をさけるために、加熱圧着冶具（４）の温度を下げると
、］分なノ！接強度が得られないという欠点がある。 また沫積回路が高密度化すると、各索ｒ・の発λゞ・に
より温度−上昇して、特許１か劣化するという問題もあ
る。 〔発明の目的〕 この発明は（ハ頼性の高い配線を高速でおこなうことが
でき、かつ発熱に対しても効果のある半導体装Ｆ°゛１
の組立）ｉ　ｔＡおよび半導体装１こを形成することに
ある。 〔発明の概要〕 耐熱性基板に、半導体ベレッ１への電極と対応する位置
を一端とし、リードフレーｌ、などの外部電極と対応す
る位置を他端とする引き出しリートの配線パターン什設
け、この耐熱性基板を半導体ペレットに密着させるとと
もに、上記配線の一端を゛ト導体ペレットの電極に密着
一体化し、配線パターンの他端を外部電極に密着して半
導体装置を構成したものである。 〔発明の実施例〕 以下、図面を参照してこの発明を実施例に基づいて説明
する。 まず第２図（Ａ）および（Ｂ）図に示すように熱良導体
例えばアルミニウムなどからなる金属板（ｌＯ）の一方
の面にアルミナなどからなる薄い耐熱絶８被股（１１）
を形成して放慈絶れ′性Ｊ、ｌ、　＋＃　（１２）とし
、その耐熱絶縁被膜（ＩＩ）ｌ−に互に絶縁された複数
本の配線（＋　３　）を形成する。この複数本の配線（
Ｍｌ）は、それぞれ放熱絶縁性基板（１２）の中火部か
ら外縁に向って延在し、各配線（１２）の中央部側の・
端は、後述するように半導体ペレノ１〜に形成されたパ
ターンの電極に対応し、また外縁側の他端はり−トフレ
ームの外部電極に対応する。そしてこの配線（１３）の
両端には、直径７０−１００　ｐ　＋ｎＪ’Ｗ度のボー
ル（１４）が形成されている。このような配線（１３）
は、通常上記耐熟絶才寥被股（１１）上にめっき、黒石
などのｈ法によって、金、銀、銅、アルミニラ１１、そ
の他金属を被着して薄膜を作ったのち、フォトエツチン
グなどにより不要の部分を取除くことにより形成するこ
とができ、両端のボール（１４）は、その後同様の全屈
を溶融して付着することにより形成することができる。 またこのボール（１４）ははんだを溶着して形成しても
よい。 つぎに上記のように形成された放熱１８Ｈ性＋、（板（
１２）を、（Ｃ）図に示すように耐熱絶縁被１漠（１１
）ずなわら配線（１３）の形成さ土した面を１−にして
、台座（Ｉｆｉ）ｌに位置ぎめする。そして・定温Ｊ、
へに加熱されたバキュー１１チャックからなるピックア
ップ（１７）で、゛１′導体ベレット（＋８）の１７５
曲側を吸石してそのパターン形成面をト記放熱絶縁性基
板（１２）に対向させ半導体ペレット（１８）の電（セ
と放熱絶縁性」、１．板（１２）に形成された配線（１
３）の一端とを位置合せする。即ち半Ｉｇ体ベレソｌ−
（＋８）の電極の引出しリートとなるように配線（１３
）を位置合せする。この位置合せは、たとえば放熱絶縁
性基板（１２）と１ｔ。 導体ベレ７ｈ（１８）とにそ才ｌぞれ照合マークに設け
、ピックアップ（１７）を前後左右に動かし、またその
中心軸まわりを回転させて一致させることによりおこな
うことができる。しかして」−記のように位置合せした
のち、矢印（Ａ）で示す方向に動かして、１、記数熱絶
縁性基板（Ｉ２）に形成された配ｍ（１３）の一端に半
導体ペレット（１８）の電極を圧接する。このバー接は
、ピックアップ（１７）の加熱によって半導体ペレット
（＋ｇ＞も加熱されているので、熱圧着である。なおこ
の圧着に際し、ピックアップ（１７）に超音波を付加す
れば、接合強瓜の高いハ、２′１が得やすくなり、また
ピックアップ（１７）の加、’腺ｄ、、Ｘ度ヲトげるこ
とができる。−」二記圧着によって、甲−Ｊ体ベレソＩ
−（１８）は、パターン形成面が耐然性絶れ″Ｘ被形°
き（１１）に密着し、電極と圧接された配線により放：
