JPS60229352A - 樹脂封止形半導体装置および樹脂封止方法 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置および樹脂封止方法Info
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- JPS60229352A JPS60229352A JP59084898A JP8489884A JPS60229352A JP S60229352 A JPS60229352 A JP S60229352A JP 59084898 A JP59084898 A JP 59084898A JP 8489884 A JP8489884 A JP 8489884A JP S60229352 A JPS60229352 A JP S60229352A
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は半導体ベレットにおける動作時の発熱を放熱板
より絶縁層を介して効率よく発散することのできる樹脂
封止形半導体装置およびその樹脂封止方法に関する。
より絶縁層を介して効率よく発散することのできる樹脂
封止形半導体装置およびその樹脂封止方法に関する。
半導体装置では動作時に半導体ベレットに発生する熱を
効率よく外部に発散させることが、取り扱う電力が大き
くなるに従い、重要となる。そのためには放熱板に半導
体ペレットを何も介さずに直接に固着し、この放熱板を
外部放熱フィンに取り付けることが望ましい。さらに、
効率のよい量産性の点で、トランスファ樹脂成型などの
よく知られた技術による樹脂封止形半導体装置が金属容
器によシ封止された半導体装置に比べて、優れているの
で経済的にも有利であり、多く製造されるようになって
き九。
効率よく外部に発散させることが、取り扱う電力が大き
くなるに従い、重要となる。そのためには放熱板に半導
体ペレットを何も介さずに直接に固着し、この放熱板を
外部放熱フィンに取り付けることが望ましい。さらに、
効率のよい量産性の点で、トランスファ樹脂成型などの
よく知られた技術による樹脂封止形半導体装置が金属容
器によシ封止された半導体装置に比べて、優れているの
で経済的にも有利であり、多く製造されるようになって
き九。
このようなものとして、第２図にその断面図として示す
樹脂封止形の半導体装置がよく知られている。
樹脂封止形の半導体装置がよく知られている。
この半導体装置は、トランジスタ ダイオードのような
半導体ペレット１が放熱板２に固着され、半導体ペレッ
ト１の上側電極から図示しない細線リードによシ外部接
続リードの１つに接続され、さらに半導体ペレット１を
保護層４で覆ったのち樹脂５により封止される。この際
、上記の放熱板２の半導体ペレット１が固着された面と
反対側の板面は、封止樹脂５に覆われることなく、露出
されている。放熱板２および封止樹脂５には貫通する孔
６が設けられ、この孔６を利用してこの半導体装置は外
部の放熱フィン（図示せず）等へネジにより取り付ける
ことができる。
半導体ペレット１が放熱板２に固着され、半導体ペレッ
ト１の上側電極から図示しない細線リードによシ外部接
続リードの１つに接続され、さらに半導体ペレット１を
保護層４で覆ったのち樹脂５により封止される。この際
、上記の放熱板２の半導体ペレット１が固着された面と
反対側の板面は、封止樹脂５に覆われることなく、露出
されている。放熱板２および封止樹脂５には貫通する孔
６が設けられ、この孔６を利用してこの半導体装置は外
部の放熱フィン（図示せず）等へネジにより取り付ける
ことができる。
半導体ペレットがトランジスタの場合はコレクタを下に
して放熱板に固着することが多いので、放熱板がコレク
タとなるが、回路上の要請によりコレクタを放熱フィン
から電気的に絶縁するために、マイカなどの絶縁板を挿
入して使われることが多い。
して放熱板に固着することが多いので、放熱板がコレク
タとなるが、回路上の要請によりコレクタを放熱フィン
から電気的に絶縁するために、マイカなどの絶縁板を挿
入して使われることが多い。
またダイオードの場合でも放熱フィン対して絶縁して使
われることが多い。
われることが多い。
従って、この半導体装置を放熱フィンへ取り付ける際に
は部品が多く、取り付けに要する作業時間も多く必要で
あった。
は部品が多く、取り付けに要する作業時間も多く必要で
あった。
第３図は上述の取り付は用のマイカ等の絶縁板を不用に
するように放熱板２の裏側にも薄い樹脂層５１を樹脂封
止時に同時に設けた絶縁タイプの樹脂封止形半導体装置
の断面図である。ところが、この裏面側の樹脂層５１は
放熱性の観点から薄くて均一でおることが重要であるが
、第３図に示されるような薄くて均一な樹脂層５１ｔ−
