JPH0671026B2 - 半導体実装方法 - Google Patents
半導体実装方法Info
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- JPH0671026B2 JPH0671026B2 JP62072245A JP7224587A JPH0671026B2 JP H0671026 B2 JPH0671026 B2 JP H0671026B2 JP 62072245 A JP62072245 A JP 62072245A JP 7224587 A JP7224587 A JP 7224587A JP H0671026 B2 JPH0671026 B2 JP H0671026B2
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- Japan
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- circuit board
- insulating resin
- semiconductor element
- electrode
- semiconductor
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体実装方法に関し、特に回路基板への半
導体素子、例えばフリップチップICの実装方法に関する
ものである。
導体素子、例えばフリップチップICの実装方法に関する
ものである。
近年、電子機器の回路部には多くのICが使用される。こ
れらのICは各種の形態で供給され、特に実装の高密度化
を達成するために、フリップチップICの使用が増加して
きている。
れらのICは各種の形態で供給され、特に実装の高密度化
を達成するために、フリップチップICの使用が増加して
きている。
半導体素子の実装方法としては、従来は特開昭57-45996
号公報（チップ部品の装着方法）に記載されるように、
はんだ付け方法が用いられている。フリップチップICの
はんだ付け方法としては、はんだペーストの印刷、又は
はんだボール等の成形はんだの配置等により、はんだ材
料を供給した後、ホットプレートにのせて加熱する方法
は広く行われていた。
号公報（チップ部品の装着方法）に記載されるように、
はんだ付け方法が用いられている。フリップチップICの
はんだ付け方法としては、はんだペーストの印刷、又は
はんだボール等の成形はんだの配置等により、はんだ材
料を供給した後、ホットプレートにのせて加熱する方法
は広く行われていた。
また、この方法に改良を加えた方法として第５図に示す
リフロー装置による方法が提案された。第５図は、リフ
ロー装置を示す断面図で銅製のヒートブロック（８）に
ヒータ（９）が埋設されており、その外周にグラスファ
イバーと耐熱製樹脂（例えばデュポン社のテフロン）と
の複合材料でできたベルト（10）を配置したものであ
る。このように構成することにより、ベルト（10）上の
温度分布は、中央部のヒータ（９）の近い部分が最高と
なり、両端に行くに従って低くなる。このベルト（10）
にはんだ付けすべき回路基板（図示せず）を載せて移動
させると、回路基板はベルト（10）の端部から中央部に
移動するにつれて、はんだ付け温度まで次第に昇温され
る。ベルト（10）の中央部ではんだ付けがなされ、さら
にベルト（10）の中央部から端部へ移動するにつれて徐
々に冷やされる。
リフロー装置による方法が提案された。第５図は、リフ
ロー装置を示す断面図で銅製のヒートブロック（８）に
ヒータ（９）が埋設されており、その外周にグラスファ
イバーと耐熱製樹脂（例えばデュポン社のテフロン）と
の複合材料でできたベルト（10）を配置したものであ
る。このように構成することにより、ベルト（10）上の
温度分布は、中央部のヒータ（９）の近い部分が最高と
なり、両端に行くに従って低くなる。このベルト（10）
にはんだ付けすべき回路基板（図示せず）を載せて移動
させると、回路基板はベルト（10）の端部から中央部に
移動するにつれて、はんだ付け温度まで次第に昇温され
る。ベルト（10）の中央部ではんだ付けがなされ、さら
にベルト（10）の中央部から端部へ移動するにつれて徐
々に冷やされる。
従来の半導体の実装方法では、以下に述べる問題点があ
った。回路基板はその底面から全体がはんだの融点（例
えばSn/Pb＝60/40の場合、230℃程度）を超えるまで加
熱されることになり、回路基板上にはんだ付け温度での