（！−絶Ｈ性基板（１２）に支持される。なおこの支持
にイ・安がある場合は、」−記圧着に際して放熱絶縁性
」１１゜ＪＪ、（１２）と半導体ペレッ１〜（１８）と
の間に接箔剤を介挿して、圧着と同時に接着剤で接λ１
するようにしてもよい。 つぎにこの放熱絶縁性基板（１２）に支持された甲導体
ペレッｌ−（＋８）を、（１））図に示すヒータブロッ
ク（２０）、圧着冶具（２１）からなる圧着装置を用い
てリードフレーＡ（２２）に取付ける。」−記ヒータブ
ロック（２０）は、リードフレーム支持面にＬｌ：４時
放熱絶縁性基板（１２）の板面より突出した゛１１１ｆ
１体ベレノｈ（１８）が挿入される凹孔（２３）を有し
、リードフレーム（２２）は、このヒータブロック（２
０）のり−トフレーム支持面上に位置ぎめされて支持さ
れ、ヒータブロック（２２）の加熱によって加熱される
。　力、Ｌ＋ｉ　７ｉ冶ＪＬ（２１）は、その先端にバ
キュームチャック（２４）に接続されたたとえばポーラ
スな全屈部材からなるピンクアップ端Ｊ’−（２５）を
イｊし、゛ト導体ペレソ１〜（１８）は、この゛１′、
心体ベレット（１８）を支持する放熱絶縁性基板（１２
）かピックアップ端子（２５）に密着するように吸着支
持される。まず圧着に先立って、放熱絶縁性基板（１２
）に形成された配線（１３）の他端とリードフレーム（
２２）外部電極（２６）との位置合せをおこなう。この
位置合せは、前記した半導体ペレット（１８）と放熱絶
縁性基板（１２）との位置合せと同じようにおこなわれ
る。しかるのち圧着冶具（２１）を矢印（Ｂ）で示す方
向に動がし、て、図中一点鎖線で示すように放熱絶縁性
基板（１２）に形成された配線（１３）の他端をリード
フレーム（２２）に形成された外部電極（２６）に圧接
する。この場合の圧接もリードフレーム（２２）が加熱
されているので、前記半導体ペレット（１８）の圧接と
同様熱圧着である。 またこの圧着に際して超音波を伺加することも任意であ
る。 以上の操作により半導体ペレット（１８）は、放熱絶縁
性基板（１２）に支持され、またその電（４シは、放熱
絶縁性基板（１２）に形成された配線（１３）によ−〕
で、リードフレーム（２２）の外部型←ｊ（２３）に接
続さＪしる。 したがってこのように躬しンてら、ｔｌたものを、つき
に第３図に示すように樹脂封止し−Ｃ体のモールド成形
物（２８）とし、さらにモールド樹脂外に突出している
外部電極（２６）を成形すれば、所要の゛１′−棉休装
置とすることができる。 」１記のように半導体装置を形成すると、゛１７：４体
ベレソｈ（１８）に形成された複数の電極と配線（１３
）を同時に接続することができ、また外部電極（２６）
と配線（１３）についても同様に同時に接続できる１）
）で、金細線を用いて電極を・っつつ接続する従来方法
にくらべて短時間に組立てることができる。 また、放熱絶縁性基板（１２）に配線（Ｉｌｌ）を形成
して、圧接の際の加熱に対して変形しないようにし。 だので、圧接の条件を任、１コ、に調１：”　して、１
分な圧１１′、強度をもつ信頼性の高い組立をおこなう
ことができる。 また、組立てられた゛１′導体装置については、１′Ｊ
′９体・＼レノ１〜（１８）のパターン形１ｉ（而に放
熱絶す冒１゜）１（扱（１２）か密、ｒｉするので、こ
の放、、Ｂ７．絶縁性基板（１２）かＳ：、も伝導、放
：：、へかよいことか１゛、、たとえは高比瓜゛しｑ体
重、Ｉｎ回路のようにｙ＋３　］’　Ａ：：か多くなっ
て発：ｉ％　：、：、か増加しＣｔノ、その熟を辻／Ｊ
”　ｌ−放敗し、特１ノｉ方化を防止することができる
。 まノー、このＴ導体装置は、従来からｆｌられている゛
１′導体装置と回し外部電極（ン６）を有するので、放
熱絶縁性基板（１２）を介して、この外部型ＩＪｉ（２
６）から多甲゛の熟を放散させることができる。 また、この半導体装置は、上記のように従来の”ｌ’：
