JPS6022964A - シ−ト状物体へのマスク成膜法 - Google Patents
シ−ト状物体へのマスク成膜法Info
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- JPS6022964A JPS6022964A JP58132415A JP13241583A JPS6022964A JP S6022964 A JPS6022964 A JP S6022964A JP 58132415 A JP58132415 A JP 58132415A JP 13241583 A JP13241583 A JP 13241583A JP S6022964 A JPS6022964 A JP S6022964A
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- Japan
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- film
- pattern
- sheet
- mask film
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Collation Of Sheets And Webs (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、例えば太陽電池におけるアモルファスシリコ
ン膜（以下ａ−３ｉ と記す）のシート状物体へのマス
ク成膜法に関するものである。
ン膜（以下ａ−３ｉ と記す）のシート状物体へのマス
ク成膜法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来、例えば太陽電池製造におけるシート状物体へのａ
−８ｉ膜の成膜工程は、第１図ａ −ｅにその概念図を
示すようにステンレスやポリイミドからなるシート状物
体１（第１図ａ）の上に、ｄ−Ｓｉ膜２を化学気相蒸着
（Ｃ，Ｖ、Ｄ）などにより、成膜（第１図ｂ）した後、
スクリーン印刷やレジスト塗布、露光、現像といったフ
ォトリン工程により、レジスト膜３をパターン成膜グ（
第３図Ｃ）した後、エノテング工程で必要のない膜をエ
ノグーング（第１図ｄ）し、その後゛レジスト除去工程
でレジスト膜３を取り去り、膜のパターンが形成される
（第１図ｅ）のであり、このように、工程が多く、それ
ぞれの工程に設備が必要であり、コストがかさむ、訃だ
生産リードタイムが多い、生産性が悪いなどの欠点を有
していた。
−８ｉ膜の成膜工程は、第１図ａ −ｅにその概念図を
示すようにステンレスやポリイミドからなるシート状物
体１（第１図ａ）の上に、ｄ−Ｓｉ膜２を化学気相蒸着
（Ｃ，Ｖ、Ｄ）などにより、成膜（第１図ｂ）した後、
スクリーン印刷やレジスト塗布、露光、現像といったフ
ォトリン工程により、レジスト膜３をパターン成膜グ（
第３図Ｃ）した後、エノテング工程で必要のない膜をエ
ノグーング（第１図ｄ）し、その後゛レジスト除去工程
でレジスト膜３を取り去り、膜のパターンが形成される
（第１図ｅ）のであり、このように、工程が多く、それ
ぞれの工程に設備が必要であり、コストがかさむ、訃だ
生産リードタイムが多い、生産性が悪いなどの欠点を有
していた。
発明の目的
本発明は上記従来の欠点を解消するものであり、パター
ン成膜の形成工程を簡素化するシート状物体への成膜法
を提供するものである。
ン成膜の形成工程を簡素化するシート状物体への成膜法
を提供するものである。
発明の構成
本発明は、成膜すべき形状の穴アキ・々ターンを形成し
た電気絶縁体からなるマスクフィルムと、成膜すべきシ
ート犬物体件をコロナ帯電による静電吸着で密着させる
、工程と、それに続く成膜、工程とから構成されており
、レジスト塗布、・くターンニング、レジスト除去とい
った一連の工程を省き、−挙にパターン成膜形成が可能
であるといっ・た特有の効果を有する。
た電気絶縁体からなるマスクフィルムと、成膜すべきシ
ート犬物体件をコロナ帯電による静電吸着で密着させる
、工程と、それに続く成膜、工程とから構成されており
、レジスト塗布、・くターンニング、レジスト除去とい
った一連の工程を省き、−挙にパターン成膜形成が可能
であるといっ・た特有の効果を有する。
実施例の説明
以下本発明の一実施例について第２図及び第３図にもと
づいて説明する。第２図及び第３図に訃いて、４はステ
ンレスからなる成膜すべきシート状物体で、巻出軸５ａ
から送シ出され、成膜工程６を経て巻取軸７ａに巻取ら
れる。８は、成膜すべき形状の穴アキパターンを形成し
た電気絶縁体のポリイミドからなるマスクフィルムで、
巻出軸６ｂから送シ出され、成膜工程６を経て巻取軸７
ｂに巻取られる。９はマスクフィルム８に帯電させるコ
ロナ放電体である。成膜工程６は、プラズマ反応室１０
内にシランを主成分とする反応ガスを導くガス供給口１
１と、放電電極１２，１３から構成されている。
づいて説明する。第２図及び第３図に訃いて、４はステ
ンレスからなる成膜すべきシート状物体で、巻出軸５ａ
から送シ出され、成膜工程６を経て巻取軸７ａに巻取ら
れる。８は、成膜すべき形状の穴アキパターンを形成し
た電気絶縁体のポリイミドからなるマスクフィルムで、
巻出軸６ｂから送シ出され、成膜工程６を経て巻取軸７
ｂに巻取られる。９はマスクフィルム８に帯電させるコ
ロナ放電体である。成膜工程６は、プラズマ反応室１０
内にシランを主成分とする反応ガスを導くガス供給口１
１と、放電電極１２，１３から構成されている。
以下に動作について説明する。まず成膜すべきシート状
物体４が巻出軸５ａより送り出され、同時に成膜すべき
形状の穴アキパターンを形成した電気絶縁体からなるマ
スクフィルム８が巻出軸５ｂより送り出され、コロナ放
電体９で帯電され、ノート状物体４と密着した状態で成
膜工程６に送り出される。ここでシランを主成分とした
反応ガスがガス供給１」１１よシ導入され、′この反応
ガスのプラズマ反応により放電電極１２．１３の間に配
されたマスクフィルム８を密着したシート状物体４にａ
−Ｓｉ ｊｌＢＪ’１４を形成する。ａ−９ｉ膜１４