耐熱性を持たない回路素子や樹脂コーティング等が存在
する時には適用できず、また、回路基板が加熱されるた
め回路基板にそりが発生するなどの問題点があった。さ
らに、はんだ付けを行うため、はんだが付着可能で、か
つ強度的にも十分な導体材料を選定する必要があった。
このため、工程が複雑になったり、コスト面や信頼性に
おいて好ましくない場合があった。
った。回路基板はその底面から全体がはんだの融点（例
えばSn/Pb＝60/40の場合、230℃程度）を超えるまで加
熱されることになり、回路基板上にはんだ付け温度での
耐熱性を持たない回路素子や樹脂コーティング等が存在
する時には適用できず、また、回路基板が加熱されるた
め回路基板にそりが発生するなどの問題点があった。さ
らに、はんだ付けを行うため、はんだが付着可能で、か
つ強度的にも十分な導体材料を選定する必要があった。
このため、工程が複雑になったり、コスト面や信頼性に
おいて好ましくない場合があった。
この発明はかかる問題点を解消するためになされたもの
で、はんだ付け温度での耐熱性を持たない回路素子、電
子部品や樹脂コーティング等を有する回路基板にも適用
でき、また加熱により発生する回路基板のそりが起こら
ず、信頼性、生産性が高く、かつ低コストで、回路基板
に半導体素子を実装できる半導体実装方法を提供するこ
とを目的とする。
で、はんだ付け温度での耐熱性を持たない回路素子、電
子部品や樹脂コーティング等を有する回路基板にも適用
でき、また加熱により発生する回路基板のそりが起こら
ず、信頼性、生産性が高く、かつ低コストで、回路基板
に半導体素子を実装できる半導体実装方法を提供するこ
とを目的とする。
この発明に係る半導体実装方法は、電極が形成された半
導体素子と導体パターンが形成された回路基板を、導体
パターンと電極とが接触するように位置合わせして配置
する工程、位置合わせされた半導体素子のほぼ全体を被
覆し、かつ回路基板の表面と接触するように絶縁性樹脂
を供給する工程、及び導体パターンと電極が接触した状
態で、供給された絶縁性樹脂を硬化する工程を施し、半
導体素子の電極と回路基板の導体パターンを電気的に接
続するものである。
導体素子と導体パターンが形成された回路基板を、導体
パターンと電極とが接触するように位置合わせして配置
する工程、位置合わせされた半導体素子のほぼ全体を被
覆し、かつ回路基板の表面と接触するように絶縁性樹脂
を供給する工程、及び導体パターンと電極が接触した状
態で、供給された絶縁性樹脂を硬化する工程を施し、半
導体素子の電極と回路基板の導体パターンを電気的に接
続するものである。
この発明における絶縁性樹脂をはんだ付けのように高温
に加熱しなくても、硬化可能であり、回路基板と位置合
わせして配置された半導体素子を、半導体素子の電極と
回路基板の導体パターンが接触した状態で固定し、電気
的接続を達成する作用を有する。
に加熱しなくても、硬化可能であり、回路基板と位置合
わせして配置された半導体素子を、半導体素子の電極と
回路基板の導体パターンが接触した状態で固定し、電気
的接続を達成する作用を有する。
以下、この発明の一実施例による半導体実装方法を第１
図及び第２図に基づいて説明する。図において、（１）
は半導体素子で、例えばフリップチップIC、（２）はフ
リップチップIC（１）の表面に形成されたはんだ突起電
極、（３）はフリップチップIC（１）を搭載する回路基
板、（４）は回路基板（３）に形成された導体パターン
でフリップチップIC（１）のはんだ突起電極（２）と接
続される回路基板電極、（５）は絶縁性樹脂、（６）は
絶縁性樹脂、（５）を供給する絶縁性樹脂供給管であ
る。まず、第１図に示すように、フリップチップIC
（１）のはんだ突起電極（２）と回路基板電極（４）を
位置合わせして配置する。次に第２図に示すように、フ
リップチップIC（１）に絶縁性樹脂供給（６）により、
回路基板（３）と接触し、かつ、フリップチップIC
（１）のほぼ全体を被覆するように絶縁性樹脂（５）を
供給する。この絶縁性樹脂（５）は樹脂硬化の際に体積
収縮をおこすものを用いており、この場合は熱硬化型‐
液性エポキシ樹脂である。次にこの絶縁性樹脂（５）を
硬化させることにより、フリップチップIC（１）が回路
基板電極（４）上に固定され、かつ絶縁性樹脂（５）が
硬化時に収縮する。この実施例で使用したエポキシ樹脂
（５）の硬化収縮率は0.7％程度であり、このため絶縁
性樹脂（５）の硬化収縮によって、フリップチップIC
（１）を第２図における矢印Ａ方向に押し付ける収縮力