備えるものを効率よく製造することは、このままでは上
下の位置が規定されないのできわめて困難であった。
するように放熱板２の裏側にも薄い樹脂層５１を樹脂封
止時に同時に設けた絶縁タイプの樹脂封止形半導体装置
の断面図である。ところが、この裏面側の樹脂層５１は
放熱性の観点から薄くて均一でおることが重要であるが
、第３図に示されるような薄くて均一な樹脂層５１ｔ−
備えるものを効率よく製造することは、このままでは上
下の位置が規定されないのできわめて困難であった。
第４図は、上述のような放熱板の裏面に薄くて均一な樹
脂層を備えた半導体装置を容易に効率よく製造できるよ
うに改良されたリードフレームの平面図であり、特開昭
５’／ −１４７２６０号公報によりすでに公知である
。このリードフレーム７は放熱板８と細条９と外部接続
リード１０と２本の連結条１１ 、１２を備えている。
脂層を備えた半導体装置を容易に効率よく製造できるよ
うに改良されたリードフレームの平面図であり、特開昭
５’／ −１４７２６０号公報によりすでに公知である
。このリードフレーム７は放熱板８と細条９と外部接続
リード１０と２本の連結条１１ 、１２を備えている。
第５図に示される前記リードツレ−ムラの樹脂封止工程
を示す断面図かられかるように、放熱板８の面に平行な
方向に左右に延びる細条９と外部接続リード１０とをモ
ールド金型１３で挾むことにより、リードフレーム７の
位置決めがされるので、放熱板日の裏面側の樹脂の厚さ
を薄く均一にすることができる。
を示す断面図かられかるように、放熱板８の面に平行な
方向に左右に延びる細条９と外部接続リード１０とをモ
ールド金型１３で挾むことにより、リードフレーム７の
位置決めがされるので、放熱板日の裏面側の樹脂の厚さ
を薄く均一にすることができる。
さらに第６図には、前述のリードフレーム７が、半導体
ペレットの組み込み後に、第５図に示すモールド金型１
３によって樹脂封止されたものの斜視図を示している。
ペレットの組み込み後に、第５図に示すモールド金型１
３によって樹脂封止されたものの斜視図を示している。
これを細条９と、外部接続り一ド１０の連結条１２に近
いところでそれぞれ切断すれば、第７図に示す樹脂封止
形半導体装置１６を得る。
いところでそれぞれ切断すれば、第７図に示す樹脂封止
形半導体装置１６を得る。
ところが第１図に示すように、この半導体装置１６は前
述の細条９を切断した切り口ｌフが樹脂表面に現われる
ことが避けられず、この装置を放熱フィンに取り付ける
際に垂直な金属板に接触させると短絡の虞があり、また
取り付は後にも、切り口１７と放熱フィンとの間の絶縁
距離が短かいため絶縁不良となる虞が大きいことが問題
であった。しかも細条９は連結条１１と放熱板８とをつ
なぐために欠くことのできないものである。
述の細条９を切断した切り口ｌフが樹脂表面に現われる
ことが避けられず、この装置を放熱フィンに取り付ける
際に垂直な金属板に接触させると短絡の虞があり、また
取り付は後にも、切り口１７と放熱フィンとの間の絶縁
距離が短かいため絶縁不良となる虞が大きいことが問題
であった。しかも細条９は連結条１１と放熱板８とをつ
なぐために欠くことのできないものである。
本発明は絶縁タイプであって、放熱板の裏面側に樹脂を
薄く均一に形成された樹脂封止形半導体装置について、
放熱フィンへの取り付は時の短絡事故あるいはフィンへ
の取シ付は使用中における絶縁不良の虞の少ない樹脂封
止形半導体装置およびその製造方法を提供することを目
的とする。
薄く均一に形成された樹脂封止形半導体装置について、
放熱フィンへの取り付は時の短絡事故あるいはフィンへ
の取シ付は使用中における絶縁不良の虞の少ない樹脂封
止形半導体装置およびその製造方法を提供することを目
的とする。
本発明によれば、絶縁タイプの樹脂封止形半導体装置に
おいて、放熱板延長部と外部接続リードとの下面が放熱
板上面よシ下部に位置する段差を備えたリードフレーム
に半導体ペレットを組み込み、放熱板延長部の光漏に設
けられた切夛欠き部と外部接続リード部とを樹脂対土用
金型で挾んで位置決めし、かつ放熱板延長部を包むよう
に樹脂成型するととＫよシ＃記目的が達成される。
おいて、放熱板延長部と外部接続リードとの下面が放熱
板上面よシ下部に位置する段差を備えたリードフレーム
に半導体ペレットを組み込み、放熱板延長部の光漏に設
けられた切夛欠き部と外部接続リード部とを樹脂対土用
金型で挾んで位置決めし、かつ放熱板延長部を包むよう
に樹脂成型するととＫよシ＃記目的が達成される。
以下、図を引用して、本発明の樹脂封止形半導体装置の
一実施例について詳細に説明する。
一実施例について詳細に説明する。
第８図は本発明に係わるリードフレーム１８の平面図で
ある。放熱板１９の一端に外部接続リード釦がつながり