を形成したシート状物体４は巻取軸７ａに巻取られ、マ
スクフィルム８はシート状物体４と分離して、巻取軸７
ｂに巻取られる。
物体４が巻出軸５ａより送り出され、同時に成膜すべき
形状の穴アキパターンを形成した電気絶縁体からなるマ
スクフィルム８が巻出軸５ｂより送り出され、コロナ放
電体９で帯電され、ノート状物体４と密着した状態で成
膜工程６に送り出される。ここでシランを主成分とした
反応ガスがガス供給１」１１よシ導入され、′この反応
ガスのプラズマ反応により放電電極１２．１３の間に配
されたマスクフィルム８を密着したシート状物体４にａ
−Ｓｉ ｊｌＢＪ’１４を形成する。ａ−９ｉ膜１４
を形成したシート状物体４は巻取軸７ａに巻取られ、マ
スクフィルム８はシート状物体４と分離して、巻取軸７
ｂに巻取られる。
以」二のように本実施例によれば、成膜すべきシーｌ−
秋物体に、成膜すべき形状の穴アキパターンを・形成し
たマスクフィルムをコロナ帯電による静電吸着で密着せ
しめた後、ａ−３ｉ膜を成膜することにより、シート状
物体上にパターンを有した成膜を行なうことができる。
秋物体に、成膜すべき形状の穴アキパターンを・形成し
たマスクフィルムをコロナ帯電による静電吸着で密着せ
しめた後、ａ−３ｉ膜を成膜することにより、シート状
物体上にパターンを有した成膜を行なうことができる。
なお実施例で形成する膜はａ−３ｉ膜としたが、Ｓｉ膜
、 ＳｉＮ膜、 Ｐｏ１ｙＳｉ膜、ＳｉＯ２膜などの声
でもよ（、また膜の形成法はプラズマＣ，Ｖ、Ｄとした
が、常圧ＣＶＤや減圧ＣＶＤなどの方法をとってもよい
ことは言うまでもない。
、 ＳｉＮ膜、 Ｐｏ１ｙＳｉ膜、ＳｉＯ２膜などの声
でもよ（、また膜の形成法はプラズマＣ，Ｖ、Ｄとした
が、常圧ＣＶＤや減圧ＣＶＤなどの方法をとってもよい
ことは言うまでもない。
発明の効果
以上のように本発明は、成膜すべき形状の穴アキパター
ンを形成した電気絶縁体からなるマスクフィルムと、成
膜すべきシート状物体とをコロナ帯電による静電吸着で
密着した後に成膜を行なうことで、レジスト塗布、パタ
ーンニング、レジスト除去といった一連の工程を省き、
−挙にパターン成膜が可能で、工程短縮、リードタイム
短縮と共に生産性が上がるという効果を発揮するもので
ある。
ンを形成した電気絶縁体からなるマスクフィルムと、成
膜すべきシート状物体とをコロナ帯電による静電吸着で
密着した後に成膜を行なうことで、レジスト塗布、パタ
ーンニング、レジスト除去といった一連の工程を省き、
−挙にパターン成膜が可能で、工程短縮、リードタイム
短縮と共に生産性が上がるという効果を発揮するもので
ある。
第１図ａ ％ ｅは従来の成膜工程を示す工程概念図、
第２図は本発明の一実施例における成膜装置の概略説明
図、第３図ａ ” Ｃは本発明の一実施例における成膜
工程を示す概念図である。 １．４・・・・・・シート状物体、２．１４・・川・ａ
−８ｉ膜、８°・・・・・マスクフィルム、９・・・
・・・コロナ放電体、１ｏ・・・・・・プラズマ反応室
、１２．１３・・・・放電電イ士−（０
第２図は本発明の一実施例における成膜装置の概略説明
図、第３図ａ ” Ｃは本発明の一実施例における成膜
工程を示す概念図である。 １．４・・・・・・シート状物体、２．１４・・川・ａ
−８ｉ膜、８°・・・・・マスクフィルム、９・・・
・・・コロナ放電体、１ｏ・・・・・・プラズマ反応室
、１２．１３・・・・放電電イ士−（０
Claims (1)
- 成膜すべき形状の穴アキパターンを形成した電気絶縁体
からなるマスクフィルムと、成膜すべきシート状物体と
をコロナ帯電による静電吸着で密着せしめる工程とそれ
に続（成膜工程とからなるソート状物体へのマスク成膜
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58132415A JPS6022964A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | シ−ト状物体へのマスク成膜法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58132415A JPS6022964A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | シ−ト状物体へのマスク成膜法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6022964A true JPS6022964A (ja) | 1985-02-05 |
Family
ID=15080842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58132415A Pending JPS6022964A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | シ−ト状物体へのマスク成膜法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6022964A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63187569U (ja) * | 1987-05-22 | 1988-12-01 | ||
| JPH09108605A (ja) * | 1995-10-20 | 1997-04-28 | Tdk Corp | 間欠塗布方法および間欠塗布装置 |
-
1983
- 1983-07-19 JP JP58132415A patent/JPS6022964A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63187569U (ja) * | 1987-05-22 | 1988-12-01 | ||
| JPH09108605A (ja) * | 1995-10-20 | 1997-04-28 | Tdk Corp | 間欠塗布方法および間欠塗布装置 |
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