が発生する。この収縮力によりフリップチップIC（１）
のはんだ突起電極（２）が回路基板電極（４）に圧接さ
れ、回路基板（３）とフリップチップIC（１）の電気的
接続が得られ、実装が達成される。この場合、上記絶縁
性樹脂（５）がフリップチップIC（１）の保護モールド
の役割も果たすので、信頼性を向上できる効果も有す
る。以上述べたように、回路基板（３）とフリップチッ
プIC（１）を樹脂硬化温度で実装でき、適当な硬化温度
の樹脂を選択すればはんだ付け温度での耐熱性を持たな
い回路素子や樹脂コーティングを有する回路基板にも適
用できるなど適用の範囲が広くなる。
図及び第２図に基づいて説明する。図において、（１）
は半導体素子で、例えばフリップチップIC、（２）はフ
リップチップIC（１）の表面に形成されたはんだ突起電
極、（３）はフリップチップIC（１）を搭載する回路基
板、（４）は回路基板（３）に形成された導体パターン
でフリップチップIC（１）のはんだ突起電極（２）と接
続される回路基板電極、（５）は絶縁性樹脂、（６）は
絶縁性樹脂、（５）を供給する絶縁性樹脂供給管であ
る。まず、第１図に示すように、フリップチップIC
（１）のはんだ突起電極（２）と回路基板電極（４）を
位置合わせして配置する。次に第２図に示すように、フ
リップチップIC（１）に絶縁性樹脂供給（６）により、
回路基板（３）と接触し、かつ、フリップチップIC
（１）のほぼ全体を被覆するように絶縁性樹脂（５）を
供給する。この絶縁性樹脂（５）は樹脂硬化の際に体積
収縮をおこすものを用いており、この場合は熱硬化型‐
液性エポキシ樹脂である。次にこの絶縁性樹脂（５）を
硬化させることにより、フリップチップIC（１）が回路
基板電極（４）上に固定され、かつ絶縁性樹脂（５）が
硬化時に収縮する。この実施例で使用したエポキシ樹脂
（５）の硬化収縮率は0.7％程度であり、このため絶縁
性樹脂（５）の硬化収縮によって、フリップチップIC
（１）を第２図における矢印Ａ方向に押し付ける収縮力
が発生する。この収縮力によりフリップチップIC（１）
のはんだ突起電極（２）が回路基板電極（４）に圧接さ
れ、回路基板（３）とフリップチップIC（１）の電気的
接続が得られ、実装が達成される。この場合、上記絶縁
性樹脂（５）がフリップチップIC（１）の保護モールド
の役割も果たすので、信頼性を向上できる効果も有す
る。以上述べたように、回路基板（３）とフリップチッ
プIC（１）を樹脂硬化温度で実装でき、適当な硬化温度
の樹脂を選択すればはんだ付け温度での耐熱性を持たな
い回路素子や樹脂コーティングを有する回路基板にも適
用できるなど適用の範囲が広くなる。
さらに、回路基板（３）上の導体パターンを構成する導
体は通常のはんだ付けの困難なアルミニウム,ITO（Indi
um-Tin-Oxide），クロムなど多くの材料を使用できる。
体は通常のはんだ付けの困難なアルミニウム,ITO（Indi
um-Tin-Oxide），クロムなど多くの材料を使用できる。
以下、更にこの一実施例を詳しく説明する。4mm×4mmの
チップに40個の、例えば電極サイズは160μｍφ程度の
はんだ突起電極が形成されたフリップチップIC（１）の
はんだ突起電極（２）と回路基板として例えばガラス基
板（３）上に、導体パターンとして蒸着法により形成さ
れた銅の薄膜電極（４）を位置決めし、エポキシ系絶縁
性樹脂（５）をフリップチップIC（１）に供給した後硬
化させ、回路基板（３）とフリップチップIC（１）を電
気的に接続した試驗片を作った。比較品として上記と同
一のフリップチップIC（１）と回路基板（３）を用い
て、回路基板（３）にフリップチップIC（１）をはんだ
付けした試驗片を作った。これらの試驗片をオーブンで
室温から100℃まで加熱した時の１つの回路基板電極
（４）とフリップチップICのはんだ突起電極（２）の導
通抵抗の変化を測定した。横軸に温度（℃）、縦軸に導
通抵抗（Ω）として第３図に示し、直線Ｂははんだ付け
によるもの、直線Ｃはこの発明の一実施例によるもので
ある。第３図に示されるように、上記実施例（Ｃ）の方
がはんだ付け（Ｂ）よりも接続抵抗が低く、良好な結果
が得られた。以上のように、この発明の一実施例によれ
ば、信頼性の高い、回路基板とフリップチップICの実装
方法を得ることができる。
チップに40個の、例えば電極サイズは160μｍφ程度の
はんだ突起電極が形成されたフリップチップIC（１）の
はんだ突起電極（２）と回路基板として例えばガラス基
板（３）上に、導体パターンとして蒸着法により形成さ