、外部リード菊の他端には連結条２１がつながっている
。放熱板１９の他端には放熱板延長部２２が設けられ、
この延長部２２にはその先端に切り欠き部２３が形成さ
れている。連結条２１に設けられ丸孔４と放熱板延長部
２２に設けられた切り欠き部部は樹脂封止のためにモー
ルド金型の位置決めをするときに、金型のピンが挿入さ
れるだめのものである。
ある。放熱板１９の一端に外部接続リード釦がつながり
、外部リード菊の他端には連結条２１がつながっている
。放熱板１９の他端には放熱板延長部２２が設けられ、
この延長部２２にはその先端に切り欠き部２３が形成さ
れている。連結条２１に設けられ丸孔４と放熱板延長部
２２に設けられた切り欠き部部は樹脂封止のためにモー
ルド金型の位置決めをするときに、金型のピンが挿入さ
れるだめのものである。
第８図のリードフレーム用のＡ１からＡ２１Ｃ至る線に
滴った断面図を第９図に示す。
滴った断面図を第９図に示す。
このリードフレーム１８の断面図の第９図からはり−ド
７レーム１８の外部接続リード２０と放熱板延長部羽と
が放熱板１９よシ厚さが薄く、またそれぞれの下面が放
熱仮止の上面より上に位置する段差をもつように形成さ
れていることを示す。リードフレーム１日の放熱板１９
以外の部分の厚さを薄くするのは前記段差加工を容易に
するためであシ、外部リードの場合は接続端子としての
用途上の目的からである。
７レーム１８の外部接続リード２０と放熱板延長部羽と
が放熱板１９よシ厚さが薄く、またそれぞれの下面が放
熱仮止の上面より上に位置する段差をもつように形成さ
れていることを示す。リードフレーム１日の放熱板１９
以外の部分の厚さを薄くするのは前記段差加工を容易に
するためであシ、外部リードの場合は接続端子としての
用途上の目的からである。
第１図は本発明に係わシ、第８図、第９図に示すリード
フレーム１８に対して半導体ベレット１を組み込み、さ
らに樹脂封止するために、モールド金型勢にセットした
状態を示す断面図である。ここではリードフレーム１８
が外部接続リード茄のところで、上下の金ｍｚに挾持さ
れると共に、放熱板延長部２２の先端の切り欠き郡部の
ところでも、金型ビンｌ、２８により挾持されているの
で、リードフレーム１８は上下方向および水平方向にお
いても位置規正され、放熱板の裏側の薄層樹脂部２５が
均一に形成される。
フレーム１８に対して半導体ベレット１を組み込み、さ
らに樹脂封止するために、モールド金型勢にセットした
状態を示す断面図である。ここではリードフレーム１８
が外部接続リード茄のところで、上下の金ｍｚに挾持さ
れると共に、放熱板延長部２２の先端の切り欠き郡部の
ところでも、金型ビンｌ、２８により挾持されているの
で、リードフレーム１８は上下方向および水平方向にお
いても位置規正され、放熱板の裏側の薄層樹脂部２５が
均一に形成される。
切シ欠き部るが放熱板延長部２２の先端に設けられてい
るのは、金型おへのセットを容易にするためである。
るのは、金型おへのセットを容易にするためである。
また、前述の位置規正の結果、との半導体装置の図示し
ない放熱フィンなどへのネジ止め用の孔犯の内周にも樹
脂が均一に形成されることになり、ネジ止め時の絶縁が
確保される。
ない放熱フィンなどへのネジ止め用の孔犯の内周にも樹
脂が均一に形成されることになり、ネジ止め時の絶縁が
確保される。
さらに放熱板延長部２２は、放熱板１９より上部に位置
する段差を備えていることに加え、樹脂体２９で周囲を
被覆され、外部接続端子加以外には樹脂体から外方に金
属が突き出していないので、この半導体装置を放熱フィ
ンに取り付ける際に短絡事故等を起すことが無くなる。
する段差を備えていることに加え、樹脂体２９で周囲を
被覆され、外部接続端子加以外には樹脂体から外方に金
属が突き出していないので、この半導体装置を放熱フィ
ンに取り付ける際に短絡事故等を起すことが無くなる。
また切り欠き郡部の周縁の一部が樹脂体２９に完全に覆
われずに金属が露出しているが、延長部２２が放熱板１
９より上部に位置している九め放熱フィンに取シ付けた
場合切り欠き部部と放熱フィン間の絶縁距離が長くなシ
、絶縁不良の虞れが少ないので影響は小さい。
われずに金属が露出しているが、延長部２２が放熱板１
９より上部に位置している九め放熱フィンに取シ付けた
場合切り欠き部部と放熱フィン間の絶縁距離が長くなシ
、絶縁不良の虞れが少ないので影響は小さい。
第１０図、第ｎ図は、それぞれ本発明により得られる樹
脂封止形半導体装置で、第１０図は連結条２１によシつ
ながった切断前のものを示し、第ｎ図は切断後の１つの
樹脂封止形半導体装置３１を示す。
脂封止形半導体装置で、第１０図は連結条２１によシつ
ながった切断前のものを示し、第ｎ図は切断後の１つの
樹脂封止形半導体装置３１を示す。
孔３２は金型ビン２’７ 、２８の抜けたあとの孔であ