　Ｈ９体装置と同し外部型１４ｉ（２６）をｈするのて
、たどえば配線基板に実装するにあたり、従来の￥−導
体装置と同じ取扱いができる、 以上、この発明を　・実施例について説明したが、この
発明は、上記実施例に限定されるものでなく、その要旨
を変更しない範囲において種々変更することができる。 たとえば上記実施例においては、放熱絶縁性基板（１２
）は金属板（１０）ｌに耐熱絶縁被膜（１１）を設けて
形成したが、放熱＊１；腺性絶縁、ｌ、Ｌ板であ、１シ
ば例え（Ｊ放熱１°１（ｊ〕Ｊ、　ｔ・ｔつへ、・タム
（ノス例、′。 はＳＩＣゼラミノク、Ａハセラミ、）′ノ、１１（・０
セ−ノヘノクなどで形成することもてき、この’ｊ４　
ｒ＞　？、’、２　ｉ”：ｉ　ｌ’、　Ｊ’ｓ’か不要
である効果がある、また、ｈ々’、’？：　′ｆ（２：
’ｉ１寸１」１（、（、！（１２）に形成された配線（
ＩＩ）０月１１＋饅ｉ＋ｊにホール（１４）を設けたか
、半導体チップの電極と配線（Ｉｌｌ）との接続が可能
であればこのボールは省略してｔ＋に、い。 〔発明の９−ｊＪ果〕 （１）放熱絶縁性基板に新装の配線を形成して１ノき、
この配線を複数の電極に同時に接わ１シＪるので、短時
間に組立てることができる。 （２）耐熱性絶縁基板に配線を形成したので、ハ接の際
の加熱に対して変形せず、１分なハ、接強瓜をもつ信頼
性の高い組立におこなうことかできる。 （３）放熱性のよい耐熱性絶縁基板が゛１′−導体ベレ
ットのパターン形成面に密着するので半導体装置の発熱
を速・やかに放散させることができ、１う７（＋装置の
特性劣化を防止することができろ３（４）従来の半導体
装置と同し外部電極をイノするので、放熱絶縁性ノ；（
板を介して外部電極から多：、：の熱を放散させること
がてきるー （，５）従来のｒ、導（４：装置１１ど同し外部型（（
を有するので、配線基板なとに実装するにあたり、従来
のＴη体装置と同様に取扱うことができる。 ・１．　図面の簡単な説明 第１図は半導体ペレソ１−の電極に多数の配線を同時に
接続する従来方法を説明するだめの図、第２図はこの発
明の組立方法の説明図であって、（Ａ）図は配線が形成
された放熱絶縁性ノ、（仮の平面図、（Ｂ）図はその■
−ロ線断面図、（Ｃ）図は半導体ペレ、７１〜のＷＪ、
極に放熱絶縁性基板に形成された配線を圧接するＬ描図
、（Ｄ）図はリードフレームに形成された外部電極に放
黙絶縁性括板に形成された配線を圧接する工程図、第３
図は完成した甲、導体１・１ト置の断面図である。 （１２）・・・放熱絶縁性Ｊ１（板　（１３）・・配線
（１４）ポール　（１６）・台座 （１７）　ピックアップ　（Ｉ８）半導体ペレット（２
０）・・ヒータブロック　（２１）・１７′、着冶具（
２２）　リードフレーム　（２６）・外部電極代理人　
弁理士　井　上　−・　男

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）配線パターンが設けられた放熱絶縁性基板と、 この放熱絶縁性基板の配線パターンを引き出しリードに
   するように上記放熱絶縁性基板が密着一体化された半導
   体ペレットとを具備することを特徴とする半導体装置。 （２）放熱絶縁性基板は熱良導体上（二絶縁被核したも
   のである特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 （８）放熱絶縁性基板はセラミックス薄板により構成し
   たものである特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 （４）　引き出しリードには外部電極を接続した構造で
   ある特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。