れた銅の薄膜電極（４）を位置決めし、エポキシ系絶縁
性樹脂（５）をフリップチップIC（１）に供給した後硬
化させ、回路基板（３）とフリップチップIC（１）を電
気的に接続した試驗片を作った。比較品として上記と同
一のフリップチップIC（１）と回路基板（３）を用い
て、回路基板（３）にフリップチップIC（１）をはんだ
付けした試驗片を作った。これらの試驗片をオーブンで
室温から100℃まで加熱した時の１つの回路基板電極
（４）とフリップチップICのはんだ突起電極（２）の導
通抵抗の変化を測定した。横軸に温度（℃）、縦軸に導
通抵抗（Ω）として第３図に示し、直線Ｂははんだ付け
によるもの、直線Ｃはこの発明の一実施例によるもので
ある。第３図に示されるように、上記実施例（Ｃ）の方
がはんだ付け（Ｂ）よりも接続抵抗が低く、良好な結果
が得られた。以上のように、この発明の一実施例によれ
ば、信頼性の高い、回路基板とフリップチップICの実装
方法を得ることができる。
また、この発明の他の実施例を第４図に示す。第４図に
おいて（７）はフリップチップIC（１）を加圧する加圧
具であり、（１）〜（６）は第２図と同様又は相当のも
のである。上記実施例と同様に、フリップチップIC
（１）を回路基板（３）上にはさんだ突起電極（２）と
回路基板電極（４）とが接触するように位置決めした
後、加圧具（７）によってフリップチップIC（１）を回
路基板（３）に押圧する。このはさんだ突起電極（２）
と回路基板電極（４）とを圧接した状態で、絶縁性樹脂
供給管（６）で絶縁性樹脂（５）を供給し硬化させる。
絶縁性樹脂（５）が硬化後、加圧具（７）をa-a′の位
置で切断する事により、回路基板（３）にフリップチッ
プIC（１）を実装するものである。この実施例によれば
はんだ突起電極（２）に大きさのバラツキが有っても、
はんだ突起電極（２）はやわらかいため、加圧具（７）
による加圧によってはんだ突起電極（２）の大きい部分
がつぶれて、このバラツキを吸収する。このため、安定
した電気的接続が可能となる。さらに絶縁性樹脂の収縮
力に加えて加圧具（７）による加圧力がプラスされるた
め、回路基板電極（４）とフリップチップIC（１）のは
んだ突起電極（２）の圧接力が増加し、回路基板（３）
とフリップチップIC（１）の導通抵抗を下げることがで
き、一層接続の信頼性が向上できる。さらに、フリップ
チップIC（１）に接触した加圧具（７）を残すことによ
り、加圧具（７）の一部は冷却フィンとして機能し、駆
動時のフリップチップIC（１）の温度上昇を抑えること
ができ、信頼性が大幅に改善される。
おいて（７）はフリップチップIC（１）を加圧する加圧
具であり、（１）〜（６）は第２図と同様又は相当のも
のである。上記実施例と同様に、フリップチップIC
（１）を回路基板（３）上にはさんだ突起電極（２）と
回路基板電極（４）とが接触するように位置決めした
後、加圧具（７）によってフリップチップIC（１）を回
路基板（３）に押圧する。このはさんだ突起電極（２）
と回路基板電極（４）とを圧接した状態で、絶縁性樹脂
供給管（６）で絶縁性樹脂（５）を供給し硬化させる。
絶縁性樹脂（５）が硬化後、加圧具（７）をa-a′の位
置で切断する事により、回路基板（３）にフリップチッ
プIC（１）を実装するものである。この実施例によれば
はんだ突起電極（２）に大きさのバラツキが有っても、
はんだ突起電極（２）はやわらかいため、加圧具（７）
による加圧によってはんだ突起電極（２）の大きい部分
がつぶれて、このバラツキを吸収する。このため、安定
した電気的接続が可能となる。さらに絶縁性樹脂の収縮
力に加えて加圧具（７）による加圧力がプラスされるた
め、回路基板電極（４）とフリップチップIC（１）のは
んだ突起電極（２）の圧接力が増加し、回路基板（３）
とフリップチップIC（１）の導通抵抗を下げることがで
き、一層接続の信頼性が向上できる。さらに、フリップ
チップIC（１）に接触した加圧具（７）を残すことによ
り、加圧具（７）の一部は冷却フィンとして機能し、駆
動時のフリップチップIC（１）の温度上昇を抑えること
ができ、信頼性が大幅に改善される。
なおまた、複数個の絶縁性樹脂供給管を使用して、回路
基板（３）にフリップチップIC（１）を実装することが
できる。例えば、実装する半導体素子に対応して樹脂成
分の異なる絶縁性樹脂を別の絶縁性樹脂供給管で供給で
き、半導体素子接続の信頼性を高めることができる。
基板（３）にフリップチップIC（１）を実装することが