シ、図示はしてないが、この孔３２の中に切り欠き部部
の一部が前述のように露出するだけで、金属が外方に突
き出していないことを示している。
シ、図示はしてないが、この孔３２の中に切り欠き部部
の一部が前述のように露出するだけで、金属が外方に突
き出していないことを示している。
以上説明したように、本発明による樹脂封止形半導体装
量は外部接続リードと放熱板延長部との下面を放熱板の
上面よシ上に位置するような段差を設け、この延長部の
切り欠き部に金型ビンを当接し、かつ挾むことにより位
置決めをし、続いてこの延長部を包むように樹脂封止し
たので、本発明により得られる半導体装置を放熱フィン
に取抄付ける際に、短絡することがなく、さらにフィン
に取り付けて長期間使用しても、絶縁不良になる虞れが
少なくなるという優れた効果をもつものである。
量は外部接続リードと放熱板延長部との下面を放熱板の
上面よシ上に位置するような段差を設け、この延長部の
切り欠き部に金型ビンを当接し、かつ挾むことにより位
置決めをし、続いてこの延長部を包むように樹脂封止し
たので、本発明により得られる半導体装置を放熱フィン
に取抄付ける際に、短絡することがなく、さらにフィン
に取り付けて長期間使用しても、絶縁不良になる虞れが
少なくなるという優れた効果をもつものである。
本発明により得られる効果は半導体ベレットがトランジ
スタであっても、ダイオード又はサイリスタでも同様に
得られる。捷だ半導体ベレットの複数が放熱板上に組立
てられていても同様である。
スタであっても、ダイオード又はサイリスタでも同様に
得られる。捷だ半導体ベレットの複数が放熱板上に組立
てられていても同様である。
第１図は本発明の樹脂封止形半導体装置の樹脂封止工程
の一実施例を示す断面図、第２図および第３図は従来の
樹脂封止形半導体装置の断面図、第４図は従来のリード
フレームを示す平面図、第５図は従来の樹脂封止形半導
体装置の樹脂封止工程を示す断面図、第６図は従来の樹
脂封止形半導体装置が連結条によりつながった状態を示
す斜視図、第７図は従来の樹脂封止形半導体装置を示す
斜視図、第８図は本発明に係わるリードフレームの平面
図、第９図は本発明に係わるリードフレームの断面図、
第１０図は本発明の樹脂封止形半導体装置が連結されて
いる状態を示す斜視図、第１１図は本発明の樹脂封止形
半導体袋ｔを示す斜視図である。 １・・・半導体ベレット、１９・・放熱板、加・・・外
部接続リード、羽・・・放熱板延長部、部・・切り欠き
部、茄・・・薄層樹脂部、お・・・モールド金型、２’
／ 、 ２８・・・金型ピン、怨・・・樹脂体。 ｖ１図 第２図 第４図 第５図 更６図 埠７図 佐 １３図 第９図 晃１０図 ２ 第１１図 Ｉ 手続補正書（方式） ％式％ ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 川崎市川両区田辺新田１番１号名 称 （５２
３）冨士電機製造株式会社５、補正指令の日付 昭和５
９年 ７月３１日６、補正の対象 昭和５９年４月２６
日付出願の明細書の発明の名称。 ？ｄｉ正の内容 明ａ、■店の「発明の名称」を以Ｆの、ＬうＧこ？！ｉ
ｉＥ −Ｊ−る。
の一実施例を示す断面図、第２図および第３図は従来の
樹脂封止形半導体装置の断面図、第４図は従来のリード
フレームを示す平面図、第５図は従来の樹脂封止形半導
体装置の樹脂封止工程を示す断面図、第６図は従来の樹
脂封止形半導体装置が連結条によりつながった状態を示
す斜視図、第７図は従来の樹脂封止形半導体装置を示す
斜視図、第８図は本発明に係わるリードフレームの平面
図、第９図は本発明に係わるリードフレームの断面図、
第１０図は本発明の樹脂封止形半導体装置が連結されて
いる状態を示す斜視図、第１１図は本発明の樹脂封止形
半導体袋ｔを示す斜視図である。 １・・・半導体ベレット、１９・・放熱板、加・・・外
部接続リード、羽・・・放熱板延長部、部・・切り欠き
部、茄・・・薄層樹脂部、お・・・モールド金型、２’
／ 、 ２８・・・金型ピン、怨・・・樹脂体。 ｖ１図 第２図 第４図 第５図 更６図 埠７図 佐 １３図 第９図 晃１０図 ２ 第１１図 Ｉ 手続補正書（方式） ％式％ ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 川崎市川両区田辺新田１番１号名 称 （５２
３）冨士電機製造株式会社５、補正指令の日付 昭和５
９年 ７月３１日６、補正の対象 昭和５９年４月２６
日付出願の明細書の発明の名称。 ？ｄｉ正の内容 明ａ、■店の「発明の名称」を以Ｆの、ＬうＧこ？！ｉ
ｉＥ −Ｊ−る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）放熱板と、放熱板の一端につながる外部接続リード