できる。例えば、実装する半導体素子に対応して樹脂成
分の異なる絶縁性樹脂を別の絶縁性樹脂供給管で供給で
き、半導体素子接続の信頼性を高めることができる。
なおさらに、半導体素子の大きさ等に応じ、絶縁性樹脂
の供給量を変える事により、絶縁性樹脂（５）の硬化時
の収縮力すなわち回路基板（３）と半導体素子（１）の
圧接力を半導体素子（１）に対応して最適化でき、回路
基板（３）と半導体素子（１）の高信頼の実装が得られ
る。さらに、圧接界面のずれによって半導体素子に加わ
る水平方向の応力緩和の効果も期待できる。
の供給量を変える事により、絶縁性樹脂（５）の硬化時
の収縮力すなわち回路基板（３）と半導体素子（１）の
圧接力を半導体素子（１）に対応して最適化でき、回路
基板（３）と半導体素子（１）の高信頼の実装が得られ
る。さらに、圧接界面のずれによって半導体素子に加わ
る水平方向の応力緩和の効果も期待できる。
また、他の実施例として半導体の裏面側、即ち電極が形
成された面と反対の両側に、この半導体素子の裏面より
も面積の広い平板を接触させた状態で絶縁性樹脂（５）
を供給し、硬化すれば半導体素子（１）と回路基板
（３）との間に作用する圧力が増加し、安定な接続が得
られる。また、この平板の面積を変えることにより、圧
力を調整することもできる。
成された面と反対の両側に、この半導体素子の裏面より
も面積の広い平板を接触させた状態で絶縁性樹脂（５）
を供給し、硬化すれば半導体素子（１）と回路基板
（３）との間に作用する圧力が増加し、安定な接続が得
られる。また、この平板の面積を変えることにより、圧
力を調整することもできる。
また、絶縁性樹脂（５）として熱硬化型で熱膨張係数が
正の値を有する樹脂を使用した場合について説明する。
150℃で硬化した後常温まで冷却すると樹脂の冷却によ
る収縮により半導体（１）と回路基板（３）の間の圧力
は増加する。このようにすることにより120℃以下程度
までは半導体素子（１）と回路基板（３）との間に電気
的接続を安定に保持する圧力が加わるため、温度サイク
ル試驗においても極めて安定な信頼性の高い接続が得ら
れる。さらに、常温硬化型の樹脂でも、硬化時の半導体
素子（１）と回路基板（３）との間の圧力が十分得られ
れば、高温時の接続部の安定性は高い。
正の値を有する樹脂を使用した場合について説明する。
150℃で硬化した後常温まで冷却すると樹脂の冷却によ
る収縮により半導体（１）と回路基板（３）の間の圧力
は増加する。このようにすることにより120℃以下程度
までは半導体素子（１）と回路基板（３）との間に電気
的接続を安定に保持する圧力が加わるため、温度サイク
ル試驗においても極めて安定な信頼性の高い接続が得ら
れる。さらに、常温硬化型の樹脂でも、硬化時の半導体
素子（１）と回路基板（３）との間の圧力が十分得られ
れば、高温時の接続部の安定性は高い。
さらに、絶縁性樹脂（５）を半導体素子の電極（２）と
回路基板上の導体パターン（４）の圧接部分には存在し
ないようにすることにより、圧接界面への樹脂（５）の
侵入などを防ぎ、更に安定で信頼性の高い電気的接続が
得られる。
回路基板上の導体パターン（４）の圧接部分には存在し
ないようにすることにより、圧接界面への樹脂（５）の
侵入などを防ぎ、更に安定で信頼性の高い電気的接続が
得られる。
また、半導体素子（１）としてはんだバンプのフリップ
チップICの場合を主として述べてきたが、金バンプでも
よく、さらに回路基板（３）に突起電極を形成すればベ
アチップ（電極はアルミニウムパッド）でもよい。さら
に回路基板（３）として蒸着法により薄膜電極（４）が
形成されたガラス基板について実施例で詳細に述べた
が、めっきやスペッタ法によって成膜された基板、厚膜
導体（例えば銀パラジウム導体）が形成されたセラミッ
ク基板、ガラスエポキシ基板等の回路基板についても同
様の効果を奏する。
チップICの場合を主として述べてきたが、金バンプでも
よく、さらに回路基板（３）に突起電極を形成すればベ
アチップ（電極はアルミニウムパッド）でもよい。さら
に回路基板（３）として蒸着法により薄膜電極（４）が
形成されたガラス基板について実施例で詳細に述べた
が、めっきやスペッタ法によって成膜された基板、厚膜
導体（例えば銀パラジウム導体）が形成されたセラミッ
ク基板、ガラスエポキシ基板等の回路基板についても同
様の効果を奏する。
以上述べたように、この発明によれば、電極が形成され
た半導体素子と導体パターンが形成された回路基板を、
導体パターンと電極とが接触するように位置合わせして
配置する工程、位置合わせされた半導体素子のほぼ全体
を被覆し、かつ回路基板の表面と接触するように絶縁性
樹脂を供給する工程、及び導体パターンと電極が接触し
た状態で供給された絶縁性樹脂を硬化する工程を施し、
半導体素子の電極と回路基板の導体パターンを電気的に
接続することにより、耐熱温度の低い回路素子や樹脂コ
ーティング等を有する回路基板にも適用できる。さら
に、絶縁性樹脂が半導体素子の保護モールドの役割をす
るため、信頼性、生産性が高く、かつ低コストで半導体
素子を回路基板に実装できる半導体実装方法が得られる
効果がある。
た半導体素子と導体パターンが形成された回路基板を、
導体パターンと電極とが接触するように位置合わせして
配置する工程、位置合わせされた半導体素子のほぼ全体
を被覆し、かつ回路基板の表面と接触するように絶縁性
樹脂を供給する工程、及び導体パターンと電極が接触し
た状態で供給された絶縁性樹脂を硬化する工程を施し、
半導体素子の電極と回路基板の導体パターンを電気的に
接続することにより、耐熱温度の低い回路素子や樹脂コ
ーティング等を有する回路基板にも適用できる。さら
に、絶縁性樹脂が半導体素子の保護モールドの役割をす
るため、信頼性、生産性が高く、かつ低コストで半導体
素子を回路基板に実装できる半導体実装方法が得られる
効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体実装方法に係
り、回路基板と半導体素子を位置合わせして配置した工
程の接続部周辺を示す側面図、第２図は同じく絶縁性樹
脂を供給した工程の接続部周辺を示す断面図、第３図は
この発明の一実施例によって得られた接続部と従来の方
法による接続部の温度に対する導通抵抗を比較して示す
特性図、第４図はそれぞれこの発明の他の実施例に係る
工程途中の接続部周辺を示す断面図、第５図は従来の半
導体実装方法に係るリフロー装置を示す断面図である。 （１）……半導体素子、（２）……電極、（３）……回
路基板、（４）……導体パターン、（５）……絶縁性樹
脂。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
り、回路基板と半導体素子を位置合わせして配置した工
程の接続部周辺を示す側面図、第２図は同じく絶縁性樹
脂を供給した工程の接続部周辺を示す断面図、第３図は
この発明の一実施例によって得られた接続部と従来の方
法による接続部の温度に対する導通抵抗を比較して示す
特性図、第４図はそれぞれこの発明の他の実施例に係る
工程途中の接続部周辺を示す断面図、第５図は従来の半
導体実装方法に係るリフロー装置を示す断面図である。 （１）……半導体素子、（２）……電極、（３）……回
路基板、（４）……導体パターン、（５）……絶縁性樹
脂。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高砂 隼人 兵庫県尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三 菱電機株式会社材料研究所内 (56)参考文献 特開 昭62−281360（ＪＰ，Ａ)
Claims (7)
- 【請求項１】電極が形成された半導体素子と導体パター
ンが形成された回路基板を、上記導体パターンと上記電
極とが接触するように位置合わせして配置する工程、上
記位置合わせされた半導体素子のほぼ全体を被覆し、か
つ上記回路基板の表面と接触するように絶縁性樹脂を供
給する工程、及び上記導体パターンと上記電極が接触し
た状態で、上記供給された絶縁性樹脂を硬化する工程を
施し、上記半導体素子の電極と上記回路基板の導体パタ
ーンを電気的に接続することを特徴とする半導体実装方
法。 - 【請求項２】半導体素子と回路基板を位置合わせして配
置する工程の後、上記半導体素子と上記回路基板間を加
圧具を用いて加圧した状態で、上記加圧具と半導体素子
と回路基板に付着するように絶縁性樹脂を供給する工
程、上記供給した絶縁性樹脂を硬化させる工程、及び上
記絶縁性樹脂の硬化した後上記加圧具を切断する工程を
施すようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の半導体実装方法。 - 【請求項３】半導体素子と回路基板間を加圧具を用いて
電極が変形する程度に加圧した状態で、絶縁性樹脂を供
給する工程を施すようにしたことを特徴とする特許請求
の範囲第２項記載の半導体実装方法。 - 【請求項４】絶縁性樹脂は、硬化の際に体積収縮を生ず