と、他端につながり、かつ樹脂封止時に位置決めに用い
られる切り欠き部が形成された放熱板延長部と、前記放
熱板上に固着され、外部接続リードに接続される半導体
ベレットと、放熱板の半導体ベレット側で厚く、裏面側
で薄く形成され全体を封止する樹脂体とによシなるもの
において、外部接続リードと放熱板延長部とのそれぞれ
の下面が放熱板の上面より上部に位置するような段差を
備えていることを特徴とする樹脂封止形半導体装置。 ２）放熱板と、放熱板の一端につながる外部接続リード
と、他端につながる放熱板延長部とを備えるリードフレ
ームに半導体ベレットを組込み、放熱板のベレット側で
厚く、ベレットとは反対側で薄く樹脂封止する方法にお
いて、放熱板延長部の先端に設けられた切勺欠き部と外
部接続リード部とを樹脂封止用金型で挾んで位置決めし
、かつ放熱板延長部を包むように樹脂成型することを特
徴とする半導体装置の樹脂封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59084898A JPS60229352A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | 樹脂封止形半導体装置および樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59084898A JPS60229352A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | 樹脂封止形半導体装置および樹脂封止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60229352A true JPS60229352A (ja) | 1985-11-14 |
| JPH0318741B2 JPH0318741B2 (ja) | 1991-03-13 |
Family
ID=13843554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59084898A Granted JPS60229352A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | 樹脂封止形半導体装置および樹脂封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60229352A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4750030A (en) * | 1983-01-17 | 1988-06-07 | Nec Corporation | Resin-molded semiconductor device having heat radiating plate embedded in the resin |
| JPH07130915A (ja) * | 1993-11-04 | 1995-05-19 | Goto Seisakusho:Kk | 半導体装置用放熱板及びその製造方法 |
| JP2018117019A (ja) * | 2017-01-17 | 2018-07-26 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57188858A (en) * | 1981-05-18 | 1982-11-19 | Matsushita Electronics Corp | Plastic molded type semiconductor device |
-
1984
- 1984-04-26 JP JP59084898A patent/JPS60229352A/ja active Granted
Patent Citations (1)
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| JPS57188858A (en) * | 1981-05-18 | 1982-11-19 | Matsushita Electronics Corp | Plastic molded type semiconductor device |
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| JP2018117019A (ja) * | 2017-01-17 | 2018-07-26 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0318741B2 (ja) | 1991-03-13 |
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