る樹脂であることを特徴とする特許請求の範囲第１項な
いし第３項のいずれかに記載の半導体実装方法。 - 【請求項５】絶縁性樹脂は、熱硬化型で、熱膨張係数が
正の値を有する樹脂であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の半導体実装
方法。 - 【請求項６】絶縁性樹脂は、常温硬化型の樹脂であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第４項のい
ずれかに記載の半導体実装方法。 - 【請求項７】半導体素子の電極形成面と反対の面に、こ
の面よりも面積の広い平板を接触させた状態で絶縁性樹
脂を供給する工程、及び上記供給した絶縁性樹脂を硬化
させる工程を施すようにしたことを特徴とする特許請求
の範囲第１項ないし第６項のいずれかに記載の半導体実
装方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62072245A JPH0671026B2 (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 半導体実装方法 |
| US07/363,710 US4942140A (en) | 1987-03-25 | 1989-06-09 | Method of packaging semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62072245A JPH0671026B2 (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 半導体実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63237426A JPS63237426A (ja) | 1988-10-03 |
| JPH0671026B2 true JPH0671026B2 (ja) | 1994-09-07 |
Family
ID=13483715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62072245A Expired - Lifetime JPH0671026B2 (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 半導体実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0671026B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2558512B2 (ja) * | 1988-10-19 | 1996-11-27 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置 |
| JP3037229B2 (ja) | 1997-10-23 | 2000-04-24 | 新潟日本電気株式会社 | ベアチップ実装方法及び実装装置 |
| JP4402718B2 (ja) * | 2005-05-17 | 2010-01-20 | パナソニック株式会社 | フリップチップ実装方法 |
| JP5830847B2 (ja) * | 2010-10-21 | 2015-12-09 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法及び接合方法 |
| US10104772B2 (en) | 2014-08-19 | 2018-10-16 | International Business Machines Incorporated | Metallized particle interconnect with solder components |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62281360A (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-03-25 JP JP62072245A patent/JPH0671026B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63237426A (ja) | 1988-10-03 |
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